DE3650079T2 - Verfahren zum Schreiben und Lesen mit einem einen Flüssigkristall enthaltenden optischen Plattenspeicher. - Google Patents

Verfahren zum Schreiben und Lesen mit einem einen Flüssigkristall enthaltenden optischen Plattenspeicher.

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Description

  • Die Erfindung betrifft ein Informationsschreib- und Leseverfahren, welches die Verfahrensschritte umfaßt:
  • Vorsehen eines optischen Plattenspeichers, welcher (a) ein Paar von Substraten, das parallel mit einem Abstand dazwischen vorgesehen ist, wobei eines der Substrate durchsichtig und das andere reflektierend ist, (b) eine zwischen den Substraten angeordnete chirale smektische Flüssigkristallschicht in welcher Flüssigkristallmoleküle parallel zu den Substraten angeordnet sind, (c) ein auf den Rändern des Substrats angeordnetes Dichtungsteil, um die Menge des Flüssigkristalls zwischen den Substraten einzuschließen, und (d) eine Einrichtung, um der Menge an Flüssigkristall in bezug auf ein elektrisches Feld eine wahrnehmbare Hysterese zu verleihen, enthält;
  • Bestrahlen eines bestimmten Abschnitts des optischen Plattenspeichers mit Licht unter Anwesenheit eines elektrischen Feldes, damit der Zustand der Flüssigkristallschicht verändert wird; und
  • Lesen der in dem optischen Plattenspeicher gespeicherten Information durch Richten von Licht auf den Abschnitt der Flüssigkristallschicht, und Erfassen des durch die Flüssigkristallschicht tretenden Lichts zum Ermitteln des Zustands der Flüssigkristallschicht in dem Abschnitt.
  • Als optische Platte ist ein nicht wiederbeschreibbarer digitaler Plattenspeicher bekannt, welcher die Reflexionsbedingungen von Laserlicht von einer unebenen reflektierenden Oberfläche nutzt und wie er durch die Kompaktdisk repräsentiert wird. Anwendungen dieser Art werden als für die Zukunft sehr vielversprechend angesehen, nicht nur für Audio und Videozwecke, sondern auch für einen optischen Plattenspeicher für Informationsverarbeitung. Jedoch besteht ein Nachteil des Plattenspeichers darin, daß es nicht möglich ist, ihn neu zu beschreiben. Aus diesem Grund bestand die Forderung nach Systemen, die ein Wiederbeschreiben gestatten, und als ein solches Produkt ist das magnetooptische Speichergerät bekannt. Außerdem ist eine optische Plattenspeichereinrichtung auf der Basis amorpher Halbleiter bekannt, welcher eine Chalkogenreihe (Tellurreihe) verwendet.
  • Jedoch benutzen Plattengeräte, welche magnetooptische Speicher verwenden, seltene Materialien und sind extrem teuer, so daß man bezüglich ihrer zukünftigen Massenproduktion besorgt sein muß. Darber hinaus ist die Lichtsteuerung für das Verfahren, welches einen amorphen Halbleiter auf der Basis einer Chalkogenreihe verwendet, extrem schwierig.
  • Daher wurde nach Einrichtungen gesucht, die solche Merkmale, wie die Verwendung von Materialien, die für eine Massenproduktion geeignet sind, Einfachheit beim An- und Abschalten des Lichts, Nichtzerstörbarkeit und Nichtverbrauch externer Energie beim Aufbewahren des Speichers besitzen.
  • Eine Speichereinrichtung, die diese Forderungen weitgehend erfüllt, ist aus der GB-A-2 090 673 bekannt. Der Plattenspeicher umfaßt eine smektische Flüssigkristallschicht als ein sich drehendes Flüssigkristallinformationsspeichermedium, welches durch zwei Substrate eingeschlossen ist. Verschiedene dünne Filme auf den zwei Schichten werden verwendet, um für geeignete Bedingungen innerhalb des Flüssigkristallmediums zu sorgen, welches, in Kombination mit einfallender Strahlung und angelegter Spannung, Lese-, Schreib- und Löschfunktionen ausführt. Dieses System enthält einen lokal löschbaren optischen Plattenspeicher mit hoher Speicherdichte, langfristiger Informationsstabilität in einem großen Temperaturbereich und Lese-, Schreib- und Löschzeiten, die mit modernen Hochgeschwindigkeitsrechnern kompatibel sind. Spannungen werden durch Elektroden angelegt, welche innerhalb der Plattenspeicher angrenzend an ein oberes bzw. unteres Substrat des Plattenspeichers angeordnet sind.
  • Aus der US-A-3 775 757 ist ein Flüssigkristallspeicher bekannt, welcher Eigenschaften der smektischen C-Phase eines Flüssigkristalls nutzt, um Information zu speichern, die durch die bistabilen Orientierungsrichtungen der Molekülachse repräsentiert wird. Der Informationszustand von Speicherelementen wird eingestellt, indem die Molekülachse innerhalb des Speicherelements veranlaßt wird, entweder eine erste oder eine zweite stabile Achsenlage einzunehmen.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Informationsschreib- und Leseverfahren, wie zu Beginn der Beschreibung erwähnt, zu schaffen, welches gegenüber dem Stand der Technik verbessert ist.
  • Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung ist durch Anlegen des elektrischen Feldes durch Elektroden, die auf der Außenseite der Substrate angeordnet sind, gekennzeichnet.
  • Durch dieses Erfindungsmerkmal kann die Zuverlässigkeit des Verfahrens wesentlich verbessert werden, da kein elektrischer Kontakt wie im Stand der Technik in dem Flüssigkristall selbst existiert, so daß Probleme, welche für gewöhnlich durch elektrische Kontakte verursacht werden können, nicht auftreten.
  • In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel können die Elektroden eine Länge gleich dem Radius des Plattenspeichers aufweisen. Wenn eine solche Elektrodenanordnung verwendet wird, kann die gesamte Oberfläche der Platte durch eine einzige Drehung der Platte gelöscht werden.
  • Es wird auch auf die EP-A-2 05 187 (P 86 108 132.1) hingewiesen, welche ein Speichersystem enthält, das dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung entspricht.
  • Es wird nun auf Fig. 1 Bezug genommen, wo ein Plattenspeicher mit inneren Elektroden gezeigt ist. Ein erstes System 100 ist zum "Lesen" von Information, ein zweites System 101 ist zum "Schreiben" von Information und ein drittes System 103 ist zum "Löschen" von Information vorgesehen. Die Referenzzahl 10 bezeichnet eine optische Platte.
  • Die optische Platte weist zwei Plattensubstrate 3 und 7 auf, die einander gegenüberliegen. Wenigstens eines der Substrate, das Substrat 3 in der Figur, ist lichtdurchlässig. Jeweils auf der Innenseite der zwei Substrate ist eine Elektrode 4 bzw. 6 vorgesehen. Hier muß die auf dem Substrat 3 vorgesehene Elektrode 4 lichtdurchlässig sein, und die Elektrode 6 auf dem Substrat 7 muß Licht reflektieren. Darüber hinaus ist wenigstens eines der Substrate 3 und 7 mit der orientierten Innenseite ausgebildet. Die Substrate 3 und 7 sind voneinander um einen Abstand von 4 qm durch Abstandsstücke (nicht gezeigt) getrennt. Zwischen den Substraten 3 und 7 ist ein ferroelektrischer Flüssigkristall (nachfolgend mit FLC bezeichnet), wie z. B. ein smektischer C*, angeordnet. Der Anordnungsvorgang wird mit dem heißen Flüssigkristall in einer smektischen A-Phase ausgeführt. Bei diesem Vorgehen werden die FLC-Moleküle ausgerichtet und zu einer Vielzahl von molekularen Schichten, die zu den Substraten senkrecht stehen, bei Raumtemperatur entsprechend der orientierten inneren Oberfläche des Substrats geformt und erlangen eine Stabilität.
  • Der innere und äußere Rand der optischen Platte ist jeweils durch Dichtungsteile 30 und 30' abgedichtet, um den FLC gegen den Kontakt mit Luft abzuschirmen. Auf der inneren Randseite der optischen Platte 10 sind Kontakte 32 und 32' vorgesehen, welche sich von einem Paar von Elektroden 4 und 6 erstreckend zum Anlegen von Spannung zwischen den Elektroden ausgebildet sind.
  • Die optische Platte wird im folgenden genauer beschrieben:
  • Für das Substrat 7 wurde nämlich Plastikmaterial oder Formglas 7059 verwendet. Auf diesem Substrat wurde eine reflektierende Elektrode 6 aus Aluminium durch Vakuumbedampfung gebildet. Die gegenüberliegende Elektrode 4 wurde durch Bilden eines lichtdurchlässigen leitfähigen Films auf dem transparenten Substrat 3 aus Plastikmaterial oder Glas hergestellt. Für den lichtübertragenden leitfähigen Film wurde ITO (Indium-Zinn-Oxid) verwendet. Dann wurde auf der Innenseite der Elektrode 4 ein orientierter Film (nicht gezeigt) aus PAN (Polyacryl-Nitryl) und PVA (Polyvinyl-Alkohol) durch ein Drehverfahren in einer Dicke von 0,1 um aufgebracht. Der FLC 5, z. B. S8 (Octyl-Oxy- Benzyliden-Amino-Metyl-Butyl-Benzoat) in einer Dicke von 1,5 um, wurde als Zwischenschicht zwischen die Elektroden gebracht. Eine Anzahl von Abstandstücken wurde zwischen dem Paar von Substraten angeordnet, um den Plattenspeicher zu verstärken und zu versteifen.
  • Die Innenoberfläche wird einer bekannten Reibungsbehandlung unterworfen. Zum Beispiel wird ein mit einem Nylonfilm bedeckter Zylinder in einer Reibeinrichtung mit 900 Umdrehungen pro Minute gedreht und die Innenoberfläche des Films, die auszurichten ist, unterliegt der Einwirkung der Reibungseinrichtung durch Bewegen mit einer Geschwindigkeit von 2 in/min. In diesem Ausführungsbeispiel, DOBAMBC oder eine Mischung aus einer Vielzahl von FLCs kann ebenso als FLC anstelle von S8 in die Platte eingefüllt werden. Einige Beispiele sind bei J.W. Goodby et al., "Ferroelectrics Switching in the Tilted Smectic Phase of R-C-3-4-n-Hexyloxydenzylidene 4'-Am'no-(2-Chloropropyl) (innamate (HOBACPC))", Ferroelectrics 1984, Band 59, Seiten 126-136, japanische Patentveröffentlichungen Nr. sho 59-98051 und 118744 gezeigt.
  • Als ein in der Platte eingeschlossener FLC wird ein chiraler smektischer C-Flüssigkristall verwendet. Zwischen den zwei Substraten 3 und 7 weist der FLC eine molekulare Struktur auf, die aus einer Vielzahl von laminierten Schichten zusammengesetzt ist, von denen jede senkrecht zu dem Substrat 3 und 7 steht. In jeder Schicht tendieren die Moleküle des Flüssigkristalls dazu, in der gleichen Lage mit einer ferroelektrischen Polarisation P (elektrisches Dipolelement) senkrecht zu der Längsachse des Flüssigkristallmoleküls und auf der Schicht liegend, angeordnet zu sein. Die Längsachsen nehmen spontan einen bestimmten Neigungswinkel zu der Schichtnormalen ein.
  • Fig. 2 (A) zeigt eine Lichtdurchlässigkeit aufgetragen über einer Spannung über dem Flüssigkristall unter Bezugnahme auf passend polarisiertes Licht, das auf den FLC zwischen den Substraten 3 und 7 fällt. Mit Hilfe der an den FLC angrenzenden Oberfläche des Substrats zeigt der FLC Hysterese. Nämlich, wenn +15V (oder 3 · 10&sup4;V/cm) zwischen den Elektroden angelegt werden, erscheint der FLC transparent und weist die elektrische Polarisation auf (auf die nachfolgend im Zusammenhang mit "Auf"-Dipolen verwiesen wird). Beim Wegnehmen der Spannung bleibt die Durchsichtigkeit des FLC erhalten. Auf der anderen Seite ändert ein Anlegen einer umgekehrten Spannung, z. B. -15V, den Zustand des FLC in einen undurchsichtigen Zustand mit der entgegengesetzten elektrischen Polarisation (die "Ab"-Dipole im folgenden). Dieser undurchsichtige Zustand kann sogar beobachtet werden, nachdem die angelegte Spannung auf eine Vorwärtsspannung erhöht wurde, vorausgesetzt, die Vorwärtsspannung ist kleiner als die Koerzitivspannung Ec.
  • Nachdem die angelegte Spannung von -15V zu einem Vorwärtsniveau kleiner als die Koerzitivspannung Ec erhöht wurde, begünstigt die angelegte Spannung den "Auf"-Dipol, obwohl der FLC noch unter der Wirkung der angrenzenden Oberflächen der Substrate, die "Ab"-Dipole festgehalten hat. Eine geeignete äußere Störung kann die Dipole der Moleküle von "Auf" zu "Ab", wie in der Figur mit einer unterbrochenen Linie gezeigt ist, umkehren. In diesem Ausführungsbeispiel werden einige Domänen des FLC mit einem Lichtstrahl, insbesondere infrarotem Licht, bestrahlt, um selektiv durch äußere Einwirkung umgekehrt zu werden. Im folgenden wird der Zustand mit dem "Auf"-Dipol als "0"-Zustand und der Zustand mit dem "Ab"-Dipol als "1"-Zustand bezeichnet. Fig. 2 (B) zeigt die Charakteristiken des FLC in bezug auf darauf fallendes Licht, das in der Polarisationsebene senkrecht zu derjenigen von Fig. 2 (A) polarisiert ist.
  • Nun wird erklärt, wie Information auf die oben beschriebene Speicherplatte geschrieben wird oder Informationen von dieser gelöscht wird.
  • In dem Löschsystem 103 sind die Elektroden für äußere Kontakte 32 und 32' mit den Anschlüssen 31 und 31' der Leitungen 13 und 13', welche aus einer Steuereinrichtung 25 zum Ausführen der "Löschung" herausgeführt sind, verbunden. Eine ausreichende Spannung wird zwischen den gegenüberliegenden Elektroden 32 und 32' angelegt, um die FLC-Moleküle in einer Richtung, die sich auf den "0"-Zustand bezieht, vollständig überall auf der Platte auszurichten.
  • In diesem Zustand der Platte wird das "Schreiben" von Information auf die Platte unter Verwendung des Systems 101 durchgeführt. Das "Schreiben" wird nämlich durch Bestrahlen 25 einer vorbeschriebenen Adresse des FLC, dessen Moleküle in einer Richtung auf seiner gesamten Oberfläche angeordnet sind, mit einem Lichtstrahl unter Anwendung einer schwachen Spannung kleiner als Vc ausgeführt. Wenn die Wellenlänge 1-3 um beträgt, kann der FLC einen großen Teil der Lichtenergie absorbieren. Die geeignete Wellenlänge hängt von der angelegten Spannung ab. Zum Beispiel sind 10 V bei 1, 2 um oder 6 V bei 2 um geeignet. Auf diese Weise wird Information auf der Platte in Form eines Binärsystems aufgezeichnet.
  • Der Lichtstrahl wird von einer Lichtquelle 23 durch einen Halbspiegel 22 und ein System 21, wie z. B. eine Sammeloptik und eine automatische Nachführeinrichtung hindurch abgestrahlt. Nach Reflexion von der Platte erreicht dieser Lichtstrahl ferner über den Spiegel 22 einen Photosensor 9 und eine Lichtintensitätssteuereinrichtung 24. Dort wird überwacht, ob der Schreibprozeß im Gange ist.
  • Als nächstes wird der Leseprozeß beschrieben. Der Lichtstrahl aus einem Halbleiterlaser 12 trifft, nachdem er durch einen halbdurchlässigen Spiegel 2 und ein System 10, z. B. eine Sammeloptik und eine automatische Nachführeinrichtung, gelaufen ist, auf die optische Platte 10 als ein Strahl 16 auf. Dann wird das Licht von der Platte 10 als ein Strahl 16' reflektiert, sein Weg wird durch den Halbspiegel 2 aufgespaltet und er erreicht den Lichtempfangssensor 9 über eine polarisierende Platte 8.
  • Entsprechend der Orientierung des Flüssigkristalls, auf welchen das Licht auftrifft, ist das reflektierte Licht entweder in einer zu der Polarisationsebene der Platte 8 parallelen Ebene oder in einer nichtparallelen Ebene polarisiert. Obwohl, wenn der Neigungswinkel des Flüssigkristalls 45º beträgt, das auf die Platte 8 fallende Licht in einer zu der Polarisationsebene der Platte 8 parallelen oder normalen Ebene polarisiert worden ist, wird die Polarisation durch den Flüssigkristall gelegentlich nicht befriedigend sein, weil der Flüssigkristall, sogar bei vollständiger regelmäßiger Anordnung von Molekülen in der gleichen Lage, Lichtwellen nicht zwangsläufig vollständig polarisiert. Um das Polarisierungsvermögen eines solchen Flüssigkristalls zu verbessern, sind einige Additive verwendbar, so daß die Moleküle des Additivs zwischen den Molekülen des Flüssigkristalls angeordnet und ausgerichtet werden. Das Additiv fungiert als ein Polarisierer in Zusammenarbeit mit dem Flüssigkristall, während der Flüssigkristall die Orientierungslage bestimmt, welche die Moleküle von ihm selbst und des Additivs einnehmen müssen. Zum Beispiel ist als Additiv eine dichromatische Substanz, wie z. B. eine Antraquinonfarbe oder eine Azo-Verbindung wirksam. Die Polarisationskraft wird einer Absorptionsanisotropie zugeschrieben.
  • Ein Ausführungsbeispiel eines Speichersystems nach der vorliegenden Erfindung ist in der Fig. 3 gezeigt. Der Aufbau in dieser Figur ist mit Ausnahme des Verfahrens, wie das elektrische Feld angelegt wird, der gleiche wie bei dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel und daher werden redundante Erklärungen nicht wiederholt.
  • In diesem Fall wird eine Spannung für die optische Platte 10 direkt an ein Paar von Elektroden 31 und 31' an der Außenseite aus einer Hochspannungsquelle 25 gelegt, um dem FLC ein vorgeschriebenes elektrisches Feld einzuprägen. Die Elektroden 31 und 31' sind in enger Nachbarschaft zu der optischen Platte 10 angeordnet. Obwohl in der Figur die Elektroden 31 und 31' eine Länge aufweisen, welche nur einem Teil der Länge des Radius der Platte entspricht, könnte sie eine Länge gleich dem Radius haben. In dem ersteren Fall ist der elektrische Energieverbrauch reduziert. Im letzteren Fall wird auf eine Einrichtung zum radialen Abtasten der Platte 10 mit den Elektroden 31 und 31' von der Außenseite zu der Innenseite der Platte 10 oder umgekehrt verzichtet, und es ist möglich, die gesamte Oberfläche der Platte bei einer einzigen Drehung der Platte 10 zu löschen. Entsprechend diesem anderen Ausführungsbeispiel umfaßt die optische Platte 10 das Paar von Substraten 31 und 31', von denen eines durchlässig ist und ein anderes eine reflektierende Innenseite aufweist, und einen FLC zwischen den Substraten. In der Figur ist eine reflektierende Platte 6 auf der Glasplatte 7 vorgesehen. Obwohl die reflektierende Platte 6 nicht leitfähig sein muß, ermöglicht es die Verwendung einer leitfähigen Platte, die Elektrode 31' im Abstand zu der Platte anzuordnen.
  • Eine polarisierende Platte 8' kann zwischen dem Halbspiegel 2 und dem Laser 12 anstelle der Platte 8 vorgesehen werden. In dieser Modifikation wird das auf die Platte treffende Licht im voraus zugunsten von einem der bistabilen Zustände polarisiert.

Claims (4)

1. Ein Informationsschreib- und Leseverfahren, welches die Verfahrensschritte umfaßt:
Vorsehen eines optischen Plattenspeichers, welcher (a) ein Paar von Substraten, die parallel zueinander mit einem Abstand dazischen vorgesehen sind, wobei eines der Substrate transparent und das andere reflektierend ist, (b) eine zwischen den Substraten angeordnete chirale smektische Flüssigkristallschicht, in welcher Flüssigkristallmoleküle parallel zu den Substraten angeordnet sind, (c) ein Dichtungsteil, das an dem Rand des Substrats vorgesehen ist, um die Menge des Flüssigkristalls zwischen den Substraten einzuschließen, und (d) eine Einrichtung, um der Flüssigkristallmenge in bezug auf ein elektrisches Feld eine wahrnehmbare Hysterese zu verleihen, enthält;
Bestrahlen eines bestimmten Abschnitts der Flüssigkristallschicht unter Anwesenheit eines elektrischen Feldes, um den Zustand der Flüssigkristallschicht in dem Abschnitt zu verändern; und
Lesen von in dem optischen Plattenspeicher gespeicherter Information durch Richten von Licht auf den Abschnitt der Flüssigkristallschicht und Erfassen des durch die Flüssigkristallschicht getretenen Lichts zum Ermitteln des Zustands der Flüssigkristallschicht in dem Abschnitt, gekennzeichnet durch
Anlegen des elektrischen Feldes durch Elektroden, die an der Außenseite der Substrate angeordnet sind.
2. Das Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Vorsehen von Elektroden, die sich im wesentlichen über die Länge des Radius des Plattenspeichers erstrecken.
3. Das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Drehen des optischen Plattenspeichers um seine Mitte.
4. Das Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Bestrahlungsschritt ein Fokussieren des Lichts auf den bestimmten Abschnitt der Flüssigkristallschicht enthält.
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GB (2) GB2177227B (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5267224A (en) * 1985-08-07 1993-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal memory device including an organic ferroelectric layer
US4832456A (en) * 1986-03-04 1989-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal disc memory with circular grooves for auto-focusing of write-in beam
DE3752080T2 (de) * 1986-12-17 1998-01-22 Canon Kk Einrichtung, Verfahren und Gerät zur optischen Modulation
DE3752099T2 (de) * 1986-12-24 1997-11-13 Canon Kk Aufzeichnungsgerät und Wiedergabegerät
CN1013528B (zh) * 1987-05-09 1991-08-14 株式会社半导体能源研究所 铁电液晶数据存储卡
EP0307210A3 (de) * 1987-09-10 1991-05-15 Seiko Instruments Inc. Speicher-Schreibgerät
US5187298A (en) * 1990-05-18 1993-02-16 Basf Aktiengesellschaft Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on
US5187248A (en) * 1989-05-26 1993-02-16 Basf Aktiengesellschaft Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on
DE3930667A1 (de) * 1989-09-14 1991-03-28 Basf Ag Reversible oder irreversible erzeugung einer abbildung
KR910008463A (ko) * 1989-10-27 1991-05-31 로레인 제이. 프란시스 액정 셀을 사용하는 정보 기록 시스템
US5212027A (en) * 1990-05-18 1993-05-18 Basf Aktiengesellschaft Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on
DE4106353A1 (de) * 1991-02-28 1992-09-03 Basf Ag Reversible oder irreversible erzeugung einer abbildung
US6028835A (en) * 1998-11-03 2000-02-22 Thomas; Michael E. Integrated read/write head for ferroelectric optical storage

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL229107A (de) * 1957-06-27
US3775757A (en) * 1971-11-17 1973-11-27 Int Liquid Xtal Co Liquid crystal memory, system utilizing the memory and methods of constructing and operating such a memory
US4150396A (en) * 1974-09-06 1979-04-17 Thomson-Csf Erasable thermo-optic storage display of a transmitted color image
FR2292254A1 (fr) * 1974-11-21 1976-06-18 Thomson Csf Procede de visualisation a cristal liquide, dispositif de traitement de l'information appliquant ce procede
FR2296197A1 (fr) * 1974-12-24 1976-07-23 Thomson Csf Procede et dispositif utilisant un effet thermo-optique dans une couche mince en phase smectique pour la reproduction d'images avec memoire
FR2296198A1 (fr) * 1974-12-24 1976-07-23 Commissariat Energie Atomique Procede thermique de commande de proprietes optiques d'un cristal liquide et dispositifs mettant en oeuvre ledit procede
US4048628A (en) * 1976-07-28 1977-09-13 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for erasing scattering in storage-type liquid crystals by frequency sweeping
FR2373076A1 (fr) * 1976-12-03 1978-06-30 Thomson Csf Cellule a cristal liquide
US4221471A (en) * 1977-06-24 1980-09-09 Motorola, Inc. Liquid crystal memory device and method of utilizing same
JPS54121757A (en) * 1978-03-15 1979-09-21 Hitachi Ltd Liquid crystal display element
US4261650A (en) * 1978-12-18 1981-04-14 International Business Machines Corporation Method for producing uniform parallel alignment in liquid crystal cells
US4367924A (en) * 1980-01-08 1983-01-11 Clark Noel A Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device
DE3068983D1 (en) * 1980-01-10 1984-09-27 Noel A Clark Chiral smectic liquid crystal electro-optical device and process of making the same
US4405993A (en) * 1981-01-02 1983-09-20 Hewlett-Packard Company Liquid crystal disc memory system
JPS58173718A (ja) * 1982-04-07 1983-10-12 Hitachi Ltd 液晶光変調素子およびその製造方法
JPS59187324A (ja) * 1983-04-08 1984-10-24 Hitachi Ltd 光学装置
JPS59197485A (ja) * 1983-04-26 1984-11-09 Sony Corp 液晶表示装置
JPS59216177A (ja) * 1983-05-25 1984-12-06 株式会社日立製作所 情報保持装置
GB8324642D0 (en) * 1983-09-14 1983-10-19 Univ Manchester Liquid crystal storage device
US4585310A (en) * 1983-12-12 1986-04-29 International Business Machines Corporation Alignment layer orientation in raster scan thermally addressed smectic liquid crystal displays
US4622654A (en) * 1984-01-16 1986-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Liquid crystal light valve with memory
JPS60156043A (ja) * 1984-01-23 1985-08-16 Canon Inc カイラルスメクティック液晶素子
EP0153729B1 (de) * 1984-02-27 1989-05-10 TDK Corporation Optischer Aufzeichnungsträger
US4634228A (en) * 1984-05-01 1987-01-06 Hitachi, Ltd. Ferroelectric liquid crystal cell with rubbed polyimide alignment layer
DE3429438A1 (de) * 1984-08-10 1988-06-23 Basf Ag Optisches aufzeichnungsmedium
GB2181263B (en) * 1985-10-02 1989-09-27 Stc Plc Optical storage medium

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Publication number Publication date
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