DE3833604A1 - Gepulste teilchenquelle auf der basis schnell umpolarisierbarer ferroelektrika - Google Patents
Gepulste teilchenquelle auf der basis schnell umpolarisierbarer ferroelektrikaInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Quelle für gepulste Teilchenstrahlen
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die Anwendung von Teilchenstrahlen in Wissenschaft und
Technik ist weit verbreitet. Als Beispiele seien Elektronenstrahlen
zur Erzeugung von elektromagnetischen Wellen
in Senderöhren, Magnetrons, Klystrons, Röntgenröhren und
freien Elektronenlasern genannt. In Beschleunigern werden
Elektronenstrahlen zu wissenschaftlichen Zwecken und zur
Erzeugung von Synchrotronstrahlung benutzt. Zu erwähnen
ist auch die Anwendung in der Materialbearbeitung zum
Schweißen, Schneiden und Bohren. Elektronen sind zudem
ein ausgezeichnetes Mittel zur Vorionisierung von Gaslasern
(z. B. Excimerlaser) und anderen Gasentladungen (z. B.
Hochleistungsniederdruckgasschalter).
Ionenstrahlen werden in Beschleunigern für wissenschaftliche
und medizinische Zwecke (z. B. zur Bestrahlung von
Tumoren) eingesetzt. Technische Anwendungen von Ionenstrahlen
sind die Isotopenherstellung, die Leicht- und die
Schwerionenfusion. Bei der Trägheitsfusion in Tokomaks
werden Ionen in Neutralstrahlen umgewandelt, mit deren
Hilfe des Fusionsplasma aufgeheizt wird.
Eine der herkömmlichen Methoden der Elektronenstrahlerzeugung
stützt sich auf die Extraktion von festen Oberflächen,
die negativ aufgeladen werden (Kathode). Der Zieheffekt
des äußeren elektrischen Feldes wird unterstützt durch
Aufheizen der Oberfläche (Thermoionische Emission) oder
über die lichtelektrische Anregung durch Beschuß mit kurzwelligem
Licht (von Lasern oder Blitzlampen) oder durch
Kombination der beiden letzteren Effekte. Die genannten Arten
der Elektronenerzeugung werden entscheidend durch die
Potentialverteilung an der Oberfläche des Festkörpers beeinflußt.
In Fig. 1a ist z. B. die elektrische Potentialverteilung
für einen metallischen Leiter (CO) gezeigt. Es
ist bei der Emission eine Potentialschwelle oder Austrittsarbeit
W von etwa 1 bis 10 eV (materialabhängig) zu überwinden,
wenn die Elektronen aus dem Leitungsband (CB) kommen.
Demzufolge müssen hohe elektrische Ziehfelder kombiniert
mit hohen Oberflächentemperaturen oder empfindliche
(Photokathoden-) Materialien mit niedriger Austrittsarbeit
eingesetzt werden. Die erzielbaren Strahlstromdichten und
Emittanzen werden dadurch entscheidend beeinträchtigt. Außerdem
ist die Verwendung von Hochvakuum (Druck unter 10-9
mbar) nötig, da sonst die Gasadsorption die Austrittsarbeit
erhöht. Dies gilt speziell für Photokathoden, aus denen
heute maximal unter Laserbestrahlung 500 A/cm² extrahiert
werden können.
Eine zweite Methode der Elektronenstrahlerzeugung ist ihre
Extraktion aus einem Niederdruckplasma. Als Beispiel sei die
Pseudofunkenquelle genannt (Patentschrift DE 28 04 393 C2).
Mit dieser Quelle können 30 bis 40 keV Elektronenstrahlen
mit Stromdichten von 10⁵ A/cm² und Emittanzen von 10-6 mrad
erzielt werden. Die Anwendbarkeit dieser Anordnung ist beschränkt,
da eine Weiterbeschleunigung dieser Elektronenstrahlen
bis heute nicht gelungen ist.
Als letzte Methode sei die Feldemission von Elektronen, z. B.
im Feldemissionselektronenmikroskop, zitiert.
Auch Ionen werden normalerweise aus einem Niederdruckplasma
oder einer Bogenentladung mittels eines Ziehfeldes abgesaugt.
Die hohe Masse der Ionen führt jedoch zu einer großen
Stahlemittanz, d. h. zu einer schlechten Brillianz.
Auch die Stromdichten liegen niedriger als bei Elektronen.
Es besteht ein erhebliches Interesse in allen der genannten
Anwendungsbereiche, die Intensität (Stromdichte) und
Qualität (Emittanz) der Teilchenquellen zu verbessern. Bei
den konventionellen Methoden ist der weitere Fortschritt
durch die Amplituden der anwendbaren elektrischen Felder,
die verträglichen Oberflächentemperaturen, sowie beim
Photoeffekt durch die Quantenausbeute und die Oberflächenempfindlichkeit
beschränkt. Eine Methode, die nicht durch
die Existenz einer Potentialschwelle an der Oberfläche behindert
ist, kann deswegen größenordnungsmäßige Verbesserungen
bringen.
Die Erfindung betrifft weder eine Teilchenquelle, die nach
dem Prinzip der Teilchenextraktion aus Oberflächen über eine
Potentialschwelle hinweg arbeitet, noch eine Quelle, bei
der die Teilchen alleinig aus einem ionisierten Gasvolumen
abgesaugt werden. Der Erfindung liegt vielmehr ein Verfahren
zugrunde, welches Teilchenemission von der Oberfläche
ferroelektrischer Materialien ermöglicht, ohne daß eine
Austrittsarbeit zu leisten ist. Allgemeine Verfahren dieser
Art sind in der nationalen Patentanmeldung, Registriernummer
88 08 636, am INPI, Paris, Frankreich, niedergelegt.
Die Erfindung definiert Anordnungen, die gepulste Teilchenstrahlung
für die beschriebenen Anwendungszwecke erzeugen
können. Ein ferroelektrischer Körper polarisiert elektrisch
spontan auch ohne Anlegen eines äußeren elektrischen Feldes
(siehe z. B. Monograph on Physics: "Principles and Applications
of Ferroelectrics and Related Materials", M.E.
Lines and A.M. Glass, Clarendon Press, Oxford, 1977). Sowohl
bei Einkristallen als auch bei vierkristallinem Material
(z. B. Perovskitkeramik) kann die mittlere spontane Polarisation
in einer bestimmten Richtung, z. B. senkrecht zur
Oberfläche des Körpers erzeugt werden (linker Teil von
Fig. 1b). Die Polarisation - ist gekoppelt mit einer
gleichgroßen Oberflächenladungsdichte, dargestellt durch
die fetten Plus- und Minuszeichen in Fig. 1b. Die bei Ferroelektrika
(FE) auftretenden Ladungsdichten sind so hoch,
daß sofortige Neutralisation durch äußere und innere Ladungsträger
(z. B. Elektronen SE oder Elektronenlöcher SH)
auftritt. Die Bindungsenergie A von Elektronen an die Oberfläche
ist in diesem Fall erheblich geringer als die Austrittsarbeit
W bei Photokathoden oder Metallen.
Gelingt es nun, die Polarisation schnell umzukehren,
so werden die Abschirmladungen SE und SH momentan freigesetzt.
Ohne von einer Potentialschwelle behindert zu sein,
stoßen sich die Abschirmelektronen sozusagen selbst von
der Oberfläche ab, während die andere Seite des FE sich
durch Elektroneninjektion von außen auf den neuen Polarisationszustand
einstellen kann (Fig. 1c). Die tatsächlich
zur Verfügung stehenden Polarisationsladungsdichten können
bei manchen Ferroelektrika mehrere 10¹⁴ Elementarladungen
pro cm² betragen, entsprechend 10 bis 100 µC/cm². Die
erreichbare Emissionsstromdichte hängt von der Zeit ab, in
der Polarisationsumkehr bewerkstelligt werden kann. Bei
Subnanosekunden-Umkehr werden Stromdichten von 10⁵ A/cm²
erzielt.
Die schnelle -Umkehr wird am besten durch Anlegen eines
elektrischen Hochspannungspulses mit kurzer Anstiegszeit
erreicht. Die Amplitude des dadurch im FE erzeugten Feldes
muß die Koerzitivfeldstärke unter Gleichspannungsbedingungen
mindestens um einen Faktor 3 übersteigen. Je schneller
die Anstiegszeit desto kürzer wird der emittierte Teilchenpuls
und desto höher seine Stromdichte. Typische Feldstärkenwerte
für die Umkehr im Nanosekundenbereich liegen über
100 kV/cm. Da der Mechanismus der -Umkehr die vorherige
Entfernung eines Teiles der Abschirmladungen SE und SH
durch das äußere Feld über Elektroden auf der Oberfläche
erfordert, Metallelektroden jedoch die Emission behindern,
ist auf der emittierenden Seite des FE eine für die Ladungsträger
teilweise durchlässige Elektrode zu verwenden.
Dies kann durch eine Gitterelektrode beliebiger Form (z. B.
Lochgitter, Streifengitter), deren leitenden Teile zusammenhängen,
bewerkstelligt werden. Mit derartigen Elektroden gelingt
die -Umkehr ohne Behinderung der Teilchenemission.
Der ursprüngliche Polarisationszustand muß vor dem nächsten
Emissionsakt wiederhergestellt werden. Dies kann durch
Umkehrung des äußeren elektrischen Feldes in die entsprechende
Richtung geschehen. Außerdem müssen die Schirmladungen,
welche die Quelle für den nächsten Emissionspuls
darstellen, wieder bereitgestellt werden, sei es durch
Oberflächenkriechströme, durch Kompensation aus einem umgebenden
Plasma oder Niederdruckgas oder durch Ladungsdiffusion
aus dem Inneren des Ferroelektrikums heraus.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere
darin, daß Emissionsstromdichten um zwei Größenordnungen
höher als in herkömmlichen Teilchenquellen erzeugt
werden können. Dies gilt besonders für die Elektronenquellen.
Die Emission kann ohne Anlegen eines äußeren
elektrischen Ziehfeldes bewerkstelligt werden. Anders als
bei konventionellen Quellen erfordert die der Erfindung
zugrundeliegende Anordnung kein Hochvakuum. Der Wirkungsgrad
der Umwandlung von äußerer Feldenergie in Polarisationsenergie
und dann in Teilchenstrahlenenergie liegt nahe
bei 1. Sekundäreffekte, wie Erhitzung oder Zerstörung des
Oberflächenmaterials sind daher klein und erlauben den Betrieb
mit hoher Pulsfrequenz. Wegen der sehr schnellen Umpolarisierbarkeit
von FE-Material (in weniger als 1 nsec)
sind sehr kurze Emissionspulse erzielbar. Die verwendbaren
Materialien, entweder Einkristalle oder vielkristalline
Keramiken aus FE, sind generell unempfindlich und erheblich
haltbarer als gewöhnliches Photokathodenmaterial. Die Verwendung
eines raumladungsneutralisierenden Niederdruckplasmas
auf der Emissionsseite des FE-Körpers ermöglicht die
Produktion eines Teilchenstrahls mit sehr niedriger Emittanz.
Dies wird unterstützt durch die niedrige Oberflächentemperatur,
welche die transversale Geschwindigkeitsverteilung
des Teilchenstrahls und damit seine Emittanz
bestimmt.
Die Verwendung verschiedener geometrischer Formen des FE-
Körpers und geeigneter Strahlblenden gestattet nicht nur
die Emission eines einzelnen axialen Strahls vom gewünschten
Querschnitt, sondern auch die Erzeugung von multiplen
Parallelstrahlen, sowie von Strahlen mit Querschnitten
beliebiger Art, z. B. Hohlstrahlen. Großflächige FE-Schichten
können zur homogenen Volumenvorionisierung, z. B. in
Gaslasern und Gasschaltern verwendet werden. Die Dicke der
FE-Schichten errechnet sich aus den zur schnellen Polarisationsumkehr
nötigen elektrischen Feldern. Je dünner das FE-
Material umso geringer ist die kinetische Anfangsenergie
mit der die emittierten Teilchen die Oberfläche verlassen.
Im folgenden werden zwei Anordnungen näher beschrieben,
welche das obige Prinzip jeweils in etwas verschiedener Art
und mit verschiedener Zielsetzung realisieren. Beide Anordnungen
arbeiten nach dem Schema von Fig. 2 und sollen Elektronen
emittieren.
Die erste Anordnung besteht aus einer Anode (A), z. B. auch
ein Gitter, und einem scheibenförmigen FE-Körper, dessen
Gitterelektrode die Kathode des Systems bildet (G p). G p
liegt auf einem negativen Potential -HV, wird jedoch durch
einen hohen Serienwiderstand R B gegen -HV blockiert. Auch
die andere Elektrode des FE liegt auf negativer Spannung,
jedoch um etwa 10% höher als das Gitter G p. Der Potentialverlauf
ist durch die einfachen Linien in Fig. 2 wiedergegeben.
Dadurch wird die zur Emission nötige Vorpolarisation
erzeugt. Der mit der rückwärtigen FE-Elektrode verbundene
Kondensator C s, welcher den elektrischen Schaltkreis
schließt, muß genügend Ladungen zum Abziehen der Schirmladungen
auf dem FE-Körper speichern.
Die Gitterelektrode auf der Emissionsseite der FE-Scheibe
wird nun mit Hilfe eines schnellen Schalters auf das Potential
der Anode A gebracht. Der Schalter FS kann z. B. durch
eine Niederdruckgasentladung in einer Zeit von 2 bis 10 nsec
realisiert werden. Während das Potential von G p auf jenes
von A ansteigt (siehe Doppellinien rechts in Fig. 2),
bleibt das Potential auf der Rückseite von FE stationär.
Das Feld über FE erreicht in wenigen Nanosekunden mehr als
100 kV/cm entgegengesetzt zum ursprünglichen Feld. Die Umpolung
setzt schlagartig ein und führt zu einer explosionsartigen
Elektronenemission von dem freien Anteil der FE-
oberfläche. Die Raumladungskompensation durch das Entladungsplasma
und die geringe Oberflächentemperatur ermöglichen
die Emission eines Strahls mit niedriger Emittanz.
Durch ein zusätzliches externes Ziehfeld können die Strahlbedingungen
weiter dem Anwendungszweck angepaßt werden.
Diese Anordnung eignet sich besonders zur Erzeugung von
dichten Elektronenstrahlen hoher Brillianz für die Injektion
in Beschleuniger, Mikrowellen- und Röntgenröhren, etc.
Bei der zweiten Anordnung wird die Gasentladungsstrecke
durch einen externen Schalter, z. B. einen Hochspannungs-
Transistor ersetzt. Die erforderliche Spannung zum Vorpolarisieren
wird wieder durch die Wahl der FE-Schichtdicke
bestimmt. Das Potential der FE-Gitterelektrode kann
aber auch durch einen Hochspannungspuls auf das Potential
von A gebracht werden, z. B. durch Einkoppeln über einen
Pulstrenntransformator. Bei FE-Schichten mit weniger als
5 mm Dicke läßt sich mit Spannungen von wenigen hundert
Volt eine flächenhaft homogene Elektronenemission zum
Triggern von Hochleistungsgasschaltern oder zum Vorionisieren
von Excimer- und anderen Gaslasern erzeugen.
Bei entsprechender Vorpolarisierung kann man mit beiden
oben beschriebenen Anordnungen auch Ionenemission erzeugen,
wenn auch mit geringerem Wirkungsgrad als im Fall von
Elektronen. Die Potentialverteilung vor dem Emissionsakt
hat dabei der für Elektronen gültigen genau entgegengesetzt
zu sein. Durch Auswahl eines Ferroelektrikums mit hoher
Austrittsarbeit wird bei der Vorpolung die Emission von
Elektronen, welche die spontane Polarisation des FE kompensieren,
behindert. Ein Plasma auf der Seite des Gitters
G p, welches diejenige Ionenart enthält, die zur Emission
gelangen soll, ist die Basis für die teilweise Kompensation
der negativen Oberflächenladung mit positiven Ionen.
Den höchsten Wirkungsgrad unter allen Ionenquellen erreicht
dabei die Protonenquelle mit einem hochionisiertem Wasserstoffplasma.
Auch die Ionen erreichen durch Raumladungsbeschleunigung
genügend Energie, um die Plasmazone durchqueren
zu können. Außerhalb davon kann eine Weiterbeschleunigung
auf beliebig hohe Energien erfolgen.
Claims (4)
1. Gepulste Teilchenquelle mit hoher Strahlintensität und
geringer Emittanz, bestehend aus einem ferroelektrischen
Medium, welches beidseitig gegenüberliegende Elektroden
trägt, von denen die auf der Emissionsseite liegende
teilweise durchbrochen sein muß und einem elektrischen
Schaltkreis, welcher einerseits die richtige Vorpolarisierung
des Mediums, andererseits seine schnelle Polarisationsumkehr
herbeiführt, gekennzeichnet dadurch, daß
- a) die durch die Vorpolarisierung gebundenen Abschirmladungen austrittsarbeitsfrei bei der Umkehr der spontanen Polarisation des Ferroelektrikums durch einen externen Hochspannungspuls freigesetzt und emittiert werden,
- b) die Umpolarisierung durch den äußeren Hochspannungspuls in einem Zeitintervall unter 100 Nanosekunden stattfindet, wobei der Hochspannungspuls entweder induktiv oder kapazitiv eingekoppelt wird, oder durch eine Kurzschlußschaltung auf das Potential einer entgegengesetzt geladenen Elektrode gebracht wird.
2. Gepulste Teilchenquelle nach Anspruch 1, bestehend aus
einem Ferroelektrikum mit durchbrochener Gitterelektrode,
welche sich entweder mit Hochvakuum oder mit einem
Niederdruckgas oder -plasma in Kontakt befinden kann,
gekennzeichnet dadurch, daß
- a) die Teilchen des emittierten Strahls Elektroden sind,
- b) je nach Elektrodenform (die der Oberflächenform des Ferroelektrikums entsprechen muß) und nach Wahl von geeigneten Strahlblenden gebündelte Einzel- oder Mehrfachstrahlen mit beliebigem Querschnitt emittiert werden.
3. Gepulste Elektronenquelle nach Ansprüchen 1 und 2,
gekennzeichnet dadurch, daß
- a) der ferroelektrische Körper eine flächenmäßig große Schicht von verhältnismäßig geringer Dicke (unter 1 mm) ist,
- b) eine breitflächige, homogene Elektronenabstrahlung mit verhältnismäßig geringer kinetischer Energie (von etwa 100 Volt bis zu einige Kilovolt) erzeugt wird, die sich gut zum Vorionisieren größerer Gasvolumina eignet,
- c) anstelle einer beschleunigenden Ziehelektrode eine Abbremselektrode verwendet wird, um die kinetische Energie der emittierten Elektronen in den für Gasionisation günstigsten Bereich zu bringen.
4. Gepulste Teilchenquelle nach Anspruch 1, bestehend aus
einem ferroelektrischen Körper, dessen eine Seite mit
einer durchbrochenen Elektrode versehen ist, die sich
mit einem speziellen, hochionisierten Niederdruckplasma
in Kontakt befinden muß, gekennzeichnet dadurch,
daß
- a) die Teilchen des emittierten Strahls Ionen sind, wobei die Erzeugung von Protonenstrahlen aus einem Wasserstoffplasma den größten Wirkungsgrad besitzt,
- b) die Ionenstrahlen durch eine äußere Zieh- oder Bremselektrode energetisch zur Weiterbeschleunigung oder zur direkten Verwendung (z. B. Ionenimplantation in Halbleitern) vorbereitet werden.
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