DE3941042A1 - Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrofotografisches Aufzeich­ nungsmaterial, das heißt ein lichtempfindliches Material für elektrofotografische Anwendungen, das mit einer eine Selen-Arsen-Legierung enthaltenden lichtempfindlichen Schicht versehen ist.

Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien werden da­ durch hergestellt, daß man auf einem leitenden Träger, etwa aus einer Aluminiumlegierung oder ähnlichem, eine licht­ empfindliche Schicht aus einem fotoleitenden Material oder ähnlichem ausbildet. Dieses Aufzeichnungsmaterial verwendet man in elektrofotografischen Geräten, etwa Kopiergeräten, die auf Normalpapier kopieren, wobei von folgendem Verfah­ ren Gebrauch gemacht wird.

Zunächst wird die Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials in Dunkelheit mit Hilfe einer Koronaentladungseinrichtung gleichförmig aufgeladen. Danach wird das Aufzeichnungs­ material bildmäßig belichtet, so daß sich an den belichte­ ten Stellen die fotoleitenden Eigenschaften auswirken. Sie führen zu einer Verminderung des elektrischen Potentials und damit zur Ausbildung eines latenten elektrostatischen Bildes auf der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials, das der bildmäßigen Belichtung entspricht. Dieses latente elek­ trostatische Bild wird mit Hilfe eines Toners zu einem sichtbaren Bild, das auf ein Blatt Papier übertragen und dort mit Hilfe von Wärme oder Druck zu dem kopierten Bild fixiert wird. Der auf der Oberfläche des Aufzeichnungsmate­ rials zurückbleibende Toner wird in einem Reinigungsschritt mit einer Pelzbürste oder einer Klinge entfernt und die Restladung (Potential) mit Hilfe einer Wechselstromentla­ dung oder einer Ganzflächenbelichtung, das heißt einer op­ tischen Entladung, entfernt. Danach ist das Aufzeichnungs­ material für den nächsten Zyklus vorbereitet.

Selbst bei Aufzeichnungsmaterialien mit lichtempfindlichen Schichten gleicher Zusammensetzung und gleicher Filmdicke unterscheidet sich das aufgrund der Koronaentladung ent­ stehende Ladungspotential, das heißt die Ladefähigkeit pro Filmdickeneinheit ist unterschiedlich. Wenn sie gering ist, führt dies zu einer Beeinträchtigung des Bildkontrasts. Die Ladefähigkeit pro Filmdickeneinheit kann durch die Formel V _o/I_pc×L, wobei V _o das Ladungspotential, I _pc der in den Träger fließende Strom und L die Filmdicke sind.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Aufzeichnungsmaterial zu schaffen, bei dem eine Streuung der Ladefähigkeit pro Film­ dickeneinheit dadurch stark vermindert wird, daß andere Be­ dingungen als die Zusammensetzung und die Filmdicke der lichtempfindlichen Schicht gesteuert werden.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Aufzeichnungs­ material gemäß dem Patenanspruch gelöst.

Das in der Se-As-Legierung enthaltene As₂O₃ hat die Struk­ tur von Arsenolith und Claudetit, und diese Strukturen re­ flektieren die Struktur der Se-As-Legierung und haben eine enge Beziehung zu den elektrischen Eigenschaften.

Durch Steuerung des Verhältnisses der relativen Absorp­ tionsspitzen im Infrarotspektrum von Arsenolith zu Claude­ tit in der lichtempfindlichen Selen-Arsen-Schicht auf mehr als 0,5 und insbesondere auf mehr als 3,0 wird es möglich, eine gute Ladefähigkeit zu gewährleisten. Dies führt nicht nur zu einem guten Bildkontrast, sondern verkürzt auch er­ forderliche Justiervorgänge beim Austausch des Aufzeich­ nungsmaterials.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend an­ hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 die Ladefähigkeit pro Filmdickeneinheit über dem Verhältnis A/C und

Fig. 2 die Lichtdurchlässigkeit über der Wellenzahl.

Fig. 2 zeigt Kurven 21 und 22 des fouriertransformierten Infrarotabsorptionsspektrums im Infrarotbereich von zwei Proben von amorphem As₂Se₃. Beide Kurven weisen an gleicher Stelle zwei Absorptionsspitzen auf, wobei die Wellenzahl von etwa 790 cm^-1 der Spitze von Arsenolith und die Wellen­ zahl von etwa 650 cm^-1 der Spitze von Claudetit entspricht. Wenn das Verhältnis des Spitzenwerts von Arsenolith zum Spitzenwert von Claudetit als A/C bezeichnet wird und man die Ladefähigkeit über diesem Verhältnis aufträgt, wie es in Fig. 1 geschehen ist, dann zeigt sich, daß die Ladefä­ higkeit bei einem Verhältnis von mehr als 0,5 groß wird.

Beispiel

Eine lichtempfindliche Schicht aus amorphem As₂Se₃, die 1000 ppm Iod (I) wurde auf einem leitenden Träger unter Verwendung zweier verschiedener Arten von Selenmaterial als Rohmaterial ausgebildet. Dann wurde der Zusammenhang zwi­ schen der Ladefähigkeit pro Filmdickeneinheit und dem Ver­ hältnis A/C des As₂Se₃ im Film für den Fall untersucht, daß V _o etwa 900 V betrug, I _pc 100 µA betrug und L etwa 60 µm betrug. Die Kurven 11 und 12 in Fig. 1 zeigen das jeweilige Ergebnis. In beiden Fällen wurde die Ladefähigkeit pro Filmdickeneinheit groß, wenn das Verhältnis A/C 0,5 über­ stieg. Wenn es sich um dasselbe Material handelt, hängt die Ladefähigkeit von dem Verhältnis A/C ab und zeigt keine Än­ derungen.

Obwohl bei dem Beispiel ein Aufzeichnungsmaterial mit iod­ haltigem As₂Se₃ verwendet wurde, kann die Erfindung auch für Aufzeichnungsmaterialien eingesetzt werden, die eine lichtempfindliche Schicht aus einer Se-As-Legierung mit 15 bis 50 Gew.-% enthalten, der Moleküle eines anderen Halo­ genelements, Metallelements wie Sb ect. zugesetzt sind. Auch in diesem Fall kann das Verhältnis A/C des enthaltenen As₂O₃ gesteuert werden.

Claims (2)

1. Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial mit einer eine Selen-Arsen-Legierung als Hauptbestandteil ent­ haltenen lichtempfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß das Ver­ hältnis der Intensität der relativen Absorptionsspitze des Infrarotspektrums von Arsenolith zu Claudetit in der licht­ empfindlichen Selen-Arsen-Legierung mehr als 0,5 beträgt.

2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das genannte Verhältnis über 3,0 liegt.