DE3900252C1 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung
zur Erzeugung von Ionenstrahlen mit großflächigem Strahl
querschnitt.
Der erzeugte Ionenstrahl dient zur Trockenätzung von Halb
leiteroberflächen. Mit zunehmender Verkleinerung der
Strukturen auf Halbleiterchips gewinnen hochauflösende
Trockenätzverfahren mit einem hohen Grad an Anisotropie und
Maßhaltigkeit an Bedeutung. Das Verhältnis von vertikaler
zu lateraler Ätzrate muß so groß sein, daß die Unterät
zungen der Strukturen kleiner als die durch Lithographie
prozesse bedingten Linienbreitenfehler sind. Beim RIE-
Verfahren (Reactive Ion Etching) werden zur Trockenätzung
reaktive Ionen herangezogen, die zu chemischen Reaktionen
auf der Oberfläche führen. Die Ionen werden durch ein Ätz
plasma zur Verfügung gestellt, das über der Halbleiter
oberfläche brennt.
Eine Weiterentwicklung des RIE-Verfahrens ist der RIBE-
Prozeß (Reactive Ion Beam Etching), bei welchem die Halb
leiteroberfläche mit einem Strahl reaktiver Ionen be
schossen wird. Der Vorteil dieses Verfahrens liegt darin,
daß der störende Einfluß der Ionenerzeugung auf die Ätz
reaktionen auf der Halbleiteroberfläche weitgehend ausge
schaltet wird. Dies wird dadurch erreicht, daß die Erzeu
gung der Ionen und das Ätzen örtlich voneinander getrennt
ablaufen, indem die Ionen aus der Quelle heraus auf die zu
ätzende Oberfläche hin beschleunigt werden.
Voraussetzung für die Durchsetzungsfähigkeit dieses Ver
fahrens ist die Verfügbarkeit einer geeigneten Ionenquelle.
Ionenquellen für unterschiedliche Anwendungsbereiche sind
in der Literatur zahlreich beschrieben. Die grundlegenden
physikalischen Prinzipien werden in der Schrift: "Ionen
quellen" (Kerntechnik, 4, 1962, S. 1-7) erläutert.
Dort ist auch eine Hochfrequenzfunkenionenquelle beschrieben,
bei der die Elektroden als Stifte ausgebildet sind und bei der
die durch Funkenentladung erzeugten Ionen senkrecht zur Entladung
mittels einer Extraktionselektrode durch eine darin angeordnete
Lochblende herausgesaugt werden.
In der Patentschrift US 30 05 931 ist eine Ionenquelle
beispielsweise für die Anwendung in einer Kernfusions-Ap
paratur mit magnetischen Spiegeln offenbart. Diese Ionen
quelle, bei der die Ionen aus einem senkrecht zur Bogenentladung
gerichteten Gasstrom erzeugt werden, ist aber insbesondere für die Erzeugung neutraler Plasmen
ausgebildet.
Eine Ionenquelle zur Ionenimplantation von Metallionen
wurde mit der Schrift "Vakuum arc arrays for intense metal
ion beam injectors" (Nuclear Instruments and Methods in
Physics Research, B 10, 1985, S. 792-795) veröffentlicht.
Diese ebenfalls mit Funkenentladung arbeitende
Ionenquelle erfüllt die Aufgabe, einen Ionenstrom hoher Strahlintensität
zu liefern, der möglichst nur aus einer Ionensorte, nämlich
der zu implantierenden Metallionen besteht und eine hohe
Ionenenergie aufweist.
Um eine hohe Anisotropie des Ätzprozesses zu erreichen,
darf der Ionenstrahl nur eine geringe Strahldivergenz be
sitzen. Er muß eine hohe Ionenstromdichte aufweisen, um
hohe Ätzraten sicherzustellen. Die Ionenenergie muß niedrig
sein, um die Oberflächenschädigung und die Oberflächentem
peratur gering zu halten. Um die gesamte Oberfläche eines
Wafers strukturieren zu können, muß der Ionenstrahl einen
möglichst großflächigen Strahlquerschnitt besitzen.
Die bisher existierenden, gattungsbildenden Verfahren und
Quellen für großflächige Ionen
strahlen arbeiten nach dem Kaufman-Prinzip, das beispiels
weise in dem Artikel "Broad-beam ion sources. Present sta
tus and future directions" (Journal of Vaccuum Science
Technology, A 4, 1986, S. 764-771) beschrieben ist. Bei
dieser Quelle emittiert ein geheiztes Filament Elektronen,
die eine Gleichstromentladung zwischen dem als Kathode ge
schalteten Filament und einer großflächigen Anode unter
halten. Die Extraktion der Ionen aus dem Plasma erfolgt
über ein oder mehrere Gitter, an welchen ein entsprechendes
Potential anliegt.
Die Verwendung eines heißen Filaments ist jedoch für den
Einsatz reaktiver Gase ungeeignet, da das heiße Filament im
Laufe der Zeit weggeätzt wird, wodurch die Betriebsdauer
der Quelle stark eingeschränkt ist. Einige Ionenquellen
vermeiden das heiße Filament zur Erzeugung des Plasmas.
Dort werden beispielsweise Hochfrequenzentladungen oder
Mikrowellenentladungen zur Ionisation eingesetzt.
Die Extraktion der Ionen aus dem Plasma,
insbesondere aus dem durch Funkenentladung erzeugten Plasma,
mit Hilfe von Ex
traktionsgittern, die auch in der Veröffentlichung "Grid
controlled extraction of pulsed ion beams" (Journal of
Applied Physics, 59 (6), 1986, S. 1790-1798) beschrieben
ist, wirkt sich störend auf die Qualität des Ionenstrahles
aus. Die komplizierten Potentiale im Nahbereich der Git
teröffnungen führen zu unterschiedlichen Flugrichtungen der
Ionen nach dem Durchtritt durch die Gitteröffnungen. Der
Ionenstrahl erhält dadurch eine "innere Divergenz", die
zwar durch hintereinander geschaltete Extraktionsgitter
verringert, jedoch nicht beseitigt werden kann. Die innere
Divergenz des Ionenstrahles führt beim Ätzprozeß zu schrä
gen Flanken der geätzten Strukturen und damit zu einer
Herabsetzung der Anisotropie.
Ein weiterer Nachteil der Ionenextraktion mit Hilfe eines
Gitters sind Sputterprozesse der Ionen, die auf die Git
teroberfläche treffen. Durch solche Prozesse wird der Io
nenstrahl mit Verunreinigungen angereichert.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Vor
richtung zur Erzeugung von Ionenstrahlen mit großflächigem
Strahlquerschnitt bereitzustellen, die Ionenstrahlen hoher
Stromdichte, niedriger Ionenenergie und niedriger Strahl
divergenz für die Erzeugung kleinster Strukturen auf Halb
leiteroberflächen liefern und die auf heizbare Filamente
zur Ionenerzeugung und auf Gitterelektroden zur Extraktion
der Ionen verzichten.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un
teransprüchen, eine Vorrichtung zur Durchführung des Ver
fahrens im Nebenanspruch 6 gekennzeichnet. Da die Wahr
scheinlichkeit, daß ein Gasmolekül ionisiert wird, mit der
Verweildauer zwischen den Hochspannungselektroden steigt,
erfolgt die Zuführung des Gases parallel zu den Hochspan
nungselektroden, um die Ionisation des Gasstromes möglichst
effektiv zu gestalten.
Die Beschleunigung der Ionen muß so erfolgen, daß der
Strahl eine möglichst geringe Divergenz aufweist. Ideal ist
eine Beschleunigung entlang paralleler elektrischer Feld
linien, wie sie in einem Plattenkondensator verwirklicht
sind.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Homogenität
des Beschleunigungs-Feldes durch zeitliche Abstimmung der
im Pulsbetrieb durchgeführten Verfahrensschritte 1a bis 1c
erreicht. Das Beschleunigungsfeld wird erst eingeschaltet,
wenn sich die zu beschleunigenden Ionen nicht mehr in Be
reichen befinden, in welchen das Feld inhomogen ist, son
dern Bereiche durchfliegen, deren Feldlinien parallel zur
Flugrichtung weisen.
Die gepulste Beschleunigung der Ionen in den hintereinander
angeordneten Beschleunigungsfeldern bewirkt, daß Ionen
gleicher Masse aber mit unterschiedlichem Ladungszustand
beim Auftreffen auf die zu ätzende Oberfläche dieselbe En
ergie besitzen und demnach die gleichen energieabhängigen
Prozesse induzieren.
Durch Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ge
mäß den Ansprüchen 2 und 3 werden Ladungsträger, die ent
weder nicht an einer Reaktion mit der Oberfläche teilge
nommen haben, oder geladene Reaktionsprodukte mit Hilfe
eines Spannungspulses aus dem Bereich der Oberfläche ent
fernt. Diese geladenen Teilchen können sich dann nicht mehr
negativ auf die Qualität des Ionenstrahles und auf die Re
aktionsprozesse auswirken.
Um auch den negativen Einfluß von Neutralteilchen auf die
Strahlqualität auszuschalten, werden nach Anspruch 4 die
neutralen Reaktionsprodukte mit Hilfe von Vakuumpumpen aus
dem Reaktionsraum entfernt. Eine Weiterbildung nach An
spruch 5 zeichnet sich dadurch aus, daß die Entladung des
Hochspannungspulses zur Plasmaerzeugung effektiv und
gleichmäßig erfolgt. Das Entladungsgas wird mit Hilfe einer
Spitzenentladung oder mit Hilfe von UV-Licht vorionisiert.
Eine besonders vorteilhafte Vorrichtung zur Durchführung
des Verfahrens ist im Nebenanspruch 6 gekennzeichnet. Die
Ionen werden in einem gepulsten elektrischen Feld be
schleunigt, das zwischen einer Potentialscheibe und einer
Folge von Metallzylindern aufgebaut wird. Bei einer wei
teren Ausgestaltung nach Anspruch 7 erfolgt die Beschleu
nigung der Ionen mit Hilfe von Magnetfeldern, die durch ein
Spulensystem erzeugt werden.
Prinzipiell kann zur Beschleunigung der Ionen jedes Feld
eingesetzt werden, das auf die Ionen einen Impuls auszuüben
vermag.
Nach Anspruch 8 wird das Blendenfeld, das eine Selektion
der Moleküle nach ihrer Flugrichtung durchführt, durch eine
Schlitzblende ersetzt. Dadurch wird die Strahldivergenz für
bestimmte Anwendungen nur in einer Richtung eingeengt.
Diese Variante zeichnet sich darüber hinaus durch ein
fachere Justierbarkeit und billigere Herstellung aus. Die
gepulste Gaszuführung erlaubt es, den störenden Unter
grundgasdruck in der Reaktionskammer zu reduzieren. Eine
Hochvakuumpumpe hält nach Anspruch 9 zwischen dem Gaszu
führungsraum und dem Reaktionsraum eine Druckdifferenz
aufrecht, die am Ende der Flugstrecke des molekularen Dü
senstrahles die Teilchen fast vollständig aus dem Reakti
onsraum entfernt.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbe
sondere darin, daß der Entstehungsort der Ionen und das
Beschleunigungsgebiet räumlich voneinander getrennt sind.
Dadurch wird vermieden, daß reaktive Radikale, die bei der
Gasentladung durch Fragmentation der Muttermoleküle gebil
det werden und sich störend auf den Ätzprozeß auswirken,
auf die zu ätzende Oberfläche gelangen.
Die Oberflächenreaktionen, mit deren Hilfe Strukturen auf
Halbleiteroberflächen erzeugt werden, sind nicht nur räum
lich sondern auch zeitlich von der Erzeugung der Ionen ge
trennt. Wenn die Ionen nach Durchlaufen der Beschleuni
gungsstrecke auf der Halbleiteroberfläche auftreffen, ist
die Hochspannungsentladung bereits beendet. Ein Einfluß der
Hochspannungsentladung ist damit ausgeschlossen. Da die
kinetische Energie der Ionen ausschließlich durch den Be
schleunigungsvorgang bestimmt ist, kann diese Energie un
abhängig vom Bildungsprozeß der Ionen für die jeweiligen
Anwendungszwecke eingestellt werden.
Der Einsatz von Metallzylindern bei der Beschleunigung der
Ionen schließt Oberflächenreaktionen wie Sputterprozesse
innerhalb des Strahlquerschnittes aus. Damit wird ein
Störfaktor ausgeschaltet, der bei Verwendung von Extrakti
onsgittern die Qualität des Ionenstrahles wesentlich ver
mindert. Die bei Extraktionsgittern notwendig auftretende
Strahldivergenz wird bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
durch geeignete Wahl der Abstände und Durchmesser der Me
tallzylinder und der Höhe und Dauer der Potentialpulse, die
an die Zylinder und die Potentialplatte angelegt werden,
kontrolliert.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist es, daß eine Wech
selwirkung von störenden Neutralteilchen und Reaktionspro
dukten mit den Ionen und den Oberflächenreaktionen
vernachlässigbar ist, da diese Teilchen durch einen Span
nungspuls beziehungsweise durch Abpumpen aus dem Bereich
der Halbleiteroberfläche entfernt werden.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren steht eine großflächige
Ionenquelle zur Verfügung die einen Ionenstrom mit nied
riger Divergenz liefert, dessen Parameter wie Ionenenergie
und Ionenstromdichte unabhängig voneinander eingestellt
werden können. Er eignet sich für RIBE-Prozesse zur Her
stellung extrem kleiner Strukturen im Sub-µ-Bereich auf
Halbleiteroberflächen, wie sie beispielsweise für einen
zukünftigen 64 MBit Speicher erforderlich sein werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnun
gen dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Es zeigt
Fig. 1 Horizontalschnitt der RIBE-Apparatur,
Fig. 2 Längsschnitt durch die RIBE-Apparatur (Schnitt AB
in Fig. 1),
Fig. 3 Schnitt durch die RIBE-Apparatur (Schnitt CD in
Fig. 1),
Fig. 4a Feldlinienverlauf zwischen der Potentialplatte
und dem ersten Metallzylinder,
Fig. 4b Feldlinienverlauf zwischen zwei Metallzylindern
der Beschleunigungseinrichtung,
Fig. 5 Düsenfeld und Gasentladungselektroden in
räumlicher Darstellung,
Fig. 6 Querschnitt durch Düsen- und Blendenfeld,
Fig. 7 Querschnitt durch Düsen- und Blendenfeld, Detail,
Fig. 8 Einrichtung zur Hochspannungsentladung,
Fig. 9 räumliche Darstellung der
Beschleunigungseinrichtung.
In den Fig. 1, 2 und 3 sind die wesentlichen Komponenten
einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens dargestellt, wobei Fig. 2 den in Fig. 1 mit AB
bezeichneten Schnitt und Fig. 3 den mit CD bezeichneten
Schnitt zeigen. Alle Komponenten sind in einer Vakuumkammer
10 untergebracht.
Eine Gasleitung 15 ist mit einem Reservoir des Prozeßgases
verbunden. Eine handelsübliche Einspritzdüse 14, wie sie
beispielsweise für Motoren eingesetzt wird, erlaubt eine
gepulste Gaszufuhr bei einem Gasdruck von einigen bar. Mit
Hilfe eines Düsen- 13 und eines Blendenfeldes 12 wird der
Gasstrom zwischen die Elektroden 1 der Hochspannungs-Entla
dungsvorrichtung geleitet. Mit einem kurzen Hochspannungs
puls (ca. 10 nsec) wird durch Gasentladung ein Plasma er
zeugt. Damit die Entladung des Hochspannungspulses zu einer
gleichmäßigen und effektiven Plasmaerzeugung führt, wird
das Gas vorionisiert, beispielsweise durch Einkopplung einer
HF-Strahlung über HF-Elektroden 3.
Um die Ionen aus dem Bereich ihrer Entstehung abzuziehen,
wird etwa 50 nsec später für eine Zeitdauer von einer µsec
eine Extraktionsspannung von beispielsweise -100 V zwischen
der Potentialscheibe 4 und dem ersten Metallzylinder ange
legt (negative Spannung am Metallzylinder). Wenn die Ionen
den ersten Zylinder erreicht haben, wird an den zweiten
Zylinder für ca. 20 nsec eine Spannung von -150 V angelegt.
In dieser Zeit durchfliegen die Ionen die Zone homogener
Feldverteilung zwischen den Metallzylindern. Die anderen
Potentiale betragen 0 V. Weitere 50 nsec später wird für 50
nsec an den zweiten Metallzylinder eine Spannung von -150 V
und an den dritten eine Spannung von -200 V angelegt, um
die Ionen in Richtung der Probe 7 weiter zu beschleunigen.
Die genannten Zahlenwerte dienen nur als Beispiele und
stellen keine Einschränkung dar. Die tatsächlich zu wäh
lenden Werte hängen von der zu beschleunigenden Ionensorte
und der Ausführung der Beschleunigungseinrichtung ab.
Die Schaltzeiten und Pulslängen müssen so gewählt werden,
daß die elektrischen Felder nur dann eingeschaltet sind,
wenn sich die Ionen in Bereichen bewegen, in denen die
Feldverteilung annähernd homogen ist. Die Feldverteilung
zwischen der Potentialplatte 4 und dem ersten Metallzylin
der ist in Fig. 4a, die zwischen zwei Metallzylindern in
Fig. 4b dargestellt. Nur in den Bereichen 24 unmittelbar an
der Potentialplatte und den Bereichen 25 zwischen den
Zylindern, ist die Feldverteilung annähernd homogen. Der
Beschleunigungsvorgang muß demnach auf diese Bereiche be
schränkt werden. Die beschleunigten Ionen treffen an
schließend auf die Oberfläche der Probe 7 und stehen dort
für Ätzprozesse zur Verfügung.
Geladene Reaktionsprodukte, die zur Verunreinigung des Io
nenstrahles führen, werden durch ein elektrisches Feld, das
zwischen den halbkreisförmigen Elektroden 6 erzeugt wird,
aus dem Bereich der Oberfläche entfernt.
Fig. 5 zeigt die Hochspannungs-Entladungseinrichtung und
das Düsenfeld 13 in räumlicher Darstellung, Fig. 6 das Dü
senfeld 13 und das Blendenfeld 12 im Detail, Fig. 7a eine Düse
und Fig. 7b eine Blende (Abschäler). Das Düsenfeld 13 weist
viele Düsenöffnungen 16 mit einem Querschnitt von etwa 50
µm bis 100 µm auf, die in einer Reihe angeordnet sind. Den
Düsenöffnungen gegenüber liegen die Öffnungen 18 des Blen
denfeldes. Aus den kleinen Düsenöffnungen expandiert das
Gas in den evakuierten Raum, wobei ein stark gerichteter
Strahl entsteht. Die im Abstand von einigen mm hinter den
Düsenöffnungen angeordneten Blenden 12 blenden Moleküle aus
dem Strahl, deren Flugrichtung einen zu großen Winkel zur
Strahlachse einnehmen. Dies führt zu einer Einengung der
Molekularstrahldivergenz. Wenn für bestimmte Anwendungen
die Molekularstrahldivergenz in Richtung der Hochspan
nungsentladung nicht eingeengt werden soll, wird das Blen
denfeld durch eine schmale Schlitzblende ersetzt.
Die gepulste Gaszufuhr ist mit der gepulsten Hochspan
nungsentladung so synchronisiert, daß nur dann ein gerich
teter Teilchenstrahl erzeugt wird, wenn auch die Hochspan
nungsentladung gezündet wird. Die Einrichtung zur Hoch
spannungsentladung ist in Fig. 8 abgebildet. Die gegenüber
liegend angeordneten Elektroden 1 (z. B. aus Edelstahl),
die an einer Teflonhalterung 2 befestigt sind, sind mit
einem Lade- bzw. einem Entladekreis verbunden. Im Ent
ladekreis wird ein Kondensator C 1 über eine Hochspannungs
versorgung HV aufgeladen. Durch Schließen des Schalters S
wird die gespeicherte Energie auf einen Ladekondensator C 2
übertragen. Als Schalter dient ein Thyratron, das auf
Durchlaß schaltet, wenn ein Triggerpuls, der mit der ge
pulsten Molekularstrahldüse 14 synchronisiert ist, auf das
Gitter des Tyratrons S gelegt wird. Die Ladung des Konden
sators C 2 fließt anschließend auf die Elektroden 1 und die
Hochspannungsentladung zündet. Bei dem hier beschriebenen
Ausführungsbeispiel wird das einströmende Gas mit Hilfe
einer Metallspitze 23 durch Spitzenionisation vorionisiert,
um eine effektive und gleichmäßige Entladung zwischen den
Elektroden 1 zu gewährleisten.
Bei einer nicht näher ausgeführten Weiterbildung der Er
findung wird das Gas durch Photoionisation, z. B. mit einem
Excimerlaser oder mit einer UV-Lampe, oder durch eine
Hochfrequenzentladung vorionisiert. Dadurch wird verhin
dert, daß die an der Metallspitze auftretenden Sputterpro
zesse zu einer Verunreinigung des Ionenstrahls führen. In
Fig. 9 sind die Entladungseinrichtung mit den Elektroden 1
und der Teflonhalterung 2, die Beschleunigungseinrichtung
mit der Potentialplatte 4, den Metallzylindern 5, die Probe
7 und die Absaugelektroden 6 für geladene Teilchen räumlich
dargestellt.
Claims (9)
1. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen mit großflä
chigem Strahlquerschnitt, gekennzeichnet durch die
Kombination folgender Merkmale
- a) ein zu ionisierendes Gas wird mit Hilfe eines gepulst betriebenen Molekularstrahl-Düsensystems als Gasstrahl parallel zwischen zwei längsge streckten Hochspannungselektroden in einen Reak tionsraum eingeleitet,
- b) das Gas wird in einer gepulsten Hochspannungs- Gasentladung zwischen den Hochspannungselektroden ionisiert,
- c) die Ionen werden senkrecht zur Richtung des Gas strahls und senkrecht zur Richtung der Feldlinien der Hochspannungsentladung mit synchron gepulsten elektrischen oder magnetischen Feldern beschleu nigt,
- d) das nicht ionisierte Prozeßgas wird mit einer Pumpe aus dem Reaktionsraum entfernt.
2. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß Ladungsträger, die nicht
an einer Reaktion mit einer zu strukturierenden Ober
fläche teilgenommen haben, mit einem Spannungspuls aus
dem Bereich der Oberfläche entfernt werden.
3. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach Anspruch
1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Ladungsträger,
die als Reaktionsprodukt an einer zu strukturierenden
Oberfläche entstehen, mit einem Spannungspuls aus dem
Bereich der Oberfläche entfernt werden.
4. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach einem
der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß in
der Zeitdauer zwischen zwei aufeinanderfolgenden Io
nenstrahl-Pulsen neutrale Reaktionsprodukte mit Pumpen
aus dem Reaktionsraum gepumpt werden.
5. Verfahren zur Erzeugung von Ionenstrahlen nach einem
der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Entladungsgas vorionisiert wird.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach An
spruch 1, mit einem Gaszuführungsraum mit einer Gaszu
führung, einer Reaktionskammer mit einer Ionisierungs
einrichtung, einer Beschleunigungseinrichtung und einer
Probenhalterung, dadurch gekennzeichnet, daß die Gas
zuführung aus einer Gasleitung, einer Einspritzdüse,
einem Düsenfeld und einem Blendenfeld besteht, daß die
Ionisierungseinrichtung aus zwei längsgestreckten
Hochspannungselektroden und einem Hochspannungsschalt
kreis besteht, wobei die Elektroden parallel in einem
definierten Abstand zueinander auf einer Halterung aus
isolierendem Material aufgebracht sind, daß die Gaszu
führung und die Ionisierungseinrichtung senkrecht zu
einander so angeordnet sind, daß der zugeführte Gas
strahl parallel zwischen den längsgestreckten Hoch
spannungselektroden verläuft, und daß die Beschleuni
gungseinrichtung aus einer Potentialscheibe und wenig
stens zwei hintereinander angeordneten Metallzylindern
zusammengesetzt ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Beschleunigungseinrichtung aus einem Spulensy
stem besteht.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Blendenfeld durch eine Schlitzblende
ersetzt ist.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen dem Gaszuführungsraum und
dem Reaktionsraum eine Druckdifferenz aufrecht erhalten
wird.
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