DE3529068C2 - - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 13
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 101000573901 Homo sapiens Major prion protein Proteins 0.000 description 2
- 102100025818 Major prion protein Human genes 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for DC voltages or currents
- H03K17/732—Measures for enabling turn-off
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zum zwangsweisen Löschen eines Thyristors
mittels eines Kommutierungskreises, wie sie im Oberbegriff des Anspruches 1
näher definiert ist.
Schaltungen dieser Art sind als Hybrid-Chopper-Schaltungen bekanntgeworden. Nach etz-a
Bd. 99 (1978) H. 11, S. 678 bis 681 ist z. B. ein Kommutierungskreis bekannt, der aus
einem dem zu löschenden Thyristor gleichsinnig parallelgeschalteten, abschaltbaren
Halbleiter mit einem in Reihe liegenden Löschkondensator für die Kommutierungsspannung
besteht. Der Löschkondensator ist aus einer über eine Drossel entkoppelten separaten
ersten Spannungsquelle nachladbar. Der durch die Kommutierungsspannung über den abschaltbaren
Halbleiter erzwungene Strom löscht den Thyristor, wobei während der Schonzeit
negative Spannung - bis zum Abschalten des Stromes im abschaltbaren Halbleiter -
am Thyristor anliegt.
In Fig. 1 der vorliegenden Anmeldung ist eine solche bekannte Schaltung mit GTO-Löschkreis
dargestellt. Sie besteht aus einem zu löschenden Hauptventil V₁ und einem Kommutierungskreis,
der aus einem Kondensator C 2 und einem abschaltbaren Halbleiter, hier
ein GTO-Thyristor V 2, besteht. Der Kondensator C 2 wird durch eine Nachladeeinrichtung,
die hier nur prinzipiell durch die Spannungsquelle U 2 und die Drossel L 2 dargestellt
ist auf konstanter Spannung gehalten. Die Drossel L L soll alle im Kreis vorhandenen
Leitungs- und Bauelementeinduktivitäten beinhalten.
Ausgehend von einem konstanten Strom I 0 ergibt sich damit ein Kommutierungsvorgang gemäß
Fig. 2, wo der Strom-, Spannungs- und Leistungsverlauf dargestellt ist. Wird zum Zeitpunkt
t 1 der GTO-Thyristor V 2 eingeschaltet, dann steigt der Strom i V2 mit einer Steilheit,
die durch die Spannung U 2 und die Induktivität L L bestimmt ist, an. Es wird angenommen,
die Kapazität des Kondensators sei so groß, daß der Spannungsabfall während
der kurzen Einschaltzeit des Löschkreises vernachlässigbar ist. Hat der Strom i V2 zum
Zeitpunkt t 2 den Wert I 0 erreicht, wird der Thyristor V 1 stromlos. Die Spannung U C
liegt während der Schonzeit (t 3-t 2) als negative Sperrspannung an. Die Zeit (t 3-t 2)
muß größer gewählt werden als die maximal mögliche Freiwerdezeit des Thyristors V 1.
Zum Zeitpunkt t 3 wird der Strom i V2 durch den Halbleiter V 2 abgeschaltet und wechselt
in einen hier nicht dargestellten Freilaufkreis über.
Der untere Kurvenverlauf in Fig. 2 zeigt die dem Kondensator C 2 entnommene
Leistung. Den Mittelwert dieser Leistung muß die Nachladeeinrichtung (U 2/L 2)
liefern. Diese Leistung wird bei gegebenem Strom I 0 durch die Spannung U 2 und
die Freiwerdezeit des Thyristors V 1 bestimmt.
Dabei wird erkennbar, daß die Forderungen nach einer kurzen Zeit für den Stromanstieg
und einer geringen Nachladeleistung entgegengesetzt laufen. Für die möglichst
kurze Zeit der Stromübernahme in den Löschkreis wird eine höhere Spannung
benötigt, dagegen reicht während der Schonzeit eine sehr geringe Spannung aus.
Diese muß gerade groß genug sein, das "Freiwerden" des Thyristors V 1 zu sichern.
Eine andere bekannte Schaltung für einen Einphasen-Vollwellen-Wechselrichter arbeitet
mit herkömmlichen Kommutierungsthyristoren, die den zu löschenden Hauptthyristoren
gleichsinnig parallel geschaltet sind, wobei zwei Drosseln und ein gemeinsamer
Löschkondensator in einer Resonanzumladeschaltung arbeiten (US-PS
43 46 309). Für die Nachladung des Löschkondensators dient die Speisespannung.
Laststromabhängig wird/kann über besondere einschaltbare Spannungsgeneratoren
in Zusatzstufen ein zusätzlicher positiver Vorwärtsstrom über die Hauptthyristoren
getrieben/werden. Es soll damit die Freiwerdezeit der Hauptthyristoren verkürzt
werden durch eine Verringerung der Ladungsträgerdichte im Bereich der Hauptvorwärtssperrschicht.
Der Erfindung liegt eine anders gelagerte Aufgabe zugrunde. Es soll eine Schaltungsanordnung
- wie sie eingangs beschrieben und mit Fig. 1 erläutert wurde -
dahingehend optimiert werden, daß man sowohl mit einer geringeren Nachladeleistung
und trotzdem kurzer Kommutierungszeit auskommt. Sie soll auch für den Einsatz von
ASCR- und RTL-Schaltungen geeignet sein. Dazu wird eine Verkürzung der Einschaltzeit
des abschaltbaren Halbleiterventils im Löschzweig angestrebt, ohne die Freiwerdezeit
des Hauptthyristors zu beeinflussen und ohne seine Schonzeit zu verringern.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung gemäß den kennzeichnenden Merkmalen
des Anspruches 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind
den Unteransprüchen entnehmbar.
Anhand von schematischen Ausführungsbeispielen der Zeichnung wird die
Erfindung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen bekannten Hybrid-Schalter
Fig. 2 Strom-, Spannungs- und Leistungsverlauf für eine Schaltung
nach Fig. 1
Fig. 3 eine Schaltung nach der Erfindung mit erweitertem Abschaltzweig
Fig. 4 zugehöriger Strom-, Spannungs- und Leistungsverlauf
Fig. 5 eine Schaltung für den Einsatz von rückwärts nicht sperrenden
Thyristoren
Fig. 6 eine Schaltungsmodifikation mit Reihenschaltung der Kondensatoren
im Abschaltzweig
Auf die Fig. 1 und 2 wurde schon eingegangen. Fig. 3 zeigt eine Schaltung,
bei der erfindungsgemäß mit zwei
Spannungsebenen U 1 und U 2 im Abschaltkreis
gearbeitet wird. Die Bezugszeichen sind so weitgehend wie möglich
beibehalten worden. Bei dieser Schaltung gilt voraussetzend U 2
»U 1,
C 1 » C 2. Zusätzlich mit Fig. 4 wird der Kommutierungsvorgang nunmehr
beschrieben.
Der Kommutierungsvorgang wird durch Zünden des GTO-Thyristors V 2
zum Zeitpunkt t 1 eingeleitet. Damit steigt der Strom i V2 an und entlädt
dabei den Kondensator C 2. Die Spannungsquelle U 2 und die Kapazität des
Kondensators C 2 sind so bemessen, daß der maximal zu kommutierende
Strom I 0 während der Entladung des Kondensators C 2 bis auf die Spannung U 1
erreicht wird. Zum Zeitpunkt t 2 hat der Strom i V2 den Wert I 0 erreicht
und der Kondensator C 2 wird linear durch den mit konstanter Höhe I 0
weiterfließenden Strom i V2 entladen. Zum Zeitpunkt t 3 ist der Kondensator
C 2 auf den Spannungswert U 1 entladen worden. Bei Vernachlässigung
des Spannungsabfalles an der Sperrdiode V 3 wird nun der Kondensator C 1
dem Kondensator C 2 parallelgeschaltet. Der Stromblock während des Zeitraumes
t 4-t 3 wird - da C 1 » C 2 - überwiegend über den Kondensator
C 1 fließen. Zum Zeitpunkt t 4, am Ende der Schonzeit, wird der
Strom im Löschkreis durch den abschaltbaren Halbleiter V 2 unterbrochen
und kommutiert in einen hier nicht dargestellten Freilaufkreis. Der untere
Verlauf in Fig. 4 zeigt die Leistung, die den Kondensatoren C 1 und C 2
entnommen wird. Die gestrichelte Kurve stellt zum Vergleich den Leistungsverlauf
aus Fig. 2 dar.
Nach der Erfindung ergibt sich bei gleichem Wert für den Strom I 0 eine
Verminderung der mittleren Nachladeleistung um etwa 50% und eine Verkürzung
der Einschaltdauer t 1 bis t 4 um etwa 28%.
Fig. 5 zeigt eine Schaltungsvariante, die für den Einsatz von rückwärts
nicht sperrenden Thyristoren (ASCR) geeignet ist. Die Dioden V 5 bis V n
haben dabei die Aufgabe, zu hohe negative Sperrspannung am Thyristor V 1
zu unterdrücken. Die Nachladespannung U 1 muß hierbei kleiner als die
Summe der Durchlaßspannungen der Dioden V 5 bis V n sein. Im übrigen
sind funktionell zu Fig. 3 keine wesentlichen Unterschiede.
Fig. 6 stellt eine weitere Möglichkeit dar, den Abschaltzweig mit zwei
Spannungsquellen U 1, U 2 aufzubauen. Die beiden Kondensatoren C 1 und C 2
sind hier in Reihe geschaltet. Auch hier sind die Voraussetzungen zu erfüllen:
U 2 » U 1 und C 1 » C 2. Zu Beginn des Kommutierungsvorganges
wird Kondensator C 2 entladen bis die Diode V 4 leitend wird und den Strom
übernimmt. Dann ist nur noch wie in den vorher betrachteten Schaltungen
die niedrigere Spannung U 1 wirksam.
Die Vorteile der Erfindung liegen in geringerer Nachladeleistung und dadurch
Verminderung der Kosten und des Volumens. Weiterhin ergeben sich
kürzere Einschaltzeiten für den Kommutierungskreis und damit wird eine
Vergrößerung des Stellbereiches erreicht.
Eine weitere Verringerung der Nachladeleistung kann man durch den Einsatz
von Thyristoren mit kürzeren Freiwerdezeiten erzielen. Rückwärts nicht
sperrende und rückwärts leitende Thyristoren haben wesentlich kürzere
Freiwerdezeiten als rückwärts sperrende Thyristoren. Der Einsatz derartiger
schneller Thyristoren ist mit der neuen Schaltung vergleichlich Fig. 5 ebenfalls
möglich geworden, da während der Schonzeit nur eine sehr geringe
negative Sperrspannung am Thyristor anliegt. Somit können auch die Vorteile
schneller, asymmetrischer Thyristoren voll genutzt werden.
Claims (7)
1. Anordnung zum zwangsweisen Löschen eines Thyristors (V 1) mittels eines
Kommutierungskreises, der aus einem dem zu löschenden Thyristor gleichsinnig
parallel geschalteten, abschaltbaren Halbleiter (V 2) mit einem in
Reihe liegenden, aus einer über eine Drossel (L 2) entkoppelten separaten
1. Spannungsquelle (U 2) nachladbaren Löschkondensator (C 2) für die Kommutierungsspannung
besteht, bei der der durch die Kommutierungsspannung über den
abschaltbaren Halbleiter erzwungene Strom den Thyristor löscht und negative
Sperrspannung während der Schonzeit - bis zum Abschalten des Stromes im abschaltbaren
Halbleiter - am Thyristor anliegt,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Kommutierungskreis aus zwei einander ablösenden Kondensatorstufen
gebildet ist, von denen der besagte Löschkondensator (C 2) mit der 1. Spannungsquelle
(U 2) als Hauptstufe (II) ein höheres Spannungsniveau und ein Zusatzkondensator
(C 1), der entkoppelt aus einer separaten 2. Spannungsquelle
(U 1) nachladbar ist, als Zusatzstufe (I) ein niedrigeres Spannungsniveau
aufweist und der Hauptstufe (II) unterlagert ist, wobei die Hauptstufe (II)
für eine schnelle Stromübernahme in den Löschkreis und die Zusatzstufe
(I) für eine verminderte negative Sperrspannung vorgesehen ist und daß
dabei die folgenden Bedingungen gelten: U 2»U 1 und C 1»C 2.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatzkondensator
(C 1) in Reihe mit einer einen Ladungsausgleich verhindernden
Sperrdiode (V 3) dem Löschkondensator (C 2) parallelgeschaltet ist. (Fig. 3)
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Löschkondensator (C 2) mit dem Zusatzkondensator (C 1) in Reihe liegt,
wobei dem Löschkondensator (C 2) eine Diode (V 4) parallelgeschaltet ist.
(Fig. 6)
4. Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Sperrdioden (V 3 bzw. V 4) die gleiche Durchlaßrichtung aufweisen,
wie der abschaltbare Halbleiter (V 2). (Fig. 3 und 6)
5. Anordnung nach den Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Spannungsquellen (U 2, U 1) parallelgeschaltet sind, wobei die 1.
Spannungsquelle (U 2) am Löschkondensator (C 2) und die 2. Spannungsquelle
(U 1) am Zusatzkondensator (C 1) anliegt. (Fig. 3)
6. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Spannungsquellen (U 2, U 1) parallelgeschaltet sind, wobei die 2.
Spannungsquelle (U 1) am Zusatzkondensator (C 1) anliegt und am Löschkondensator
(C 2) die Spannungsdifferenz der beiden Spannungsquellen
(U 2-U 1) wirksam wird. (Fig. 6)
7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche für einen rückwärts
nicht sperrenden Thyristor, dadurch gekennzeichnet, daß
dem Thyristor (V 1) eine Diodenkette (V 5 . . . Vn) antiparallel geschaltet
ist, wobei die Summe der Durchlaßspannungen der Diodenkette (V 5 . . . Vn)
größer ist als die Spannung der niedrigeren Spannungsquelle (U 1). (Fig. 5)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853529068 DE3529068A1 (de) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | Anordnung zum zwangsweisen loeschen eines thyristors |
| DE19853536414 DE3536414A1 (de) | 1985-08-10 | 1985-10-10 | Anordnung zum zwangsweisen loeschen eines thyristors mittels eines kommutierungskreises |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853529068 DE3529068A1 (de) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | Anordnung zum zwangsweisen loeschen eines thyristors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3529068A1 DE3529068A1 (de) | 1987-02-19 |
| DE3529068C2 true DE3529068C2 (de) | 1987-12-03 |
Family
ID=6278439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19853529068 Granted DE3529068A1 (de) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | Anordnung zum zwangsweisen loeschen eines thyristors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3529068A1 (de) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4346309A (en) * | 1979-01-23 | 1982-08-24 | Westinghouse Brake And Signal Co., Ltd. | Controllable rectifier circuit |
-
1985
- 1985-08-10 DE DE19853529068 patent/DE3529068A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3529068A1 (de) | 1987-02-19 |
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