DE3784818T2

DE3784818T2 - Lichtemissions-Vorrichtung mit Halbleitern.

Info

Publication number: DE3784818T2
Application number: DE87111675T
Authority: DE
Inventors: Misao Mitsubishi Denk Hironaka; Tetsuya Mitsubishi Denki Yagi
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1986-09-17
Filing date: 1987-08-12
Publication date: 1994-01-20
Anticipated expiration: 2007-08-13
Also published as: US5060236A; DE3784818D1; US5068870A; DE3789713T2; EP0466208A1; EP0260439B1; JPH0530316B2; EP0260439A2; EP0260439A3; EP0466208B1; DE3789713D1; CA1306534C; JPS6373688A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein lichtemittierendes Halbleitersystem und betriff t im einzelnen einen Halbleiter-Laser, der mit geringem Strom eine Strahlungsleistung steuern kann.
Fig. 7 zeigt eine Kennlinie, die ein Beispiel für die Charakteristik zwischen Strom und Strahlungsleistung entsprechend einem üblichen lichtemittierenden Halbleitersystems darstellt, und Fig. 8 zeigt in grafischer Darstellung eine Schnittansicht eines lichtemittierenden Halbleiters nach dem Stand der Technik, wie er zum Beispiel in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 192380/1985 gezeigt wird. In Fig. 7 gibt die Abszissenachse einen Arbeitsstrom und die Ordinatenachse eine Strahlungsleistung an.
In Fig. 8 kennzeichnet das Bezugszeichen 1 ein GaAs-Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps (des Typs "p" und nachfolgend mit "p-" gekennzeichnet), Bezugszeichen 2 kennzeichnet eine p-Al0,45Ga0,55As-Pufferschicht, Bezugszeichen 3 kennzeichnet eine GaAs-Sperrschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (des Typs "n" und nachfolgend mit "n-" gekennzeichnet), wobei diese eine stromverengende Schicht mit einer streifenförmigen Aussparung auf dem p-GaAs- Substrat 1 darstellt, Bezugszeichen 4 kennzeichnet eine untere p-Al0,45Ga0,55As-Deckschicht, Bezugszeichen 5 kennzeichnet eine Al0,15Ga0,85As-Aktivschicht des Typs "p" oder "n", Bezugszeichen 6 kennzeichnet eine obere n- Al0,45Ga0,55As-Deckschicht, Bezugszeichen 7 kennzeichnet eine n-GaAs-Kontaktschicht, Bezugszeichen 8 kennzeichnet eine p-seitige Elektrode und Bezugszeichen 9 kennzeichnet eine n-seitige Elektrode.
Mit Bezugnahme auf die Fig. 7 und 8 wird nun die Funktion eines lichtemittierenden Halbleitersystems nach dem Stand der Technik beschrieben.
Wenn eine positive Spannung an der p-seitigen Elektrode 8 und eine negative Spannung an der n-seitigen Elektrode 9 angelegt wird, erhält der Zonenübergang zwischen der n-GaAs Sperrschicht 3 und der unteren p-Al0,45Ga0,55As-Deckschicht 4 eine Sperr-Vorspannung und zwar in dem Bereich in dem sich die n-GaAs-Sperrschicht 3 zwischen den Elektroden 8 und 9 befindet, wodurch darin kein Strom fließen kann, sondern der Strom nur konzentriert ungefähr im öffnungsbereich der streifenförmigen Aussparung 5a fließt. In diesem Fall wird ein Loch im unteren Bereich der streifenförmigen Aussparung 5a der Al0,15Ga0,85As-Aktivschicht 5 von der unteren p-Al0,45Ga0.55As-Deckschicht 4 geschaffen, dann wird ein Elektron von der oberen n-Al0,45Ga0,55As-Deckschicht 6 zugeführt und so wird durch Rekombination von Löchern und Elektronen Licht emittiert. Entsprechend einer weiteren Anhebung der Höhe des Injektionsstroms beginnt eine, wie in der Kennlinie von Fig. 7 gezeigte, induzierte Emission, und dies führt zu einer Laser-Oszillation. Der Schwellenstrom für die Laser-Oszillation beträgt im Falle des lichtemittierenden Halbleitersystems aus Fig. 8 etwa 20 bis 30 mA, und m eine Strahlungsleistung von 3 mW zu erhalten ist ein Arbeitsstrom von ungefähr 40 mA notwendig.
Das lichtemittierende Halbleitersystem nach dem Stand der Technik hat den oben beschriebenen Aufbau und deshalb muß bei der Steuerung der Strahlungsleistung der Laserbetriebsstrom direkt gesteuert werden wobei sich der Laserbetriebsstrom in einem weiten Bereich von einigen Zehntel mA bis einigen Hundertstel mA bewegt und das Problem besteht, daß der Steuerkreis unvermeidlich kompliziert wird.
Die Erfindung wurde angesichts der oben erwähnten Umstände geschaffen und ihr Ziel ist es ein lichtemittierendes Halbleitersystem zur Verfügung zu stellen, das mit geringem Strom eine Strahlungsleistung steuern kann.
Die Erfindung umfaßt einen Halbleiter-Laserteil, der aus einer Deckschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer Aktiv-Schicht eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps einer ersten Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einer stromverengenden Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer darin ausgeformten streifenförmigen Aussparung, einer zweiten Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet wird, und einen verbundenen, bipolaren Transistor-Teil eines ersten Leitfähigkeitstyps zweiten Leitfähigkeitstyps-ersten Leitfähigkeitstyps oder eines zweiten Leitfähigkeitstyps-ersten Leitfähigkeitstypszweiten Leitfähigkeitstyps, der aus physikalisch und elektrisch einheitlichen Teilen der genannten Deckschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, der Aktiv-Schicht eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, der Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps und der stromverengenden Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, oder der aus physikalisch und elektrisch einheitlichen Teilen der genannten Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der stromverengenden Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps und der zweiten Deckschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps besteht.
In dem, der Erfindung entsprechenden, bipolaren Transistor- Teil wird ein Emitter-Strom durch den an der Basis angelegten Strom gesteuert, wodurch auch der Strom im Halbleiter- Laserteil, und dadurch auch die Strahlungsleistung gesteuert wird.
Wie oben beschrieben umfaßt die Erfindung einen bipolaren Transistor-Teil entsprechend den Ansprüchen 1 oder 4, der mit dem Halbleiter-Laserteil verbunden ist, wodurch der zum Halbleiter-Laserteil fließende Strom durch den an der Basis des bipolaren Transistor-Teils angelegten Strom gesteuert werden kann, mit dem Ergebnis, daß eine Strahlungsleistung durch geringen Strom gesteuert wird.
Fig. 1 zeigt in einem seitlichen Querschnitt die Ausführungsformen (A) und (B) eines lichtemittierenden Halbleitersystems, die keinen Teil der beanspruchten Erfindung darstellen. Fig. 2 ist eine Seitenansicht ,.]m Querschnitt und zeigt die Ausführungsformen (C) und (n) des lichtemittierenden Halbleitersystems der Erfindung. Fig. 3 stellt einen Schaltplan dar, der eine vereinfachte Schaltung der Ausführungsform (A) aus Fig. 1 oder der Ausführungsform (D) aus Fig. 2 zeigt. Fig. 4 ist ein Schaltplan und zeigt die Betriebsschaltung eines lichtemittierenden Halbleitersystems, wenn das System aus Fig. 3 benutzt wird. Fig. 5 stellt einen Schaltplan dar, der eine vereinfachte Schaltung der Ausführungsform (B) aus Fig. 1 oder der Ausführungsform (C) aus Fig. 2 zeigt. Fig. 6 ist ein Schaltplan und zeigt die Betriebsschaltung eines lichtemittierenden Halbleitersystems, wenn das System aus Fig. 5 benutzt wird. Fig. 7 zeigt eine Kennlinie, die ein Beispiel für die Charakteristik zwischen Strom und Strahlungsleistung entsprechend einem üblichen lichtemittierenden Halbleitersystems darstellt. Fig. 8 zeigt beispielhaft in perspektivischer Darstellung eine Schnittansicht eines lichtemittierenden Halbleitersystems nach dem Stand der Technik.
Die Ausführungsformen (C) und (D) der Erfindung werden nun mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Die Fig. 2 bis 6 sind Zeichnungen, welche die Ausführungsformen der Erfindung zeigen.
Fig. 2 ist eine Seitenansicht im Querschnitt und zeigt die Ausführungsformen (C) und (D) des lichtemittierenden Halbleitersystems, Fig. 3 stellt einen Schaltplan dar, der eine vereinfachte Schaltung der Ausführungsform (A) aus Fig. 1 oder der Ausführungsform (D) aus Fig. 2 zeigt, Fig. 4 ist ein Schaltplan und zeigt die Betriebsschaltung eines lichtemittierenden Halbleitersystems, wenn das System aus Fig. 3 benutzt wird, Fig. 5 stellt einen Schaltplan dar, der eine vereinfachte Schaltung der Ausführungsform (8) aus Fig. 1 oder der Ausführungsform (C) aus Fig. 2 zeigt, und Fig. 6 ist ein Schaltplan und zeigt die Betriebsschaltung eines lichtemittierenden Halbleitersystems, wenn das System aus Fig. 5 benutzt wird.
In Fig. 1 bezeichnet Bezugszeichen 10 eine mit der als stromverengende Schicht dienenden n-GaAs-Sperrschicht 3 verbundene n-Sperrschicht-Elektrode; Bezugszeichen 11 bezeichnet eine p-Deckschicht-Elektrode, die mit der unteren p-AlGaAs-Deckschicht 4 verbunden ist; Bezugszeichen 12 bezeichnet einen Halbleiter-Laserteil, der das p-GaAs- Substrat 1, die p-AlGaAs-Pufferschicht 2, die als stromverengende Schicht dienende n-GaAs-Sperrschicht 3, die untere p-AlGaAs-Deckschicht 4, die gedopte AlGaAs- Aktivschicht 5 des Typs p- oder n-, die obere n-AlGaAs- Deckschicht 6 und die n-GaAs-Kontaktschicht 7 umfaßt; Bezugszeichen 13 bezeichnet einen später beschriebenen bipolaren Transistor-Teil; Bezugszeichen 14 bezeichneL den Stromverlauf im Halbleiter-Laserteil 12, der weiter unten beschrieben wird; Bezugszeichen 15 bezeichnet den Stromverlauf im bipolaren Transistor-Teil 13, der weiter unten beschrieben wird; T&sub1; bezeichnet einen mit der n-seitigen Elektrode 9 verbundenen Anschlußpunkt; T&sub2; bezeichnet einen Anschlußpunkt der p-Deckschicht Elektrode 11; T&sub3; bezeichnet einen Anschlußpunkt der n-Sperrschicht Elektrode 10 und T&sub4; bezeichnet einen mit der p-seitigen Elektrode 8 verbundenen Anschlußpunkt.
In Fig. 1 zeigen gleiche Bezugszeichennummern gleiche oder entsprechende Teile im vorgenannten Beispiel und daher wird keine wiederholte Beschreibung gegeben.
In Fig. 2 kennzeichnet Bezugszeichen 3a eine p-GaAs- Sperrschicht, die als stromverengende Schicht dient und eine darin ausgeformte, streifenförmige Aussparung besitzt, Bezugszeichen 6a kennzeichnet eine erste, obere n-AlGaAs- Deckschicht als eine erste Deckschicht, Bezugszeichen 6b kennzeichnet eine zweite, obere n-AlGaAs-Deckschicht als eine zweite Deckschicht, Bezugszeichen 12 kennzeichnet einen Halbleiter-Laserteil, der das p-GaAs-Substrat 1, die untere p-AlGaAs-Deckschicht 4, die gedopte AlGaAs-Aktivschicht 5 des Typs p- oder n-, die erste, obere n-AlGaAs-Deckschicht 6a, die p-GaAs-Sperrschicht 3a als eine stromverengende Schacht die zweite n-AlGaAs-Deckschicht 6b und die n-GaAs- Kontaktschicht 7 umfaßt und Bezugszeichen 13 kennzeichnet einen hier später beschriebenen, bipolaren Transistor-Teil.
Während in Fig. 1 die n-GaAs-Sperrschicht 3 zwischen der p-AlGaAs-Pufferschicht 2 und der unteren p-AlGaAs-Deckschicht 4 liegt, zeigt Fig. 2 eine Konstruktion, bei der sich die p-GaAs-Sperrschicht 3a auf der ersten, oberen n-AlGaAs- Deckschicht 6a befindet.
In den Fig. 2 bis 6 zeigen gleiche Bezugszeichennummern gleiche oder entsprechende Teile in der Fig. 1 und daher wird keine wiederholte Beschreibung gegeben.
Mit Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 6 werden als nächstes die Ausführungsformen (A) bis (D) beschrieben.
Als erstes wird mit Bezugnahme auf Fig. 1, Fig. 3 und Fig. 4 die Ausführungsform (A) beschrieben.
Die Ausführungsform (A) umfaßt den Halbleiter-Laserteil 12 und den bipolaren Transistor-Teil 13 von Fig. 1, wobei der Halbleiter-Laserteil 12 die selbe Konstruktion aufweist wie das lichtemittierende System aus Fig. 8, daher wird keine wiederholte Beschreibung gegeben. Der bipolare Transistor- Teil 13 umfaßt die ungedopte AlGaAs-Aktivschicht 5, die obere n-AlGaAs-Deckschicht 6, die n-GaAs-Kontaktschicht 7, welche einen Emitter des bipolaren Transistor-Teils 13 darstellt, die n-seitige Elektrode 9 als Emitter-Elektrode des Transistors, die untere p-AlGaAs-Deckschicht 4 als Basis des Transistors, die p-Deckschicht-Elektrode 11 als Basis Elektrode des Transistors, die n-GaAs-Sperrschicht 3 als Kollektor des Transistors und die n-Sperrschicht-Elektrode 10 als Kollektorelektrode des Transistors, wodurch der bipolare npn-Transistor 13 gebildet wird.
Entsprechend der Zeichnung wird nun die Wirkungsweise der Ausführungsform (A) beschrieben.
Die Wirkungsweise jeder der Schichten 1 bis 7 des Halbleiter- Laserteils 12 entspricht dem oben beschriebenen Beispiel, daher wird sie nicht weiter beschrieben.
Der bipolare Transistor-Teil 13 arbeitet als npn-bipolarer Transistor mit Emitter, Emitter-Elektrode, Basis, Basis- Elektrode, Kollektor und Kollektorelektrode.
Mit Bezug auf den Schaltplan aus Fig. 3 und Fig. 4 wird im weiteren die Wirkungsweise beschrieben.
Wie oben beschrieben entspricht der Emitterbereich im bipolaren Transistor-Teil 13 der n-GaAs-Kontaktschicht 7 und der oberen n-AlGaAs-Deckschicht 6 des Halbleiter-Laserteils 12, daher stellt sich eine vereinfachte Ersatzschaltung der Ausführungsform (A) wie in Fig. 3 gezeigt dar, und das System aus Fig. 3 wird realisiert durch einen Schaltungsaufbau, wie er in Fig. 4 gezeigt ist.
In der Schaltung von Fig. 4 fließt ein stationärer Strom I einer Dauerstromquelle 16 zwischen dem Anschlußpunkt. T&sub1; und der Erdung E.
Weiter wird ein Steuerstrom IB einer Signal- Wechselstromquelle 17 an einem Bereich, welcher der Basis des bipolaren Transistor-Teils 13 entspricht, an die untere p-AlGaAs-Deckschicht 4 angelegt.
Im Schaltungsaufbau in Fig. 4 ist der bipolare Transistor- Teil 13 eine Transistor-Kollektorschaltung und der vom Kollektor zum Emitter fließende Strom Itr kann durch geringe Änderung des Basisstroms IB gesteuert werden.
Der Strom Itr entspricht einem Strom in Fig. 1, der von der n-Sperrschicht-Elektrode 10 ausgeht und durch die n-GaAs- Sperrschicht 3, die untere p-AlGaAs-Deckschicht 4, die Aktivschicht 5, die obere n-Deckschicht 6, die n- Kontaktschicht 7 und die n-seitige Elektrode 9 zu einer externen Schaltung fließt.
Der Stromverlauf ist durch den Verlauf 15 in Fig. 1 gekennzeichnet.
In der in Fig. 4 gezeigten Schaltung ist der Gesamtstrom I, der zum Halbleiter-Laserteil 12 oder zu dem, der Erfindung entsprechenden, System und zum bipolaren Transistor-Teil 13 fließt, konstant, und der Strom I wird durch die Summe des zum Halbleiter-Laserteils 12 fließenden Stroms ILD und des aus dem Emitter des bipolaren Transistor-Teils 13 fließenden Stroms Itr ausgedrückt. Demgemäß kann der zum Halbleiter- Laserteil 12 fließende Strom ILD (oder der durch die Pfeile 14 in Fig. 1 gekennzeichnete Strom) so ausgedrückt werden:
ILD = I-Ttr = I-f(IB) (1)
Hier stellt f(IB) eine Funktion des Stroms IB dar. Im allgemeinen stehen der Arbeitsstrom des Lasers und die Strahlungsleistung in der in Fig. 7 angegebenen Wechselbeziehung, und wenn der Strom die für die Oszillation notwendige Schwelle überschreitet, wird das Verhältnis zwischen der Strahlungsleistung und dem Strom fast linear.
Demgemäß kann die Strahlungsleistung durch den geringen Strom IB gesteuert werden, der von der p-Deckschicht-Elektrode 11 entsprechend der Basis-Elektrode des vorgenannten Terminus (1) des Systems ausgeht.
Als nächstes wird die Ausführungsform (B) mit Bezug auf die Fig. 1, 5 und 6 beschrieben.
Die Ausführungsform (B) umfaßt den Halbleiter-Laserteil 12 und den bipolaren Transistor-Teil 13 aus Fig. 1, wobei der Halbleiter-Laserteil 12 die gleiche Konstruktion aufweist wie in der oben beschriebenen Ausführungsform (A), weshalb folglich die Beschreibung unterbleibt. In Fig. 1 stellt der bipolare Transistor-Teil 13 einen bipolaren pnp-Transistor dar, mit der unteren p-AlGaAs-Deckschicht 4 als p-Kollektor der n-GaAs-Sperrschicht 3 als n-Basis, der p-AlGaAs- Pufferschicht 2 und dem p-GaAs-Substrat 1 als p-Emitter. In diesem Fall unterscheidet sich die Schichtdicke einer jeden Schicht von der oben beschriebenen Ausführungsform (A). Wie oben vorher beschrieben, entspricht der dem p-Emitter entsprechende Bereich des bipolaren Transistors 13 der p-AlGaAs-Pufferschicht 2 und dem p-GaAs Substrat 1 des Halbleiter-Laserteils 12, und deshalb stellt sich die vereinfachte Ersatzschaltung der Ausführungsform (B) wie in Fig. 5 gezeigt dar.
In Fig. 6 wird eine Betriebsschaltung eines lichtemittierenden Halbleitersystems gezeigt, wenn die im Schaltplan von Fig. 5 gezeigte Ausführungsform (B) verwendet wird.
In diesem Fall entspricht die Wirkungsweise der vorher beschriebenen Ausführungsform (A), weshalb keine wiederholte Beschreibung erfolgt.
In der Ausführungsform (B) kann die Strahlungsleistung auch durch einen geringen Strom gesteuert werden, der von dein n- Sperrschicht Elektrode 10 entsprechend einer Basis-Elektrode wie im Falle der Ausführungsform (A) ausgeht.
Die Ausführungsform (C) der Erfindung wird als nächstes mit Bezugnahme auf die Fig. 2, 5 und 6 beschrieben.
Die Ausführungsform (C) umfaßt den Halbleiter-Laserteil 12 und den bipolaren Transistor-Teil 13 aus Fig. 2 wobei sich der Halbleiter-Laserteil 12, wie in Fig. 2 beschrieben, aus dem p-GaAs Substrat 1, der unteren p-AlGaAs-Deckschicht 4, der gedopten p-AlGaAs-Aktivschicht 5 des Typs p- oder n-, der ersten, oberen n-AlGaAs-Deckschicht 6a, der p-GaAs- Sperrschicht 3a, der zweiten, oberen n-AlGaAs-Deckschicht 6b und der n-GaAs-Kontaktschicht 7 zusammensetzt, und der bipolare Transistor-Teil 13 als ein bipolarer pnp-Transistor das p-GaAs Substrat 1, die untere p-AlGaAs-Deckschicht 4, die gedopte p-AlGaAs-Aktivschicht 5, die erste, obere n-AlGaAs- Deckschicht 6a und die p-GaAs-Sperrschicht 3a umfaßt. Ein vereinfachter Ersatzschaltplan der Ausführungsform (C) entspricht dem aus Fig. 5 und die Betriebsschaltung des lichtemittierenden Halbleitersystems wird in Fig. 6 gezeigt. Da die Wirkungsweise der Ausführungsform (C) der oben beschriebenen Ausführungsform (A) gleicht, wird keine wiederholende Beschreibung gegeben.
In der Ausführungsform (C) kann die Strahlungsleistung auch durch einen geringen Strom gesteuert werden, der von der ersten, oberen n-Deckschicht Elektrode 10 entsprechend einer Basis-Elektrode wie im Falle der Ausführungsform (A) ausgeht. Die Ausführungsform (D) der Erfindung wird als nächstes mit Bezugnahme auf die Fig. 2, 3 und 4 beschrieben.
Die Ausführungsform (D) umfaßt den Halbleiter-Laserteil 12 und den bipolaren Transistor-Teil 13 aus Fig. 2, wobei der Halbleiter-Laserteil 12 dem Halbleiter-Laserteil 12 der oben beschriebenen Ausführungsform (C) entspricht, weshalb dieser nicht weiter beschrieben wird. Der bipolare Transistor-Teil 13 ist als bipolarer npn-Transistor ausgebildet und umfaßt die erste, obere n-AlGaAs-Deckschicht 6a, die p-GaAs- Sperrschicht 3a, die zweite, obere n-AlGaAs-Deckschicht 6b und die n-GaAs-Kontaktschicht 7.
Ein vereinfachter Ersatzschaltplan der Ausführungsform (r)) entspricht dem aus Fig. 3 und die Betriebsschaltung des lichtemittierenden Halbleitersystems wird in Fig. 4 gezeigt. Da die Wirkungsweise der Ausführungsform (D) der oben beschriebenen Ausführungsform (A) gleicht, wird keine wiederholende Beschreibung gegeben.
In der Ausführungsform (D) kann die Strahlungsleistung auch durch einen geringen Strom gesteuert werden, der von der p-Sperrschicht Elektrode 11 entsprechend einer Basis-Elektrode wie im Falle der Ausführungsform (A) ausgeht.
Außerdem ist bei den Ausführungsformen (C) und(D) der Erfindung jeder Halbleiter aus AlGaAs-Material gebildet, eine vergleichbare Wirkung wird jedoch auch bei der Verwendung von InGaAs-Material erzielt.

Claims

1. Ein lichtemittierendes Halbleitersystem, das folgendes umfaßt:

Einen Halbleiter-Laserteil 12, der aus einer Deckschicht 4 eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer Aktiv-Schicht 5 eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, einer ersten Deckschicht 6a eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einer stromverengenden Schicht 3a eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer darin ausgeformten, streifenförmigen Aussparung, einer zweiten Deckschicht 6b eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf einem Substrat 1 eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet wird,

und einen verbundenen, bipolaren Transistor-Teil 13 eines ersten Leitfähigkeitstyps-zweiten Leitfähigkeitstyps-ersten Leitfähigkeitstyps, der aus physikalisch und elektrisch einheitlichen Teilen der genannten Deckschicht 4 eines ersten Leitfähigkeitstyps, der Aktiv-Schicht 5 eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, der Deckschicht 6a eines zweiten Leitfähigkeitstyps und der stromverengenden Schicht 3a eines ersten Leitfähigkeitstyps besteht.

2. Lichtemittierendes Halbleitersystem nach Anspruch 1, dessen Halbleiter aus AlGaAs-Material besteht.

3. Lichtemittierendes Halbleitersystem nach Anspruch 1, dessen Halbleiter aus InGaAs-Material besteht.

4. Ein lichtemittierendes Halbleitersystem das folgendes umfaßt

einen Halbleiter-Laserteil 12, der aus einer Deckschicht 4 eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer Aktiv-Schicht 5 eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, einer ersten Deckschicht 6a eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einer stromverengenden Schicht 3a eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer darin ausgeformten, streifenförmigen Aussparung, einer zweiten Deckschicht 8b eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf einem Substrat 1 eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet wird,

und einen verbundenen, bipolaren Transistor-Teil 13 eines zweiten Leitfähigkeitstyps-ersten Leitfähigkeitstyps-zweiten Leibfähigkeitstyps, der aus physikalisch und elektrisch einheitlichen Teilen der genannten Deckschicht 6a eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der stromverengenden Schicht 3a eines ersten Leitfähigkeitstyps und der zweiten Deckschicht 5b eines zweiten Leitfähigkeitstyps besteht.

5. Lichtemittierendes Halbleitersystem nach Anspruch 4, dessen Halbleiter aus AlGaAs-Material besteht.

6. Lichtemittierendes Halbleitersystem nach Anspruch 4, dessen Halbleiter aus InGaAs-Material besteht.