DE3629185A1 - Transistorschutzschaltung - Google Patents
TransistorschutzschaltungInfo
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- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
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Description
Die Erfindung betrifft eine Transistorschutzschaltung,
insbesondere eine verbesserte Transistorschutzschaltung,
die einen Transistor vor einer Zerstörung durch eine über
mäßig starke Zunahme eines Stroms in einer von dem Tran
sistor gesteuerten Last schützt.
Fig. 5 zeigt eine Schaltung, in der an den Kollektor eines
Transistors 511 eine Last 513 angeschlossen ist. Der Kollek
tor des Last-Treibertransistors 511 empfängt über die Last
513 von einer Spannungsquelle 515 eine Spannung. Die Basis
des Transistors 511 empfängt über einen Widerstand 513
eine Eingangsspannung.
Wenn aus irgendeinem Grund die Last 513 kurzgeschlossen wird,
fließt zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors
511 ein starker Strom, der den Transistor 511 zerstört.
Als Gegenmaßnahme kann man eine Sicherung in Reihe zu
der Last 513 schalten, um eine Zerstörung des Transistors
zu verhindern. Allerdings beträgt die Zeit bis zu einer
durch die Sicherung verursachten Stromunterbrechung bei
einem übermäßigen Strom mehrere Sekunden, und die Schaltung
wird nicht dadurch wieder funktionsfähig, daß man lediglich
die Ursache des Kurzschlusses erfaßt, sondern man muß
auch die durchgebrannte Sicherung durch eine neue Sicherung
ersetzen.
In einer in Fig. 6 gezeigten Schaltung befindet sich zwischen
dem Emitter des Transistors 511 und Masse (Gemeinschaftspoten
tialleitung) ein Widerstand 611, der die Zerstörung
des Treibertransistors 511 ver
hindern soll. Wenn die Last 513 kurzgeschlossen wird,
erhöht sich der Spannungsabfall am Widerstand 611,
jedoch bleibt der durch den Transistor 511 fließende
Strom aufgrund der Rückkopplung zu der Basis im wesent
lichen konstant (Konstant-Stromschaltung). Allerdings
erfolgt bei dieser Schaltung eine starke Stromaufnahme
in dem Transistor 511, so daß ein groß bemessener Kühl
körper und/oder ein starker Transistor im Hinblick auf
die Kapazität der Last vorgesehen werden muß.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Transistor
schutzschaltung einfachen Aufbaus zu schaffen, die nicht
nur einen Transistor vor Zerstörung bewahrt sondern
außerdem die Fortsetzung des Betriebs gestattet, indem
lediglich die Ursache des Kurzschlusses in der von dem
Transistor gesteuerten Last beseitig wird.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene
Erfindung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung
anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 bis 4 Schaltungsskizzen von Ausführungsformen
der Erfindung, und
Fig. 5 und 6 Schaltungsskizzen zur Veranschaulichung
bereits konzipierter Schaltungen.
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, bei der
ein NPN-Bipolartransistor 111 als Last-Treibertransistor
verwendet wird. Zwischen der Basis des Transistors 111
und Masse liegt ein Thyristor 113. Seine Anode ist an die
Basis des Transistors, und seine Kathode ist an Masse
angeschlossen. Zwischen der Steuer- oder Zündelektrode
(Gate) des Thyristors 113 und den Emitter des Transistors
111 ist eine Diode 115 geschaltet, deren Anode an den
Emitter des Transistors 111, und deren Kathode an das
Gate des Thyristors 113 angeschlossen ist. Die anderen
Teile in Fig. 1 sind identisch mit den entsprechenden
Teilen in den Fig. 5 und 6, die die gleichen Bezugs
zeichen besitzen.
Die oben beschriebene Schaltung arbeitet wie folgt:
Im Normalbetrieb der Schaltung wird eine Eingangsspannung
über den Widerstand 517 an die Basis des Transistors 111
gelegt, und dementsprechend wird die Last 513 von einem
Strom durchflossen. Der Thyristor 113 ist dabei ausge
schaltet.
Im Störfall, d.h. wenn die Last 513 aus irgendeinem Grund
kurzgeschlossen wird, fließt ein starker Strom durch die
Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 111 und den
Widerstand 611. Wenn die Spannung an den beiden Anschlüssen
des Widerstands 611 die Gate-Spannung des Thyristors 113
(die Summe der Zündgatespannung des Thyristors 113 und der
Durchlaßspannung der Diode 115) übersteigt, zündet der
Thyristor 113. Aufgrund des durch den Thyristor 113 be
wirkten Schaltvorgangs von "AUS" auf "EIN" fließt der
in die Basis des Transistors 111 eingespeiste Strom jetzt
in den Thyristor 113. Dies hat zur Folge, daß der Basis
strom, der notwendig ist, um den Transistor 111 leitend
zu halten, nicht mehr fließt und deshalb der Transistor
111 sperrt.
Der Ablauf, durch den der Transistor 111 in den nicht
leitenden Zustand gelangt, benötigt nur sehr kurze Zeit,
z. B. einige Mikrosekunden, in der eine Zerstörung des
Transistors 111 ebenso wenig möglich ist wie eine
nennenswerte Erwärmung des Widerstands 611.
Die Diode 115 blockiert einen Strom vom Gate des Thyristors
113 zu dem Widerstand 611, nachdem der Thyristor 113
gezündet hat, so daß die Anoden-Gate-Spannung zu keiner Zeit
durch den vom Gate des eingeschalteten Thyristors 113
kommenden Strom erhöht wird. Die Anoden-Kathoden-Spannung
nimmt nicht zu, und die Basisspannung des Transistors 111
steigt niemals auf einen Wert an, bei dem der Transistor
111 leitend werden könnte. Nachdem die Ursache des Kurz
schlusses beseitigt ist, wird die Last 513 wieder normal
angesteuert, nachdem das Eingangssignal vorübergehend
beseitigt und dann wieder angelegt wird.
Fig. 2 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung,
die sich gegenüber der Ausführungsform nach Fig. 1
durch eine umgekehrte Polarität unterscheidet. Ein Treiber
transistor 211 ist hier ein PNP-Transistor, der Thyristor ist
ein N-Kanal-Gate-Thyristor 213 (PUT), und die Diode 215
ist mit umgekehrter Polarität geschaltet. Die Spannungs
quelle 217 liefert eine negative Spannung.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung,
die sich von der Ausführungsform nach Fig. 1 dadurch
unterscheidet, daß zum Ansteuern der Last ein Feldeffekt
transistor 311 verwendet wird.
Bei der Ausführungsform
nach Fig. 4 besteht der Unterschied zu der Ausführungs
form nach Fig. 1 darin, daß anstelle des Thyristors als
Schaltelement in einer Eingangsstufe der Schaltung ein
Flipflop 411 verwendet wird. Wie in Fig. 4A gezeigt ist,
empfangen der T-Eingangsanschluß und der S-Eingangsan
schluß des Flipflops 411 individuell eine Eingangsspannung
V i bzw. eine Emitterspannung V e , und die Diode 413 ist
zwischen die Basis des Transistors und den -Ausgangs
anschluß gelegt.
Wie aus den Signaldiagrammen in den Fig. 4B bis 4D
hervorgeht, steigt die Spannung über den beiden Anschlüssen
des Widerstands 611 (Emitterspannung V e ) an, wenn nach
Zuführen der Eingangsspannung V i (Zeitpunkt t 1) ein auf einen
Kurzschluß in der Last 513 zurückzuführender abnormaler
Strom fließt (Zeitpunkt t 2). Das normalerweise im Rück
setzzustand befindliche Flipflop 411 gelangt hierdurch
in den Setzzustand und liefert an dem -Ausgang ein
Signal mit niedrigem Pegel. Dadurch beginnt die Diode
413 zu leiten, und der Transistor wird abgeschaltet,
da ihm keine Basis-Vorspannung zugeführt wird. Im Zeit
punkt t 3 wird die Eingangsspannung V i nach kurzer Unter
brechung erneut zugeführt, nachdem die Ursache für den
Kurzschluß in der Last beseitigt ist.
Die Polaritäten bei der Ausführungsform nach Fig. 4
lassen sich ähnlich wie bei der Ausführungsform nach
Fig. 2 vertauschen.
Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, schafft die
Erfindung eine Transistorschutzschaltung, die zuver
lässig eine Zerstörung des Last-Treibertransistors
aufgrund eines erhöhten Stromflusses in der Last ver
hindert. Zur Wiederaufnahme des normalen Betriebs
brauchen keine Schaltungsteile erneuert zu werden.
Claims (9)
1. Transistorschutzschaltung,
gekennzeichnet durch
einen Eingang, über den einem ersten Anschluß eines von der Schutzschaltung zu schützenden Transistors (111, 211, 311) ein Eingangssignal zugeführt wird,
eine Last (513) und eine Spannungsquelle (515, 217), die zwischen einem zweiten Anschluß des Transistors und einer Gemeinschaftspotentialleitung in Reihe geschaltet sind,
ein Detektorelement (611), das zwischen einen dritten An schluß des Transistors und die Gemeinschaftspotentiallei tung geschaltet ist, und
ein Schaltelement (113, 213, 411), das zwischen den ersten Anschluß des Transistors und die Gemeinschaftspotential leitung geschaltet ist und in seinem eingeschalteten Zustand verriegelbar ist.
einen Eingang, über den einem ersten Anschluß eines von der Schutzschaltung zu schützenden Transistors (111, 211, 311) ein Eingangssignal zugeführt wird,
eine Last (513) und eine Spannungsquelle (515, 217), die zwischen einem zweiten Anschluß des Transistors und einer Gemeinschaftspotentialleitung in Reihe geschaltet sind,
ein Detektorelement (611), das zwischen einen dritten An schluß des Transistors und die Gemeinschaftspotentiallei tung geschaltet ist, und
ein Schaltelement (113, 213, 411), das zwischen den ersten Anschluß des Transistors und die Gemeinschaftspotential leitung geschaltet ist und in seinem eingeschalteten Zustand verriegelbar ist.
2. Transistorschutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Transistor ein Bipolar-Transistor ist.
3. Transistorsschutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Transistor ein Feldeffekttransistor
(311) ist.
4. Transistorschutzschaltung nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement ein
Thyristor (113, 213) ist.
5. Transistorschutzschaltung nach einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement eine
digitale Logikschaltung ist, die im eingeschalteten Zustand
verriegelbar ist.
6. Transistorschutzschaltung nach einem der Ansprüche 1
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Detektorelement ein
Widerstand (611) ist.
7. Transistorschutzschaltung nach Anspruch 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß zwischen die Gateelektrode des Thyristors
und das Detektorelement (611) eine Diode (115, 215) ge
schaltet ist, um einen Rückstrom von der Gateelektrode
zu verhindern.
8. Transistorschutzschaltung nach einem der Ansprüche 1
und 2 sowie 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste
Anschluß des Transistors dessen Basis, der zweite Anschluß
dessen Kollektor und der dritte Anschluß des Transistors
dessen Emitter ist.
9. Transistorschutzschaltung nach Anspruch 3 oder einem
der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
erste Anschluß des Feldeffekttransistors dessen Gate, der
zweite Anschluß des Feldeffekttransistors dessen Drain und
der dritte Anschluß des Feldeffekttransistors dessen
Source ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP60198062A JPS6258709A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | トランジスタ保護回路 |
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DE3629185A1 true DE3629185A1 (de) | 1987-03-19 |
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DE19863629185 Ceased DE3629185A1 (de) | 1985-09-06 | 1986-08-28 | Transistorschutzschaltung |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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