DE3939527A1 - Band aus metall zur verwendung in der halbleiterfertigung und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Band aus metall zur verwendung in der halbleiterfertigung und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number
DE3939527A1
DE3939527A1 DE19893939527 DE3939527A DE3939527A1 DE 3939527 A1 DE3939527 A1 DE 3939527A1 DE 19893939527 DE19893939527 DE 19893939527 DE 3939527 A DE3939527 A DE 3939527A DE 3939527 A1 DE3939527 A1 DE 3939527A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
webs
edge
web
roughened
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19893939527
Other languages
English (en)
Inventor
Gerhard Dipl Ing Hinterlechner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AATEC Assembling Automations Technik GmbH
Original Assignee
AATEC Assembling Automations Technik GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AATEC Assembling Automations Technik GmbH filed Critical AATEC Assembling Automations Technik GmbH
Priority to DE19893939527 priority Critical patent/DE3939527A1/de
Publication of DE3939527A1 publication Critical patent/DE3939527A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Band aus Metall, in welchem Trägerplättchen und Anschlußfahnen für Chips mit inte­ grierten Schaltkreisen ausgebildet und durch die Anschluß­ fahnen und/oder durch zusätzliche Stege mit zwei Rand­ stegen verbunden sind. Die Trägerplättchen und Anschluß­ fahnen können durch Stanzen oder durch Ätzen gebildet werden. Solche Bänder werden im englischen Sprachge­ brauch auch als "Lead frames" bezeichnet und werden in der Fertigung von Halbleiterbauelementen benötigt. Im Zuge der Fertigung der Halbleiterbauelemente wird auf dem Träger­ plättchen, welches sich in der Mitte des Bandes befindet, ein Halbleiterchip befestigt und durch feine Drähte mit den Anschlußfahnen verbunden. Anschließend werden die Träger­ plättchen mit dem Chip darauf und die Anschlußfahnen auf einem Teil ihrer Länge zur Bildung eines Kunststoffgehäuses mit einem Kunststoff umspritzt. Erst danach werden die Rand­ stege und die sonstigen Stege, die das Trägerplättchen und die Anschlußfahnen mit den Randstegen und zum Teil auch unterein­ ander verbinden, abgetrennt.
Beim Spritzen der Gehäuse kommt es darauf an, zu gewährleisten, daß die Gehäuse frei von Lunkern sind. Andernfalls besteht die Gefahr von Undichtigkeiten, die zu einem vorzeitigen Ausfall des Halbleiterbauelementes führen können. Lunker im Gehäuse können nicht durch eine elektrische Funktionsprüfung am Halb­ leiterbauelement festgestellt werden. Deshalb ist es wichtig, daß man den Spritzvorgang von vornherein so auslegt und durch­ führt, daß lunkerfreie Gehäuse entstehen. Um den Hohlraum der Spritzform in angemessen kurzer Zeit vollständig füllen zu können, ist es einerseits nötig, in der Spritzform dem Anguß­ kanal gegenüberliegend mindestens eine Entlüftungsöffnung vorzu­ sehen; andererseits ist es nötig, ein niedrigviskoses Kunstharz zu verwenden, denn dickflüssigere Harze würden zum vollständigen Fül­ len der Spritzform entsprechend höhere Einspritzdrücke erfordern, die zu einer Schädigung des Halbleiterbauelementes und der Kontak­ tierungsdrähtchen führen könnten. Die Verwendung niedrigviskoser Kunstharze setzt weiterhin voraus, dass die in der Spritzform vorgesehene Entlüftungsöffnung sehr eng ist, damit sich in der Spritzform der erforderliche Einspritzdruck einstellen kann und nicht zu viel Kunstharz aus der Entlüftungsöffnung austritt. Man wählt deshalb als Entlüftungsöffnung einen Spalt oder Schlitz, der schmaler als 0,1 mm ist; ein typischer Zahlenwert für seine Breite ist 15 µm.
Nun gibt es Probleme damit, daß in den Entlüftungsöffnungen Kunstharz kleben bleibt. Grundsätzlich müßte deshalb die Spritzform nach jedem Schuß überprüft und erforderlichenfalls gereinigt werden, damit sich im Bereich der Entlüftungsöffnungen nicht Kunstharzschichten aufbauen, die die jeweilige Entlüftungs­ öffnung allmählich verschließen und dadurch beim nächsten Schuß die Entlüftung stark behindern oder gar verhindern, so daß eine vollständige Füllung der Spritzform und damit ein lunkerfreies Gehäuse nicht mehr gewährleistet sind. Die Arbeiten zur Kon­ trolle und Säuberung der schwer zugänglichen, heißen Spritz­ form sind aber sehr mühsam, und man kann sich deshalb nicht darauf verlassen, daß das Bedienungspersonal sie regelmäßig und sorgfältig durchführt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch eine einfachere Maßnahme einen wirksamen Beitrag zum lunkerfreien Spritzen der Gehäuse für die Halbleiterbauelemente zu leisten.
Diese Aufgabe wird gelöst durch Bänder mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen und durch ein Verfahren zum Herstellen solcher Bänder mit den im Anspruch 6 angegebenen Merkmalen. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, den Randsteg oder den bzw. die sonstigen Stege des Bandes, die beim Spritzvorgang im Bereich einer Entlüftungsöffnung der Spritzform liegen werden, gezielt aufzurauhen und auf diese Weise eine Oberfläche zu schaffen, auf welcher das Kunstharz besser haftet als auf der gegenüber­ liegenden, üblicherweise polierten, Oberfläche der Spritzform. Das Kunstharz, welches beim Spritzvorgang unvermeidlich in die Entlüftungsöffnung eindringt, wird dann zusammen mit dem Steg bzw. Randsteg des Bandes, an dem es haftet, aus der Entlüftungs­ öffnung entfernt. Die Entlüftungsöffnung bleibt deshalb lang­ fristig offen. Daß das Kunstharz stattdessen am Randsteg oder an einem sonstigen Steg des Bandes haftet, ist kein Nachteil, da dieser nach dem Spritzen des Gehäuses ohnehin abgetrennt wird.
Erfindungsgemäß wird die rauhe Oberfläche nur an den Stellen benötigt, an denen der betreffende Steg bzw. Randsteg beim Spritzen in einer Entlüftungsöffnung der Spritzform liegt. Vor­ zugsweise wird der betreffende Steg bzw. Randsteg jedoch beid­ seitig und auf voller Länge durchgehend aufgerauht. Liegt die Entlüftungsöffnung an einem Randsteg, genügt es, diesen Rand­ steg aufzurauhen, da die Bänder in der Regel unsymmetrisch ge­ staltet werden, z. B. durch Stanzen oder Ätzen, so daß durch das Stanzmuster bzw. Ätzmuster festgelegt ist, welcher der bei­ den Randstege beim Spritzen in der Entlüftungsöffnung der Spritzform liegen wird. Es ist aber durchaus möglich, beide Randstege des Bandes aufzurauhen. Das Aufrauhen kann mecha­ nisch erfolgen, insbesondere durch Prägen, Ritzen, Bürsten und Schleifen; es kann auf chemischem Wege erfolgen durch Ätzen des betreffenden Steges oder Randsteges; eine weitere Möglichkeit zum Aufrauhen besteht in der Anwendung eines Funkenerosionsverfahrens. Es ist sogar möglich, den betreffen­ den Steg oder Randsteg sehr fein zu perforieren; der Vorteil der Perforierung liegt darin, daß sich das in die Entlüftungs­ öffnung der Spritzform eindringende Kunstharz mit dem Steg bzw. Randsteg besonders gut verzahnt. Eine solche Perforierung könnte durch Funkenerosion erreicht werden, wird besonders günstig jedoch erreicht durch Beschießen des betreffenden Steges oder Randsteges mit Laserstrahlen. Neben einer solchen, vorzugsweise unregelmäßigen, perforierung können der eine oder der andere oder beide Randstege in regelmäßigen Abständen Indexlöcher haben, die für ein genaues Positionieren des Ban­ des im Spritzwerkzeug und im Stanzwerkzeug vorgesehen sind. Diese Indexlöcher befinden sich an Stellen, die beim Spritzen nicht in der Entlüftungsöffnung der Spritzform liegen, so daß sie hinsichtlich des Entfernens von Kunstharz aus den Ent­ lüftungsöffnungen wirkungslos sind. Obendrein sind sie mit einem typischen Durchmesser von 1 bis 2 mm groß gegenüber einer sehr feinen Perforierung, welche erfindungsgemäß vorge­ sehen und vor allem durch einen Beschuß mit Laserstrahlen ver­ wirklicht werden kann.
Das Aufrauhen des betreffenden Steges bzw. Randsteges kann zu unterschiedlichen Zeitpunkten im Verlauf des Verfahrens zum Her­ stellen des Bandes erfolgen. Vorzugsweise wird das Aufrauhen nach dem Walzen durchgeführt; eine vor dem letzten Walzvorgang durchgeführte Aufrauhung würde durch das nachfolgende Walzen nämlich wenigstens teilweise wieder rückgängig gemacht. Das Aufrauhen kann vor, während oder nach dem Stanzen oder Ätzen durchgeführt werden. Vorzugsweise erfolgt es mit dem Stanz­ bzw. Ätzvorgang oder bei einem der darauf folgenden Fertigungs­ schritte.
Ausführungsbeispiele sind in den beiden Zeichnungen dargestellt.
Fig. 1 zeigt die Draufsicht auf einen Abschnitt eines Leadframes in vergrößerter Darstellung. Es handelt sich um einen Leadframe für integrierte Schalt­ kreise, die nur auf zwei einander gegenüberliegen­ den Seiten Anschlußbeinchen haben.
Fig. 2 zeigt die Draufsicht auf einen anderen Leadframe für integrierte Schaltkreise, die an allen vier Seiten Anschlußbeinchen haben.
Der in Fig. 1 gezeigte Leadframe hat zwei längsverlaufende Rand­ stege 1 und 2 und in der Mitte zwischen ihnen eine Folge von Trägerplättchen 3 für je einen Chip. Das Trägerplättchen 3 ist durch zwei quer zu den Randstegen 1 und 2 verlaufende Stege 4 und 5 mit diesen verbunden. Eine Anzahl von Anschlußfahnen 6 sind durch quer zu den Randstegen 1 und 2 verlaufende Stege 7 paarweise untereinander und mit den Randstegen 1 und 2 verbunden. Die Anschlußfahnen enden in geringem Abstand vom Rand des Träger­ plättchens 3. Außerdem sind die Anschlußfahnen 6 durch Stege 8 mit den in ihrer Flucht liegenden Anschlußfahnen im Nachbarfeld verbunden.
In den Randstegen 1 und 2 befinden sich in regelmäßigen Ab­ ständen Indexlöcher 9, 10 und 11 sowie im Randsteg 1 in Höhe des Trägerplättchens 3 jeweils ein Loch 12. Dem Loch 12 gegenüber­ liegend befindet sich am Randsteg 2 beim Anspritzen des Gehäuses für den integrierten Schaltkreis die Angußöffnung der Spritzform und der Angußöffnung gegenüberliegend befindet sich an der Stelle 13 des Randsteges 1 die schmale Entlüftungsöffnung der Spritzform. Deshalb ist an dieser Stelle 13 der Randsteg 1 aufgerauht.
Im zweiten Ausführungsbeispiel sind Teile, die Teilen des ersten Ausführungsbeispiels entsprechen, mit denselben Bezugszahlen wie in Fig. 1 dargestellt.
Im zweiten Ausführungsbeispiel sind die Trägerplättchen 3 an ihren vier Ecken durch diagonal verlaufende Stege 4 und 5 mit vier ein Quadrat bildenden Stegen 7 verbunden, welche beim Spritzen des Gehäuses die Spritzform abdichten und deshalb auch als "Dicht­ leisten" bezeichnet werden. Die Dichtleisten sind ihrerseits an einer Ecke des durch sie gebildeten Quadrates durch ein Flächen­ element 13 und an den übrigen drei Ecken des Quadrates durch Stege 14 mit den Randstegen 1 bzw. 2 des Leadframes bzw. mit die Rand­ stege 1 und 2 verbindenden Querstegen 15 verbunden.
Die Dichtleisten 7 verbinden ferner die Anschlußfahnen 6 unter­ einander, die mit ihrem einen Ende dicht vor dem Trägerplättchen 3 liegen und mit ihrem anderen Ende auf den Randstreifen 1 bzw. 2 bzw. auf den Querstegen 15 fußen.
Beim Spritzen des Gehäuses für einen integrierten Schaltkreis soll sich der Angußkanal der Spritzform auf dem Flächenelement 13 be­ finden, während sich an den übrigen drei Ecken des von den Dicht­ leisten 7 gebildeten Quadrates schmale Entlüftungsöffnungen der Spritzform befinden sollen. An diesen drei Ecken des Quadrates sind die Dichtleisten 7, vorzugsweise auch noch die angrenzenden Be­ reiche der Stege 14, aufgerauht.
Nachdem das Gehäuse gespritzt ist, werden die Randstege 1 und 2, die Stege 14 und die Querstege 15 abgetrennt und die zwischen den An­ schlußfahnen 6 liegenden Abschnitte der Stege 7 herausgetrennt und dadurch die Anschlußfahnen voneinander getrennt.

Claims (17)

1. Band aus Metall, in welchem für Chips mit inte­ grierten Schaltkreisen Trägerplättchen (3) mit An­ schlußfahnen (6) ausgebildet und durch die Anschlußfahnen (6) und/oder durch Stege (5, 7, 8) mit zwei Randstegen (1, 2) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Randsteg (1) und/oder wenigstens einer der ggfs. vorgesehenen sonstigen Stege (4, 7) wenigstens stellenweise auf ihrer Oberseite und/oder auf ihrer Unterseite rauher sind als die Anschluß­ fahnen (6).
2. Band nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Stege (4, 7) rauher sind als die Anschluß­ fahnen (6).
3. Band nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beide Randstege (1, 2) rauher sind als die Anschluß­ fahnen (6).
4. Band nach Anspruch 1, 2 oder 3, welches am einen und/ oder am anderen Randsteg (1, 2) in regelmäßigen Ab­ ständen Indexlöcher (9, 10, 11) hat, dadurch gekennzeich­ net, daß der jeweilige Randsteg (1, 2) bzw. der oder die sonstigen Stege (4, 7) weitere Löcher haben, die klein gegen die Indexlöcher (9, 10, 11) sind.
5. Band nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die kleinen Löcher regellos angeordnet sind.
6. Verfahren zum Herstellen von gewalzten Bändern aus Metall, in welchen für Chips mit integrierten Schalt­ kreisen Trägerplättchen (3) und Anschlußfahnen (6) ausge­ bildet werden, die durch die Anschlußfahnen (6) und/oder durch Stege (5, 7, 8) mit zwei Randstegen (1, 2) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Rand­ steg (1) und/oder wenigstens einer der sonstigen ggfs. vor­ gesehenen Stege (4, 7) auf seiner Oberseite und/oder auf seiner Unterseite aufgerauht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende Steg (4, 7) oder Randsteg (1) nach dem Walzen aufgerauht wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeich­ net, daß beide Randstege (1, 2) aufgerauht werden.
9. Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8 zum Herstellen von Bändern, in deren einen und/oder anderen Randsteg (1, 2) in regelmäßigen Abständen Indexlöcher (9, 10, 11) vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß in einem der Stege (4, 7) und/oder in dem einen und/oder dem anderen Randsteg (1, 2) zusätzlich Löcher gebildet werden, die klein gegen die Index­ löcher (9, 10, 11) sind.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die kleinen Löcher in regelloser Anordnung gebildet werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeich­ net, daß die kleinen Löcher mit regelloser Gestalt ge­ bildet werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der jeweilige Steg (4, 7) oder Randsteg (1, 2) mechanisch, insbesondere durch Prägen, Ritzen, Schleifen oder Bürsten aufgerauht wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der jeweilige Steg (4, 7) oder Randsteg (1, 2) durch Ätzen aufgerauht wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der jeweilige Steg (4, 7) oder Randsteg (1, 2) durch Funkenerosion aufgerauht wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der jeweilige Steg (4, 7) oder Randsteg (1, 2) mit Laserstrahlen beschossen und perforiert wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Stege (4, 7) bzw. Randstege (1, 2) aufgerauht werden, während die Trägerplättchen (3) und Anschlußfahnen (6) durch Stanzen oder Ätzen gebildet wer­ den.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Stege (4, 7) bzw. Randstege (1, 2) aufgerauht werden, nachdem die Trägerplättchen (3) und Anschlußfahnen (6) durch Stanzen oder Ätzen gebildet worden sind.
DE19893939527 1989-10-28 1989-11-30 Band aus metall zur verwendung in der halbleiterfertigung und verfahren zu seiner herstellung Ceased DE3939527A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19893939527 DE3939527A1 (de) 1989-10-28 1989-11-30 Band aus metall zur verwendung in der halbleiterfertigung und verfahren zu seiner herstellung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3936054 1989-10-28
DE19893939527 DE3939527A1 (de) 1989-10-28 1989-11-30 Band aus metall zur verwendung in der halbleiterfertigung und verfahren zu seiner herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3939527A1 true DE3939527A1 (de) 1991-05-02

Family

ID=25886565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19893939527 Ceased DE3939527A1 (de) 1989-10-28 1989-11-30 Band aus metall zur verwendung in der halbleiterfertigung und verfahren zu seiner herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3939527A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4230030A1 (de) * 1991-09-11 1993-03-18 Gold Star Electronics Halbleitergehaeuse und verfahren zu dessen zusammenbau
EP0987747A1 (de) * 1998-09-17 2000-03-22 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Verbesserung der Adhäsion zwischen Metal und Kunststoff in Packungsstrukturen für elektronische Halbleiteranordnungen
DE102010062346A1 (de) * 2010-12-02 2012-06-06 Robert Bosch Gmbh Elektronische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482915A (en) * 1981-07-06 1984-11-13 Matsushita Electronics Corp. Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device
EP0130552A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Motorola, Inc. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung unter Verwendung eines Leiterrahmens mit integriertem Giessform-Entlüfter
US4496965A (en) * 1981-05-18 1985-01-29 Texas Instruments Incorporated Stacked interdigitated lead frame assembly
US4551912A (en) * 1983-06-30 1985-11-12 International Business Machines Corporation Highly integrated universal tape bonding

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4496965A (en) * 1981-05-18 1985-01-29 Texas Instruments Incorporated Stacked interdigitated lead frame assembly
US4482915A (en) * 1981-07-06 1984-11-13 Matsushita Electronics Corp. Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device
EP0130552A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Motorola, Inc. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung unter Verwendung eines Leiterrahmens mit integriertem Giessform-Entlüfter
US4551912A (en) * 1983-06-30 1985-11-12 International Business Machines Corporation Highly integrated universal tape bonding

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4230030A1 (de) * 1991-09-11 1993-03-18 Gold Star Electronics Halbleitergehaeuse und verfahren zu dessen zusammenbau
EP0987747A1 (de) * 1998-09-17 2000-03-22 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Verbesserung der Adhäsion zwischen Metal und Kunststoff in Packungsstrukturen für elektronische Halbleiteranordnungen
US6221696B1 (en) 1998-09-17 2001-04-24 Stmicroelectronics S.R.L. Process for improving the adhesion between metal and plastic in containment structures for electronic semiconductor devices
DE102010062346A1 (de) * 2010-12-02 2012-06-06 Robert Bosch Gmbh Elektronische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2108792C3 (de)
EP0706214A2 (de) Elektronikmodul und Chipkarte
DE2536270A1 (de) Mii oeffnungen versehene halbleiterscheibe
DE3817600A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP0643366A2 (de) Elektronisches Modul für Karten und Herstellung eines solchen Moduls
DE10316096B4 (de) Platte mit gedruckter Schaltung und mit einer barrieregeschützten Durchgangsöffnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2351943A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen
DE19625228C2 (de) Systemträger für die Montage einer integrierten Schaltung in einem Spritzgußgehäuse
DE2900114A1 (de) Spritzpressverfahren zum einkapseln von halbleitervorrichtungen
DE3212903A1 (de) Verfahren zur herstellung von kunststoff-gehaeusen mit eingebautem waermeableiter fuer integrierte schaltungen und zur ausfuehrung des verfahrens geeignete kombination aus formwerkzeug und waermeableiter
DE3939527A1 (de) Band aus metall zur verwendung in der halbleiterfertigung und verfahren zu seiner herstellung
DE19627543B9 (de) Multi-Layer-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung
EP0351531A2 (de) Elektronische Baueinheit
DE2924655A1 (de) Stanzwerkzeug
DE4142392C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von spritzgegossenen Chipkarten mit bereichsweise reduzierter Wandstärke
DE19711325C2 (de) Befestigungskonstruktion für gedruckte Platinen
DE3303165C2 (de) Halbleitervorrichtung mit Gehäusekörper und Verbindungsleitern
EP3618585A1 (de) Schaltungsträger mit einem einbauplatz für elektronische bauelemente, elektronische schaltung und herstellungsverfahren
DE10339022A1 (de) Halbleitervorrichtung
WO2012119813A1 (de) Leiterrahmen für optoelektronische bauelemente und verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente
WO1999053545A1 (de) Folie als träger von integrierten schaltungen
WO2016012004A1 (de) Verfahren zum markieren von halbleiterscheiben sowie halbleiterscheibe und halbleitersäule
DE3322734C2 (de) Leiterrahmen zur Kontaktierung von Halbleiterchips mit integrierten Schaltungen
DE19921867C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem verkapselten Chip auf einem Substrat
CH686462A5 (de) Elektronikmodul und Chip-Karte.

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection