DE3807606A1 - Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelement - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelementInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen
eines doppelbrechenden Streifenwellenleiters in einem
integriert-optischen Bauelement, bei dem ein Glassub
strat mit einer einen Schlitz aufweisenden Maske ver
sehen wird und das strukturiert maskierte Glassubstrat
mit einer einwertige Kationen enthaltenden Salzschmelze
in Kontakt gebracht wird, um einen Ionenaustausch mit
Ionen des Glassubstrates vorzunehmen, sowie ein inte
griert-optisches Bauelement mit einem einen doppel
brechenden Wellenleiter aufweisenden Glassubstrat.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art sowie ein
integriert-optisches Bauelement mit einem doppelbre
chenden Wellenleiter sind aus "Stress in Ion-Exchanged
Glass Waveguides", Journal of Lightwave Technology,
Vol. LT-4, No. 10 October 1986, Seiten 1580 bis 1593
bekannt. Aus der konventionellen Freistrahl-Optik sind
doppelbrechende Elemente wie λ/2- und λ/4-Platten be
kannt, die als optische Isolatoren verwendet werden,
wenn beispielsweise das Licht eines Lasers über einen
Polarisator in einen optischen Aufbau eingestrahlt wird
und vermieden werden soll, daß unerwünschte Reflexionen
in den Laser zurückgelangen und dort zu Instabilitäten
führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein inte
griert-optisches Bauelement zu schaffen, das den Aufbau
eines integriert-optischen Isolators, insbesondere zur
Speisung eines faseroptischen Fabry-Perot-Inteferome
ters gestattet.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs
genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß nach
einem ersten Ionenaustauschprozeß eine zweite, einen
mit dem Schlitz der ersten Maske fluchtenden Schlitz
aufweisende Maske auf das Substrat aufgebracht und ein
zweiter Ionenaustauschprozeß mit einer anderen einwer
tige Kationen enthaltenden Salzschmelze durchgeführt
wird.
Das Verfahren kann so ausgestaltet sein, daß die erste
Maske einen durchgehenden langen Schlitz und die zweite
Maske einen kurzen den ersten Schlitz über einen Ab
schnitt in Längsrichtung überdeckenden gleichbreiten
Schlitz aufweist. Es ist auch möglich, die erste Maske
mit einem durchgehenden langen Schlitz zu versehen,
wobei die zweite Maske zwei miteinander fluchtende
durch einen Steg voneinander getrennte Schlitze auf
weist, die den Schlitz der ersten Maske überdecken.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist vorgesehen, daß die erste Maske einen kurzen
Schlitz und die zweite Maske einen den ersten Schlitz
überdeckenden längeren Schlitz aufweist. Gemäß einer
Abwandlung der Erfindung ist vorgesehen, daß die erste
Maske einen durch einen Steg unterbrochenen langen
Schlitz und die zweite Maske einen im Bereich des Stegs
der ersten Maske liegenden kurzen Schlitz aufweist.
Schließlich ist es auch möglich, das Verfahren so
auszugestalten, daß die erste Maske einen kurzen
Schlitz und die zweite Maske einen durch einen Steg im
Bereich des Schlitzes der ersten Maske unterbrochenen
langen Schlitz aufweist.
Bei dem Verfahren werden die Konzentrationen und Zu
sammensetzungen der beiden Salzschmelzen so aufeinander
abgestimmt, daß im Wellenleiter zwischen zwei nicht
doppelbrechenden Wellenleiterelementen ein doppelbre
chendes Wellenleiterelement entsteht, das aufgrund
seiner Länge als λ/4- oder λ/2-Element eines optischen
Aufbaus wirksam ist.
Die verwendeten Salzschmelzen enthalten einzeln oder in
Mischung beispielsweise Silbernitrat, Natriumnitrat und
Kaliumnitrat.
Bei einem besonders zweckmäßigen Ausführungsbeispiel
der Erfindung wird neben dem doppelbrechenden Wellen
leiterabschnitt auf einer Seite eine Grube geätzt. Dies
kann beispielsweise so geschehen, daß die Grube durch
eine einen kurzen Schlitz aufweisende Maske hindurch
geätzt wird. Die Tiefe und/oder der seitliche Abstand
der Grube können zur Einstellung der Richtung der
Hauptachsen der Doppelbrechung gewählt werden.
Das gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte
integriert-optische Bauelement mit einem einen doppel
brechenden Wellenleiter aufweisenden Glassubstrat ist
dadurch gekennzeichnet, daß der Wellenleiter zwischen
zwei nicht doppelbrechenden Abschnitten einen doppel
brechenden Abschnitt aufweist.
Wenn der doppelbrechende Abschnitt sich parallel ent
lang einer Grube in der Glassubstratoberfläche er
streckt, kann durch die Gestalt und Anordnung der Grube
die Lage der Hauptachsen der Doppelbrechung beeinflußt
werden. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
begrenzt die Grube seitlich den doppelbrechenden Ab
schnitt.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung
anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Glassubstrat mit einer aufgebrachten
Schlitzmaske,
Fig. 2 das Glassubstrat mit einem Streifenwellen
leiter und einer zweiten Maske,
Fig. 3 ein integriert-optisches Bauelement gemäß der
Erfindung,
Fig. 4 eine der Fig. 1 entsprechende Darstellung
eines Glassubstrates mit einer Maske nach dem
Herstellen eines eine durchgehend gleiche
Doppelbrechung aufweisenden Wellenleiters,
Fig. 5 das mit dem doppelbrechenden Wellenleiter
versehene Glassubstrat nach dem Entfernen der
ersten Maske,
Fig. 6 das Substrat nach dem Aufbringen der zweiten
Maske,
Fig. 7 einen Querschnitt durch das Substrat im
Bereich des doppelbrechenden Wellenleiterab
schnitts,
Fig. 8 einen Schnitt durch das erfindungsgemäße
integriert-optische Bauelement im Bereich
einer die Hauptachsenlage des doppelbrechen
den Wellenleiterabschnitts bestimmenden
Grube,
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht des in Fig. 8 im
Schnitt dargestellen integriert-optischen
Bauelementes und
Fig. 10 eine vergrößerte Darstellung der Grube und
des doppelbrechenden Wellenleiterabschnitts
in perspektivischer Ansicht im Ausschnitt.
In Fig. 1 erkennt man in perspektivischer Ansicht ein
Glassubstrat 1 bzw. einen rechteckigen Ausschnitt aus
einem größeren Glassubstrat. Das Glassubstrat 1 hat
beispielsweise eine Dicke von 2 mm. Auf dem Glassubs
trat 1 befindet sich eine Diffusionsmaske 2 mit einem
Schlitz 3, der beispielsweise 3 µm breit ist. Bei der
Diffusionsmaske 2 handelt es sich um eine dielektrische
oder metallische Diffusionsmaske, die z.B. mit Hilfe
photolithographischer Techniken hergestellt ist und aus
Aluminium oder Titan besteht. Bei dem Glassubstrat 1
handelt es sich um ein Natriumionen und Kaliumionen
enthaltendes Glas, das z.B. von der Firma Schott unter
der Typenbezeichnung BK 7 vertrieben wird.
Das in Fig. 1 dargestellte und mit einer Diffusions
maske 2 versehene Glassubstrat 1 wird zum Herstellen
eines Wellenleiters entlang dem Schlitz 3 innerhalb des
Glassubstrates 1 zunächst einem ersten Ionenaustausch
prozess unterworfen. Dies geschieht durch Eintauchen
des mit der Diffusionsmaske 2 versehenen Glassubstrates
1 in eine Salzschmelze, die beispielsweise eine Tempe
ratur von 330°C hat. Die Salzschmelze besteht aus
Salzen mit Silberionen, Natriumionen und Kaliumionen.
Insbesondere besteht sie aus einer Mischung von AgNO3,
NaNO3 und KNO3. Der Anteil des Silbernitrats in der
Salzschmelze beträgt weniger als 1 mol-%.
Der Ionenaustauschprozeß, der nach dem Eintauchen des
Glassubstrates 1 in die Salzschmelze stattfindet, kann
entweder als thermischer oder auch als feldunterstütz
ter Ionenaustauschprozeß durchgeführt werden. Während
des Ionenaustauschprozesses dringen Silberionen und
Natriumionen durch den Schlitz 3 in das Glassubstrat 1
ein, während Kaliumionen aus dem Glassubstrat 1 durch
den Schlitz 3 austreten und in die Salzschmelze gelan
gen.
Aufgrund des Ionenaustauschs im Glassubstrat 1 entlang
dem Schlitz 3 wird im Glassubstrat 1 entlang dem
Schlitz ein Wellenleiter 4 gebildet, dessen optische
Eigenschaften davon abhängen, welche Ionen in das Glas
substrat 1 eindringen und welche Ionen aus dem Glas
substrat 1 austreten. Dies wiederum hängt von den in
der Salzschmelze vorhandenen Konzentrationen der Sil
berionen, Natriumionen und Kaliumionen ab.
Das Verhältnis der Kalium- und Natriumionen in der
Salzschmelze, bezogen auf die Silberionenkonzentration,
ist so gewählt, daß sich im Wellenleiter 4 ein höherer
Brechungsindex als im übrigen Glassubstrat 1 ergibt,
ohne daß jedoch im Wellenleiter 4 eine Doppelbrechung
auftritt.
Der Einfluß verschiedener für die Ionenaustauschpro
zesse verwendbarer Ionen auf die Eigenschaften von
Glaswellenleitern nach deren Eindringen im Austausch
gegen Natriumionen und Kaliumionen ist in der nach
folgenden Tabelle dargestellt:
Aus der obigen Tabelle erkennt man, daß sich ein Wel
lenleiter 4 ohne Doppelbrechung einstellt, wenn Silber
ionen in das Glassubstrat eindringen, was zu einer
Erhöhung des Brechungsindexes und zu einer Doppelbre
chung führt, die jedoch vermieden wird, wenn aus der
Salzschmelze Natriumionen gegen Kaliumionen im Glas
substrat ausgetauscht werden. Bezüglich der Doppel
brechung ergibt sich aus der obigen Tabelle, daß das
Eindringen von Silberionen eine positive Doppelbrechung
und das Einbringen von Natriumionen eine negative
Doppelbrechung bewirkt, die sich bei gleicher Größe
gegenseitig aufheben.
Wenn in der im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebenen
Weise im Glassubstrat 1 der Wellenleiter 4 hergestellt
worden ist, wird die erste Diffusionsmaske 2 durch eine
zweite Diffusionsmaske 5 ersetzt, die über ein Schlitz
fenster 6 verfügt, das genau über dem nichtdoppelbre
chenden Wellenleiter 4 ausgebildet ist. Die Länge des
Schlitzfensters 6 liegt zwischen 0,2 und 2 mm und
beträgt insbesondere etwa 1 mm.
Das Schlitzfenster 6 dient dazu, im nichtdoppelbrechen
den Wellenleiter 4 einen doppelbrechenden Wellenleiter
abschnitt 7 zu erzeugen, der in Fig. 3 dargestellt ist.
Nach dem Aufbringen der zweiten Diffusionsmaske 5 mit
dem Schlitzfenster 6 wird das in Fig. 2 dargestellte
Glassubstrat 1 einem zweiten Ionenaustauschprozeß
unterworfen, bei dem wiederum ein thermischer oder
feldunterstützter Ionenaustausch stattfindet. Vorzugs
weise wird für den zweiten Ionenaustauschprozeß ein
feldunterstützter Austausch mit den Ionen einer zweiten
Salzschmelze mit von den Salzen der ersten Salzschmelze
verschiedenen Salzen durchgeführt, um die weitere
Diffusion des bereits erzeugten Wellenleiters 4 mög
lichst gering zu halten.
Wenn das in Fig. 2 dargestellte Glassubstrat 1 mit der
zweiten Diffusionsmaske 5 in eine Salzschmelze aus
Kaliumnitrat eingetaucht wird, dringen Kaliumionen
durch das Schlitzfenster 6 in den Wellenleiter 4 ein,
wobei Natriumionen und Silberionen gegen die Kalium
ionen ausgetauscht werden. Aus der obigen Tabelle
ergibt sich, daß sich durch Austausch von Natriumionen
im Wellenleiter 4 gegen Kaliumionen aus der Salzschmel
ze eine große positive Doppelbrechung ergibt. Der
Verlust von Silberionen im Austausch gegen Kaliumionen
ergibt ebenfalls einen kleinen positiven Beitrag zur
Doppelbrechung unter dem Schlitzfenster 6, wie sich
indirekt aus der obigen Tabelle ergibt.
Nach dem zweiten Ionenaustauschprozeß enthält der
Wellenleiter 4 einen doppelbrechenden Wellenleiterab
schnitt 7, dessen Doppelbrechung durch die Erzeugung
mechanischer Spannungen infolge des Ionenaustauschs
entstanden ist. Die Spannungsdoppelbrechung hängt im
wesentlichen von den Größen der Ionenradien ab, die bei
der Wellenleiterherstellung gegeneinander ausgetauscht
werden. Aus der obigen Tabelle erkennt man, daß sowohl
negative als auch positive Werte für die Doppelbrechung
(n TM-nTE) entstehen, und zwar je nachdem ob Druck- oder
Zugspannungen durch den Ionenaustausch bewirkt werden.
Die obige Tabelle gibt die Größenordnung des Anteils
der Doppelbrechung für verschiedene Kombinationen von
Austauschionen an.
Je nach den verwendeten Mischungen mehrerer verschie
dener Ionen in den Salzschmelzen ergeben sich unter
schiedliche Einwirkungen auf den Brechungsindex und die
Doppelbrechung. Im Glassubstrat 1 können verschiedene
Austauschionen enthalten sein, wobei es sich normaler
weise um Kaliumionen und Natriumionen handelt. Aus
diesem Grunde ist es möglich, bei annähernd gleichen
Brechungsindex-Profilen sehr verschiedene Doppelbre
chungen zu erzeugen. Es können sowohl positive als auch
negative Werte für die Doppelbrechung und insbesondere
auch der Fall verschwindender Doppelbrechung einge
stellt werden. Eine formbedingte Doppelbrechung auf
grund polarisationsabhängiger Totalreflexion im Wellen
leiter wird dabei in einigen Fällen kompensiert. Die
formbedingte Doppelbrechung läßt sich durch den Bre
chungsindex dünner Beschichtungen aus dielektrischem
Material beeinflussen, die nach dem Entfernen der
zweiten Diffusionsmaske auf das in Fig. 3 dargestellte
Chip 8 aufgebracht werden können.
Aus der obigen Tabelle ergibt sich, daß der Silber
ionenanteil in der Salzschmelze vorwiegend das Bre
chungsindexprofil des Wellenleiters 4 bestimmt, während
das Verhältnis des Natriumionenanteils zum Kaliumionen
anteil in der Salzschmelze vorwiegend das Spannungspro
fil bestimmt. Dies ergibt sich aus den hohen Spannun
gen, die ein Austausch von Kaliumionen gegen Natrium
ionen erzeugt.
Der Fachmann erkennt ohne weiteres, daß statt der oben
erörterten Ionenkombinationen andere Möglichkeiten
gegeben sind, die sich ebenfalls der Tabelle entnehmen
lassen. Das in Fig. 3 perspektivisch dargestellte Chip
8 enthält auf dem Glassubstrat 1 mit einer Stärke von
etwa 2 mm den Wellenleiter 4, der sich rinnenförmig mit
einer Tiefe von etwa 5 bis 10 µm entlang der Oberfläche
9 des Glassubstrates 1 erstreckt und einen doppelbre
chenden Wellenleiterabschnitt 7 aufweist. Die Länge des
doppelbrechenden Wellenleiterabschnittes 7 ist gerade
so gewählt, daß der doppelbrechende Wellenleiterab
schnitt 7 ein λ/4- oder ein λ/2-Element entsprechend
einer λ/4- oder λ/2-Platte in der Freistrahloptik
darstellt.
Selbstverständlich läßt sich auf die oben beschriebene
Weise ein doppelbrechender Wellenleiterabschnitt 7
nicht nur in einem geradlinig verlaufenden Wellenleiter
4 ausbilden, sondern auch in einer komplizierteren
Wellenleiterstruktur.
Fig. 7 zeigt einen Querschnitt durch das Glassubstrat
im Bereich des doppelbrechenden Wellenleiterabschnitts
7 zur Veranschaulichung der Orientierung der Haupt
achsen 10, 11 der Doppelbrechung, die sich rechtwink
lig bzw. parallel zur Oberfläche 9 des Glassubstrates
1 erstrecken.
Nachfolgend wird ein weiteres Ausführungsbeispiel für
die Herstellung eines doppelbrechenden Wellenleiter
abschnitts 7 durch einen doppelten Ionenaustauschprozeß
unter der Verwendung zweier verschiedener Salzschmel
zenzusammensetzungen beschrieben.
Fig. 4 zeigt das Glassubstrat 1 mit der ersten Diffu
sionsmaske 2, die entsprechend der im Zusammenhang mit
Fig. 1 beschriebenen Diffusionsmaske 2 mit einem
Schlitz 3 ausgebildet und hergestellt ist. In Abwei
chung von dem zusammen mit Fig. 1 beschriebenen Ver
fahren wird jedoch beim ersten Ionenaustauschprozeß
eine Kaliumnitratschmelze verwendet. Nach dem Ein
tauchen des Glassubstrates 1 erfolgt daher ein Aus
tausch der im Glassubstrat 1 vorhandenen Natriumionen
gegen Kaliumionen im Glassubstrat 1 entlang dem Schlitz
3. Aus der obigen Tabelle ergibt sich, daß beim Aus
tausch von Natriumionen gegen Kaliumionen in der Salz
schmelze eine große positive Doppelbrechung infolge der
Erzeugung mechanischer Spannungen aufgrund der unter
schiedlichen Ionengrößen auftritt. Der so erzeugte und
in Fig. 4 dargestellte Wellenleiter 12 weist somit
entlang seiner gesamten Länge eine hohe positive Dop
pelbrechung auf.
Nach dem Ersetzen der ersten Diffusionsmaske 2 durch
eine in Fig. 6 gezeigte zweite Diffusionsmaske 13 mit
einem Steg 14 bzw. nach einem Ergänzen der ersten
Diffusionsmaske 2 durch einen Steg 14, erfolgt ein
zweiter Ionenaustauschprozeß in einer Salzschmelze, die
aus einem Gemisch von Silbernitrat, Kaliumnitrat und
Natriumnitrat hergestellt ist. Der Kaliumnitratanteil
der Salzschmelze dient dazu, den Verlust an Kaliumionen
aus dem doppelbrechenden Wellenleiter 12 zu puffern.
Aus dem Natriumnitratanteil treten Natriumionen in den
doppelbrechenden Wellenleiter 12 ein, was gemäß der
obigen Tabelle einen großen negativen Einfluß auf die
Doppelbrechung hat. Der Verlust von Kaliumionen führt
zu einer Brechungsindexerniedrigung, die jedoch durch
das Eindringen von Silberionen kompensiert wird. Insge
samt ergibt sich durch den zweiten Ionenaustauschpro
zeß, daß im Bereich der Schlitze 15 und 16 neben dem
Steg 14 der ursprünglich doppelbrechende Wellenleiter
12 so verändert wird, daß im Bereich der Schlitze 15,
16 Wellenleiterabschnitte ohne Doppelbrechung erzeugt
werden, die in Fig. 3 mit den Bezugszeichen 17 und 18
bezeichnet sind.
Durch den anhand der Fig. 4 beschriebenen ersten Ionen
austauschprozeß wird somit der in Fig. 5 perspektivisch
dargestellte doppelbrechende Wellenleiter 12 mit Haupt
achsen 10 und 11 erzeugt, um im Anschluß mit Hilfe der
in Fig. 6 dargestellten Diffusionsmaske 13 und einem
zweiten Ionenaustauschprozeß zu einem Wellenleiter 4
entsprechend Fig. 3 zu gelangen, der über nichtdoppel
brechende Wellenleiterabschnitte 17 und 18 verfügt, die
beidseitig an einen doppelbrechenden Wellenleiterab
schnitt 7 angekoppelt sind. Der Doppelpfeil 19 in den
Fig. 2, 3, 6 und 9 veranschaulicht dabei jeweils die
Länge des herzustellenden bzw. hergestellten doppel
brechenden Wellenleiterabschnitts 7.
Wie der Fachmann aus den obigen Erörterungen erkennt,
ist es auch möglich, gemäß einer weiteren Abwandlung
der Erfindung, den ersten Ionenaustauschprozeß mit
einer Diffusionsmaske 5 entsprechend Fig. 2 durchzu
führen, wobei eine nur Kaliumionen oder Kaliumionen und
Natriumionen enthaltende Salzmischung für die Salz
schmelze verwendet wird. Dieser Prozeß erzeugt eine
Verspannung des Wellenleiterabschnitts bei geringer
Indexerhöhung. Vor dem zweiten Austausch wird gemäß
dieser Abwandlung eine Diffusionsmaske 2 entsprechend
Fig. 1 auf das Substrat aufgebracht. Der Austausch
erfolgt dann in einer Schmelze mit Silberionen, Kalium
ionen und Natriumionen, wobei das Verhältnis der Ka
lium- und Natriumionen so ausgelegt ist, daß bei dem
Prozeß in dem verwendeten Glas keine Doppelbrechung
entsteht. Hier wird also durch leichte Verspannung des
Glases die formbedingte Doppelbrechung kompensiert.
Auch mit diesem in der Zeichnung nicht gesondert darge
stellten Verfahren kann eine integriert-optische Ver
sion eines optischen Isolators hergestellt werden, bei
dem Licht mit einer Polarisation in 45° zur Oberfläche
eingestrahlt wird. Der doppelbrechende Wellenleiterab
schnitt wird durch Einstellung der Doppelbrechung
(Kaliumionen/Natriumionenverhältnis beim ersten Prozeß)
und durch Vorgabe der Länge so ausgelegt, daß die TE-
und die TM-Wellen des Lichtstrahles nach Durchlaufen
des Wellenleiterabschnitts um eine halbe Wellenlänge
phasenverschoben sind.
Eine weitere Möglichkeit zur Durchführung des doppelten
Ionenaustauschprozesses besteht darin, als erste Maske
die in Fig. 6 dargestellte Diffusionsmaske und als
zweite Maske die in Fig. 2 dargestellte Diffusionsmaske
5 zu verwenden, um nach Durchführung der beiden Ionen
austauschprozesse zu der in Fig. 3 veranschaulichten
Struktur zu gelangen.
Der in Fig. 3 perspektivisch und in Fig. 7 im Schnitt
dargestellte Wellenleiterabschnitt 7 verfügt über
Hauptachsen 10, 11, die rechtwinklig bzw. parallel zur
Oberfläche 9 des Glassubstrates 1 verlaufen.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung können
die Hauptachsen 10, 11 auch mit anderen Orientierungen
hergestellt werden. Da die Orientierung der Hauptachsen
bei hoher Verspannung des Wellenleiterabschnitts 7
hauptsächlich durch die Orientierung der Hauptspan
nungen gegeben ist, erfolgt gemäß der Erfindung eine
mechanische Nachbehandlung, durch die die Richtungen
der Hauptspannungen verändert werden.
Dazu wird auf das in Fig. 3 bzw. 7 dargestellte Chip
erneut eine Maskierung aufgebracht, die jedoch diesmal
keinen mit dem Wellenleiter 4 fluchtenden Schlitz,
sondern einen neben dem Wellenleiterabschnitt 7 paral
lel zu diesem verlaufenden Schlitz aufweist. Diese in
der Zeichnung nicht dargestellte dritte Maskierung
deckt das Chip 8 somit bis auf einen kurzen Schlitzbe
reich neben dem doppelbrechenden Wellenleiterabschnitt
7 vollkommen ab.
Zur Veränderung der Orientierung der Hauptachsen 10, 11
wird durch den Schlitz der dritten Maskierung eine
Grube 20 entlang dem doppelbrechenden Wellenleiterab
schnitt 7 in das Glassubstrat 1 eingeätzt. Die Tiefe
der Grube 20 entspricht dabei in etwa der Ausdehnung
des Wellenleiterabschnitts 7 rechtwinklig zur Ober
fläche 9. Je nach der Tiefe der Grube 20 kann die
Orientierung der Hauptachsen 10, 11 verändert werden.
Das Ätzen der Grube 20 entlang dem Wellenleiterab
schnitt 7 erfolgt beispielsweise durch reaktives Ionen
ätzen, durch ein trockenes Ätzen mit Gasen oder ein
Ätzen mit Flüssigkeiten.
Fig. 9 zeigt in perspektivischer Ansicht die Lage der
Grube 20 auf der Oberfläche 9 eines fertigen Chips 8.
Die geätzte Grube 20 ist in Fig. 10 zusammen mit dem
doppelbrechenden Wellenleiterabschnitt 7 vergrößert und
gesondert dargestellt.
Bei dem in den Fig. 8, 9 und 10 dargestellten Ausfüh
rungsbeispiel befindet sich die Grube 20 unmittelbar
neben dem Wellenleiterabschnitt 7. Abwandlungen, bei
denen die Grube auf der anderen Seite oder auf beiden
Seiten des Wellenleiterabschnitts 7 vorgesehen ist,
sind möglich. Ebenso kann die Grube mit einem kleinen
Abstand zum Wellenleiterabschnitt 7 vorgesehen sein.
Claims (16)
1. Verfahren zum Herstellen eines doppelbrechenden
Streifenwellenleiters in einem integriert-opti
schen Bauelement, bei dem ein Glassubstrat mit
einer einen Schlitz aufweisenden Maske versehen
wird, und das strukturiert maskierte Glassubstrat
mit einer einwertige Kationen enthaltenden Salz
schmelze in Kontakt gebracht wird, um einen Ionen
austausch mit Ionen des Glassubstrates vorzuneh
men, dadurch gekennzeichnet, daß nach
einem ersten Ionenaustauschprozeß eine zweite,
einen mit dem Schlitz der ersten Maske fluchtenden
Schlitz aufweisende Maske auf das Substrat aufge
bracht und ein zweiter Ionenaustauschprozeß mit
einer anderen einwertige Kationen enthaltenden
Salzschmelze durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Maske einen durch
gehenden langen Schlitz und die zweite Maske einen
kurzen, den ersten Schlitz über einen Abschnitt in
Längsrichtung überdeckenden gleichbreiten Schlitz
aufweist (Fig. 2).
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Maske einen durch
gehenden langen Schlitz und die zweite zwei mit
einander fluchtende, durch einen Steg voneinander
getrennte Schlitze aufweist, die den Schlitz der
ersten Maske überdecken (Fig. 6).
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Maske einen kurzen
Schlitz und die zweite Maske einen den ersten
Schlitz überdeckenden längeren Schlitz aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Maske einen durch
einen Steg unterbrochenen langen Schlitz und die
zweite Maske einen im Bereich des Stegs der ersten
Maske liegenden kurzen Schlitz aufweist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Maske einen kurzen
Schlitz und die zweite Maske einen durch einen
Steg im Bereich des Schlitzes der ersten Maske
unterbrochenen langen Schlitz aufweist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da
durch gekennzeichnet, daß die Konzen
trationen und Zusammensetzungen der beiden Salz
schmelzen so aufeinander abgestimmt sind, daß im
Wellenleiter zwischen zwei nichtdoppelbrechenden
Wellenleiterelementen ein doppelbrechendes Wellen
leiterelement entsteht.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Salzschmelzen Silbernitrat
und/oder Natriumnitrat und/oder Kaliumnitrat
enthalten.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch
gekennzeichnet, daß neben dem doppelbre
chenden Wellenleiterabschnitt eine Grube geätzt
wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Grube durch eine einen
kurzen Schlitz aufweisende Maske hindurchgeätzt
wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Tiefe und/oder der
seitliche Abstand der Grube zur Einstellung der
Richtungen der Hauptachsen der Doppelbrechung
gewählt werden.
12. Integriert optisches Bauelement mit einem einen
doppelbrechenden Wellenleiter aufweisenden Glas
substrat, dadurch gekennzeichnet, daß
der Wellenleiter (4) zwischen zwei nichtdoppelbre
chenden Abschnitten (17, 18) einen doppelbrechen
den Abschnitt (7) aufweist.
13. Bauelement nach Anspruch 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß der doppelbrechende
Abschnitt (7) sich parallel entlang einer Grube
(20) in der Glassubstratoberfläche (9) erstreckt.
14. Bauelement nach Anspruch 13, dadurch ge
kennzeichnet, daß der doppelbrechende Ab
schnitt (7) die Grube (20) seitlich begrenzt.
15. Bauelement nach Anspruch 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß zur Beeinflussung der
formbedingten Doppelbrechung eine Beschichtung aus
einem dielektrischen Material auf die Oberfläche
(9) des den Wellenleiter (4) enthaltenen Glas
substrates (1) aufgebracht ist.
16. Integriert optisches Bauelement mit einem einen
doppelbrechenden Wellenleiter aufweisenden Glas
substrat, dadurch gekennzeichnet, daß
der Wellenleiter (4) mehrere Abschnitte (7, 17,
18) mit unterschiedlich ausgeprägter Doppelbre
chung aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883807606 DE3807606A1 (de) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883807606 DE3807606A1 (de) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3807606A1 true DE3807606A1 (de) | 1989-09-21 |
DE3807606C2 DE3807606C2 (de) | 1990-08-23 |
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ID=6349176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883807606 Granted DE3807606A1 (de) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | Verfahren zum herstellen eines doppelbrechenden streifenwellenleiters in einem integriert-optischen bauelement sowie ein nach dem verfahren hergestelltes integriert-optisches bauelement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3807606A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0454502A1 (de) * | 1990-04-27 | 1991-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optischer Schaltkreis für Oberflächenmontage, Substrat dafür und seine Herstellungsmethode |
EP0477415A1 (de) * | 1990-09-28 | 1992-04-01 | Asea Brown Boveri Ag | Optischer Stromwandler |
DE4203368A1 (de) * | 1992-02-06 | 1993-08-12 | Bodenseewerk Geraetetech | Integrierter optischer wellenleiter mit w-profil und verfahren zu seiner herstellung |
CN107688211A (zh) * | 2016-08-04 | 2018-02-13 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种光波导器件及其制作方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE2064204A1 (de) * | 1969-12-29 | 1971-07-15 | Nippon Selfoc Co Ltd | Transparenter dielektrischer Licht leitkorper und Verfahren zu seiner Her stellung |
DE2553685A1 (de) * | 1975-11-28 | 1977-10-20 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von optischen richtkopplern |
-
1988
- 1988-03-09 DE DE19883807606 patent/DE3807606A1/de active Granted
Patent Citations (2)
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CN107688211B (zh) * | 2016-08-04 | 2020-09-25 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种光波导器件及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3807606C2 (de) | 1990-08-23 |
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