JPS61292236A - 光デイスクメモリ装置の書き込み及び書き消し方式 - Google Patents
光デイスクメモリ装置の書き込み及び書き消し方式Info
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- JPS61292236A JPS61292236A JP60130189A JP13018985A JPS61292236A JP S61292236 A JPS61292236 A JP S61292236A JP 60130189 A JP60130189 A JP 60130189A JP 13018985 A JP13018985 A JP 13018985A JP S61292236 A JPS61292236 A JP S61292236A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00555—Erasing involving liquid crystal media
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
この発明は、書換可能な不揮発性メモリ作用を有する強
誘電性液晶（以下ＦＬＣという）を用いた。
誘電性液晶（以下ＦＬＣという）を用いた。
書換可能な光ディスク装置の書き込み及び書き消し方式
を提案することにある。
を提案することにある。
「従来の技術」
光ディスク装置は、コンパクトディスクに代表されるよ
うに、レーザ光の反射面を有する凹凸面での反射具合を
利用して書換不可能なディジタル式ディスクメモリ装置
が知られている。この応用はオーディオ用、ビデオ用の
みならず、情報処理用の光ディスクメモリ装置としてき
わめて将来を有望視されている。しかしこれらディスク
メモリは書換が不可能である。このため、書換を可能と
する方式が求められ、その代表例として光磁気メモリ装
置が知られている。さらに、カルコゲン系（テルル系）
を用いたアモルファス半導体の光ディスクメモリ装置も
知られている。
うに、レーザ光の反射面を有する凹凸面での反射具合を
利用して書換不可能なディジタル式ディスクメモリ装置
が知られている。この応用はオーディオ用、ビデオ用の
みならず、情報処理用の光ディスクメモリ装置としてき
わめて将来を有望視されている。しかしこれらディスク
メモリは書換が不可能である。このため、書換を可能と
する方式が求められ、その代表例として光磁気メモリ装
置が知られている。さらに、カルコゲン系（テルル系）
を用いたアモルファス半導体の光ディスクメモリ装置も
知られている。
「発明が解決したいとする問題点」
しかし光磁気メモリを用いたディスク装置はきわめて高
価かつ希少材料を用いており、将来の多量生産に不安を
残す。またカルコゲン系アモルファス半導体を用いた方
法は光の制御がきわめて微妙である。
価かつ希少材料を用いており、将来の多量生産に不安を
残す。またカルコゲン系アモルファス半導体を用いた方
法は光の制御がきわめて微妙である。
これらより、本来多量生産し得る材料を用いること、光
のオン、オフがより容易に行い得ること、不揮発性を有
し、メモリをストア（保持）する時、何等の外部エネル
ギを必要としないこと、等の機能を有する手段が求めら
れていた。
のオン、オフがより容易に行い得ること、不揮発性を有
し、メモリをストア（保持）する時、何等の外部エネル
ギを必要としないこと、等の機能を有する手段が求めら
れていた。
本発明はかかる問題点を解決するものである。
「問題を解決するための手段」
かかる問題を解決するため、本発明は液晶材料としてス
メクチックＣ相（ＳｍＣ’″）を呈する強誘電性液晶（
ＦＬＣという）を用いた。即ちセルの間隔を４μｍまた
はそれ以下とすることによりこの液晶は双安定状態を得
ることができる。そしてかかる薄いセルに等方性の液晶
状態で液晶を混入し、温度降下させ、ＳＩＩ＋八を得、
さらに双安定なＳｍＣ”になる。
メクチックＣ相（ＳｍＣ’″）を呈する強誘電性液晶（
ＦＬＣという）を用いた。即ちセルの間隔を４μｍまた
はそれ以下とすることによりこの液晶は双安定状態を得
ることができる。そしてかかる薄いセルに等方性の液晶
状態で液晶を混入し、温度降下させ、ＳＩＩ＋八を得、
さらに双安定なＳｍＣ”になる。
するとらせん構造をとくことができる。かかるＳｍＣ”
に電圧を印加すると、分子が一方向に並び、その角度は
約＋４５＠（度）を得ることができる。また逆の電圧を
印加すると逆に約−４５６を得ることができる。そして
この２つの状態は電圧を切っても変化しない不揮発性を
有し、かつ互いに約９０°の角度を有する。本発明はか
かる約９０６のチルト角を有する不揮発性メモリ作用を
用いている。
に電圧を印加すると、分子が一方向に並び、その角度は
約＋４５＠（度）を得ることができる。また逆の電圧を
印加すると逆に約−４５６を得ることができる。そして
この２つの状態は電圧を切っても変化しない不揮発性を
有し、かつ互いに約９０°の角度を有する。本発明はか
かる約９０６のチルト角を有する不揮発性メモリ作用を
用いている。
本発明の光ディスクはそれぞれが電極を有する一対の基
板をその内側に非対称配向面を有する表面を互いに対抗
せしめ、その面間に前記した５ＩＩＩＣ”のＦＬＣを充
填する。
板をその内側に非対称配向面を有する表面を互いに対抗
せしめ、その面間に前記した５ＩＩＩＣ”のＦＬＣを充
填する。
本発明の光ディスクは２方式を提案し得る。
その第１の方式は一対の基板の内側にそれぞれ電極を有
し、この電極の表面に非対称配向膜を有せしめてＰＬＣ
を挾んだものである。
し、この電極の表面に非対称配向膜を有せしめてＰＬＣ
を挾んだものである。
他の第２の方式は、一対の基板の一方の内側に反射板を
有し、この反射板と他の基板の一面との間で非対称配向
処理を施しＦＬＣを挟んだものである。この方式におい
ては光ディスクの内部に電極を有さない。
有し、この反射板と他の基板の一面との間で非対称配向
処理を施しＦＬＣを挟んだものである。この方式におい
ては光ディスクの内部に電極を有さない。
本発明においては、セルを構成する一対の基板（光の入
射側を対抗電極、内部側（奥側）を単に基板という）と
その内側に配設されている電極（光の入射側の電極を対
抗電極、内部側を単に電極という）さらにＦＬＣにその
一方が密接する内表面を配向処理せしめている。
射側を対抗電極、内部側（奥側）を単に基板という）と
その内側に配設されている電極（光の入射側の電極を対
抗電極、内部側を単に電極という）さらにＦＬＣにその
一方が密接する内表面を配向処理せしめている。
特に本発明は、この光ディスクに対し光ビーム特に好ま
しくは半導体レーザ光を反射する層を有する。さらにこ
の光ビームの反射板は１つの電極機能を併用構成せしめ
得る。
しくは半導体レーザ光を反射する層を有する。さらにこ
の光ビームの反射板は１つの電極機能を併用構成せしめ
得る。
その場合、第１の方式においては、入射光の経路はレー
ザ光源よりハーフミラ−を経て対抗基板、対抗電極、Ｆ
ＬＣ、反射性電極、さらにここで反射され、逆の経路を
辿る。そして反射光はハーフミラ−にて反射され、偏光
板を経てフォトセンサに至る。
ザ光源よりハーフミラ−を経て対抗基板、対抗電極、Ｆ
ＬＣ、反射性電極、さらにここで反射され、逆の経路を
辿る。そして反射光はハーフミラ−にて反射され、偏光
板を経てフォトセンサに至る。
また第２の方式においては、入射光の経路はレーザ光源
よりハーフミラ−を経て対抗基板、ＦＬＣ１反射面、さ
らにその逆の経路を経て反射光がハーフミラ−にて反射
され偏光板を経てフォトセンサに至る。
よりハーフミラ−を経て対抗基板、ＦＬＣ１反射面、さ
らにその逆の経路を経て反射光がハーフミラ−にて反射
され偏光板を経てフォトセンサに至る。
そしてＦＬＣの位相と偏光板の位相との位相差が合致し
た場合、透光性となる。しかしこのビーム光が偏光板と
その位相角をずらせていると非透過または難透過となる
。その結果、偏光板からの透過量が十分なコントラスト
を有するならば、光が照射された番地のｒＯＪ、ｒｌＪ
の判定が可能となる。
た場合、透光性となる。しかしこのビーム光が偏光板と
その位相角をずらせていると非透過または難透過となる
。その結果、偏光板からの透過量が十分なコントラスト
を有するならば、光が照射された番地のｒＯＪ、ｒｌＪ
の判定が可能となる。
かかる光ディスクの記憶の「書消し」 「書き込み」及
び「読み出し」を以下に概説する。
び「読み出し」を以下に概説する。
即ち記憶の「書消し」はこのＦＬＣに正または負の所定
の電界をこのディスクの基板の内部側または外部側より
ＦＣＣに加えることにより実施する。
の電界をこのディスクの基板の内部側または外部側より
ＦＣＣに加えることにより実施する。
また所定の番地の「書き込み」はディスクの回転速度及
び中央部よりの所定の距離に対しＰＬＯの初期のチルト
角をみだす程度に強いビーム光または熱を照射する。す
るとその番地のみはＦＬＣのチルト角を初期の状態例え
ば＋４５″より−４５°またはその他初期の状態と異な
る角度に配される。がくすることにより初期状態を「０
」とするならば、光照射により「１」とすることができ
る。
び中央部よりの所定の距離に対しＰＬＯの初期のチルト
角をみだす程度に強いビーム光または熱を照射する。す
るとその番地のみはＦＬＣのチルト角を初期の状態例え
ば＋４５″より−４５°またはその他初期の状態と異な
る角度に配される。がくすることにより初期状態を「０
」とするならば、光照射により「１」とすることができ
る。
この書き込み情報のすべての書消しを行うにはＦＬＣに
対し垂直方向に電界を加えるが、この電界を内部より加
える場合、光ディスクの内部にＦＬｃを挟んで設けられ
た一対の電極に前記した「書消し」と同じ極性の電圧を
印加すればよい。即ちこのビット単位の書き込みおよび
ディスク全面の書消しを繰り返し行うことができる。
対し垂直方向に電界を加えるが、この電界を内部より加
える場合、光ディスクの内部にＦＬｃを挟んで設けられ
た一対の電極に前記した「書消し」と同じ極性の電圧を
印加すればよい。即ちこのビット単位の書き込みおよび
ディスク全面の書消しを繰り返し行うことができる。
また、電界を一対の基板の外部側より印加する第２の方
式の場合は、内部に電極を有さない光ディスクを挟んで
電界を印加する一対の電極を配設する。そしてこの電極
より光ディスクの全面または一部に対し電界を加え、Ｆ
ＬＣの全部または一部に再配列させて「書き消し」を行
う。
式の場合は、内部に電極を有さない光ディスクを挟んで
電界を印加する一対の電極を配設する。そしてこの電極
より光ディスクの全面または一部に対し電界を加え、Ｆ
ＬＣの全部または一部に再配列させて「書き消し」を行
う。
記憶の「読み出し」は前記した如く、半導体レーザの所
定の番地に対し光ビーム例えばレーザ光を照射しその反
射光を偏光板を介してフォトセンサにて検出する。
定の番地に対し光ビーム例えばレーザ光を照射しその反
射光を偏光板を介してフォトセンサにて検出する。
「作用」
かくすることにより、
（１）偏向板をフォトセンサ部に配設し、その板が１枚
のため光の損失を少なくできる。
のため光の損失を少なくできる。
（２）光ディスクの上面、下面に偏光板を設ける必要が
なく、取扱が容易にできる。
なく、取扱が容易にできる。
（３）反射板（第１の方式の一方の電極）が大気に触れ
ないため、酸化されることなく、反射率を高く保つこと
ができる。
ないため、酸化されることなく、反射率を高く保つこと
ができる。
（４）不揮発性メモリとしてＦＬＣを用いるため、メモ
リの「書き込み」を高スピード（マイクロ秒のオーダ）
で実施可能であり、また「書消し」はディスクの全面に
対し瞬時に行い得る。
リの「書き込み」を高スピード（マイクロ秒のオーダ）
で実施可能であり、また「書消し」はディスクの全面に
対し瞬時に行い得る。
書換プロセスでの繰り返しによる疲労が本質的にない。
（５） ＦＬＣの使用材料が特殊な元素材料を用いるこ
となくかつ部品点数が少ないため安価であることを期待
できる。
となくかつ部品点数が少ないため安価であることを期待
できる。
（６） ＦＬＣを用いるため不揮発性であり、その記憶
保持のため新たなエネルギを必要とせず、省エネルギで
ある。
保持のため新たなエネルギを必要とせず、省エネルギで
ある。
（７）書換に伴うＦＬＣの２つのチルト角は互いに約９
０″異なり、それはＦＬＣ固有であるため劣化が本質的
にないことが期待できる。
０″異なり、それはＦＬＣ固有であるため劣化が本質的
にないことが期待できる。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」
第１図は第１の方式を用いた本発明の光ディスクメモリ
装置を示す。
装置を示す。
第１の系（１００）は情報の「読み出しｊ用であり第２
の系（１０１）は情報の「書き込み」用である。
の系（１０１）は情報の「書き込み」用である。
また（１０３）は情報の「書消し」用である。ディスク
は（１０）により示す。
は（１０）により示す。
光ディスクは一対の対抗基板（３）及び基板（７）を有
する。一方の対抗基板（３）は少なくとも透光性である
。さらにその一対の基板の内側には一対の電極（４）
、 （６）を有する。そして対抗電極（４）は透光性を
有し、また電極（６）は反射性を有する。
する。一方の対抗基板（３）は少なくとも透光性である
。さらにその一対の基板の内側には一対の電極（４）
、 （６）を有する。そして対抗電極（４）は透光性を
有し、また電極（６）は反射性を有する。
さらにその一対の電極の一方に配向処理がなされ他方に
非配向処理がなされている。さらにその電極間にはＦＬ
Ｃ（５）が充填される。
非配向処理がなされている。さらにその電極間にはＦＬ
Ｃ（５）が充填される。
この光ディスクは周辺をＦＬＣが大気に触れないように
封止（３０） 、 （３０”）されている。この光ディ
スク（１０）の内側周辺側には一対の電極（４） 、
（６）より延在した外部コンタクト用電極（３２） 、
（３２″）を有する。。この外部コンタクト用電極（
３２） 、 （３２’ ）は、記憶の書消しく１０３）
の際その信号源（２５）より導出したリード（１３）、
（１３’）の端子（３１） 、 （３１’）と接続され
「書消し」を行わせる。
封止（３０） 、 （３０”）されている。この光ディ
スク（１０）の内側周辺側には一対の電極（４） 、
（６）より延在した外部コンタクト用電極（３２） 、
（３２″）を有する。。この外部コンタクト用電極（
３２） 、 （３２’ ）は、記憶の書消しく１０３）
の際その信号源（２５）より導出したリード（１３）、
（１３’）の端子（３１） 、 （３１’）と接続され
「書消し」を行わせる。
かくして全面が「０」の状態のディスクに対し情報の「
書き込み」を系（１０１）を用いて行う、即ち全面に一
方向に配設したＦＬＣに対し光ビーム特に赤外線を（２
３）よりハーフミラ−（２２）を経て集光光学系、位置
補正等の系（２１）を経て所定の番地に対し光を照射（
２５） Ｌ、所定の番地の位相を初期状態よりずらすこ
とにより書き込みを行う。さらにその光はハーフミラ−
（２２）を経てフォトセンサ（９：に至る。ここで情報
の書き込みが行われていることをモニタする。その際適
量の光強度となるように（２４）にて補正をする。
書き込み」を系（１０１）を用いて行う、即ち全面に一
方向に配設したＦＬＣに対し光ビーム特に赤外線を（２
３）よりハーフミラ−（２２）を経て集光光学系、位置
補正等の系（２１）を経て所定の番地に対し光を照射（
２５） Ｌ、所定の番地の位相を初期状態よりずらすこ
とにより書き込みを行う。さらにその光はハーフミラ−
（２２）を経てフォトセンサ（９：に至る。ここで情報
の書き込みが行われていることをモニタする。その際適
量の光強度となるように（２４）にて補正をする。
情報の「読み出し」に関しては系（１００）を用いる。
即ち、半導体レーザ（１２）よりの光ビームはハーフミ
ラ−（２）をへて集光光学系、位置の補正（オートトラ
ッキング装置）（１１）を経て、光ディスク（１０）に
光（１６）を入射する。さらにこの光ディスク（１０）
より光が（１６°）として反射し、ハーフミラ−（２）
により光路を分離し偏光板（８）を経て受光センサ（９
）に至る。
ラ−（２）をへて集光光学系、位置の補正（オートトラ
ッキング装置）（１１）を経て、光ディスク（１０）に
光（１６）を入射する。さらにこの光ディスク（１０）
より光が（１６°）として反射し、ハーフミラ−（２）
により光路を分離し偏光板（８）を経て受光センサ（９
）に至る。
この光ディスクに関し以下にさらに具体的に示す。
即ちプラスチック基板またはコーニング７０５９ガラス
基板（７）を用いた。この基板上に反射性電極としてア
ルミニュームを真空蒸着法により一方の電極（６）とし
た。また他方の対抗電極として透光性導電膜（４）をプ
ラスチック基板またはガラス基板（対抗基板）（３）上
に形成する。この透光性導電膜（４）としてはＩＴＯ（
酸化インジューム・スズ）を用いた。そしてこの一対の
電極（６）、対抗電極（４）の内側に非対称配向膜（図
示せず）を設け、スペーサ（図示せず）を介在させる。
基板（７）を用いた。この基板上に反射性電極としてア
ルミニュームを真空蒸着法により一方の電極（６）とし
た。また他方の対抗電極として透光性導電膜（４）をプ
ラスチック基板またはガラス基板（対抗基板）（３）上
に形成する。この透光性導電膜（４）としてはＩＴＯ（
酸化インジューム・スズ）を用いた。そしてこの一対の
電極（６）、対抗電極（４）の内側に非対称配向膜（図
示せず）を設け、スペーサ（図示せず）を介在させる。
これらによりＦＬＣ（厚さ１．５μ）（５）を挟んであ
る。配向処理として対抗電極（４）上にはＰＡＮ （ポ
リアクリルニトリル）。
る。配向処理として対抗電極（４）上にはＰＡＮ （ポ
リアクリルニトリル）。
ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）を０．１μの厚さに
スピン法により設け、公知のラビング処理をした。
スピン法により設け、公知のラビング処理をした。
ラビング処理の一例として、ナイロンをラビング装置に
９００ ＰＰＭで回転させ、その表面を２ｍ／分の速度
で基板を移動させて形成した。即ち一方の電極（６）上
には無機化合物の膜を形成してラビング処理を行わない
配向膜とし、他方の電極（４）には有機化合物の膜を形
成しラビング処理を行った。
９００ ＰＰＭで回転させ、その表面を２ｍ／分の速度
で基板を移動させて形成した。即ち一方の電極（６）上
には無機化合物の膜を形成してラビング処理を行わない
配向膜とし、他方の電極（４）には有機化合物の膜を形
成しラビング処理を行った。
配向処理層の間にはＰＬＣ例えばＳ８（オクチル・オキ
シ・ベンジリデン・アミノ・メチル・ブチル・ベンゾエ
イト）を充填した。これ以外でもＢＯＢＡＭＢＣ等のＦ
ＬＣまたは複数のブレンドを施したＦＬＣを充填し得る
。このＦＬＣのしきい値特性例を第２図に示す。図面で
も±５ｖ加えることにより、曲線（２９） 。
シ・ベンジリデン・アミノ・メチル・ブチル・ベンゾエ
イト）を充填した。これ以外でもＢＯＢＡＭＢＣ等のＦ
ＬＣまたは複数のブレンドを施したＦＬＣを充填し得る
。このＦＬＣのしきい値特性例を第２図に示す。図面で
も±５ｖ加えることにより、曲線（２９） 。
（２９’）を得、透過、非透過をさせ得、十分反転させ
るとともにメモリ効果を示すヒステリシスを得ることが
判明した。
るとともにメモリ効果を示すヒステリシスを得ることが
判明した。
第２図において縦軸は透過率である。
「実施例２」
この実施例は第３図に示すが、第２の書き消し方式を用
いた本発明の光ディスクメモリ装置を示す。
いた本発明の光ディスクメモリ装置を示す。
図面において、情報の書き消し用の方式のみが異なり、
他は実施例１と同様である。
他は実施例１と同様である。
即ち、光ディスク（１０） （円形の縦断面図を示す）
は一対の基板（３）及び（７）を有する。この一方の対
抗基板（３）は透光性である。この対抗基板上面と他の
基板（７）上（図面では下側）に設けられた反射板（６
）の表面の間に非対称配向処理を施す。
は一対の基板（３）及び（７）を有する。この一方の対
抗基板（３）は透光性である。この対抗基板上面と他の
基板（７）上（図面では下側）に設けられた反射板（６
）の表面の間に非対称配向処理を施す。
さらにこの処理面の内側にＦＬＣ（５）が実施例１と同
様に充填されている。
様に充填されている。
この光ディスク（１０）は周辺部を（３０） 、 （３
０“）で封止されている。
０“）で封止されている。
この光ディスク（１０）に対し、一対の電極（３１）
。
。
（３１”）に外部より高圧発生源（２５）よりＦＬＣに
対し所定の電界を配すべく直接電圧を印加する。
対し所定の電界を配すべく直接電圧を印加する。
この時、電界の印加端子（３１） 、 （３１’）は光
ディスク（１０）の外側に近接（図面では外部より加え
ることを明示するため少し離れさせている）せしめてい
る。この端子（３１） 、 （３１”）がディスクの半
径方向の長さを有する場合は光ディスクを一回転させ、
全面消去を行い得る。また、一部のみとするならば、一
対の電界を局部消去し得る。この場合はディスクを回転
しつつ外側から内側またはその逆に端子（３１）を走査
して、ディスクの全面を消去し得る。図面において端子
（３１’）は反射板（６）が導体である場合、下側の端
子（３１）の真上にある必要は必ずしもない。
ディスク（１０）の外側に近接（図面では外部より加え
ることを明示するため少し離れさせている）せしめてい
る。この端子（３１） 、 （３１”）がディスクの半
径方向の長さを有する場合は光ディスクを一回転させ、
全面消去を行い得る。また、一部のみとするならば、一
対の電界を局部消去し得る。この場合はディスクを回転
しつつ外側から内側またはその逆に端子（３１）を走査
して、ディスクの全面を消去し得る。図面において端子
（３１’）は反射板（６）が導体である場合、下側の端
子（３１）の真上にある必要は必ずしもない。
かかる第２の方式において、端子（３１） 、 （３１
’）が外部側に設けられる場合、直接ＦＬＣに対し密接
していない。しかし、ＦＬＣの書き消しに必要な電力損
失として第２図に示される如きヒステリシスループの面
積（縦軸が電束密度Ｄ、横軸が電界強度Ｅとした時の面
積）と等価であり、きわめて小さいため、その電力損を
補う程度に端子（３１）に近接した対抗基板（３）が弱
い導電性を有すれば十分である。
’）が外部側に設けられる場合、直接ＦＬＣに対し密接
していない。しかし、ＦＬＣの書き消しに必要な電力損
失として第２図に示される如きヒステリシスループの面
積（縦軸が電束密度Ｄ、横軸が電界強度Ｅとした時の面
積）と等価であり、きわめて小さいため、その電力損を
補う程度に端子（３１）に近接した対抗基板（３）が弱
い導電性を有すれば十分である。
かくして光ディスクのＦＬＣを所定の角度に配向せしめ
、全面が「０」の状態のディスクに対し情報の書き込み
を実施例１と同様に行う。また実施例１と同様に読み出
しを行った。
、全面が「０」の状態のディスクに対し情報の書き込み
を実施例１と同様に行う。また実施例１と同様に読み出
しを行った。
「効果」
以上の説明より明らぶな如く、本発明の光ディスクメモ
リ装置はＦＬＣを用いるため書換回数が比較的多い場合
に特に有効である。そして書換のスピードも究めて瞬時
に行い得る特長を有する。
リ装置はＦＬＣを用いるため書換回数が比較的多い場合
に特に有効である。そして書換のスピードも究めて瞬時
に行い得る特長を有する。
本発明の光学系は「読み出し」と「書き込み」とを異な
る光学系を用いた。しかし、他の方式としてジグ（２１
）を略し、光＃（２３）よりの光をハーフミラ−等によ
り光路（１６） 、 （１６’）と同じとし得ることは
可能である。しかしこの場合は「書き込み」と「読み出
し」の光量が１０倍近く異なるため、部品点数は少なく
なるが光路設計が面倒になる欠点を有する。
る光学系を用いた。しかし、他の方式としてジグ（２１
）を略し、光＃（２３）よりの光をハーフミラ−等によ
り光路（１６） 、 （１６’）と同じとし得ることは
可能である。しかしこの場合は「書き込み」と「読み出
し」の光量が１０倍近く異なるため、部品点数は少なく
なるが光路設計が面倒になる欠点を有する。
さらに本発明を一部修正した方式として「書き消し」は
全面に所定の電界を印加（例えば正電界）して行う。ま
た「書き込み」の際、光源（２５）よりの光ビームに加
えて補助的に系（１０３）より弱い逆電界（例えば負電
界）を加え、光ビーム（２５）の照射されている番地の
反転を助長する方式をとることは有効である。
全面に所定の電界を印加（例えば正電界）して行う。ま
た「書き込み」の際、光源（２５）よりの光ビームに加
えて補助的に系（１０３）より弱い逆電界（例えば負電
界）を加え、光ビーム（２５）の照射されている番地の
反転を助長する方式をとることは有効である。
するとこの光エネルギが加えられた部分の配向光のみの
場合に比べ、弱い光量で約＋４５°以外の角度の大きな
角度変化例えばＯ〜−２０または３０＠でなく代表的に
は約−４５’（−４５”±５６以内）となりその番地を
十分非透過とし得る。
場合に比べ、弱い光量で約＋４５°以外の角度の大きな
角度変化例えばＯ〜−２０または３０＠でなく代表的に
は約−４５’（−４５”±５６以内）となりその番地を
十分非透過とし得る。
かかる方式において、書換は光学方式のため、メモリ容
量がきわめて大きいという特長を有する。
量がきわめて大きいという特長を有する。
本発明の実質的応用は単に民生用のコンパクトディスク
のみならず、大容量のファイルメモリに対しても有効で
ある。またディスクも円形状で回転方式であるが、ディ
スクを固定し、光路を移動させる方式等の応用も可能で
ある・
のみならず、大容量のファイルメモリに対しても有効で
ある。またディスクも円形状で回転方式であるが、ディ
スクを固定し、光路を移動させる方式等の応用も可能で
ある・
第１図は本発明の光ディスクメモリ装置の概略を示す。
第２図は強誘電性液晶の動作特性を示す。
第３図は本発明の他の光ディスクメモリの概略を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不揮発性メモリ作用を有する強誘電性液晶を用いた
光ディスクメモリにおいて、書き消しを前記液晶に垂直
方向に電界を印加することにより行うとともに、書き込
みを光または熱ビームを所定の番地に照射して行うこと
を特徴とする光ディスク装置の書き込み及び書き消し方
式。 ２、特許請求の範囲第１項において、光ディスクメモリ
に加えられる電界は、電極を有する面を内側に対抗させ
た一対の基板と一対の前記電極間に不揮発性メモリ作用
を有する強誘電性液晶を介在せしめた光ディスクメモリ
における前記電極間に電圧を印加して行わしめることを
特徴とする光ディスク装置の書き込み及び書き消し方式
。 ３、特許請求の範囲第２項において、一対の電極は基板
の内側周辺に設けられた一対の外部接続用電極より印加
せしめることを特徴とする光ディスク装置の書き込み及
び書き消し方式。 ４、特許請求の範囲第１項において、光ディスクメモリ
に加えられる電界は、非対称配向処理を行った基板内表
面と反射表面間に不揮発性メモリ作用を有する強誘電性
液晶を介在せしめた光ディスクメモリに対しディスクの
外側より前記液晶に対し垂直方向に電界を印加すること
を特徴とする光ディスク装置の書き込み及び書き消し方
式。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130189A JPS61292236A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 光デイスクメモリ装置の書き込み及び書き消し方式 |
| DE3689699T DE3689699T2 (de) | 1985-06-14 | 1986-06-13 | Optischer Plattenspeicher mit Flüssigkristall. |
| GB8614480A GB2177228B (en) | 1985-06-14 | 1986-06-13 | Non-volatile liquid crystal optical storage device |
| GB8614479A GB2177227B (en) | 1985-06-14 | 1986-06-13 | Optical non-volatile liquid crystal memory |
| EP86108132A EP0205187B1 (en) | 1985-06-14 | 1986-06-13 | Optical disc memory with liquid crystal |
| DE3650079T DE3650079T2 (de) | 1985-06-14 | 1986-06-13 | Verfahren zum Schreiben und Lesen mit einem einen Flüssigkristall enthaltenden optischen Plattenspeicher. |
| EP86108134A EP0205188B1 (en) | 1985-06-14 | 1986-06-13 | An information writing and reading method comprising an optical disc memory with liquid crystal |
| US07/108,992 US4845695A (en) | 1985-06-14 | 1987-10-08 | Optical disk memory system utilizing a chiral smectic liquid crystal |
| US07/166,798 US4855976A (en) | 1985-06-14 | 1988-03-03 | Information writing method for an optical disc memory system utilizing a smectic chiral liquid crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130189A JPS61292236A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 光デイスクメモリ装置の書き込み及び書き消し方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292236A true JPS61292236A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15028202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130189A Pending JPS61292236A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 光デイスクメモリ装置の書き込み及び書き消し方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145399A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光メモリー |
| EP0473056A2 (en) * | 1990-08-27 | 1992-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image formation apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120235A (en) * | 1981-12-04 | 1982-10-30 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Storage device |
| JPS58125247A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-26 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS60178092A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP60130189A patent/JPS61292236A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120235A (en) * | 1981-12-04 | 1982-10-30 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | Storage device |
| JPS58125247A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-26 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS60178092A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145399A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光メモリー |
| EP0473056A2 (en) * | 1990-08-27 | 1992-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image formation apparatus |
| US5245438A (en) * | 1990-08-27 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image formation apparatus having selective erasing capability |
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