DE3836002A1 - UNDERLAYER WITH A SOFT SURFACE FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS - Google Patents
UNDERLAYER WITH A SOFT SURFACE FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTSInfo
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine ver besserte, wärmeleitfähige und vorzugsweise elektrisch isolierende Ausgleichseinrichtung für die Montage eines vollständig gekapselten Halbleitergerätes oder einer derartigen Vorrichtung auf eine Montageoberfläche, ins besondere eine derartige Ausgleichseinrichtung zur Bereit stellung eines wärmeleitfähigen Montagemediums zwischen dem Hüllenabschnitt einer gekapselten Halbleitervorrich tung und einer Chassis-Montageoberfläche. Gemäß der vor liegenden Erfindung wird eine verbesserte Wärmeleitfähig keit zwischen dem gekapselten Gerät und der Montageober fläche bereitgestellt, insbesondere durch das Ausschalten und/oder Verringern von nichtvertriebener, zurückgehal tener oder eingefangener Luft zwischen den einzelnen Oberflächen, welche die Außenoberfläche des vollständig gekapselten Geräts und dessen zugehörige Montageoberfläche auf einem Chassis oder dergleichen ausmachen.The present invention relates generally to a ver improved, thermally conductive and preferably electrical insulating compensation device for the assembly of a fully encapsulated semiconductor device or one such device on a mounting surface, ins especially such a compensation device for the ready position of a thermally conductive mounting medium between the shell portion of an encapsulated semiconductor device device and a chassis mounting surface. According to the before lying invention is an improved thermal conductivity speed between the encapsulated device and the mounting surface provided space, especially by switching off and / or reducing non-displaced, backward air or trapped air between each Surfaces covering the outer surface of the completely encapsulated device and its associated mounting surface on a chassis or the like.
Es ist seit langem bekannt, daß eine wärmeleitfähige Zwischenschicht zwischen einem Halbleitergerät und einer Montageplattform, etwa einem elektrischen Chassis oder dergleichen, wünschenswert ist. In diesem Zusammenhang wird eine elektrisch isolierende, wärmeleitfähige Schicht als Montagepuffer zwischen dem Chassisteil und der Ober fläche des Hüllenabschnitts des gekapselten Halbleiter geräts verwendet. Es hat sich bei derartigen Anordnungen herausgestellt, wenn sie im Zusammenhang mit der vor liegenden Erfindung richtig ausgelegt sind, daß sie die elektrischen Eigenschaften und die Lebensdauer des Halb leitergerätes verbessern, ohne nennenswert die Abmessungen und die Größe des Halbleitergeräts zu vergrößern und ohne sich störend auf andere normale Montagevorgänge auszuwirken. Die Zwischen- oder Ausgleichseinrichtung selbst kann direkt auf eine Oberfläche des vollständig gekapselten Halbleitergeräts aufgebracht werden oder alternativ auf die Chassisoberfläche oder eine andere Oberfläche, auf die das Halbleitergerät montiert wird.It has long been known that a thermally conductive Interlayer between a semiconductor device and one Assembly platform, such as an electrical chassis or the like, is desirable. In this context becomes an electrically insulating, thermally conductive layer as a mounting buffer between the chassis part and the upper area of the shell portion of the encapsulated semiconductor device used. It has been with such arrangements exposed when related to the before lying invention are correctly designed that they electrical properties and the life of the half improve the ladder device without noteworthy the dimensions and enlarge the size of the semiconductor device and without interfering with other normal assembly operations impact. The intermediate or compensation device itself can be directly on a surface of the complete encapsulated semiconductor device are applied or alternatively to the chassis surface or another Surface on which the semiconductor device is mounted.
Seit kurzem werden vollständig gekapselte Halbleitergeräte in weitem Maße kommerziell genutzt. Um eine geeignete Ausgleichseinrichtung zwischen dem Hüllenabschnitt des gekapselten Halbleitergeräts und der Chassisoberfläche bereitzustellen, wurde typischerweise ein Silikonfett oder eine andere Einrichtung vorgeschlagen, um das Auf treten und Vorhandensein von Luft zu verringern, die nicht vertrieben wird, zurückgehalten oder auf andere Weise zwischen den zusammengehörigen Montageoberflächen eingefangen wird. Derartige zurückgehaltene oder einge schlossene Luft führt zu einem erhöhten Wärmewiderstand zwischen dem gekapselten Halbleitergerät oder der gekap selten Halbleiteranordnung und der Montageoberfläche, und es können heiße Punkte entstehen, während das Halb leitergerät bestimmten normalen erwarteten und tatsäch lich auftretenden elektrischen Betriebsbedingungen ausge setzt wird. Es hat sich herausgestellt, daß die vorlie gende Erfindung das Auftreten und Vorhandensein zurück gehaltener oder eingeschlossener Luft zwischen den zuge hörigen Oberflächen des gekapselten Halbleitergeräts und des Chassis verringert. Um diese Verringerung zurück gehaltener oder eingeschlossener Luft zu erreichen, wird eine verhältnismäßig dünne Schicht eines mäßig weichen und formbaren Materials bereitgestellt, wobei diese Schicht wärmeleitfähig und vorzugsweise elektrisch isolierend ist. Es hat sich herausgestellt, daß die Kombination von Eigenschaften einschließlich der Auswahl der Quer schnittsdicke zusammen mit der Weichheit und der Formbar keit die Menge zurückgehaltener oder eingeschlossener Luft wirksam verringert oder eliminiert, wodurch die thermischen Eigenschaften der Anordnung verbessert werden. Selbstverständlich führt die Verbesserung der thermischen Eigenschaften zu einer Verbesserung der Fähigkeiten und der Lebensdauer des Halbleitergeräts, welches kombiniert mit der Gesamtanordnung der Zwischenschicht verwendet wird.Recently, fully encapsulated semiconductor devices widely used commercially. To find a suitable one Compensation device between the envelope section of the encapsulated semiconductor device and the chassis surface To provide has typically been a silicone grease or another facility suggested to the On kick and lessen the presence of air that is not distributed, held back or passed on to others Way between the associated assembly surfaces is captured. Such restrained or turned on closed air leads to increased thermal resistance between the encapsulated semiconductor device or the encapsulated rarely semiconductor arrangement and the mounting surface, and hot spots can appear during the half conductor device certain normal expected and actual electrical operating conditions is set. It turned out that the present invention the occurrence and presence held or trapped air between the drawn audible surfaces of the encapsulated semiconductor device and reduced the chassis. To get this reduction back held or trapped air a relatively thin layer of a moderately soft and moldable material provided, this layer thermally conductive and preferably electrically insulating is. It has been found that the combination of properties including the selection of the cross section thickness together with the softness and malleability the amount of restrained or trapped Air effectively reduces or eliminates the air thermal properties of the arrangement can be improved. Of course, the improvement in thermal Features to improve skills and the life of the semiconductor device that combines used with the overall arrangement of the intermediate layer becomes.
Es hat sich herausgestellt, daß die Kombination physi kalischer Eigenschaften und der Dicke der Zwischenschicht keine Behinderung für normale Montagevorgänge oder die Bearbeitung darstellt. Mit anderen Worten führt das Vor handensein der Zwischenschicht nicht zu einer Beeinträch tigung des Wirkungsgrads normaler Montagevorgänge, noch führt es dazu, daß die normalen Montagevorgänge signifikant länger dauern. Daher ist die erfindungsgemäße Zwischen schicht mit den Betriebsabläufen verträglich, die üb licherweise bei typischen Montage- und Bearbeitungsvor gängen auftreten. Um die Wärmeleitfähigkeit zwischen dem gekapselten Halbleitergerät und der Montageoberfläche zu vergrößern wird eine Zwischeneinrichtung bereitgestellt, die sowohl weich und formbar ist, und die widerstandsfähig und dauerhaft ist und den bestimmten Montagevorgängen und -abläufen ausgesetzt werden kann, die üblicherweise bei derartigen Geräten auftreten.It has been found that the combination of physi calic properties and the thickness of the intermediate layer no hindrance to normal assembly operations or the Editing represents. In other words, the demonstration presence of the intermediate layer does not result in an adverse effect adjustment of the efficiency of normal assembly processes, still it causes normal assembly operations to be significant take longer. Therefore, the intermediate according to the invention layer compatible with the operational processes that are usual Licher with typical assembly and processing gears occur. To the thermal conductivity between the encapsulated semiconductor device and the mounting surface an intermediate device is provided to enlarge which is both soft and malleable, and which is tough and is permanent and the certain assembly operations and operations that are typically occur with such devices.
Um diese verbesserten Ergebnisse zu erhalten, sind be stimmte Eigenschaften und/oder Eigenarten für die Zwischen schicht erforderlich. Im einzelnen ist die Schicht so ausgelegt, daß sie weich und formbar ist, mit einer Stärke von weniger als etwa 0,254 mm (10 mils). Die Härte der Schicht sollte vorzugsweise zwischen 10 und 30 Durometer auf der A-Shore-Skala liegen. Die Formbarkeitseigenschaft gestattet die Verringerung und/oder Ausschaltung zurück gehaltener oder eingeschlossener Luft, wobei die Dicke so gewählt ist, daß eine gute Wärmeleitfähigkeit zwischen dem Hüllenabschnitt des gekapselten Halbleitergeräts und der Montageoberfläche erreicht wird.To get these improved results, be agreed characteristics and / or idiosyncrasies for the intermediate shift required. In particular, the layer is like this designed to be soft and malleable, with a strength less than about 0.254 mm (10 mils). The hardness of the Layer should preferably be between 10 and 30 durometers are on the A-Shore scale. The formability property allows the reduction and / or elimination back held or trapped air, the thickness is chosen so that a good thermal conductivity between the shell portion of the packaged semiconductor device and the mounting surface is reached.
Die wünschenswerten Eigenschaften und/oder Eigenheiten, die für die Zwischenschicht erforderlich sind, werden in natürlich auftretenden Substanzen nicht einfach auf gefunden. Daher ist es eine Zielrichtung der vorliegenden Erfindung, diese ungewöhnliche Kombination von Eigenschaf ten bereitzustellen, einschließlich der physikalischen Eigenschaften, weich und formbar zu sein, zusammen mit der Eigenschaft der Wärmeleitfähigkeit.The desirable properties and / or peculiarities, that are required for the intermediate layer in naturally occurring substances found. It is therefore a goal of the present Invention, this unusual combination of properties to provide, including the physical Properties of being soft and malleable, along with the property of thermal conductivity.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine thermisch leitfähige Zwischeneinrichtung bereitgestellt zur Anord nung zwischen dem Hüllenabschnitt eines gekapselten Halb leitergeräts und einer Montageoberfläche, um die Wärme leitung zwischen dem gekapselten Halbleitergerät und der Montageoberfläche zu vergrößern, wobei die Zwischen einrichtung eine allgemein weiche, formbare plastische Schicht aus einem Kunstharz umfaßt, die dennoch fest und widerstandsfähig ist und eine geringe Wärmeimpedanz oder einen geringen Wärmewiderstand aufweist.According to the present invention, a thermal conductive intermediate device provided for arrangement between the shell portion of an encapsulated half and a mounting surface to the heat line between the encapsulated semiconductor device and to enlarge the mounting surface, the intermediate furnishing a generally soft, malleable plastic Layer of a synthetic resin covers that is nevertheless firm and is resistant and has a low thermal impedance or has a low thermal resistance.
In diesem Zusammenhang ist die Plastikschicht ein Kunst harz, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Silikongummi, Epoxyharz, Polyester und Polyurethan besteht. Die weiche formbare Schicht weist vorzugsweise eine Härte von etwa 10 Durometer auf der A-Shore-Skala auf, wobei sich herausgestellt hat, daß ein Härtebereich zwischen 10 und 60 annehmbar ist. In this context, the plastic layer is an art resin, which is selected from the group consisting of Silicone rubber, epoxy resin, polyester and polyurethane. The soft moldable layer preferably has a hardness of about 10 durometers on the A-Shore scale, where it has been found that a hardness range between 10 and 60 is acceptable.
Um die Wärmeleitfähigkeit des Materials zu vergrößern wird das Harz vorzugsweise mit einer Substanz gemischt, um diese Leitfähigkeit zu erhöhen. Insbesondere umfassen die zur Vergrößerung der Wärmeleitfähigkeit verwendeten Materialien solche elektrischen Isolatoren wie Aluminium oxid, Bornitrid, Aluminiumnitrid und deren Mischungen, Mischungen aus Aluminiumoxid und Bornitrid, feinverteilte metallische Teilchen wie etwa fein verteiltes Kupfer, Aluminium, Stahl, oder dergleichen. Solche Materialien können dem Silikongummi in einer Menge zwischen etwa 20% bis 50% (Volumenprozent) verbundener Feststoffe zugefügt werden, wobei der Rest der Feststoffanteil des Kunstharzes ist. Eine Liste derartiger Materialien findet sich in der Anmeldung Nr. 07/1 14 855, eingereicht am 30. Oktober 1987, die an den Anmelder der vorliegenden Anmeldung übertragen wurde.To increase the thermal conductivity of the material the resin is preferably mixed with a substance, to increase this conductivity. In particular include the used to increase the thermal conductivity Materials such electrical insulators as aluminum oxide, boron nitride, aluminum nitride and their mixtures, Mixtures of aluminum oxide and boron nitride, finely divided metallic particles such as finely divided copper, Aluminum, steel, or the like. Such materials can the silicone rubber in an amount between about 20% to 50% (volume percent) of combined solids are added, the rest of the solids content of the Is resin. A list of such materials can be found themselves in application no. 07/1 14 855, filed on October 30, 1987 to the applicant of the present Registration was transferred.
Ein Hauptvorteil der vorliegenden Erfindung besteht daher in der Bereitstellung einer verbesserten Zwischenschicht anordnung, die zwischen dem Hüllenabschnitt eines gekap selten Halbleitergeräts und der hierfür vorgesehenen Montageoberfläche montiert und eingefügt wird, wobei die Zwischeneinrichtung eine allgemein weiche formbare plastische Schicht aus einem Kunstharz aufweist, mit einer Härte zwischen etwa 10 bis 60 Durometer auf der A-Shore-Skala.A main advantage of the present invention is therefore in providing an improved interlayer arrangement between the casing section of a kap rarely semiconductor device and the intended Mounting surface is mounted and inserted, whereby the intermediate device is a generally soft moldable has plastic layer of a synthetic resin, with a hardness between about 10 to 60 durometers on the A-shore scale.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der Bereitstellung einer Zwischeneinrichtung zur Mon tage zwischen dem Hüllenabschnitt eines gekapselten Halb leitergeräts und einer hierfür vorgesehenen Montageober fläche, bei welcher eine weiche formbare plastische Schicht aus Kunstharz bereitgestellt ist, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die Silikongummi, Epoxyharz, Polyester und Polyurethan umfaßt, und wobei das Plastikmaterial mit fein verteilten Feststoffen aufgefüllt ist, um die Wärmeleitfähigkeit zu vergrößern.Another advantage of the present invention lies in the provision of an intermediate facility for Mon days between the casing section of an encapsulated half ladder device and a dedicated top surface, in which a soft malleable plastic layer is provided from synthetic resin, which from the group is selected, the silicone rubber, epoxy resin, polyester and polyurethane, and wherein the plastic material is filled with finely divided solids to the To increase thermal conductivity.
Die Erfindung wird nachstehend nachstehend anhand zeichne risch dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus denen weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen.The invention will now be described with reference to the following illustrated exemplary embodiments, from which further advantages and features emerge.
Es zeigen:Show it:
Fig. 1 eine Perspektivansicht einer üblichen Art eines in der Vergangenheit verwendeten gekapselten Halb leitergeräts und eine Darstellung einer metallischen Zwischeneinrichtung in Form einer Bodenebene die an einer ebenen Oberfläche des Hüllenabschnitts befestigt ist; Figure 1 is a perspective view of a conventional type of encapsulated semiconductor device used in the past and a representation of a metallic intermediate device in the form of a floor plane which is attached to a flat surface of the shell portion.
Fig. 2 eine Perspektivansicht eines vollständig gekapselten Halbleitergeräts, wobei die erfindungsgemäße Zwi scheneinrichtung zwischem dem Hüllenabschnitt des Halbleitergeräts und der hierfür vorgesehenen Montageoberfläche angeordnet ist; und FIG. 2 is a perspective view of a completely encapsulated semiconductor device, the intermediate device according to the invention being arranged between the casing section of the semiconductor device and the mounting surface provided therefor; and
Fig. 3 eine Seitenansicht des in Fig. 2 dargestellten vollständig gekapselten Halbleitergeräts mit einer Erläuterung des auf die Oberfläche eines typischen Chassis montierten Geräts und mit einer Montage schraube, die zum Festhalten des Geräts auf der Chassisoberfläche verwendet wird. Fig. 3 is a side view of the fully encapsulated semiconductor device shown in Fig. 2 with an explanation of the device mounted on the surface of a typical chassis and with a mounting screw used to hold the device on the chassis surface.
In Übereinstimmung mit der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, insbesondere in bezug auf die Fig. 2 und 3 der Zeichnungen, ist ein vollständig gekapseltes Halbleitergerät 10 gezeigt, wobei der Hüllen abschnitt dazu verwendet wird, hierin ein Halbleiter gerät völlig einzuschließen oder "vollständig zu kapseln". Im einzelnen umfaßt das vollständig gekapselte Halbleiter gerät 10 einen Hüllenabschnitt 11, von dem aus sich leit fähige Steckerteile 12 erstrecken. Eine Muttern-Bolzenkom bination 14 verbindet das Halbleitergerät 10 mit einer Montagegrundplatte oder einem Chassis 15. Als weitere Montagevorrichtung kann ein Montageclip verwendet werden, um das Halbleitergerät mechanisch gegen die Oberfläche des Chassis vorzuspannen. Gekapselte Halbleitergeräte oder -anordnungen der in Fig. 2 und 3 dargestellten Art sind selbstverständlich kommerziell erhältlich.In accordance with the preferred embodiment of the present invention, particularly with reference to FIGS. 2 and 3 of the drawings, there is shown a fully encapsulated semiconductor device 10 , wherein the shell portion is used to fully enclose or "fully encapsulate" a semiconductor device therein ". In particular, the fully encapsulated semiconductor device 10 includes a shell portion 11 , from which conductive connector parts 12 extend. A nut-bolt combination 14 connects the semiconductor device 10 to a mounting base plate or a chassis 15 . A mounting clip can be used as a further mounting device in order to mechanically bias the semiconductor device against the surface of the chassis. Sealed semiconductor devices or arrangements of the type shown in FIGS . 2 and 3 are of course commercially available.
Wie weiterhin aus Fig. 2 und 3 hervorgeht, ist eine Interfaceeinrichtung 16 vorgesehen, die sich entlang des Basisabschnitts des vollständig gekapselten Halbleiter gerätes 10 erstreckt. Das Interface oder die Zwischenein richtung 16 weist die Form einer im allgemeinen weichen formbaren Plastikschicht oder eines entsprechenden Kissens aus einem Kunstharzmaterial auf, das aus der Gruppe ausge wählt ist, die aus Silikongummi, Epoxyharz, Polyester und Polyurethan besteht, vorzugsweise gefüllt oder gemischt mit einem wärmeleitfähigen teilchenförmigen Feststoff wie beispielsweise Aluminiumoxid, Bornitrid, einer Mischung aus Aluminiumoxid und Bornitrid, Aluminiumnitrid oder fein verteilten Metallteilchen. Die Schicht 16 wiederum ist gleichförmig mit einer ebenen Oberfläche des Hüllenab schnitts 11 des gekapselten Halbleitergerätes 10 verbunden. Für nachfolgende Montagevorgänge und um diese zu erleichtern kann eine Klebeschicht 17 über der gesamten Oberfläche der Interfaceschicht 16 verwendet werden. Die andere Oberfläche der Interfaceschicht 16 kann mit einem Klebefilm beschichtet sein, um die Verbindung mit der Oberfläche eines Chassis oder eines anderen Montageteils anstelle der Kombination 14 aus Mutter und Bolzen gemäß Fig. 3 zu erleichtern. Es können geeignete Klebemittel verwendet werden, beispielsweise druckempfindliche Klebemittel, thermisch beeinflußte Klebemittel oder Klebemittel auf Lösungsmittelbasis. Ein Lösefilm zur Abdeckung des druckem pfindlichen Klebefilms bei dessen Einsatz kann verwendet werden. Derartige Klebemittel, wie beispielsweise die druckempfindlichen Klebemittel, sind selbstverständlich kommerziell erhältlich.As further shown in Fig. 2 and 3 can be seen, an interface device 16 is provided which extends along the base portion of the complete packaged semiconductor apparatus 10. The interface 16 is in the form of a generally soft moldable plastic layer or pad made of a synthetic resin material selected from the group consisting of silicone rubber, epoxy resin, polyester and polyurethane, preferably filled or mixed with one thermally conductive particulate solid such as aluminum oxide, boron nitride, a mixture of aluminum oxide and boron nitride, aluminum nitride or finely divided metal particles. The layer 16 in turn is uniformly connected to a flat surface of the Hüllenab section 11 of the encapsulated semiconductor device 10 . An adhesive layer 17 can be used over the entire surface of the interface layer 16 for subsequent assembly operations and to facilitate this. The other surface of the interface layer 16 may be coated with an adhesive film to facilitate connection to the surface of a chassis or other mounting part instead of the combination 14 of nut and bolt shown in FIG. 3. Suitable adhesives can be used, for example pressure-sensitive adhesives, thermally influenced adhesives or solvent-based adhesives. A release film to cover the sensitive adhesive film when in use can be used. Adhesives of this type, such as, for example, the pressure-sensitive adhesives, are of course commercially available.
In Fig. 3 der Zeichnung ist das Halbleitergerät 10 auf der Oberfläche eines Chassis 15 dargestellt, wobei die Schicht 16 die Zwischenschicht zwischen dem gekapselten Halbleitergerät 10 und dem Chassis 15 bildet und in der richtigen Lage gezeigt ist. Wie aus der Figur hervorgeht, wird die Schicht 16 an dem Ort auf der Oberfläche der Kapselhülle 11 hergestellt, und daher erfolgt weder eine Behinderung noch eine sonstige Beeinträchtigung oder Verzögerung der Vorgänge beim Zusammenbau und/oder von normalerweise bei derartigen Geräten auftretenden Betriebs abläufen.In Fig. 3 of the drawing, the semiconductor device is displayed on the surface of a chassis 15 10, wherein the layer 16 constituting the intermediate layer between the encapsulated semiconductor device 10 and the chassis 15, and is shown in the correct position. As can be seen from the figure, the layer 16 is formed at the location on the surface of the capsule shell 11 , and therefore there is no interference or other impairment or delay in the assembly and / or operations normally occurring in such devices.
Im Gebrauch sorgt die Klebeschicht 17 für ein genügendes Anhaften und Festhalten, um so ein System geeigneter Festigkeit und Dauerhaftigkeit zur Verfügung zu stellen. Die Dicke ist, wie dargestellt, so gering wie möglich, vorzugsweise weniger als etwa 0,0178 mm (0,7 mil) um, falls überhaupt, nur eine geringe Impedanz oder einen geringen Widerstand bezüglich der Wärmeleitfähigkeit bereitzustellen. Die Eigenschaften der Schicht in bezug auf Weichheit, vorzugsweise im Bereich zwischen etwa 10 und 30 Durometer auf der A-Shore-Skala, sind ausrei chend, um das Vorliegen und/oder Auftreten eingeschlos sener, zurückgehaltener oder nicht verdrängter Luft zu verringern, und dieses Merkmal sorgt für die vorteilhaften Eigenschaften des Systems. Eine Durometerhärte auf dieser Skala im Bereich von etwa 10 bis 60 hat sich als geeignet herausgestellt.In use, the adhesive layer 17 provides sufficient adhesion and retention to provide a system of suitable strength and durability. The thickness, as shown, is as small as possible, preferably less than about 0.0178 mm (0.7 mil) in order to provide little, if any, low impedance or resistance to thermal conductivity. The layer's properties in terms of softness, preferably in the range between about 10 and 30 durometers on the A-Shore scale, are sufficient to reduce the presence and / or occurrence of trapped, retained, or non-displaced air, and this Feature ensures the advantageous properties of the system. A durometer hardness on this scale in the range of about 10 to 60 has been found to be suitable.
Bei der bevorzugten Ausführungsform besteht die Schicht 16 aus Silikongummi und weist eine Dicke zwischen etwa 0,127 mm bis 0,254 mm (5 bis 10 mils) auf. Es hat sich herausgestellt, daß eine derartige Dicke eine genügende Formbarkeit bereitstellt, um das Vorliegen zurückgehal tener oder eingeschlossener Luft zu verringern, wobei gleichzeitig eine genügende mechanische Festigkeit bereit gestellt wird, ohne die elektrischen Eigenschaften des gesamten Gerätes zu beeinträchtigen.In the preferred embodiment, layer 16 is made of silicone rubber and has a thickness of between about 0.127 mm to 0.254 mm (5 to 10 mils). It has been found that such a thickness provides sufficient formability to reduce the presence of trapped or trapped air while providing sufficient mechanical strength without compromising the electrical properties of the entire device.
Bei einer alternativen bevorzugten Ausführungsform wird die Schicht 16 an der Stelle auf der Oberfläche der Mon tageoberfläche oder des Chassis 15 hergestellt, und ist so ausgelegt, daß sie auf sich das gekapselte Halbleiter gerät 10 aufnimmt. Daher wird bei einer derartigen An ordnung der Zwischenschichtfilm direkt auf die Außen oberfläche des Chassis 15 aufgebracht. Bei einem nach folgenden Montageschritt werden daher eingehüllte Halb leitergeräte an dieser Stelle montiert in einer Anordnung, die den Erfordernissen der Einrichtung entspricht. Andere Merkmale, etwa die Dicke der Interfaceschicht und deren Eigenschaften, bleiben so wie voranstehend beschrieben.In an alternative preferred embodiment, the layer 16 is made in place on the surface of the mounting surface or of the chassis 15 , and is designed to receive the encapsulated semiconductor device 10 on it. Therefore, with such an arrangement, the interlayer film is applied directly to the outer surface of the chassis 15 . In a subsequent assembly step, enveloped semiconductor devices are therefore installed at this point in an arrangement that corresponds to the requirements of the facility. Other features, such as the thickness of the interface layer and its properties, remain as described above.
Wie aus Fig. 1 hervorgeht, verwendet der konventionelle Transistor und/oder ein anderer in der Vergangenheit verwendeter Halbleiter eine metallische Grundplatte zur direkten Berührung mit dem Chassis. In gewissen Anwendungs fällen macht es jedoch die Verwendung eines derartigen Metallteils schwierig, ein völlig gleichförmiges und vollständig kontaktierendes Paar zusammengehöriger Ober flächen zu erzielen. In solchen Fällen führen die ungleich förmigen Eigenschaften oder unebenen Eigenschaften des Metallteils des Halbleitergeräts und/oder des Chassisteils zu einer Verringerung der Berührungsfläche zwischen dem Metallplattformteil des Halbleitergeräts und der Ober fläche des Montagechassis.As is apparent from Fig. 1, the conventional transistor and / or other semiconductor used in the past uses a metallic base plate for direct contact with the chassis. In certain applications, however, the use of such a metal part makes it difficult to achieve a completely uniform and fully contacting pair of related surfaces. In such cases, the non-uniform properties or uneven properties of the metal part of the semiconductor device and / or the chassis part lead to a reduction in the contact area between the metal platform part of the semiconductor device and the upper surface of the mounting chassis.
Fachleuten auf diesem Gebiet wird deutlich, daß von dem voranstehenden Beispiel abgewichen werden kann, ohne das Prinzip und den Umfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.It is clear to experts in the field that from the the previous example can be deviated without the principle and scope of the present invention to leave.
Claims (7)
- a) eine im allgemeinen weiche formbare plastische Schicht aus einem Kunstharz, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Silikongummi, Epoxyharz, Polyester und Poly urethan besteht, wobei die Schicht mit einer ebenen Ober fläche des Hüllenabschnitts des gekapselten Halbleiter geräts verbunden ist, und wobei
- b) die weiche formbare Schicht eine Dicke von weniger als etwa 0,254 mm (10 mils) aufweist sowie eine Härte von zwischen etwa 10 und 60 Durometer auf der A-Shore- Skala.
- a) a generally soft moldable plastic layer made of a synthetic resin which is selected from the group consisting of silicone rubber, epoxy resin, polyester and poly urethane, the layer being connected to a flat upper surface of the casing section of the encapsulated semiconductor device, and in which
- b) the soft moldable layer has a thickness of less than about 0.254 mm (10 mils) and a hardness of between about 10 and 60 durometers on the A-Shore scale.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE8817206U DE8817206U1 (en) | 1988-05-26 | 1988-10-21 | Base layer with a soft surface for semiconductor components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US19919588A | 1988-05-26 | 1988-05-26 |
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