DE3615836C2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/22—Furnaces without an endless core
- H05B6/30—Arrangements for remelting or zone melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
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- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/08—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
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Description
Zonenziehverfahren zum Zwecke des Umkristallisierens und Rei
nigens stabförmiger Materialien sind bekannt. Bei diesen wird
der eigentliche Ziehprozeß durch eine mechanische Bewegung der
Wärmequelle gegenüber dem Materialstab vollzogen. Der Tempera
turkoeffizient des elektrischen Widerstandes des Materials ist
dabei von untergeordneter Bedeutung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen radial gerich
teten Zonenziehprozeß für flächenförmige Materialien ohne Re
lativbewegung zwischen Wärmequelle und Material zu erzeugen.
Bei dem hier beschriebenen Zonenziehverfahren für Scheiben ist
ein genügend hoher Temperaturkoeffizient des Materials erfor
derlich.
Angenommen der Temperaturkoeffizient ist negativ, so läßt sich
ein selbstablaufender Zonenziehprozeß in Gang setzen, bei dem
die zu erwärmende Scheibe bei eingeschaltetem HF-Feld in der
Mitte durch eine Fremdheizung (z. B. Halogenlampe, Laser usw.)
so weit erwärmt wird, daß ihr spezifischer Widerstand genügend
klein wird, um nun aus dem Magnetfeld zusätzlich Leistung
aufzunehmen. Nach Abschalten der Zusatzheizung bleibt die HF-
Heizung in der Mitte erhalten. Wegen der Stromverdrängung in
der zu erwärmenden Scheibe fließen auf dem äußeren Rand der
niederohmig gewordenen Zone Wirbelströme, die diese weiter
erwärmen. Die Mitte der Scheibe kühlt ab. Durch Wärmeleitung
nach außen vergrößert der aufgeheizte Ring seinen Durchmesser,
bis er den Rand erreicht.
Dieses Verfahren eignet sich auch für PTC-Materialien. Dabei
läuft der Zonenziehprozeß von außen nach innen ab. Eine
Zusatzheizung kann hier entfallen, da das PTC-Material bei
Prozeßbeginn leitfähig ist.
Claims (6)
1. Verfahren zum induktiven Zonenziehen von flächenhaften Mate
rialien geringer Dicke (Scheiben), dadurch gekennzeichnet, daß
- a) in der Scheibe ein im wesentlichen senkrecht zur Scheibenflä che gerichtetes magnetisches Wechselfeld erzeugt wird und
- b) bei einem Material mit negativem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes die Mitte der Scheibe durch Fremdheizung soweit erwärmt wird, daß ein durch Wärmeleitung radial nach außen gerichteter Zonenziehprozeß und
- c) bei einem Material mit positivem Temperaturkoeffizienten des elektr. Widerstandes ein nach innen gerichteter Zonenziehprozeß, aufgrund der beim Prozeßbeginn vorhandenen elektrischen Leitfä higkeit, ohne Zusatzheizung gestartet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zum
Tempern des Materials verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
es zum Aktivieren im Material vorhandener Ladungsträger verwendet
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zur
Erzielung eines Monokristalls verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zur
Erreichung einer radialen Textur im Material verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
bei elektrisch hochohmigem zuzonenziehendem Material die Erwär
mung durch Wärmeübertragung von einem einen geeigneten Temperatur
koeffizienten aufweisenden Material erfolgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863615836 DE3615836A1 (de) | 1986-05-10 | 1986-05-10 | Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863615836 DE3615836A1 (de) | 1986-05-10 | 1986-05-10 | Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3615836A1 DE3615836A1 (de) | 1987-01-08 |
DE3615836C2 true DE3615836C2 (de) | 1989-10-12 |
Family
ID=6300588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863615836 Granted DE3615836A1 (de) | 1986-05-10 | 1986-05-10 | Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3615836A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9111718B2 (en) | 2011-05-24 | 2015-08-18 | Trumpf Huettinger Gmbh + Co. Kg | Method for matching the impedance of the output impedance of a high-frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load and high-frequency power supply arrangement |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1007885B (de) * | 1955-07-28 | 1957-05-09 | Siemens Ag | Heizanordnung fuer Halbleiterkristall-Zieheinrichtungen, welche vorzugsweise nach dem Schmelzzonenverfahren arbeiten |
DE1004382B (de) * | 1955-10-21 | 1957-03-14 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Reinigung eines Elementes oder einer chemischen Verbindung |
DE2806825A1 (de) * | 1978-02-17 | 1979-08-23 | Neff Werke | Kochplatte mit induktionsheizung |
FR2483727A2 (fr) * | 1980-05-29 | 1981-12-04 | Electricite De France | Perfectionnement de l'inducteur utilise dans les foyers domestiques ou professionnels de cuisson par induction ou pour le chauffage de plaques planes |
-
1986
- 1986-05-10 DE DE19863615836 patent/DE3615836A1/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9111718B2 (en) | 2011-05-24 | 2015-08-18 | Trumpf Huettinger Gmbh + Co. Kg | Method for matching the impedance of the output impedance of a high-frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load and high-frequency power supply arrangement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3615836A1 (de) | 1987-01-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
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