DE3531578A1 - Verfahren zum herstellen von dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen - Google Patents

Verfahren zum herstellen von dielektrikumsschichten durch polymerisation von gasen

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DE3531578A1
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Hartmut Dr Michel
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    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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    • B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2506/00—Halogenated polymers
    • B05D2506/10—Fluorinated polymers

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Dielekumsschichten durch Polymerisation von Gasen mit­ tels Glimmentladung auf einem Substrat, insbesondere zur Herstellung elektrischer Kondensatoren, bei dem ein Monomergemisch aus einem zyklischen perfluorierten Kohlenwasserstoff der Summenformel (CF2) n mit n 6 und reine Kohlenwasserstoffe verwendet werden.
Ein derartiges Verfahren ist aus der DE-PS 29 07 775 bekannt. Bei diesem Verfahren wird bei der Polymerisa­ tion der dünnen plasmapolymeren Dielelektrikumsschichten ein großer Radikalanteil eingebaut. Dies führt zu hohen dielektrsichen Verlustfaktoren und schlechtem Isolier­ verhalten dieser Schichten. Zur Verbesserung werden des­ halb die bekannten Dielektrikumsschichten nach der Her­ stellung einer mehrstündigen Temperung unterzogen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Her­ stellen von Dielektrikumsschichten der eingangs genann­ ten Art anzugeben, bei dem der zusätzliche Verfahrens­ schritt der Temperung entfallen kann und bei dem Di­ elektrikumsschichten mit guten elektrischen Eigenschaf­ ten erhalten werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Beimischung eines weiteren perfluorierten Kohlenwasserstoffes gelöst, der im Plasma in stark fluorhaltige Bruchstücke zerfällt.
Dadurch wird der Vorteil erzielt, daß der Fluoranteil im Plasmapolymerisat erhöht wird, wobei gleichzeitig die erhöhte Abscheidungsrate durch die beigemischten Kohlenwasserstoffe ausgenutzt wird. Der erhöhte Fluor­ anteil hemmt den Einbau von Radikalen ins Polymerisat und damit auch die Oxidation des Polymerisats in der Atmosphäre. Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen erhält man somit plasmapolymere Dielektrikumsschichten, deren dielektrischer Verlustfaktor und Isolierverhalten genau so gut sind, wie die eines getemperten Plasmapolymerisats.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn einem zyklischen, per­ fluorierten Kohlenwasserstoff der Summenformel (CF2) n mit n 6 und reinen Kohlenwasserstoffen wie Cyclohexan und einem Dien mit konjungierter Doppelbindung, wie bei­ spielsweise Isopren (2-Metylbutadien-1,3), als weiterer perfluorierter Kohlenwasserstoff Octafluorcyclobutan zu­ gemischt wird.

Claims (2)

1. Verfahren zum Herstellen von Dielektrikumsschichten durch Polymerisation von Gasen mittels Glimmentladung auf einem Substrat, insbesondere zur Herstellung elek­ trischer Kondensatoren, bei dem ein Monomergemisch aus einem zyklischen perfluorierten Kohlenwasserstoff der Summenformel (CF2) n mit n 6 und reine Kohlenwasser­ stoffe verwendet werden, gekennzeichnet durch die Beimischung eines weiteren perfluorierten Koh­ lenwasserstoffes, der im Plasma in stark fluorhaltige Bruchstücke zerfällt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als zusätzlicher Kohlen­ wasserstoff Octafluorcyclobutan verwendet wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6558756B2 (en) * 1996-08-29 2003-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming interlayer insulating film

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DE2557899C2 (de) * 1975-12-22 1979-12-06 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung dünner Dielektrikumsschichten durch Polymerisation von Gasen
DE2907775C2 (de) * 1979-02-28 1983-03-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung von Dielektrikumsschichten durch Polymerisation von Gasen mittels Glimmentladung auf einem Substrat und deren Verwendung

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