DE3703364A1 - Anordnung einer leiterplattenbestueckung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung einer Leiterplattenbe­ stückung mit integrierten Schaltkreisen und mit Anschlußkontakten an den Randbereichen des Trägermaterials.

Bei der Entwicklung von Computern ist der Entwickler mit der Forde­ rung konfrontiert, immer mehr Speicherkapazität auf möglichst klein­ stem Raum unterbringen zu müssen.

Die Lösung dieses Problems wird durch die immer höhere Integrations­ dichte bei Halbleiterspeichern, durch neue Bestückungstechniken, wie z. B. SMD, wie auch durch spezielle Anordnungen der Bauteileträger unterstützt.

Aus der DE-OS 34 42 803 ist ein Verfahren bekannt, bei dem für Hybridschaltungen auf flexiblem Trägermaterial die Trägerplatten längs einer Mittel- bzw. Faltungslinie umgefaltet werden, nachdem die Trägerplatte jeweils einseitig bestückt und verlötet worden ist. Nach dem Umfalten der Plattenhälften liegen sich die Rückseiten der zueinander gefalteten Teile gegenüber, wodurch im Ergebnis eine beidseitig bestückte Hybridschaltung mit verdoppelter Packungsdichte bzw. halbierter Grundfläche erhalten wird. Jedoch wird auch hierbei die Einbautiefe bzw. das mit ihr verbundene Gehäuse durch das größte oder am weitesten nach außen ragende Bauelement bestimmt.

Aus der DE-OS 34 04 644 ist ein Verfahren zum Herstellen von doppel­ stöckigen Leiterplatten mit zwei zueinander parallel angeordneten und leitend miteinander verbundenen Leiterplatten bekannt. Der Abstand wird durch zweimaliges rechtwinkliges Abbiegen an Rillen erzielt, die der kupferkaschierten Seite der Leiterplatte gegenüberliegen. Die elektronischen Bauelemente liegen nach ihrer Bestückung auf der nicht kaschierten Seite der Trägerplatte und ragen damit je­ weils nach außen. Auch hier werden Einbautiefe bzw. Gehäusegröße durch die am weitesten nach außen ragenden Bauelemente bestimmt. Der Abstand zwischen den jeweils abgebogenen Plattenabschnitten bleibt bei dieser bekannten Bauart völlig ungenutzt.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß bei der Bestückung von Leiterplatten mit identischen integrierten Schaltkreisen die Be­ legung der Leiterbahnen auf den Leiterplatten entsprechend der Iden­ tität der Baustein-Anschlüsse vereinfacht werden kann.

Aufgabe der Erfindung ist daher, integrierte Speicherschaltkreise auf Leiterplatten so anzuordnen und zu bestücken, daß die bisher erreichte Speicherkapazität pro Volumeneinheit um ein Vielfaches erhöht wird, daß die Kosten der mit der neuartigen Leiterplattenbe­ stückung hergestellten Speicherblocks um ein Vielfaches im Vergleich zu bisherigen Leiterplattenbestückungen gesenkt wird und die Probleme, welche beim doppelseitigen Bestücken mit SMD-Bauteilen vorhanden sind, beseitigt werden.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die integrier­ ten Schaltkreise reihenweise zwischen zwei parallel auf Abstand zu­ einander ausgerichteten Leiterplatten angeordnet und untereinander über auf den Leiterplatten verlaufende Leiterbahnen elektrisch ver­ knüpft sind.

Durch die reihenweise Anordnung der integrierten Schaltkreise zwi­ schen zwei parallel auf Abstand zueinander ausgerichteten Leiter­ platten ergeben sich die Vorteile einer um den Faktor 8 erhöhten Speicherkapazität pro Volumeneinheit im Vergleich zur Bestückung integrierter Speicherschaltkreise in SMD-Technik sowie etwa eine Halbierung der Kosten bei der Herstellung der Leiterplatten, da keine Multilayer notwendig sind. Entsprechend halbieren sich auch die Kosten bei der Bestückung der Leiterplatten, da herkömmliches Löten ausreichend ist. Von Vorteil ist weiterhin, daß keine Gefahr der Überhitzung besteht, wie sie bei zweiseitiger Bestückung von SMD-Leiterplatten auftritt.

Wenn in vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung die integrier­ ten Schaltkreise Halbleiter-Speicher sind und mehrere hochkapa­ zitive Speicherblocks zu einer Einheit zusammengefaßt sind, wird eine kostengünstige Massenherstellung von Speicherblocks ermög­ licht. Mit derartigen Speicherblocks können wiederum Trägerleiter­ platten wie in herkömmlicher Weise mit integrierten Schaltungen bestückt werden. Das Ergebnis einer solchen Bestückung ist eine optimale Nutzung des Raums oberhalb der Trägerleiterplatte.

Ein in der Beschreibung näher erläutertes Ausführungsbeispiel der Anordnung einer Leiterplattenbestückung nach der Erfindung ist in der Zeichnungsfigur wiedergegeben.

Ein Speicherblock 10 besteht aus zwei parallel auf Abstand zu­ einander ausgerichteten Leiterplatten 1 und 2, von denen die in der Zeichnung vordere Leiterplatte 2 zum Teil weggebrochen wiedergegeben ist. Zwischen den Leiterplatten 1 und 2 sind reihenweise als identische Halbleiter-Speicher ausgebildete inte­ grierte Schaltkreise 3 angeordnet und senkrecht zu den Leiter­ platten ausgerichtet.

Die einzelnen Speicher 3 des Speicherblocks 10 tragen an zwei gegenüberliegenden Seiten Lötpins, die in Anschlußpunkten 6 durch Bohrungen in den Leiterplatten 1 und 2 hindurchgesteckt und mit im Ausführungsbeispiel an den Außenflächen der Leiterplatten in deren Längsrichtung verlaufenden Leiterbahnen 4 verlötet werden. Hier­ durch sind jeweils zugeordnete Kontakte der Speicher auf der Adreß­ bus-Seite bzw. auf der Datenbus-Seite elektrisch miteinander ver­ bunden.

Auf der Innenfläche der Leiterplatten 1 und 2 verlaufen Leiter­ bahnen 5 zu nach unten vorstehenden Anschlußstiften 7. Über die­ se Anschlußstifte lassen sich mehrere Speicherblocks 10 auf einer Hauptträgerplatte oder in einem Gehäuse montieren.

Claims (3)

1. Anordnung einer Leiterplattenbestückung mit integrierten Schalt­ kreisen und mit Anschlußkontakten an den Randbereichen des Trä­ germaterials, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierten Schalt­ kreise (3) reihenweise zwischen zwei parallel auf Abstand zu­ einander ausgerichteten Leiterplatten (1, 2) angeordnet und untereinander über auf den Leiterplatten (1, 2) verlaufende Leiterbahnen (4, 5) elektrisch verknüpft sind.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die inte­ grierten Schaltkreise (3) Halbleiter-Speicher sind.

3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere hochkapazitive Speicherblocks (10) zu einer Einheit zusammen­ gefaßt sind.