DE3615836C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3615836C2
DE3615836C2 DE3615836A DE3615836A DE3615836C2 DE 3615836 C2 DE3615836 C2 DE 3615836C2 DE 3615836 A DE3615836 A DE 3615836A DE 3615836 A DE3615836 A DE 3615836A DE 3615836 C2 DE3615836 C2 DE 3615836C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature coefficient
resistance
heating
zone
case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3615836A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3615836A1 (de
Inventor
Wieland 2000 Hamburg De Hingst
Joerg Prof. Dr.-Ing. 2110 Buchholz De Mueller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE19863615836 priority Critical patent/DE3615836A1/de
Publication of DE3615836A1 publication Critical patent/DE3615836A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3615836C2 publication Critical patent/DE3615836C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02Induction heating
    • H05B6/22Furnaces without an endless core
    • H05B6/30Arrangements for remelting or zone melting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/08Heating of the reaction chamber or the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

Zonenziehverfahren zum Zwecke des Umkristallisierens und Rei­ nigens stabförmiger Materialien sind bekannt. Bei diesen wird der eigentliche Ziehprozeß durch eine mechanische Bewegung der Wärmequelle gegenüber dem Materialstab vollzogen. Der Tempera­ turkoeffizient des elektrischen Widerstandes des Materials ist dabei von untergeordneter Bedeutung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen radial gerich­ teten Zonenziehprozeß für flächenförmige Materialien ohne Re­ lativbewegung zwischen Wärmequelle und Material zu erzeugen.
Bei dem hier beschriebenen Zonenziehverfahren für Scheiben ist ein genügend hoher Temperaturkoeffizient des Materials erfor­ derlich.
Angenommen der Temperaturkoeffizient ist negativ, so läßt sich ein selbstablaufender Zonenziehprozeß in Gang setzen, bei dem die zu erwärmende Scheibe bei eingeschaltetem HF-Feld in der Mitte durch eine Fremdheizung (z. B. Halogenlampe, Laser usw.) so weit erwärmt wird, daß ihr spezifischer Widerstand genügend klein wird, um nun aus dem Magnetfeld zusätzlich Leistung aufzunehmen. Nach Abschalten der Zusatzheizung bleibt die HF- Heizung in der Mitte erhalten. Wegen der Stromverdrängung in der zu erwärmenden Scheibe fließen auf dem äußeren Rand der niederohmig gewordenen Zone Wirbelströme, die diese weiter erwärmen. Die Mitte der Scheibe kühlt ab. Durch Wärmeleitung nach außen vergrößert der aufgeheizte Ring seinen Durchmesser, bis er den Rand erreicht.
Dieses Verfahren eignet sich auch für PTC-Materialien. Dabei läuft der Zonenziehprozeß von außen nach innen ab. Eine Zusatzheizung kann hier entfallen, da das PTC-Material bei Prozeßbeginn leitfähig ist.

Claims (6)

1. Verfahren zum induktiven Zonenziehen von flächenhaften Mate­ rialien geringer Dicke (Scheiben), dadurch gekennzeichnet, daß
  • a) in der Scheibe ein im wesentlichen senkrecht zur Scheibenflä­ che gerichtetes magnetisches Wechselfeld erzeugt wird und
  • b) bei einem Material mit negativem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes die Mitte der Scheibe durch Fremdheizung soweit erwärmt wird, daß ein durch Wärmeleitung radial nach außen gerichteter Zonenziehprozeß und
  • c) bei einem Material mit positivem Temperaturkoeffizienten des elektr. Widerstandes ein nach innen gerichteter Zonenziehprozeß, aufgrund der beim Prozeßbeginn vorhandenen elektrischen Leitfä­ higkeit, ohne Zusatzheizung gestartet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zum Tempern des Materials verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß es zum Aktivieren im Material vorhandener Ladungsträger verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zur Erzielung eines Monokristalls verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es zur Erreichung einer radialen Textur im Material verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei elektrisch hochohmigem zuzonenziehendem Material die Erwär­ mung durch Wärmeübertragung von einem einen geeigneten Temperatur­ koeffizienten aufweisenden Material erfolgt.
DE19863615836 1986-05-10 1986-05-10 Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform Granted DE3615836A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863615836 DE3615836A1 (de) 1986-05-10 1986-05-10 Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863615836 DE3615836A1 (de) 1986-05-10 1986-05-10 Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3615836A1 DE3615836A1 (de) 1987-01-08
DE3615836C2 true DE3615836C2 (de) 1989-10-12

Family

ID=6300588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863615836 Granted DE3615836A1 (de) 1986-05-10 1986-05-10 Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3615836A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9111718B2 (en) 2011-05-24 2015-08-18 Trumpf Huettinger Gmbh + Co. Kg Method for matching the impedance of the output impedance of a high-frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load and high-frequency power supply arrangement

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1007885B (de) * 1955-07-28 1957-05-09 Siemens Ag Heizanordnung fuer Halbleiterkristall-Zieheinrichtungen, welche vorzugsweise nach dem Schmelzzonenverfahren arbeiten
DE1004382B (de) * 1955-10-21 1957-03-14 Telefunken Gmbh Verfahren zur Reinigung eines Elementes oder einer chemischen Verbindung
DE2806825A1 (de) * 1978-02-17 1979-08-23 Neff Werke Kochplatte mit induktionsheizung
FR2483727A2 (fr) * 1980-05-29 1981-12-04 Electricite De France Perfectionnement de l'inducteur utilise dans les foyers domestiques ou professionnels de cuisson par induction ou pour le chauffage de plaques planes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9111718B2 (en) 2011-05-24 2015-08-18 Trumpf Huettinger Gmbh + Co. Kg Method for matching the impedance of the output impedance of a high-frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load and high-frequency power supply arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
DE3615836A1 (de) 1987-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2608878B2 (ja) 導電性架橋ポリマーを含む電気デバイスの製造方法
DE4022846A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur leistungssteuerung und -begrenzung bei einer heizflaeche aus glaskeramik oder einem vergleichbaren material
DE2229960A1 (de) Oberflaecheninduktionsheizsystem
EP0467134A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Anzeigen eines anomalen thermischen Belastungszustandes einer Heizfläche aus Glaskeramik oder einem vergleichbaren Material
DE3615836C2 (de)
US2819191A (en) Method of fabricating a p-n junction
EP0050735A1 (de) Zinkoxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
US2188693A (en) Manufacture of silicon carbide resistors
Kostić et al. Potential barrier degradation at the grain boundary of ZnO-based nonlinear resistors
DE657884C (de) Elektrischer Heizkoerper, insbesondere fuer Koch-, Brat- und Backzwecke
US4409728A (en) Method of making a stable high voltage DC varistor
US1509496A (en) Plate and method of treating the same
DE2840529A1 (de) Mittels elektromagnetischer energie erhitzbarer gegenstand und verfahren zum erhitzen des gegenstandes
DE897885C (de) Verfahren zur Herstellung von metallfreien Zonen bei metallisierten Isolierstofftraegern
US2644020A (en) Graphitization of carbon articles
US2129410A (en) Manufacture of electrical rectifiers
DE436076C (de) Elektrischer Heizkoerper fuer hohe Temperaturen
Lam et al. Removal of martensite stabilisation in CANTiM shape memory alloy by post-quench ageing
SU1302122A1 (ru) Электропечь сопротивлени
DE966695C (de) Verfahren zur Waermebehandlung von Trockengleichrichterscheiben
EP0754918A1 (de) Sensoranordung für Kochstellenheizelemente
US2446465A (en) Selenium rectifier
DE548612C (de) Elektrische Heiz- und Kochvorrichtung, deren Heizleiter in keramische Masse eingebettet ist
SU389637A1 (ru) Индукционное нагревательное устройство
US1901756A (en) Alternating current rectifying element

Legal Events

Date Code Title Description
OAV Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee