DE3711326A1 - Sensor mit kerreffekt - Google Patents
Sensor mit kerreffektInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Sensor mit Kerreffekt gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine solche Anordnung ist aus der GB-PS 9 85 034 bekannt.
Die bekannte Anordnung besteht aus einer Lichtquelle,
einem Polarisator, einem Reflektor, einem Analysator und
einem Lichtdetektor. Der Reflektor weist eine
ferromagnetische, magnetooptische, den Kerreffekt
zeigende Schicht auf. Diese Anordnung dient zum optischen
Auslesen binärer Signale, die durch die Richtung einer
eingeprägten Magnetisierung gebildet sind. Es treten
dabei zwei um 90° zueinander verdrehte
Magnetisierungsrichtungen auf. Die Orientierung der
Magnetisierung wird aufgrund des optischen Kerreffekts
mit Hilfe von polarisiertem Licht ausgelesen.
Das Funktionsprinzip des hier verwendeten optischen
Kerreffekts ist im folgenden erläutert. Durch die
Anordnung bedingt tritt linear polarisiertes Licht auf
den Reflektor, wobei die Polarisationsebene und die
Reflektionsebene einen rechten Winkel bilden. Aufgrund
des Kerreffekts tritt bei der Reflexion zusätzlich zur
normalen Reflexion eine Kerrkomponente auf, die ebenfalls
linear polarisiert ist und deren Schwingungsebene einen
rechten Winkel zur Schwingungsebene des normal
reflektierten und ebenfalls linear polarisierten Lichts
aufweist. Die Amplitude der Kerrkomponente ist dabei
proportional zu der Magnetisierungskomponente des
Reflektors, die parallel zur Einfallsebene liegt. Der
Analysator ist so ausgerichtet, daß er die Kerrkomponente
des reflektierten Lichtes durchläßt.
Die bekannte Anordnung eignet sich besonders zum Auslesen
binärer Daten, die über einen elektrischen Leiter dem
Reflektor eingeprägt werden. Der optische Weg zwischen
Lichtquelle und Detektor ist dabei möglichst kurz, was
auch eine thermische Kopplung bewirkt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Sensor zu
schaffen, der eine möglichst geringe Kopplung mit dem
Meßbereich aufweist und eine größere räumliche Trennung
zwischen Meßbereich und elektrischem Meßsignal ermöglicht.
Diese Aufgabe wird bei einer gattungsgemäßen Anordnung
durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den übrigen
Ansprüchen und dem folgenden Teil der Beschreibung zu
entnehmen.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile liegen
insbesondere darin, daß keine spezielle
Fokussiereinrichtung zum Bündeln des reflektierten Lichts
notwendig ist, die beim Justieren der Anordnung
zusätzliche Justierschritte mit sich bringt.
Fünf Ausführungsbeispiele der Erfindung sind im folgenden
beschrieben, davon sind vier in den Fig. 1 bis 4
abgebildet. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel, einen Magnetfeldsensor
im Schnitt,
Fig. 2 eine Prinzipdarstellung eines weiteren
Ausführungsbeispiels,
Fig. 3 ein anderes Ausführungsbeispiel, einen
Kraftsensor im Schnitt, und
Fig. 4 eine für die vorgenannten Ausführungsbeispiele
alternative optische Einrichtung.
Beim ersten Ausführungsbeispiel ist der erfindungsgemäße
Sensor als Magnetfeldsensor 1 ausgebildet. Er besteht aus
einem diamagnetischen Träger 2, der einen Hohlraum 3 und
zwei Öffnungsn 4, 4′ aufweist. In der Öffnung 4 ist ein
Polarisator 5, in der Öffnung 4′ ein Analysator 6
angeordnet. Im Hohlraum 3 befindet sich ein Prisma 7, an
dessen Basisfläche 8 eine ferromagnetische Schicht 9
angebracht ist. Der Magnetfeldsensor 1 wird im folgenden,
soweit er oben beschrieben ist, Sensorspitze 13 genannt
und ist in Fig. 1 im Schnitt abgebildet. Zusätzliche
Teile des Magnetfeldsensors 1, wie eine Lichtquelle 10,
ein Lichtdetektor 11 und der Lichtweg sind in Fig. 1
ebenfalls abgebildet.
Als Lichtquelle 9 eignet sich besonders ein
HeNe-Gaslaser, der eine Emissionswellenlänge l o=633 nm
und Öffnungswinkel von 0,03° aufweist. Dies
bedeutet, daß der Lichtstrahl auch über eine mehrere
Meter weite Entfernung zwischen Lichtquelle 10 und
Sensorspitze 13 und/oder Lichtdetektor 11 und
Sensorspitze 13 gebündelt bleibt, ohne daß hierfür
besondere Fokussierungseinrichtungen notwendig sind, und
ohne daß die Funktion des Magnetfeldsensors 1
beeinträchtigt wird. Der Lichtdetektor 11 weist eine
Siliziumdiode auf, die im Spektralbereich der Wellenlänge
l o empfindlich ist. Es ist vorteilhaft, vor dem
Lichtdetektor 11 ein optisches Filter 12 anzuordnen, um
z.B. Streulicht auszufiltern. Als Polarisator 5 und
Analysator 6 eignen sich besonders Polarisationsprismen.
Der Träger 2, das Prisma 7, die ferromagnetische Schicht
9, der Polarisator 5 und der Analysator 6 sind, wie in
Fig. 1 abgebildet, spiegelsymmetrisch aufgebaut und
angeordnet. Das Licht dringt durch den Polarisator 5 in
den Hohlraum 3 des Trägers 2 ein und wird dort an einer
Seitenfläche des Prismas 7 in Richtung des Mittelpunktes
der Basisfläche 8 gebrochen. Da an dieser Stelle der
Basisfläche 8 die ferromagnetische Schicht 9 aufgebracht
ist, wird das Licht reflektiert und an der zweiten
Stirnfläche des Prismas 7 in Richtung Analysator
gebrochen. Licht mit der richtigen Polarisation kann
durch den Analysator 7 dringen. Der Polarisator 6 ist so
orientiert, daß der einfallende Lichtstrahl in der
Einfallsebene polarisiert ist. Das Laserlicht weist dabei
schon diese Schwingungsebene auf, der Polarisator 6
verhindert lediglich den Einfall von Streulicht anderer
Schwingungsebenen in den Hohlraum des Trägers 2. Der
Lichtstrahl trifft anschließend in gleicher Weise auf die
ferromagnetische Schicht 9, die den optischen Kerreffekt
zeigt, so daß das von der ferromagnetischen Schicht 9
reflektierte Licht zwei Komponenten aufweist, nämlich
eine normale Komponente, deren Schwingungsebene gegenüber
dem einfallenden Lichtstrahl beibehalten bleibt und eine
Kerrkomponente, deren Schwingungsebene gegenüber der
normalen Ebene um 90° gedreht ist. Beide reflektierten
Komponenten treffen dann über das Prisma auf den
Analysator 7, der so orientiert ist, daß ihn die
Kerrkomponente durchdringen kann. Hierzu weist der
Analysator 7 gegenüber dem Polarisator 6 eine Verdrehung
in der Orientierung von 90° + α auf, mit α=+2°
oder α=-2°. Die normale Reflexionskomponente wird im
Analysator 2 größtenteils absorbiert. Die Abweichung vom
90°-Winkel um den Winkel α dient zur Linearisierung des
Signals und zur Signalverstärkung, indem auch ein Teil
der normalen Reflexionskomponente durchgelassen und
nachgewiesen wird. Die Intensität der Kerrkomponente ist
dabei proportional zur magnetischen Induktion eines
anliegenden Magnetfeldes H.
Die ferromagnetische Schicht 9 besteht aus einer amorphen
Legierung mit der Zusammensetzung Co₇₂Fe₈B₂₀, die
extrem weichmagnetisch ist und sich daher zum analogen
Nachweis von Magnetfeldern besonders eignet. Metallische
Legierungen und amorphe Legierungen anderer
Zusammensetzung finden ihre Anwendung beim digitalen oder
gar binären Nachweis von Magnetfeldern. Die Intensität
der Kerrkomponente ist linear von der Magnetisierung M
der ferromagnetischen Schicht 9 abhängig und wird zur
Bestimmung der Richtung von M herangezogen. Die Richtung
von M hängt vom zu messenden äußeren Magnetfeld H ab. So
gilt z.B. für den Fall, daß das äußere Magnetfeld H und
die schwere Richtung der ferromagnetischen Schicht 9
parallel liegen, für den Winkel ϕ zwischen der
Magnetisierung M und der "leichten Richtung"
sin ϕ = H/H K
mit H k als Anisotropiefeldstärke. Über diese
Abhängigkeit wird die magnetische Induktion eines
Magnetfeldes H über die Intensität I der reflektierten
Kerrkomponente nachgewiesen.
Letztlich wird die magnetische Induktion eines
Magnetfeldes H in ein elektrisches Signal umgewandelt,
wobei der Teil der Anordnung, der elektrische Anschlüsse
aufweist, und der tatsächliche Meßort räumlich
voneinander getrennt angeordnet sind.
Um Störungen der Messung durch Umgebungslicht zu
unterdrücken, kann der Strahl mit Hilfe eines
mechanischen Zerhackers oder eines elektro- oder
magnetooptischen Schalters moduliert werden. Die
Modulation bewirkt gleichzeitig eine Rauschverminderung
in der Nachweiselektronik. Die Messung erfolgt
zweckmäßiger Weise mit einem schmalbandigen Lock-in
Verstärker.
Beim Nachweis statischer Magnetfelder ist es
erforderlich, das optische Signal zu normieren, hierzu
wird ein Referenzstrahl erzeugt. In Fig. 2 ist ein
zweites Ausführungsbeispiel abgebildet, bei dem der
Meßstrahl und ein Referenzstrahl gemeinsam detektiert und
verstärkt werden. Dabei wird der aus einem Laser kommende
Lichtstrahl in einem Strahlteiler T 1 geteilt, dabei
bildet der eine Teil den Meßstrahl und der andere Teil
den Referenzstrahl. Der Meßstrahl wird über einen
optischen Schalter S 1 einer Sensorspitze Ss zugeleitet,
durchläuft diese, wie im ersten Ausführungsbeispiel
beschrieben, und fällt auf einen teildurchlässigen
Spiegel T 2. Der Referenzstrahl wird über einen Spiegel
Sp 1, einen optischen Schalter S 2 und einen
Referenzreflektor Rr zu einem Spiegel Sp 2 geleitet und
fällt zuletzt ebenfalls auf den teildurchlässigen Spiegel
T 2, so daß beide Teilstrahlen in ihrer Richtung wieder
zusammenfallen.
Der Referenzreflektor Rr und die Sensorspitze Ss sind
dicht nebeneinander angeordnet, so daß die beiden
optischen Wege des Meßstrahles und des Referenzstrahles
gleich lang sind. Der teildurchlässige Spiegel T 2 ist
so dimensioniert, daß beide Strahlen nach Durchlauf des
teildurchlässigen Spiegels T 2 Intensitäten in der
gleichen Größenordnung aufweisen. Die beiden Strahlen
werden über einen optischen Frequenzfilter F auf einen
Lichtdetektor D geleitet und in ein elektrisches Signal
umgewandelt, welches anschließend einem Verstärker V und
danach einem Lock-in Verstärker LV zugeführt wird. Der
Lock-in Verstärker LV und die beiden optischen Schalter
S 1 und S 2 sind mit einem Funktionsgenerator G
verbunden, der die beiden optischen Schalter S 1 und
S 2 abwechselnd öffnet und dem Lock-in Verstärker L den
zugehörigen Synchrontakt liefert. Im Lock-in Verstärker
LV wird nun das Differenzsignal gebildet und verstärkt.
Dieses Signal wird an einen Prozessor mit Ausgabe
weitergeleitet.
In einem dritten Ausführungsbeispiel (keine Figur) wird
der aus einem Laser kommende Lichtstrahl 2n-fach
aufgeteilt und entsprechend dem zweiten
Ausführungsbeispiel über 2n optische Schalter S 1, ...,
S 2n nacheinander auf n Sensorspitzen mit
Referenzreflektoren geleitet, wobei alle 2n optischen
Wege wieder in einem Lichtdetektor L zusammentreffen. Die
Signale werden dabei entsprechend dem zweiten
Ausführungsbeispiel weiterverarbeitet. Dabei werden statt
der zwei Takte 2n Takte notwendig sein. Auf diese Weise
lassen sich mit nur einem Laser und nur einer
Nachweis- und Auswertevorrichtung Magnetfelder an n
verschiedenen Stellen oder n unterschiedlichen
Magnetfeldkomponenten messen. Es ist auch denkbar,
anstelle der n Referenzreflektoren nur einen
repräsentativen Referenzreflektor anzuordnen.
Die Lichtstrahlen zwischen der Sensorspitze Ss
(Referenzreflektor Rr) und dem Laser und/oder dem
Lichtdetektor können auch durch optische Wellenleiter,
wie Glasfasern, geleitet werden. In diesem Fall kann das
ausgestrahlte Licht auch einen Öffnungswinkel größer als
1 Grad aufweisen. Diese Ausführung hat dann den Vorteil,
daß der Lichtstrahl vor Staub, Nebel oder sonstigen
Einflüssen geschützt ist. Ferner können auch Strecken
über mehrere hundert Meter überwunden werden.
In einem vierten Ausführungsbeispiel (Fig. 3) wird ein
Kraftsensor 20 beschrieben, auf den die in den vorher
genannten Ausführungsbeispielen gemachten Überlegungen
übertragbar sind. Es wird daher nur die Sensorspitze 21
des Kraftsensors 20 beschrieben. Sie besteht aus einem
ferromagnetischen Träger 22, der einen Hohlraum 23 und
drei Öffnungen 24, 24′ und 25 aufweist. In der Öffnung 24
ist ein Polarisator 26, in der Öffnung 24′ ein Analysator
27 und in der Öffnung 25 ist ein Biegeplättchen 28
angebracht. Auf der hohlraumseitigen Fläche des
Biegeplättchens 28 befindet sich eine ferromagnetische
Schicht 29. Im Hohlraum 23 ist ein Prisma oder sind zwei
Teilprismen 30, 31 angeordnet. Der Verlauf des
Lichtstrahles im Bereich der Sensorpsitze 21 ist aus dem
ersten Ausführungsbeispiel übertragbar. Der einzige
wesentliche Unterschied liegt in der Ursache für die
Veränderung der Magnetisierung in der ferromagnetischen
Schicht 29 und dem sich daraus ergebenden Meßergebnis.
Die ferromagnetische Schicht 29 ist eine amorphe
Legierung aus Fe₈₀B₂₀, deren Magnetisierung unter
Spannung die Richtung ändert. Eine mechanische
Spannung σ in der ferromagnetischen Schicht 29 erzeugt
eine Anisotropiefeldstärke
mit λ als Magnetostriktion der ferromagnetischen Schicht
29. Die ferromagnetische Schicht 29 weist eine "innere
leichte Richtung" und eine durch Spannungsanisotropie
gebildete "zweite leichte Richtung" auf. Bilden nun die
"innere leichte Richtung" und die "zweite leichte
Richtung" einen Winkel von +45° oder -45°, so läßt
sich die resultierende leichte Richtung durch mechanische
Spannung und Druck in einem Winkelbereich von nahezu
90° drehen. Die Magnetisierung folgt dieser
resultierenden leichten Richtung. Durch die Drehung der
Magnetisierung ändert sich die Komponente der
Magnetisierung parallel zur Einfallsebene und damit auch
das Meßsignal.
Wenn für die ferromagnetische Schicht 29 Dehnung als auch
Stauchung zu erwarten sind, schließen die "innere leichte
Richtung" und die Einfallsebene einen Winkel von 45°
ein, damit zwischen Dehnung und Stauchung kein
Vorzeichenwechsel der Magnetisierung, der nicht meßbar
wäre, bezüglich der Einfallsebene des Lichtstrahles
auftritt. Ist nur Stauchung oder Dehnung zu erwarten, ist
es vorteilhaft, die "innere leichte Richtung" in die
Einfallsebene des Lichtstrahls zu legen, um den
Meßbereich zu erweitern. Die Dehnung oder Stauchung
erfährt die ferromagnetische Schicht 29 über das
Biegeplättchen 28, auf das die zu ermittelnde Kraft
einwirkt. Soll der Kraftmesser als Druckmesser (Gasdruck)
dienen, ist es erforderlich, daß der Hohlraum geschlossen
und der darin herrschende Gasdruck bekannt ist.
Im fünften Ausführungsbeispiel wird eine alternative
Anordnung des optischen Aufbaus einer Sensorspitze
prinzipiell angegeben. Sie besteht aus drei gleich
großen, gleichseitig ausgebildeten Substraten. Auf zwei
Substraten ist jeweils eine Metallschicht 40, 41, z.B.
eine Aluminiumschicht, auf dem dritten Substrat ist eine
ferromagnetische Schicht 43 gemäß den vorhergehenden
Ausführungsbeispielen aufgebracht (Fig. 4). Die drei
Substrate sind, einen Tetraeder 44 bildend, angeordnet.
Ein linear polarisierter Lichtstrahl tritt nun durch die
offene Fläche des Tetraeders 44 ein und wird von der
Metallschicht 40 auf die ferromagnetische Schicht 42,
danach auf die Metallschicht 41 und von dort parallel zum
einfallenden Lichtstrahl reflektiert. Die
Schwingungsebene des Lichtstrahles liegt beim Auftritt
auf die ferromagnetische Schicht parallel zu dessen
Einfallsebene. Ein Polarisator 45 und ein Analysator 46
sind gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel im Lichtstrahl
jeweils zwischen einer Metallschicht 40, 41 und der
ferromagnetischen Schicht 42 angeordnet. Dieses
Ausführungsbeispiel zeigt eine Möglichkeit auf, die oben
verwendeten Prismen durch Spiegel zu ersetzen. Die
Tetraederanordnung bietet dabei eine besonders einfache
Justierung des Strahlenverlaufs.
Claims (16)
1. Sensor mit einer ferromagnetischen, den optischen
Kerreffekt aufweisenden Schicht, einer Lichtquelle, einem
Polarisator, einem Analysator und einem Lichtdetektor,
wobei ein von der Lichtquelle ausgestrahlter Lichtstrahl
linear polarisiert durch den Polarisator auf die
ferromagnetische Schicht fällt und von dort zum
Analysator reflektiert wird, der so orientiert ist, daß
ihn die Kerrkomponente durchdringen kann, deren
Intensität im Lichtdetektor nachgewiesen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die
ferromagnetische Schicht (9, 29, 43) einer Sensorspitze
(13, 21) zugehörig ist und daß der Lichtweg zwischen der
Lichtquelle (10) und der Sensorspitze (13, 21) und/oder
zwischen dem Lichtdetektor (11) und der Sensorspitze (13,
21) jeweils wenigstens 5 cm beträgt.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Lichtquelle (10) ein Gaslaser ist.
3. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das ausgestrahlte Licht der
Lichtquelle (10) einen Öffnungswinkel von höchstens
1 Grad hat.
4. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen der Lichtquelle (10) und der
Sensorspitze (13) und/oder zwischen dem Lichtdetektor
(11) der Sensorspitze (13) Lichtwellenleiter angeordnet
sind.
5. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die ferromagnetische Schicht (9, 29,
43) eine amorphe Legierung ist.
6. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß er als Magnetfeldsensor (1)
ausgebildet ist, daß die ferromagnetische Schicht (9) aus
einer Legierung, wie amorphes Metall Co₇₂Fe₈B₂₀,
mit geringer Koerzitivfeldstärke besteht.
7. Magnetfeldsensor nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß er einen diamagnetischen Träger (2)
mit zwei Öffnungen (4, 4′) aufweist, daß in der einen
Öffnung (4) ein Polarisator (5) und in der anderen
Öffnung (4′) ein Analysator (6) angeordnet ist, daß auf
dem Lichtweg zwischen dem Polarisator (5) und dem
Analysator (6) die ferromagnetische Schicht (9) auf einer
Halterung angeordnet ist.
8. Sensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Halterung ein Prisma (7) ist.
9. Magnetfeldsensor nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß er als analoger
Magnetfeldsensor (1) ausgebildet ist.
10. Magnetfeldsensor nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die ferromagnetische Schicht
(9) durch Aufdampfen oder Aufstäuben aufgebracht ist.
11. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß er als Kraftsensor (20) ausgebildet
ist, daß die ferromagnetische Schicht (29) aus einer
Legierung, wie amorphes Metall Fe₈₀B₂₀, mit hoher
Magnetostriktion besteht.
12. Kraftsensor nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß er einen ferromagnetischen Träger
(22) mit drei Öffnungen (24, 24′, 25) aufweist, daß in
der Öffnung (24) der Polarisator (26) und in der Öffnung
(24′) der Analysator (27) angeordnet ist, daß in der
Öffnung (25) ein Biegeplättchen (28) formschlüssig oder
geklebt angebracht ist und die ferromagnetische Schicht
(29) auf der innenliegenden Seite des Biegeplättchens
(28) aufgebracht ist.
13. Kraftsensor nach einem der Ansprüche 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet, daß im Innern des Trägers (22)
ein oder mehrere Prismen (30, 31) angeordnet sind.
14. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Lichtquelle (10) gepulst
betrieben oder der Lichtstrahl moduliert ist.
15. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch
gekennzeichnet, daß er eine Meßstrecke, eine
Referenzstrecke, einen oder mehrere Schalter (S 1, S 2) zur
Einkoppelung des Lichtstrahls in die Meßstrecke oder in
die Referenzstrecke, eine Zusammenführung (T 2) der
beiden Strecken, einen Lock-in Verstärker (LV) und einen
Funktionsgenerator (G) aufweist, wobei der oder die
Schalter (S 1, S 2) und der Lock-in Verstärker (LV) mit
dem Funktionsgenerator (G) so gekoppelt sind, daß ein
Differenzsignal entsteht.
16. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß mehrere voneinander unabhängig
angeordnete Sensorspitzen (13) zusammen mit nur einer
Lichtquelle (10) und nur einem Lichtdetektor (11) zu
einer Einheit zusammengefaßt sind.
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DE19873711326 Withdrawn DE3711326A1 (de) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | Sensor mit kerreffekt |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE3711326A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0664455A1 (de) * | 1994-01-25 | 1995-07-26 | SEXTANT Avionique | Magneto-optischer Geschwindigkeitsmesser |
CN107728084A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-02-23 | 金华职业技术学院 | 一种用于磁光克尔效应测量的高压样品测试台 |
CN107884728A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-04-06 | 金华职业技术学院 | 一种低温高压条件下测量磁光介质薄膜物性的方法 |
-
1987
- 1987-04-03 DE DE19873711326 patent/DE3711326A1/de not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0664455A1 (de) * | 1994-01-25 | 1995-07-26 | SEXTANT Avionique | Magneto-optischer Geschwindigkeitsmesser |
FR2715473A1 (fr) * | 1994-01-25 | 1995-07-28 | Sextant Avionique | Tachymètre à effet magnéto-optique. |
CN107728084A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-02-23 | 金华职业技术学院 | 一种用于磁光克尔效应测量的高压样品测试台 |
CN107884728A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-04-06 | 金华职业技术学院 | 一种低温高压条件下测量磁光介质薄膜物性的方法 |
CN107884728B (zh) * | 2017-10-20 | 2024-01-30 | 金华职业技术学院 | 一种低温高压条件下测量磁光介质薄膜物性的方法 |
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