DE3878773T2

DE3878773T2 - Klemmschaltung.

Info

Publication number: DE3878773T2
Application number: DE8888112453T
Authority: DE
Inventors: Hiroshige Goto
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-07-31
Filing date: 1988-08-01
Publication date: 1993-08-05
Anticipated expiration: 2008-08-02
Also published as: DE3878773D1; EP0301601B1; JPH0431602B2; JPS6436215A; US4914324A; EP0301601A2; EP0301601A3

Description

Die Erfindung betrifft eine Klemmschaltung oder eine Klemmeinrichtung, die sich zur Bildverarbeitung eignet.
Eine Klemmeinrichtung wird verwendet, um einen analogen Ausgangspegel auf eine gewünschte extern gesetzte Spannung einzustellen, wie im Falle eines Einstellens eines schwarzen Referenzpegels an einem Ausgang einer ladungsgekoppelten Einrichtung (CCD).
In einer typischen herkömmlichen Klemmschaltung werden zwei Differenzverstärker, die in einer Schleife verbunden sind und ein Haltekondensator verwendet, der an dem Übergang zwischen den Differenzverstärkern versehen ist. Eine derartige Einrichtung ist in US-A-4 513 321 beschrieben und in Fig. 1 schematisch dargestellt.
Da von einem in einer derartigen Schaltung verwendeten Differenzverstärker gefordert wird, daß er eine hohe Verstärkung besitzt, wird der Schaltungsaufbau kompliziert und ebenso ist die Belegungsfläche auf einer Halbleitereinrichtung groß, wodurch eine Miniaturisierung der Einrichtung verhindert wird. Zusätzlich wird während des Klemmbetriebs ein Überschwingen erzeugt, weil der Differenzverstärker eine hohe Verstärkung besitzt, so daß es wahrscheinlich ist, daß das gesamte System instabil wird. In Abhängigkeit von gewissen Umständen können Defekt-Phänomene, beispielsweise eine Oszillation, auftreten.
Somit ist eine Aufgabe dieser Erfindung eine Klemmschaltung zu schaffen, die aufgrund eines einfachen Aufbaus eine kleine Größe besitzt und die einen stabilen Betrieb ausführen kann.
Die obige Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Klemmschaltung gelöst, die folgende Merkmale umfaßt: einen Differenzverstärker mit einem ersten Eingangsanschluß, an den ein Eingangssignal angelegt wird; dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmschaltung außerdem zwei in Reihe geschaltete Gate-Schaltungen vom MOS-Typ umfaßt, eine Einrichtung zum Anlegen eines Ausgangssignals von dem zu klemmenden Differenzverstärker und eine Referenzspannung, die einen Klemm-Zielwert an jeweilige Gate-Elektroden der Gate-Schaltungen vom MOS-Typ darstellt; einen Halte-Kondensator und eine Rücksetz-Einrichtung, die an die Drainseite einer der Gate-Schaltungen vom MOS-Typ angeschlossen ist, um Ladungen in dem Halte-Kondensator zu laden bzw. zu entladen zum Zeitpunkt, wenn eine Klemmoperation eingeleitet wird; eine Stromquelle, die an den Knotenpunkt zwischen den Gate-Schaltungen vom MOS-Typ angeschlossen ist; eine Ladungsfluß-Steuereinrichtung, um die Akkumulation von Ladung zuzulassen, die von der Stromquelle in den Halte-Kondensator fließt; und eine Rückführungs-Einrichtung, um das Potential des Halte-Kondensators an einen zweiten Eingangsanschluß des Differenzverstärkers zurückzuführen; wobei die Ladungsfluß-Steuereinrichtung arbeitet, indem sie einen Ladungsfluß in den Halte-Kondensator zuläßt, bis ein Gleichgewicht zwischen den zwei Gate-Schaltungen vom MOS-Typ erreicht wird, nachdem eine Rücksetzoperation durch die Rücksetz-Einrichtung abgeschlossen worden ist.
Um eine Rückführung der Ladung vorzusehen, wird in einer derartigen Klemmschaltung die Tatsache verwendet, daß sich eine Ladung in Richtung einer tieferen Seite von Potentialwällen unterhalb zweier in Reihe geschalteten Gate-Schaltungen vom MOS-Typ mit Gate-Elektroden bewegt, denen ein Ausgang von der Ausgangs-Differenzschaltung bzw. eine Referenzspannung eingegeben werden, um somit die Ladung zu halten, wenn die Tiefen der Potentialwelle unter beiden Gate-Schaltungen vom MOS-Typ sich einander gleichen. Somit wird der Schaltungsaufbau einfach. Dies hat Vorteile zur Folge bezüglich einer Miniaturisierung einer Halbleitereinrichtung.
Da von der Ausgangs-Differenzschaltung nicht gefordert wird, daß sie eine hohe Empfindlichkeit besitzt, kann zusätzlich ein instabiler Betrieb, wie beispielsweise eine Oszillation, beseitigt werden.
In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 ein Schaltbild einer herkömmlichen Klemmschaltung;
Fig. 2 ein Diagramm einer Ausgangskurvenform, das den Betrieb der herkömmlichen in Fig. 1 gezeigten Klemmschaltung zeigt;
Fig. 3 ein Schaltbild, das ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Klemmschaltung zeigt;
Fig. 4 ein Diagramm einer Ausgangskurvenform, das den Betrieb der in Fig. 3 gezeigten Klemmschaltung zeigt;
Fig. 5 ein Schaltbild, das eine Modifikation der in Fig. 3 gezeigten Klemmschaltung zeigt;
Fig. 6 ein Schaltbild, das ein anderes Ausführungsbeispiel einer Klemmschaltung entsprechend dieser Erfindung zeigt;
Fig. 7 ein Diagramm einer Ausgangskurvenform, das den Betrieb der in Fig. 6 gezeigten Klemmschaltung zeigt; und
Fig. 8 ein Schaltbild, das eine Modifikation der in Fig. 6 gezeigten Klemmschaltung zeigt.
Vor der Beschreibung dieser Erfindung wird ein Abriß des Standes der Technik unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben, die eine typische herkömmliche Klemmschaltung zeigt.
Diese Schaltung umfaßt zwei Differenzverstärker 3 und 4, die in einer Schleife verbunden sind. Eine Signalleitung 1 zum Übertragen eines Steuersignals ist an die Plus(+)-Seite des Differenzverstärkers 3 angeschlossen und ein Ausgang des Differenzverstärkers 4 ist an die Minus(-)-Seite des Differenzverstärkers 3 über einen als FET-Schalter dargestellten Schalter 5 und an einen Halte-Kondensator 6 angeschlossen. Eine Ausgangsleitung 2 des Differenzverstärkers 3 ist an die Plus(+)-Seite des Differenzverstärkers 4 angeschlossen und eine Referenzspannung Vref wird der Minus(-)-Seite des Differenzverstärkers 4 eingegeben.
Im folgenden wird unter Bezugnahme auf Fig. 2 der Betrieb der oben erwähnten Klemmschaltung beschrieben. Um die Erklärung abzukürzen, wird in diesem Beispiel angenommen, daß ein internes Signal in diesem Beispiel eine Gleichspannung (d.c.) ist.
Wenn der Schalter 5 zum Zeitpunkt t1 eingeschaltet wird, wird eine Differenz zwischen einer Ausgangsspannung Vout und einer Referenzspannung Vref an den Differenzverstärker 3 zurückgeführt. Somit wird die Ausgangsspannung Vout des Differenzverstärkers auf eine definierte Spannung geklemmt, die in diesem Falle mit der Referenzspannung Vref übereinstimmt. Ein Ausgang von dem Differenzverstärker 4 wird dabei durch den Halte-Kondensator 6 gehalten. Somit wird der Klemm-Zustand aufrechterhalten.
Da in dieser Schaltung zwei Differenzverstärker verwendet werden, wird der Schaltungsaufbau sperrig, wodurch eine Miniaturisierung der Einrichtung verhindert wird. Da die verwendeten Differenzverstärker eine große Verstärkung besitzen, ist es wahrscheinlich, daß ein instabiler Betrieb, beispielsweise eine Oszillation auftritt.
Im folgenden werden mehrere Ausführungsbeispiele dieser Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen ausführlich beschrieben.
In einer in Fig. 3 gezeigten Schaltung sind zwei Gate-Schaltungen 14 und 15 vom MOS-Typ in Reihe geschaltet und ein Knotenpunkt dazwischen ist an eine Stromquelle 16 angeschlossen. Eine Gate-Schaltung 19 zum Beenden eines Betriebs ist an den Knotenpunkt angeschlossen und wird von einem Impuls θB gesteuert. Eine Ausgangsleitung 12 des Differenzverstärkers 13 ist an die Gate-Elektrode der Gate-Schaltung 14 vom MOS-Typ angeschlossen. Eine Referenzspannung Vref wird an die Gate-Elektrode der Gate-Schaltung 15vom MOS-Typ angelegt. Zusätzlich sind ein Halte-Kondensator und eine Rücksetz-Gate-Schaltung 18, die durch einen Impuls θA gesteuert wird, an die Drain-Elektrodenseite der Gate-Schaltung 14 vom MOS-Typ angeschlossen. Der Knotenpunkt zwischen der Rücksetz-Gate-Schaltung 18, der Gate-Schaltung 14 vom MOS-Typ und dem Halte-Kondensator 17 ist über eine Pegel-Schiebeeinrichtung 20 zur Durchführung einer Pegel-Angleichung an den Plus(+)-seitigen Eingangsanschluß des Differenzverstärkers 13 angeschlossen, der als eine Ausgangsschaltung arbeitet. Es soll darauf hingewiesen werden, daß die Gate-Schaltungen 14 und 15 vom MOS-Typ im wesentlichen den gleichen Aufbau besitzen und ihre Eigenschaften im wesentlichen die gleichen sind.
Nun wird der Betrieb der in Fig. 3 gezeigten Schaltung unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben, die die Kurvenformen der angelegten Impulse θA und θB und die Ausgangs-Kurvenform Vout zeigt. Um die Beschreibung abzukürzen, wird hierbei angenommen, daß eine Gleichspannung (d.c.) an eine Steuer-Signalleitung 11 angelegt wird.
Zum Zeitpunkt T11 baut der Impuls θA, der an die Gate-Elektrode der Rücksetz-Gate-Schaltung 18 angelegt ist, einen hohen Wert auf. Für ein Zeitintervall bis zum Zeitpunkt T12 wird eine elektrische Ladung (Elektronen) in dem Halte-Kondensator 17 entladen, wodurch der Kondensator 17 in einen Schwebungs-Zustand gebracht wird. Gleichzeitig wird ein Impuls OB, der an die Gate-Schaltung 19 zum Beenden eines Betriebs angelegt ist, auf einem hohen Pegel, beispielsweise 12 Volt gehalten. Wenn eine Spannung an dem Knotenpunkt zwischen der Rücksetz-Gate-Schaltung 18 und der Gate-Schaltung 14 vom MOS-Typ 12 Volt ist, ist die Ausgangsspannung Vout ungefähr 8 Volt. Wenn angenommen wird, daß die Referenspannung 5 Volt beträgt, fließt ein Strom in die Drain-Elektroden der Gate-Schaltungen 14 und 15 vom MOS-Typ über die Gate-Schaltung 19 zum Beenden eines Betriebs, weil der Potentialwall unterhalb der Gate-Schaltung 19 zum Beenden eines Betriebs der tiefste ist. Da eine Einstellung so durchgeführt werden kann, daß eine Beziehung Vout > Vref zum Zeitpunkt eines Einleitens eines Vergleichs erfüllt ist, wird eine Beschreibung unter Annahme einer derartigen Beziehung durchgeführt.
Zum Zeitpunkt t13 nimmt der Impuls θB ab. Dadurch fließt die Ladung im Kondensator 17 in Richtung des Gates 14 vom MOS-Typ, das einen Potentialwall besitzt, der tiefer ist als derjenige der Gate-Schaltung 15 vom MOS-Typ, wodurch ermöglicht wird, daß dessen Potentialwall niedriger wird. Die Ladung fließt ebenso in den Halte-Kondensator 17, wodurch sein Potential abgesenkt wird. Dieses Potential wird an den Differenzverstärker 13 über die Pegel-Schiebeeinrichtung 20 zurückgeführt. Vorausgesetzt, daß der Ausgang Vout des Differenzverstärkers 13 größer ist als Vref, wird eine Rückführungs-Arbeitsweise fortgesetzt, so daß Vout erniedrigt wird. Eine derartige Rückführung wird gestoppt, wenn eine Beziehung Vout = Vref erfüllt ist, das heißt wenn die Tiefen der Potentialwelle unterhalb der MOS-Gate-Schaltungen 14 und 15 im wesentlichen übereinstimmen, wodurch ein Gleichgewichtszustand bestätigt wird. Da die oben beschriebene Arbeitsweise unabhängig einer Ladungsmenge in dem Halte-Kondensator auftritt, wird als eine Grundannahme von dem Differenzverstärker 13 nicht gefordert, daß er irgendeine Verstärkung besitzt.
Nach Erreichung dieses Gleichgewichtszustandes entlädt sich die Ladung von der Stromquelle 16 an die Drain-Elektroden der Gate-Schaltungen vom MOS-Typ über den Potentialwall unterhalb der Gate-Schaltung 15 vom MOS-Typ. Somit wird der Klemmbetrieb abgeschlossen. Wenn der Impuls θB danach zum Zeitpunkt t14 den hohen Pegel aufbaut, entlädt sich die Ladung an die Drain-Elektroden der Gate-Schaltungen 14 und 15 vom MOS-Typ über die Gate-Schaltung 19 zum Beenden eines Betriebs, so daß keine Änderung in dem Halte-Kondensator auftritt, sogar dann, wenn irgendeine Änderung von Vout auftritt. Somit kann ein stabiler Klemmbetrieb sichergestellt werden. Dieser Klemmbetrieb besitzt eine Geschwindigkeit in der Größenordnung von 10 us.
Wie oben beschrieben, wird der Rückführungs-Betrieb nur dann durchgeführt, wenn die Beziehung Vout > Vref erfüllt ist. Unter der Bedingung Vout < Vref wird kein Rückführungs-Betrieb bewirkt, so daß keinerlei Oszillation erzeugt wird.
Es soll darauf hingewiesen werden, daß der Punkt, an dem der Ladungsfluß gestoppt wird, im Grunde genommen nicht der Punkt ist, an dem die Beziehung Vout = Vref erfüllt ist, sondern einen wie im folgenden beschriebenen Fehler besitzt. Wie oben beschrieben, wird nämlich der Ladungsfluß in den Halte-Kondensator gestoppt, wenn die Ladung über den Potentialwall unterhalb der MOS-Gate-Schaltung 15 vollständig an die Drain-Elektrode entladen worden ist. Wenn die Breite und die Länge der Gate-Elektrode der Gate-Schaltung 15 vom MOS-Typ mit W bzw. L bezeichnet wird, wird das Verhältnis dazwischen durch W/L ausgedrückt und wenn der Modulationsfaktor des Potentialwalls und ein Stromwert der Stromquelle mit m bzw. I bezeichnet werden, ist die folgende Beziehung erfüllt:
I = A . (W/L) . (mΔV)²,
wobei A eine Konstante ist. Wenn Vout um ΔV reduziert wird, das heißt wenn die folgende Gleichung erfüllt ist, wird der Ladungsfluß gstoppt:
Vout = Vref - ΔV.
Ein Fehler ΔV kann in diesem Falle wie folgt ausgedrückt werden:
V = 1/m [I/A(W/L)].
Ein tatsächlicher Stoppunkt wird durch diesen Fehler ΔV verschoben.
Um einen derartigen Fehler auf einen für das System zulässigen Wert zu reduzieren, ist es ausreichend, I auf einen kleinen Wert und W/L auf einen großen Wert zu setzen.
Fig. 5 zeigt eine Modifikation von Fig. 3, wobei die in den Halte-Kondensator 17 fließende Ladung durch die Gate-Schaltung 21 zum Beenden eines Betriebs, die von dem Impuls θB in Ein-Aus-Zustände gesteuert wird, gesteuert. Wenn nämlich die Gate-Schaltung 21 zum Beenden eines Betriebs sogar bei einem Fall eingeschaltet wird, bei dem der Potentialwall direkt unterhalb der Gate-Schaltung 14 vom MOS-Typ niedriger liegt als der Potentialwall direkt unterhalb der MOS-Gate-Schaltung 15, wird der Vergleichsbetrieb beendet. Ein Klemmwert entsprechend der Ladung im Halte-Kondensator wird zu diesem Zeitpunkt ausgegeben.
Fig. 6 ist ein Schaltbild, das ein anderes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung zeigt.
In dieser Figur ist die Verschaltungsbeziehung der Gate-Schaltungen 14 und 15 vom MOS-Typ, der Konstantstromquelle 16 und des Betriebs-Beendigungs-Gates 19 die gleiche wie für den in Fig. 3 gezeigten Fall. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem in Fig. 3 gezeigten dadurch, daß die Gate-Schaltung 15 vom MOS-Typ mit einer Gate-Elektrode, an die eine Referenzspannung angelegt wird, und eine Rücksetz-Gate-Schaltung 18 in Reihe geschaltet sind und ein Halte-Kondensator 17 und eine an die Minus(-)-Seite des Ausgangs-Differenzverstärkers 13 angeschlossene Pegel-Verschiebungseinrichtung 20 an den Knotenpunkt zwischen Gate-Schaltungen 15 und 18 angeschlossen sind und daß ein Steuersignal an die Plus(+)-Seite des Differenzverstärkers 13 angelegt wird.
Fig. 7 ist ein Kurvenform-Diagramm, das den Klemmbetrieb der in Fig. 6 gezeigten Schaltung darstellt.
Vor der Zeit t21 befindet sich der Halte-Kondensator 17 in einem Zustand mit akkumulierter Ladung. Da eine Spannung entsprechend der Ladung an die Minus(-)-Seite des Differenzverstärkers 13 angelegt wird, wird die Ausgangsspannung Vout auf einem gegenüber Vref höherem Potential gehalten. Während eines Zeitintervalls zwischen den Zeitpunkten t21 und t22, wenn ein Rücksetzimpuls θA an die Rücksetz-Gate-Schaltung 18 angelegt wird, entlädt sich die Ladung in die Drain-Elektrode der Gate-Schaltung 14 über die Gate-Schaltung 15. Somit wird das Potential von Vout schnell erniedrigt, welches einen Zustand zur Folge hat, bei dem die Beziehung Vout < Vref erfüllt ist.
Wenn nun angenommen wird, daß der Impuls θB, der an die Gate-Schaltung 19 zum Beenden eines Betriebs angelegt wird, zum Zeitpunkt t23 auf einen niedrigen Pegel heruntergeht, wird der Knotenpunkt zwischen den Gate-Schaltungen 14 und 15 vom MOS-Typ in einen Schwebungs-Zustand gebracht. Da die Beziehung Vout < Vref wie oben beschrieben erfüllt ist, so daß eine Ladung in den Halte-Kondensator 17 über den Wall unterhalb der MOS-Gate-Schaltung 15 fließt, wird sein Potential erniedrigt. Da das Potential an die Minus(-)-Seite des Differenzverstärkers 13 über die Pegel-Verschiebungseinrichtung 20 angelegt wird, erhöht sich der Ausgang Vout allmählich. Das Anwachsen des Ausgangs Vout wird dann gestoppt, wenn eine Gleichung Vout = Vref erfüllt ist. Dabei wird die Ausgangsspannung Vout durch die Ladung in dem Halte-Kondensator auf einem festen Wert gehalten.
Auch in diesem Falle arbeitet die Schaltung nur dann, wenn der Ausgang niedriger ist als Vref. Somit wird die Möglichkeit einer Oszillation usw. vollständig beseitigt.
Fig. 8 ist ein Schaltbild, das eine andere Modifikation des in Fig. 6 gezeigten Ausführungsbeispiels zeigt. In diesem Ausführungsbeispiel ist eine Gate-Schaltung 22 zum Beenden eines Betriebs, die durch einen Impuls θB gesteuert wird, seriell zwischen der Gate-Schaltung 15 vom MOS-Typ und dem Halte-Kondensator 17 eingefügt. Nur wenn sich die Gate-Schaltung 22 zum Beenden eines Betriebs in einem Ein-Zustand befindet, wird ein Vergleich zwischen einem Ausgang Vout und einer Referenzspannung Vref durchgeführt. Wie oben beschrieben, wird von der Gate-Schaltung 22 zum Beenden eines Betriebs nur gefordert die in den Halte-Kondensator 17 fließende Ladung zu steuern. Aufgrund dessen kann, wie in den Fig. 5 und 8 gezeigt, die Gate-Schaltung 22 zum Beenden eines Betriebs zwischen einer von zwei Gate-Schaltungen 14 und 15 vom MOS-Typ und dem Halte-Kondensator 17 angeschlossen werden, so daß ein hervorragender Betrieb durchgeführt werden kann.
Indem einer Drain-Elektrode der Gate-Schaltung 15 vom MOS-Typ zum Anlegen einer Referenzspannung in den in den Fig. 3 und 5 gezeigten Anordnungen ein Wert gegeben wird, der dem Klemmwert des Halte-Kondensators gleicht, kann ein Betrieb mit hoher Geschwindigkeit realisiert werden.
Während eine Referenzspannung, die an eine der Gate-Schaltungen vom MOS-Typ angelegt wird, einen Zielwert verwendet, so wie er in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen ist, kann eine als (Vref - ΔV) ausgedrückte Spannung als eine Referenzspannung verwendet werden, indem ein Fehler beim Betrieb berücksichtigt wird, wodurch ermöglicht wird, die Klemmgenauigkeit weiter zu verbessern.

Claims

1. Klemmschaltung, umfassend:

einen Differenzverstärker (13) mit einem ersten Eingangsanschluß, an den ein Eingangssignal angelegt wird;

dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmschaltung außerdem zwei in Reihe geschaltete Gate-Schaltungen (14, 15) vom MOS-Typ umfaßt;

eine Einrichtung zum Anlegen eines Ausgangssignals von dem zu klemmenden Differenzverstärker (13) und einer Referenzspannung, die einen Klemm-Zielwert darstellt an jeweilige Gate-Elektroden der Gate-Schaltungen vom MOS-Typ;

einen Halte-Kondensator (17) und eine Rücksetz-Einrichtung (18), die an eine Drain-Seite einer der Gate-Schaltungen vom MOS-Typ angeschlossen sind, um Ladungen in dem Halte-Kondensator zu laden bzw. zu entladen, jeweils zu einem Zeitpunkt, wenn ein Klemm-Betrieb eingeleitet wird;

eine Stromquelle, die an den Knotenpunkt zwischen den Gate-Schaltungen (14, 15) vom MOS-Typ angeschlossen ist;

eine Ladungsfluß-Steuereinrichtung (19, 21, 22) zum Zulassen der Akkumulation von Ladungen, die von der Stromquelle in den Halte-Kondensator fließen; und

eine Rückführungseinrichtung, um das Potential des Halte-Kondensators an einen zweiten Eingangsanschluß des Differenzverstärkers (13) zurückzuführen;

wobei die Ladungsfluß-Steuereinrichtung so arbeitet, daß sie einen Ladungsfluß in den Halte-Kondensator (17) zuläßt, bis ein Gleichgewicht zwischen den zwei Gate-Schaltungen vom MOS-Typ erreicht ist, nachdem eine Rücksetzoperation durch die Rücksetz-Einrichtung abgeschlossen worden ist.

2. Klemmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückführungs-Einrichtung eine Pegel-Verschiebungseinrichtung (20) umfaßt, um den Pegel des Rückführungs-Potentials anzugleichen.

3. Klemmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Referenzspannung so gewählt wird, daß sie einem Wert gleicht, der erhalten wird, indem der Wert eines Fehlers beim Betrieb berechnet wird und in dem eine Korrektur für diesen Fehler durchgeführt wird.

4. Klemmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei in Reihe geschalteten Gate-Schaltungen (14, 15) vom MOS-Typ den gleichen Aufbau besitzen.

5. Klemmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsfluß-Steuereinrichtung (19, 21, 22) eine Gate-Schaltung (19) vom MOS-Typ zum Beenden eines Betriebs (19) umfaßt, deren Source-Elektrode an den Knotenpunkt angeschlossen ist und die arbeitet, um aus dem Knotenpunkt nach Abschluß eines Klemmens Ladung zu entziehen.

6. Klemmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsfluß-Steuereinrichtung (19, 21, 22) eine weitere Gate-Schaltungen (21, 22) vom MOS Typ umfaßt, die zwischen der Rückstez-Einrichtung und den zwei in Reihe geschalteten Gate-Schaltungen (14, 15) vom MOS-Typ in Reihe geschaltet ist.

7. Klemmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsfluß-Steuereinrichtung (19, 21, 22) eine an den Knotenpunkt angeschlossene MOS-Gate-Schaltung (19) umfaßt.