DE3812396A1 - Verstaerkerstufe mit kollektorausgang - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Verstärkerstufe mit Kollektorausgang.

Es ist bekannt, daß bei Verstärkerstufen mit Kollektorausgang es außerordentlich wichtig sein kann, die in der Verstärkerkette enthaltenen Transistoren vor dem Erreichen einer hohen Sättigung zu schützen, weil sonst die Stromverstärkung jedes Transistors auf einen sehr niedrigen Wert fällt.

Ein solches Verhalten würde die Schaltgeschwindigkeit eines Verstärkers vermindern, wenn die Transistoren aus einem gesättigten Zustand in die lineare Betriebsweise übergehen. Ist ein solcher Verstärker mit Gegenkopplung ausgerüstet, so ergeben sich in den Ausgangsbereichen der Transistoren, die aus der Sättigung in den linearen Betrieb übergehen, unerwünschte Übergangszustände.

Ein solcher Betrieb bei hoher Sättigung kann z. B. im Falle einer starken Unsymmetrie am Ausgang auftreten. Ein solcher Vorgang soll z. B. anhand der Schaltung eines Verstärkers nach Fig. 1 erläutert werden, der einen niedrigen Spannungsabfall aufweist, d. h., bei dem die Differenz zwischen der verfügbaren Betriebsspannung und der maximalen Spitzen-Ausgangsspannung niedrig ist. In dieser Schaltung stellen die Stromquellen I₁ und I₂ die Eingangsstufe dar, die im allgemeinen aus einer Spannungs-Strom-Wandlerstufe besteht. Die Transistoren Q₁-Q₄ und die Konstantstromquelle Q₇ bilden zusammen mit dem Widerstand R₁ die Treiberschaltung, während die Transistoren Q₅ und Q₆ die beiden Endtransistoren bilden, die zwischen zwei Betriebsspannungsleitungen V _CC und -V _CC geschaltet sind. Die beiden Endtransistoren sind an einem Punkt D miteinander verbunden, der den Ausgang der Verstärkerstufe bildet und an eine Last R _L angeschlossen ist.

In dieser bekannten Schaltung verursacht eine Unsymmetrie der Ströme I₁ und I₂ eine Unsymmetrie der gesamten Stufe. Dieser Zustand ist durch folgende Gleichung ausgedrückt

wenn der Transistor Q₂ gesättigt ist. Ein ähnlicher Zustand stellt sich ein, wenn bei gesättigtem Zustand Q₂ die Beziehung besteht

so daß nun Q₆ gesättigt ist.

In ähnlicher Weise sind die Transistoren Q₇ und Q₅ gesättigt, wenn der Strom I₂ genügend größer als der Strom I₁ ist.

Die Sättigungspegel der angegebenen Transistoren können sehr hohe Werte annehmen, wenn sie nicht angesteuert werden, d. h., daß die Stromverstärkung der gesättigten Transistoren auf sehr niedrige Werte fällt, was die vorbeschriebenen nachteiligen Konsequenzen mit sich bringt.

Um eine hohe Sättigung der Transistoren zu vermeiden, ist es bereits bekannt, Schottky-Dioden zwischen die Basis und den Kollektor jedes Transistors zu schalten, bei dem die Gefahr einer hohen Sättigung besteht, um einen Teil des Basisstromes abzuleiten und eine zu starke Sättigung des so geschützten Transistors zu vermeiden. Eine solche Lösung hat jedoch ebenfalls Nachteile, da die an die Endtransistoren angeschlossenen Schottky-Dioden einen hohen Flächenbedarf (der im Falle von integrierten Systemen mit hohem Integrationsgrad unerwünscht ist) erfordern, um hohe Ströme bei niedriger Spannung führen zu können. Außerdem ist die Integration solcher Dioden in integrierten Schaltungen mit dem Erfordernis einer größeren Anzahl von Masken verbunden, wodurch sich eine größere Komplexität bei der Herstellung und höhere Kosten für den gesamten Verstärker ergeben.

Andere bekannte Lösungen beziehen sich auf Strukturen, die einen Transistor enthalten sowie eine Diode, die auf geeignete Weise an den zu schützenden Transistor und an die Eingangsstufe angeschlossen ist. Doch auch solche Lösungen sind nicht befriedigend wegen der hohen Anzahl von Bauelementen; darüber hinaus ergeben sich Stabilitätsprobleme der Schleife, die durch jeden Transistor mit der entsprechenden Schaltung gegen Sättigung gebildet wird.

Es ist also die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Verstärkerstufe mit Kollektorausgang vorzuschlagen, bei der eine effektive Steuerung der Sättigung der Transistoren der Verstärkerstufe durchgeführt wird, um die Probleme zu reduzieren, die sich in bezug auf die Schaltgeschwindigkeit und auf unerwünschte Übergänge bei bekannten Schaltungen ergeben.

Innerhalb dieser Aufgabe ist es ein spezielles Anliegen der vorliegenden Erfindung, eine Verstärkerstufe vorzuschlagen, die einen einfachen, leicht integrierbaren Aufbau hat, wobei die der Verhinderung der Sättigung der Transistoren dienenden Teile nur eine begrenzte Integrationsfläche erfordern.

Schließlich ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Verstärkerstufe vorzuschlagen, die einen Sättigungssteuerteil aufweist, der integrierbar ist, ohne daß zusätzliche Masken oder zusätzliche Verfahrensschritte erforderlich sind.

Schließlich soll die Verstärkerstufe gemäß der vorliegenden Erfindung zuverlässig arbeiten und eine hohe Stabilität aufweisen.

Diese Aufgabe wird durch eine Verstärkerstufe mit Kollektorausgang gelöst, die die Merkmale der Patentansprüche aufweist.

Die Eigenschaften und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung einiger beispielsweiser Ausführungsformen hervor, wobei Bezug auf die beigefügten Zeichnungen genommen wird.

Es zeigt

Fig. 1 ein vereinfachtes Schaltbild einer Verstärkerstufe mit Kollektorausgang bekannter Art;

Fig. 2 ein Schaltbild einer Verstärkerstufe gemäß der Erfindung;

Fig. 3 die Abhängigkeit des Kollektorstroms von der Basis-Emitter-Spannung eines Transistors; und

Fig. 4 das Schaltbild einer anderen Ausführungsform der Verstärkerstufe gemäß der Erfindung.

Nachfolgend wird auf die Fig. 2 bis 4 Bezug genommen, während Fig. 1 bereits vorstehend beschrieben wurde. In der nachfolgenden Beschreibung sind ähnliche Komponenten der erfindungsgemäßen Verstärkerstufe mit den gleichen Bezugszeichen wie in der Schaltung nach Fig. 1 versehen.

In Fig. 2 ist eine Verstärkerstufe gemäß der Erfindung gezeigt. Die Eingangsstufe wird durch die zwei Stromquellen I₁ und I₂ gebildet. Ähnlich wie bei der bekannten Schaltung nach Fig. 1 besteht die Treiberschaltung aus den Transistoren Q₁ bis Q₄ und Q₇ (letztere bildet eine Konstantstromquelle) zum Ansteuern der beiden Ausgangstransistoren Q₅ und Q₆, die zwischen der positiven Betriebsspannungsleitung V _CC und der negativen Betriebsspannungsleitung -V _CC angeschlossen sind. Beide Ausgangstransistoren sind mit ihren Kollektoren an einen Punkt D angeschlossen, der den Ausgang der Verstärkerstufe zum Speisen einer Last, hier einem Lastwiderstand R _L , bildet. Wie bei der bekannten Schaltung hat die Treiberschaltung zwei Ausgänge, die durch die Kollektoren der Transistoren Q₃ und Q₄ gebildet sind, diese Ausgänge sind zum Ansteuern an die Basen der Ausgangstransistoren Q₅ und Q₆ angeschlossen.

Gemäß der Erfindung sind zwischen den Treiberausgängen, gebildet durch die Kollektoren der Transistoren Q₄ und Q₃, und den Basen der Ausgangstransistoren zwei Sättigungssteuerkreise vorgesehen, die eine hohe Sättigung der angeschlossenen Ausgangstransistoren verhindern und große Unsymmetrien in den Strömen der Eingangsquellen der Treiberschaltung vermeiden sollen. Jede der Sättigungssteuerschaltungen enthält einen Widerstand R _B bzw. R _A , die zwischen einem Treiberausgang und dem entsprechenden Ausgangstransistor angeschlossen sind, sowie einen Transistor Q _B bzw. Q _A , dessen Basis mit dem entsprechenden Treiberausgang verbunden und dessen Emitter und Kollektor zwischen den Ausgang D der Verstärkerstufe und den Eingang A, d. h. den Verbindungspunkt zwischen den Stromquellen I₁ und I₂, geschaltet sind.

Weiterhin ist ein Kondensator C _C vorgesehen, dessen Einsatz bereits bekannt war, um die Stabilität des Systems mit geschlossener Schleife zu stabilisieren. Im vorliegenden Fall soll der Kondensator darüber hinaus den Betrieb der Sättigungssteuerschaltung stabilisieren.

Nachfolgend soll die Betriebsweise der Verstärkerstufe gemäß der Erfindung beschrieben werden. Zum besseren Verständnis sind nachfolgend einige Größen definiert und einige beispielsweise Hypothesen aufgestellt worden, die um so genauer sind, je geringer der Sättigungspegel der Endtransistoren ist. Nachfolgend wird folgendes definiert:

R _BEQX ist der linearisierte, inkrementale Widerstand des Basis-Emitter-Überganges eines allgemeinen Transistors Q _X in einem bestimmten Bereich des Kollektorstromes zwischen den Strömen I _CMIN und I _CMAX . In diesem Bereich ergibt sich folgendes:

Hieraus ergibt sich:

V _BEQX (I _C ) ist die Basis-Emitter-Spannung eines allgemeinen Transistors Q _X bei einem Kollektorstrom I _C ;
V _BEQX (0) ist der Schnittpunkt einer geraden Linie in Verlängerung mit einer Kurve R _BEQX mit der Abszisse, wobei die Kurve durch den Schnittpunkt von V _BEQX (I _CMAX ) und I _CMAX verläuft (siehe Fig. 3);
R _QX ,sat ist der Sättigungswiderstand des allgemeinen Transistors Q _X , so daß sich folgendes ergibt:

V _BEQX ist die Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q _B im eingeschalteten Zustand;
V _CBQA ist die Kollektor-Basis-Spannung des Transistors Q _A , wenn dieser in Sperrichtung vorgespannt ist.

Weiterhin wird angenommen, daß diese letzten beiden Größen konstant sind, d. h.

V _BEQB = V _{BEQ 5} (0) (II)
V _BEQA = V _{BEQ 6} (0)

Darüber hinaus wird angenommen, daß der durch die Stromquelle I₁ gelieferte Strom kleiner ist als der Strom der Stromquelle I₂, d. h.

I₁ < I₂

Bei Berücksichtigung dieser Bedingungen sind die Transistoren Q₁, Q₂, Q₃, Q₆ gesperrt, während die Transistoren Q₄, Q₅ eingeschaltet sind. Dementsprechend stellt sich die Spannung V _D des Ausgangs D auf einen Wert in der Nähe der positiven Betriebsspannung V _CC ein.

Sobald die Spannung am Punkt D ansteigt, erhöht sich die Spannung zwischen Basis und Emitter des Transistors Q _B . Sobald die Spannung V _D -V _B den Wert von etwa 0,6 V annimmt, wird der Basis-Emitter-Übergang des Transistors Q _B in Vorwärtsrichtung vorgespannt, so daß ein Strom zwischen Emitter und Kollektor zu fließen beginnt. Der Kollektorstrom des Transistors Q _B wird dann dem Punkt A zugeführt, speist die Basis des Transistors Q₁ und verhindert ein vollständiges Abschalten. In der Praxid erniedrigt der durch den Transistor Q _B gelieferte Strom die Unsymmetrie zwischen den von den beiden Stromquellen gelieferten Strömen und verhindert ein vollständiges Abschalten der Transistoren Q₁ und Q₂.

Da entsprechend der Gleichung (I) die Beziehung besteht

V _{BEQ 5} = V _{BEQ 5} (0) + R _{BEQ 5} · I _{CQ 5}

ergibt sich unter Anwendung der Hypothese (II) die folgende Gleichung:

V _{BEQ 5} = V _BEQB + R _{BEQ 5} · I _{CQ 5} (III)

Symmetrie in der Schaltung liegt vor, wenn

R _{Q 5,sat} · I _{CQ 5} = V _{BEQ 5} + R _B · I _{bQ 5} - V _BEQB = R _{BEQ 5} I _{CQ 5} + R _B · I _{bQ 5}

Hieraus ergibt sich

R _{Q 5,sat} · β _{Q 5} = R _{BEQ 5} b _{Q 5} + R _B

und

Dies bedeutet, daß bei gesättigtem Endtransistor Q₅ eine Stromverstärkung entsprechend der Gleichung (IV) auftritt, die eine Funktion des Widerstandswertes der Komponente R _B ist, so daß durch entsprechende Auswahl dieses Widerstandes es möglich ist, von vornherein den Sättigungspegel des Endtransistors festzulegen, so daß dieser keinen hohen Sättigungspegel erreicht. Dies hätte sonst eine niedrigere Verstärkung zur Folge als bei dem festgestellten Wert.

Ist jedoch der Strom der Stromquelle I₁ größer als der Strom der Stromquelle I₂, d. h. I₁<I₂, so neigt der überschüssige Strom der Stromquelle I₁ dazu, den Transistor Q₂ und den Transistor Q₆ zu sättigen, wodurch die Spannung am Ausgang D einen Wert in Richtung der negativen Betriebsspannung annimmt.

Erreicht die Spannungsdifferenz V _C -V _D etwa 0,6 V, so wird der Basis-Kollektor-Übergang des Transistors Q _A in Vorwärtsrichtung vorgespannt, so daß dieser in Sperrichtung vorgespannt wird und ein Strom vom Emitter zum Kollektor fließt. Der durch Q _A fließende Strom wird praktisch von dem überschüssigen Strom der Stromquelle I₁, in Richtung der Basis von Q₁, subtrahiert, so daß der Transistor Q₂ keinen hohen Sättigungszustand erreicht.

Eine Symmetrie der Schaltung ergibt sich bei Erfüllung der folgenden Gleichung

R _{Q 6,sat} · I _{CQ 6} = V _{BEQ 6} + R _A · I _{bQ 6} - V _BCQA

Hieraus ergibt sich, wie bereits vorher, die Beziehung

Auch in diesem Fall hängt die Stromverstärkung des Endtransistors Q₆ von dem Wert des an der Basis angeschlossenen Widerstandes ab, so daß es möglich ist, die Schaltung durch Einstellung der Stromverstärkung so auszulegen, daß der Sättigungspegel des Transistors Q₆ entsprechend eingestellt wird.

Dies wird noch dadurch deutlicher, daß durch geeignete Auswahl des durch den Transistor Q₇ gelieferten Kollektorstromes es möglich ist, eine Sättigung der Transistoren Q₂ und Q₇ während des normalen Betriebes der Verstärkerstufe durch Sättigungssteuerschaltungen zu verhindern.

Fig. 4 zeigt eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verstärkerstufe. Sie ist ähnlich wie die Schaltung nach Fig. 2 aufgebaut, enthält jedoch darüber hinaus Bauelemente für einige Anwendungszwecke, bei denen das Potential am Punkt C größer als am Punkt A werden kann, wodurch der Basis-Emitter-Übergang des Transistors Q _A in Vorwärtsrichtung vorgespannt wird, was zur Folge hat, daß dieser die Basis des Transistors Q₁ in unerwünschter Weise ansteuert. Um zu verhindern, daß der Transistor Q _A im Vorwärtsbetrieb einschaltet, ist bei der Schaltung nach Fig. 4 eine Diode Q _C vorgesehen, die zwischen den Emitter des Transistors Q _A und Punkt A geschaltet ist und dazu dient, zu verhindern, daß der Transistor Q _A einen Strom vom Kollektor zum Emitter in Richtung auf den Punkt A liefert. Die Schaltung nach Fig. 4 enthält darüber hinaus eine zweite Diode Q _E , deren Anode am Punkt A und deren Kathode an der Basis des Transistors Q₁ angeschlossen ist. Diese Diode erhöht das Potential am Punkt A durch ihren Basis-Emitter-Spannungsabfall und verhindert einen Sättigungszustand in Q _A .

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 4 erhöht darüber hinaus Widerstände R _C und R _D , die mit einem Ende an den Emitter des Transistors Q _B bzw. an den Kollektor des Transistors Q _A sowie mit dem anderen Ende an den Ausgang der Verstärkerstufe angeschlossen sind. Solche Widerstände sind möglicherweise erforderlich, um die Spannungs-Strom-Verstärkung

der entsprechend angeschlossenen Transistoren zu erniedrigen und hierbei die Stabilität der Sättigungsverstärkungs-Steuerschleifen der Ausgangstransistoren zu verbessern.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, löst die Erfindung die gestellte Aufgabe. Durch die Sättigungs-Steuerschaltung ist es möglich, einerseits Unsymmetrien zwischen den Eingangsströmen (wie anfangs erläutert) zu erniedrigen, die zu einer Unsymmetrie der gesamten Verstärkerstufe führen würden und andererseits den Wert der Sättigungsverstärkung in symmetrischen Fällen voreinzustellen, um die Endtransistoren mit der eingestellten Verstärkung zu betreiben und zu verhindern, daß diese weiter gesättigt werden. Der Sättigungspegel kann entsprechend den Erfordernissen durch die Widerstände R _A und R _B eingestellt werden.

Die Integration der Sättigungssteuerschaltung führt zu keinen Problemen bei der Integration, und die benötigte Fläche ist nur gering.

Die Schaltung arbeitet zuverlässig und besitzt eine hohe Stabilität.

Beim Erfindungsgegenstand sind verschiedene Modifikationen und Variationen innerhalb des Schutzumfanges möglich. Insbesondere wird darauf hingewiesen, daß die Transistoren Q _A und Q _B auch in inverser Schaltung betrieben werden können, d. h., daß Emitter und Kollektor vertauscht werden. Hierzu wird noch bemerkt, daß bei dem beschriebenen Beispiel bezüglich des Transistors Q _A der Kollektor mit dem Ausgang und der Emitter mit dem Eingang der Stufe verbunden ist, was den Vorteil hat, daß der Transistor unabhängig von der Betriebsspannung im richtigen Bereich arbeitet. Für den Fall, daß der Emitter des Transistors Q _A mit dem Ausgang verbunden wird, kann aufgrund der niedrigen inversen Durchbruchsspannung des Basis-Emitter-Überganges von integrierten NPN-Transistoren (die etwa 7 Volt beträgt) eine Fehlfunktion auftreten, wenn die Spannung V _D -V _F diese Durchbruchsspannung überschreitet.

Im Gegensatz dazu wird die inverse Durchbruchsspannung des Basis-Kollektor-Überganges immer so ausgelegt, daß sie höher als die Betriebsspannung liegt, wodurch solche Probleme vermieden werden.

Die niedrige Stromverstärkung des Transistors Q _A in der gezeigten Schaltungsweise bedeutet kein Problem. Tatsächlich arbeitet er in Verbindung mit Schaltungen mit niedrigen Strömen (Eingangsschaltungen) derart, daß er die Informationen aus der Treiberschaltung und der Endstufe verwertet, die mit wesentlich höheren Strompegeln arbeiten.

Ist jedoch die Betriebsspannung niedriger als die inverse Basis-Emitter-Durchbruchsspannung des Transistors Q _A , so kann, falls gewünscht, dieser Transistor in entgegengesetzter Richtung angeschlossen werden, d. h., der Emitter wird mit dem Ausgang und der Kollektor mit dem Eingang der Verstärkerstufe verbunden. In einem solchen Fall kann es zweckmäßig sein, Widerstände zur Reduzierung der Verstärkung (siehe Fig. 4) vorzusehen.

Das gleiche gilt auch für den Transistor Q _B , dessen Emitter mit dem Eingang und dessen Kollektor mit dem Ausgang verbunden werden kann. In einem solchen Fall arbeitet die Schaltung ebenfalls im inversen Betrieb mit niedriger Verstärkung, was - wie oben erläutert - zu keinen Problemen führt. Die Integration der Widerstände R _A und R _B in die Basen der Transistoren Q₆ und Q₅ liegt ebenfalls im Schutzumfang der Erfindung.

Claims (8)

1. Verstärkerstufe, die einen Kollektorausgang aufweist;
mit einem Paar von Eingangsstromquellen (I₁, I₂), die in Serie zwischen einem Paar von Betriebsspannungsleitungen (V _CC , -V _CC ) geschaltet sind und entsprechende Eingangsströme liefern;
mit einem Paar von Ausgangstransistoren (Q₅, Q₆), die in Serie zwischen die beiden Betriebsspannungsleitungen geschaltet sind und einen dazwischenliegenden Ausgang (D) der Verstärkerstufe aufweisen;
mit einer Treiberschaltung (Q₁-Q₄, Q₇, R₁), die aktive Elemente aufweist und zwischen den Eingangsstromquellen und den Ausgangstransistoren angeordnet ist;
dadurch gekennzeichnet, daß ein Paar von Steuerschaltungen (Q _A -Q _C , Q _E , R _A -R _D ) vorgesehen ist, die jede die Sättigung eines zugeordneten Ausgangstransistors steuern;
daß jede der Steuerschaltungen eine Widerstandsanordnung (R _A , R _B ) aufweist, die zwischen der Treiberschaltung (Q₁-Q₄, Q₇, R₁) und dem entsprechenden Ausgangstransistor (Q₆, Q₅) angeordnet ist, um eine symmetrische Verstärkung des entsprechenden Ausgangstransistors im Sättigungsbereich einzustellen; und
daß eine Transistoranordnung (Q _A , Q _B ) vorgesehen ist, deren Basen mit der Treiberschaltung verbunden und deren Kollektoren und Emitter zwischen den entsprechenden Ausgangstransistor (Q₅, Q₆) und die Eingangsstromquellen (I₁, I₂) geschaltet sind und eine Gegenkopplung zur Reduzierung von Unsymmetrien in den durch die Eingangsstromquellen gelieferten Eingangsströmen bilden.

2. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsanordnung (R _A , R _B ) jeder der Sättigungssteuerschaltungen (Q _A -Q _C , Q _E , R _A -R _D ) einen Widerstand (R _A , R _B ) enthält, dessen erster Anschluß mit einem Ausgang (B, C) der Treiberschaltung (Q₁-Q₄, Q₇, R₁) und dessen zweiter Anschluß mit der Basis des zugeordneten Ausgangstransistors (Q₆, Q₅) verbunden ist.

3. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis mindestens eines Transistors (Q _B ) der Transistoranordnung (Q _A , Q _B ) mit einem Ausgang (B) der Treiberschaltung (Q₁-Q₄, Q₇, R₁) verbunden ist, während der Emitter mit dem Ausgang (D) der Verstärkerstufe und der Kollektor mit einem Verbindungspunkt zwischen den beiden Eingangsstromquellen (I₁, I₂) verbunden ist.

4. Verstärkerstufe nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis mindestens eines Transistors (Q _A ) der Transistoranordnung (Q _A , Q _B ) mit einem Ausgang (C) der Treiberschaltung (Q₁-Q₄, Q₇, R₁) verbunden ist, während der Kollektor mit dem Ausgang (D) der Verstärkerstufe und der Emitter mit dem Verbindungspunkt (A) zwischen den beiden Eingangsstromquellen (I₁, I₂) geschaltet ist.

5. Verstärkerstufe nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche,
bei der das Paar von Eingangsstromquellen eine erste und eine zweite Stromquelle (I₁, I₂) enthält, die in Serie zwischen der höheren und der niedrigeren Betriebsspannungsleitung (V _CC , -V _CC ) geschaltet sind und einen dazwischenliegenden Verbindungspunkt (A) aufweisen;
bei der die Treiberschaltung (Q₁-Q₄, Q₇, R₁) einen Eingang, der an den Verbindungspunkt angeschlossen ist, sowie einen ersten und einen zweiten Treiberausgang (B, C) aufweist;
bei der das Paar von Ausgangstransistoren einen ersten Ausgangstransistor (Q₅) aufweist, dessen Basis mit dem ersten Treiberausgang (B), dessen Emitter mit der höheren Betriebsspannungsleitung (V _CC ) und dessen Kollektor mit dem Ausgang (D) der Verstärkerstufe verbunden ist, sowie einen zweiten Ausgangstransistor (Q₆) aufweist, dessen Basis mit dem zweiten Treiberausgang (C), dessen Kollektor mit dem Ausgang (D) der Verstärkerstufe und dessen Emitter mit der niedrigeren Betriebsspannungsleitung (-V _CC ) verbunden ist;
dadurch gekennzeichnet, daß das Paar von Steuerschaltungen erste und zweite Sättigungssteuerschaltungen (Q _B , R _B , Q _A , R _A ) enthält;
daß die Transistoranordnung (Q _B ) der ersten Sättigungssteuerschaltung (Q _B , R _B ) einen ersten Steuertransistor (Q _B ) aufweist, dessen Basis an den ersten Treiberausgang (B), dessen Emitter an den Ausgang (D) der Verstärkerstufe und dessen Kollektor an den Verbindungspunkt (A) angeschlossen ist;
und daß die Transistoranordnung (Q _A ) der zweiten Sättigungssteuerschaltung (Q _A , R _A ) einen zweiten Steuertransistor (Q _A ) aufweist, dessen Basis an den zweiten Treiberausgang (C), dessen Kollektor an den Ausgang (D) der Verstärkerstufe und dessen Emitter an den Verbindungspunkt (A) angeschlossen ist.

6. Verstärkerstufe nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Diode (Q _C ), deren Anode mit dem Verbindungspunkt (A) und deren Kathode mit dem Emitter des zweiten Steuertransistors (Q _A ) verbunden ist.

7. Verstärkerstufe nach den Ansprüchen 5 und 6, gekennzeichnet durch eine Diode, deren Anode mit dem Verbindungspunkt und deren Kathode mit dem Eingang der Treiberschaltung verbunden ist.

8. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Paar von Widerständen (R _C , R _D ), von denen jeder zwischen einer entsprechenden der Transistoranordnungen (Q _B , Q _A ) und dem Ausgang (D) der Verstärkerstufe geschaltet ist.