DE3812861A1 - Eigensichere stromversorgungseinrichtung - Google Patents

Eigensichere stromversorgungseinrichtung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine eigensichere Stromversor­ gungseinrichtung gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1; eine der­ artige eigensichere Stromversorgungseinrichtung ist durch die Spezifikation BS6182: Part 1:1982 der British Standards Institution bekannt.
Bei der durch die BSI-Spezifikation bekannten eigensicheren Stromversorgungseinrichtung handelt es sich um eine eigen­ sichere Stromversorgungseinrichtung der Schutzart EEx ia I nach Europanorm EN 50020, die im schlagwettergefährdeten Bergbau zur Speisung von Steuer- und Übertragungssystemen eingesetzt wird und die bei Gasausbruch nicht abgeschaltet werden muß.
Bei der vorgenannten eigensicheren Stromversorgungseinrichtung wird eine Eingangs-Wechselspannung über einen Transformator auf eine konstante Sekundärspannung heruntertransformiert und gleich­ zeitig von der Eingangs-Wechselspannung galvanisch getrennt. Die Sekundärspannung wird anschließend mittels eines Brücken­ gleichrichters gleichgerichtet und mittels einer parallel in den Sekundärkreis geschalteten, aus einem Kondensator und dem zugehörigen Entladewiderstand bestehenden Glättungseinrichtung geglättet. Die gleichgerichtete und geglättete Sekundärspannung wird über zumindest drei, jeweils parallel in den Sekundärkreis geschaltete Zener-Dioden stabilisiert. Zur Begrenzung des Aus­ gangsstroms ist dem Brückengleichrichter ein zwischen der Glät­ tungseinrichtung und der Stabilisierungsschaltung angeordneter ohmscher Begrenzungswiderstand nachgeschaltet. Ein Stromfluß von mehr als 500 mA bei einer Ausgangs-Gleichspannung von 12 V führt bei dem ohmschen Begrenzungswiderstand zu einem Spannungs­ abfall, der zur Folge hat, daß die Ausgangs-Gleichspannung zusammenbricht. Dadurch ist die Ausgangsleistung der bekannten eigensicheren Stromversorgungseinrichtung in unerwünschter Weise auf relativ niedrige Werte begrenzt. Wegen des ohmschen Begrenzungswiderstandes ist außerdem der Wirkungsgrad noch nicht optimal.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine eigensichere Stromversorgungseinrichtung der Schutzart EEx ia I nach Europa­ norm EN 50020 für den schlagwettergefährdeten Bergbau zu schaffen, die gegenüber den bisherigen eigensicheren Stromver­ sorgungseinrichtungen der Schutzart EEx ia I eine höhere Aus­ gangsleistung bei gleichzeitig verbessertem Wirkungsgrad aufweist.
Die Lösung der Aufgabe ist bei einer eigensicheren Stromver­ sorgungseinrichtung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die Lehre des Anspruchs 1 möglich; vorteilhafte Ausge­ staltungen der Erfindung sind jeweils Gegenstand der Unter­ ansprüche.
Bei der erfindungsgemäßen eigensicheren Stromversorgungsein­ richtung wird durch den als Gegentaktübertrager ausgebildeten Übertrager bei gleichzeitiger galvanischer Trennung der Ein­ gangsspannung von der Ausgangs-Gleichspannung der Ausgangsstrom auf einen vorgegebenen nicht zündfähigen Grenzwert begrenzt. Bei der Eingangsspannung kann es sich hierbei sowohl um eine Gleichspannung als auch um eine Wechselspannung handeln. Die Begrenzung des Ausgangsstromes erfolgt erfindungsgemäß aus­ schließlich durch den konstanten induktiven Innenwiderstand des Gegentaktübertragers in Verbindung mit einem parallel zum Gegen­ taktübertrager angeordneten Resonanz-Kondensator und der zyk­ lisch getakteten Umschalteinrichtung, wobei der konstante induktive Innenwiderstand des Gegentaktübertragers durch den Aufbau und die gegenseitige Anordnung von Primär- und Sekundär­ wicklung bestimmt wird. Durch die erfindungsgemäße Begrenzung des nicht zündfähigen Ausgangsstromes kann der bisher not­ wendige ohmsche Begrenzungswiderstand entfallen, so daß sich bei einer Ausgangs-Gleichspannung von z.B. 12 V eine ca. drei­ fach höhere Ausgangsleistung ergibt, wobei die Ausgangs- Gleichspannung stromunabhängig ist und auf 2 bis 3% konstant gehalten werden kann. Gleichzeitig erhält man einen erheblich besseren Wirkungsgrad, da aufgrund des nicht notwendigen ohmschen Begrenzungswiderstandes die ohmschen Wirkverluste relativ klein gehalten werden können.
Die Umwandlungsvorrichtung kann eine Vorregelung nach dem Linearregler-Prinzip umfassen, über welche eine im wesentlichen bis auf ± 15% stabilisierte Eingangsspannung nach ihrer Gleichrichtung geglättet und vorstabilisiert wird, so daß man eine geglättete und vorstabilisierte Haupt-Gleichspannung erhält.
Vorzugsweise umfaßt die Umwandlungsvorrichtung jedoch eine getaktete Vorregelung, z.B. gemäß Anspruch 3. Damit können in vorteilhafter Weise sogar Eingangsspannungen, die lediglich auf z.B. ± 30% stabilisiert sind, an die eigensichere Stromver­ sorgungseinrichtung angelegt werden.
Besonders vorteilhaft ist eine Weiterbildung der Erfindung, bei der die Umschalteinrichtung zyklisch getaktete MOS-Schalt­ transistoren umfaßt, wobei die MOS-Schalttransistoren vorzugs­ weise über einen quarzstabilen Taktgeber taktbar sind. Bei Verwendung von MOS-Schalttransistoren, die über einen quarz­ stabilen Taktgeber taktbar sind, können Taktfrequenzen bis zu 400 kHz gewählt werden.
Dadurch, daß die MOS-Schalttransistoren in einem überlappenden, gleichgroßen Tastverhältnis taktbar sind, wird bei einem Gegen­ taktübertrager mit einer symmetrisch geteilten Primärwicklung und einer symmetrisch geteilten Sekundärwicklung der Ober­ wellengehalt der rechteckförmigen Wechselspannung verringert.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Zeichnung schematisch dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert. Darin zeigen:
Fig. 1 ein Prinzip-Schaltbild der eigensicheren Stromversor­ gungseinrichtung der Schutzart EEx ia I nach Euronorm EN 50020,
Fig. 2 das physikalische Ersatz-Schaltbild des Gegentaktüber­ tragers der eigensicheren Stromversorgungseinrichtung nach Fig. 1,
Fig. 3 die Ansteuerung der in einem überlappenden, im wesent­ lichen gleichgroßen Tastverhältnis getakteten Umschalt­ einrichtung der eigensicheren Stromversorgungseinrich­ tung nach Fig. 1,
Fig. 4 ein Prinzip-Schaltbild einer Umwandlungsvorrichtung der eigensicheren Stromversorgungseinrichtung nach Fig. 1.
Fig. 1 zeigt ein Schaltbild der eigensicheren Stromversorgungs­ einrichtung nach Schutzart EEx ia I mit einem Übertrager, der als Gegentaktübertrager 1 mit einer symmetrisch geteilten Primärwicklung L 1 und einer symmetrisch geteilten Sekundär­ wicklung L 2 ausgebildet ist. Die Primär-Teilwicklungen L 11, L 12 sind jeweils mit einem MOS-Schalttransistor T 1 bzw.T2 über seine Drain-Source-Strecke in Reihe geschaltet, wobei der Bulk-Anschluß jedes MOS-Schalttransistors T 1, T 2 mit der zuge­ hörigen Source-Elektrode verbunden ist und die Gates beider MOS-Schalttransistoren T 1, T 2 mit den Steuerausgängen eines quarzstabilen Taktgebers 3 verbunden sind. In den Primärkreis des Gegentaktübertragers 1 ist eine Umwandlungsvorrichtung 2 zur Umwandlung einer Eingangsspannung U E in eine Haupt- Gleichspannung U H geschaltet, wobei an die Umwandlungs­ vorrichtung 2 sowohl eine Gleichspannung als auch eine Wechsel­ spannung angelegt werden kann. Parallel zu der Reihenschaltung aus der jeweiligen Primär-Teilwickung L 11 bzw. L 12 und dem zu­ gehörigen MOS-Schalttransistor T 1 bzw. T 2 ist ein gemeinsamer Resonanz-Kondensator C 1 geschaltet. Zwischen der Umwandlungs­ vorrichtung 2 und dem Resonanz-Kondensator C 1 ist eine Zener- Diode D 1 parallel in den Primärkreis geschaltet.
Auf der Sekundärseite des Gegentaktübertragers 1 ist zunächst jeweils eine Gleichrichter-Diode D 2 bzw. D 3 in Reihe zu jeder Sekundär-Teilwicklung L 21 bzw. L 22 geschaltet. Der aus den beiden Gleichrichter-Dioden D 2, D 3 bestehenden Doppelweg-Gleich­ richterschaltung ist ein parallel in den Sekundärkreis ge­ schalteter Ladekondensator C 2 nachgeordnet. Parallel zu dem Ladekondensator C 2 sind - entsprechend den Forderungen nach Schutzart EEx ia I - wenigstens drei, zueinander ebenfalls parallele Stabilisierungs-Dioden D 4, D 5, D 6 geschaltet.
Bei Anlegen einer Eingangsspannung U E an die erfindungsgemäße eigensichere Stromversorgungseinrichtung wird die Eingangs­ spannung U E , falls es sich um eine Wechselspannung handelt, durch die eine Vorregelung umfassende Umwandlungsvorrichtung 2 gleichgerichtet. Anschließend wird die Eingangsspannung U E , unabhängig davon ob Gleichspannung oder Wechselspannung, durch die Umwandlungsvorrichtung geglättet und vorstabilisiert, so daß am Ausgang der Umwandlungsvorrichtung 2 eine auf etwa ± 10% stabilisierte Haupt-Gleichspannung U H anliegt, die mittels der nachgeordneten Z-Diode D 1 begrenzt und auf etwa ± 5% stabili­ siert wird. Die so erhaltene Haupt-Gleichspannung U H wird auf den Gegentaktübertrager 1 gegeben, dessen beide Primär-Teil­ wicklungen L 11, L 12 über ihre zugeordneten MOS-Schalttransi­ storen T 1, T 2 zyklisch an die Haupt-Gleichspannung U H schaltbar sind. Die Steuerung der beiden MOS-Schalttransistoren T 1, T 2 erfolgt hierbei in vorteilhafter Weise über einen quarzstabilen Taktgeber 3 bei einer konstant zu wählenden Taktfrequenz im Bereich von 200 kHz bis 400 kHz. Durch das zyklische Takten der MOS-Schalttransistoren T 1, T 2 wird die Haupt-Gleichspannung U H alternierend an jeweils eine der beiden Primär-Teilwicklungen L 11, L 12 geschaltet, so daß eine gedämpfte Schwingung zwischen dem Gegentaktübertrager 1 und dem parallel zu der Primärwick­ lung L 1 geschalteten Resonanz-Kondensator C 1 entsteht. Der Gegentaktübertrager 1 transformiert die an der Primärwicklung L 1 anliegende zerhackte Haupt-Gleichspannung U H auf den ge­ wünschten wert herunter und trennt die an der Sekundärwicklung L 2 anliegende rechteckförmige Wechselspannung U S galvanisch von der Haupt-Gleichspannung U H und damit von der Eingangsspannung U E . Anschließend wird die rechteckförmige Wechselspannung U S mittels der aus den Gleichrichter-Dioden D 2, D 3 bestehenden Doppelweg-Gleichrichterschaltung gleichgerichtet, mittels des nachgeordneten, parallel in den Sekundärkreis geschalteten Ladekondensators C 2 geglättet und mittels der drei parallel zu dem Ladekondensator C 2 angeordneten Stabilisierungs-Dioden D 4, D 5, D 6 stabilisiert. Man erhält auf diese Weise eine auf ± 2% stabile Ausgangs-Gleichspannung U A , die aufgrund des nicht notwendigen ohmschen Begrenzungswiderstandes im Sekundärkreis des Gegentaktübertragers 1 konstant ist. Bis zum Erreichen eines vorgegebenen, nicht zündfähigen Grenzwertes bei dem sekundärseitig fließenden Ausgangsstrom I A ist die Ausgangs- Gleichspannung U A also unabhängig von dem durch einen anliegen­ den Verbraucher gezogenen Ausgangsstrom I A .
Die Eigensicherheit der Stromversorgungseinrichtung wird erfindungsgemäß ausschließlich durch den induktiven Innen­ widerstand des Gegentaktübertragers 1 in Verbindung mit dem parallel zu dem Gegentaktübertrager 1 angeordneten Resonanz- Kondensator C 1 und der Umschalteinrichtung 4 gewährleistet.
Der konstante induktive Innenwiderstand des Gegentaktüber­ tragers 1 wird hierbei durch den Aufbau und die gegenseitige Anordnung der Primär-Teilwicklungen L 11, L 12 zu den Sekundär- Teilwicklungen L 21, L 22 im Sinne der in Fig. 2 gezeigten hohen Streuinduktivitäten LS 11, LS 12; LS 21, LS 22 erreicht. Der kon­ stante induktive Innenwiderstand des Gegentaktübertragers 1 führt in Verbindung mit der vorher beschriebenen Ansteuerung dazu, daß erst bei Überschreiten des vorgegebenen nicht zünd­ fähigen Grenzwertes bei dem sekundärseitig fließenden Ausgangs­ strom I A das Magnetfeld im Gegentaktübertrager 1 zusammenbricht und damit die Ausgangs-Gleichspannung U A noch vor Erreichen der Zündfähigkeit eines explosiven Gasgemisches fast schlagartig zusammenbricht und den Ausgangsstrom I A begrenzt.
Durch die parallel in den Primärkreis geschalteten, zwischen der Umwandlungsvorrichtung 2 und dem Resonanz-Kondensator C 1 angeordneten Zener-Diode D 1 wird in vorteilhafter Weise eine ungewollte Erhöhung der Haupt-Gleichspannung U H verhindert, so daß damit schon ein mögliches Ansteigen des Ausgangstromes I A aufgrund einer Erhöhung der Haupt-Gleichspannung U H von vorn­ herein zuverlässig verhindert wird.
Bei der in Fig. 1 gezeigten eigensicheren Stromversorgungsein­ richtung wird bei einem Ausfall eines der beiden MOS-Schalt­ transistoren T 1, T 2 die Eigensicherheit nicht beeinträchtigt. Wird zum Beispiel der MOS-Schalttransistor T 1 hochohmig, so fließt kein zerhackter Gleichstrom mehr durch die Primär- Teilwicklung L 11, so daß sich bei funktionsfähigem MOS-Schalt­ transistor T 2 eine Leistungshalbierung ergibt. Wird zum Beispiel der MOS-Schalttransistor T 1 jedoch niederohmig, so fließt durch die Primär-Teilwicklung L 11, aufgrund der fehlenden Sperrwirkung beim MOS-Schalttransistor T 1, kein zerhackter Gleichstrom, sondern nur Gleichstrom, so daß keine Transformierung der Spannung stattfinden kann und am Ausgang der eigensicheren Stromversorgungseinrichtung keine Ausgangs- Gleichspannung U A anliegt. Die Primär-Teilwicklung L 11 wirkt bei niederohmigem MOS-Schalttransisotor T 1 als reiner ohmscher Widerstand, der zum Kurzschluß und zum Ansprechen der Sicherung in der Umwandlungsvorrichtung 2 führt.
In Fig. 3 ist die Ansteuerung der beiden MOS-Schalttransistoren T 1, T 2 der eigensicheren Stromversorgungseinrichtung nach Fig. 1 schematisch dargestellt. Der obere Teil der Fig. 3 zeigt den Verlauf der an dem MOS-Schalttransistor T 1 angelegten Steuer­ spannung U T 1, der untere Teil zeigt den Verlauf der an dem MOS-Schalttransistor T 2 angelegten Steuerspannung U T 2. Durch die Wahl eines überlappenden, im wesentlichen gleichgroßen Tastverhältnisses wird bei einem Gegentaktübertrager 1 mit einer symmetrisch geteilten Primärwicklung L 1 und einer symmetrisch geteilten Sekundärwicklung L 2 der Oberwellengehalt der rechteckförmigen Wechselspannung U S in vorteilhafter Weise verringert.
Fig. 4 zeigt ein Schaltbild einer Umwandlungsvorrichtung 2 der eigensicheren Stromversorgungseinrichtung nach Fig. 1. Die Um­ wandlungsvorrichtung 2 besteht aus einem Gleichrichter 5 und einer nachgeschalteten getakteten Vorregelung 7. Zwischen dem Gleichrichter 5 und der getakteten Vorregelung 7 ist eine Batterie B im Stand-By-Modus zwischengeschaltet, die bei Aus­ fall der Eingangsspannung U E kurzzeitig eine Gleichspannung von ca. 50 V zur Verfügung stellen kann. Die getaktete Vorregelung 7 besteht aus einem parallel zwischen den aus­ gangsseitigen Anschlüssen des Gleichrichters 5 geschalteten Glättungskondensator C 3, einem nachgeordneten Schalttransistor T 3, der über seine Kollektor-Emitter-Strecke in den strom­ führenden Leiter geschaltet ist, und einer dem Schalttransistor T 3 nachfolgenden Speicherinduktivität L 3, die ebenfalls in den stromführenden Leiter geschaltet ist. Die Basis des Schalt­ transistors T 3 ist mit dem Steuerausgang eines Taktgebers 6 verbunden, der sein Steuersignal über eine der Speicherinduk­ tivität L 3 nachgeordnete, parallel zu dem Glättungskondensator C 3 geschaltete Spannungsteiler-Schaltung R 1, R 2 erhält.
Bei Anlegen einer Eingangsspannung U E , bei der es sich sowohl um eine Gleichspannung im Bereich von 45 bis 300 V als auch um eine Wechselspannung im Bereich von 42 bis 220 V handeln kann, wird diese zunächst im Gleichrichter 5 gleichgerichtet. Die Eingangsspannung U E braucht hierbei in vorteilhafter Weise, unabhängig vom Spannungswert, nur auf z.B. ± 30% stabilisiert zu sein, da durch die nachgeschaltete, getaktete Vorregelung 7 bei einem Ansteigen der Eingangsspannung U E die Einschaltdauer des Schalttransistors T 3 verkürzt und seine Ausschaltdauer verlängert wird bzw. bei einem Absinken der Eingangsspannung U E die Einschaltdauer des Schalttransistors T 3 verlängert und seine Ausschaltdauer verkürzt wird.
Diese Veränderung des Puls-Pausen-Verhältnisses in Abhängig­ keit von der Eingangsspannung U E erfolgt hierbei nicht spannungsgesteuert, sondern stromgesteuert, da das Steuersignal für den Taktgeber 6 erst nach der Integration des Eingangs­ stromes I E in der Speicherinduktivität L 3, also nach der Bildung eines Strommittelwertes, abgegriffen wird. Durch diese vorteilhafte stromgesteuerte Taktung des Schalttransistors T 3 liegt am Ausgang der Umwandlungsvorrichtung 2 eine auf ± 10% stabilisierte Haupt-Gleichspannung U H an, die mittels der nachgeordneten Z-Diode D 1 begrenzt und auf etwa ± 5% stabi­ lisiert wird. Die so erhaltene Haupt-Gleichspannung U H wird auf den in Fig. 1 beschriebenen Gegentaktübertrager 1 gegeben.

Claims (10)

1. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung mit einem Über­ trager, der eine Primärwicklung und eine Sekundärwicklung aufweist, mit einer der Sekundärwicklung nachgeschalteten Gleichrichterschaltung und mit einer dieser folgenden Glät­ tungseinrichtung, sowie mit einer für die Absicherung erfor­ derlichen Anzahl von Stabilisierungs-Dioden, die der Glät­ tungseinrichtung nachgeordnet sind, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
  • a) Als Übertrager ist ein Gegentaktübertrager (1) vorgesehen, dessen Primärwicklung (L 1) und Sekundärwicklung (L 2) im Sinne hoher Streuinduktivitäten (LS 11, LS 12; LS 21, LS 22) zuein­ ander angeordnet sind und der einen konstanten induktiven Innenwiderstand aufweist, über den ein Ausgangsstrom (I A ) begrenzbar ist;
  • b) auf der Primärseite des Gegentaktübertragers (1) ist eine Umwandlungsvorrichtung (2) zur Umwandlung der Eingangs­ spannung (U E ) in eine Haupt-Gleichspannung (U H ) vorgesehen;
  • c) den Primär-Teilwicklungen (L 11, L 12) und der Umwandlungsvor­ richtung (2) ist eine zyklisch getaktete Umschalteinrichtung (4) zugeordnet, durch die die Haupt-Gleichspannung (U H ) alternierend an die Primär-Teilwicklungen (L 11, L 12) schalt­ bar ist.
  • d) zwischen der Umwandlungsvorrichtung (2) und der Primärwick­ lung (L 1) ist über die Umschalteinrichtung (4) zumindest ein Resonanz-Kondensator (C 1) parallel zu der jeweiligen Primär- Teilwickung (L 1 bzw. L 2) schaltbar;
2. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umwandlungsvorrichtung (2) eine Vorregelung nach dem Linear­ regler-Prinzip umfaßt, über welche die Eingangsspannung (U E ) in eine geglättete und vorstabilisierte Haupt-Gleichspannung (U H ) umwandelbar ist.
3. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umwand­ lungsvorrichtung (2) eine getaktete Vorregelung (7) umfaßt, die einem Gleichrichter (5) nachgeschaltet ist und die aus einem parallel zwischen den ausgangsseitigen Anschlüssen des Gleich­ richters (5) geschalteten Glättungskondensator (C 3), einer nachgeordneten, in den stromführenden Leiter geschalteten Reihenschaltung aus einem Schalttransistor (T 3) und einer die­ sem folgenden Speicherinduktivität (L 3) besteht, wobei der Schalttransistor (T 3) in Abhängigkeit von der Eingangsspannung (U E ) über einen Taktgeber (6) taktbar ist, dessen Steuersignal über eine der Speicherinduktivität (L 3) nachgeordnete, paral­ lel zum Glättungskondensator (C 3) geschaltete Spannungs­ teiler-Schaltung (R 1, R 2) abgreifbar ist.
4. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an die ausgangsseitigen Anschlüsse des Gleichrichters (5) eine Batterie (B) geschaltet ist.
5. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine die Haupt-Gleichspannung (U H ) stabilisierende und begrenzende Zener-Diode (D 1) der Umwandlungsvorrichtung (2) nachgeschaltet ist.
6. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung (4) zyklisch getaktete MOS-Schalt­ transistoren (T 1, T 2) umfaßt.
7. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Schalttransistoren (T 1, T 2) über einen quarzstabilen Taktgeber (3) taktbar sind.
8. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Schalttransistoren (T 1, T 2) in einem überlappenden, im wesentlichen gleichgroßen, Tastverhältnis taktbar sind.
9. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterschaltung als Doppelweg-Gleichrichter­ schaltung ausgebildet ist, wobei jeweils zumindest eine in Reihe zu den Sekundär-Teilwicklungen (L 21, L 22) geschaltete Gleichrichter-Diode (D 2 bzw. D 3) vorgesehen ist.
10. Eigensichere Stromversorgungseinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Glättungseinrichtung aus zumindest einem parallel in den Sekundärkreis geschalteten Ladekondensator (C 2) besteht.
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