DE3444569C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3444569C2
DE3444569C2 DE3444569A DE3444569A DE3444569C2 DE 3444569 C2 DE3444569 C2 DE 3444569C2 DE 3444569 A DE3444569 A DE 3444569A DE 3444569 A DE3444569 A DE 3444569A DE 3444569 C2 DE3444569 C2 DE 3444569C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature
exposure device
projection system
projection exposure
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3444569A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3444569A1 (de
Inventor
Minoru Kawasaki Kanagawa Jp Yomoda
Mitsugu Yokohama Kanagawa Jp Yamamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP58230577A external-priority patent/JPS60122951A/ja
Priority claimed from JP58230578A external-priority patent/JPS60122952A/ja
Priority claimed from JP23265983A external-priority patent/JPS60125811A/ja
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of DE3444569A1 publication Critical patent/DE3444569A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3444569C2 publication Critical patent/DE3444569C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/008Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Projektionsbelichtungs­ gerät gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein derartiges Projektionsbelichtungsgerät ist in der JP- OS 57-1 92 929 beschrieben. Bei diesem bekannten Projek­ tionsbelichtungsgerät wird ein auf einer Vorlage befind­ liches Muster durch ein optisches Projektionssystem auf einen lichtempfindlichen Gegenstand projiziert. Zur Kompensation von Abbildungsfehlern, die auf Temperatur­ einflüsse zurückzuführen sind, werden vorab in einer Ver­ arbeitungseinheit gespeicherte Korrekturdaten auf der Basis von Ausgangssignalen eines Temperaturfühlers gewählt, und ein mittels Luftmikrometern erhaltener Distanzmeßwert wird aufgrund der gewählten Korrekturdaten berichtigt. Bei der Lageänderung zum Kompensieren der Temperatureinflüsse können sich Schwierigkeiten ergeben, die eine genaue Abbildung schwierig machen.
Die Druckgenauigkeit eines Projektionsbelichtungsgeräts ist u. a. durch die effektive Blendenzahl des optischen Projek­ tionssystems bestimmt. Bei der Projektion des Rasters einer Vorlage in Form einer Maske auf einen lichtempfind­ lichen Gegenstand in Form eines Substrats spielt auch die Wellenlänge λ des Druckstrahls eine Rolle, wobei die Tiefenschärfe Δ Z definiert werden kann:
Δ Z = ±2 λ Pe 2
In allgemein üblichen Projektionsbelichtungsgeräten wird ein Druckstrahl mit einer Wellenlänge von 0,436 µm und ein optisches System mit einer effektiven Blendenzahl Fe im Bereich von 1,4 benutzt. Die Tiefenschärfe ergibt sich damit zu etwa ±1,7 µm.
Hieraus wird deutlich, wie wichtig das genaue Einhalten einer Brennpunktlage bei derartigen Geräten ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Projektions­ belichtungsgerät gemäß dem Oberbegriff des neuen Haupt­ anspruchs derart weiterzubilden, daß mit verhältnismäßig geringem Aufwand eine sehr genaue Kompensation von Tempe­ ratureinflüssen auf die Abbildungsqualität des optischen Projektionssystems erreicht wird.
Diese Aufgabe wird mit den im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Ein wesentlicher Vorteil hierbei besteht darin, daß Temperatureinflüsse auf die Abbildungsqualität von vornherein kompensiert werden und eine Änderung der Relativlage zwischen Projektionsoptik und Gegenstand erspart wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Querschnittsdarstellung einer Ausführungsform einer optischen Vorrichtung.
Fig. 1 stellt schematisch eine Ausführungsform eines Projektionsbelichtungsgeräts dar. Die Belichtungsvorrichtung gemäß Fig. 1 weist eine Lichtquelle 1, eine Kondensorlinse 2, ein optisches Projektionssystem 4, ein Halteelement 5, einen Temperaturfühler 6 und einen lichtempfindlichen Gegenstand in Form eines Substrats auf.
Der Temperaturfühler 6 ist mit einem Temperatursteuer­ kreis 22 einer Fluidtemperatursteuereinrichtung verbunden, der später beschrieben wird. Das Halteelement 5 ist von einem Abdeckelement in Form eines zylindrischen Elements 24 so umgeben, daß zwischen dem Halteelement 5 und dem zylin­ drischen Element 24 ein Kanalabschnitt 25 ausgebildet wird, durch den ein Gas oder eine Flüssigkeit strömen kann. Das Halteelement 5 ist aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit hergestellt, beispielsweise aus Aluminium oder Kupfer, während das zylindrische Element 24 aus einem wärmeisolierenden Material hergestellt ist, das eine niedrigere Wärmeleitfähigkeit und einen niedri­ geren Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, wie z. B. keramisches Material. Die Innenwand des Halteelements 5 kann mit einem Material höherer Wärmeleitfähigkeit be­ schichtet sein.
Der Kanal 25 ist über einen Fluidtemperaturregler 21 mit einer nicht dargestellten Fluidquelle verbunden, wobei der Fluidtemperaturregler 21 seinerseits mit dem Tempera­ tursteuerkreis 22 verbunden ist. Der Temperatursteuer­ kreis 22 ist mit dem Temperaturfühler 6 und einer Vorga­ betemperatureingabeeinheit verbunden.
Wenn bei dieser Anordnung das Raster der Maske 3 durch das optische Projektionssystem 4 auf das Substrat 7 projiziert werden soll, wird die Temperatur innerhalb des Projektionssystems 4 durch den Temperaturfühler 6 erfaßt. Der Temperatur­ steuerkreis 22 vergleicht die im Projektionssystem 4 erfaßte Temperatur mit der erwünschten Temperatur, die als Eingangsgröße in die Vorgabetemperatureingabeeinheit 23 gegeben wor­ den ist, und steuert den Fluidtemperaturregler 21 ent­ sprechend dem Temperaturunterschied. Der Fluidtemperatur­ regler 21 regelt so die Temperatur des Fluids. Das temperaturregulierte Fluid durchströmt den Kanal 25, so daß die Temperatur des Inneren des Projektionssystems 4 auf einen Wert gesteuert wird, der der Temperatur ent­ spricht, die in der Vorgabetemperatureingabeeinheit 23 vorgegeben worden ist.
Während bei dieser Ausführungsform der Kanal 25 derart angeordnet ist, daß das Fluid längs der Außenwand des Halteelements 5 für das Projektionssystem 4 fließt, kann ein ähnliches Kanal- oder Rohrelement auch an der Innenwand des Halteelements 5 vorgesehen sein. Bei der Ausführungs­ form gemäß Fig. 1 wird die Brennpunktkorrektur durch Steuerung der Temperatur des Projektionssystems 4 erzielt, so daß die Brennpunktlage des Projektionssystems 4 mit der Ober­ fläche des Sustrats 7 übereinstimmt.
Die Erfindung ist nicht auf die offenbarten Ausführungs­ formen von Halbleiterbelichtungsvorrichtungen begrenzt; sie ist auch für andere Belichtungsvorrichtungen, bei­ spielsweise für Hologrammerzeugungsvorrichtungen, Kopier­ vorrichtungen, für eine Filman­ druckplatte in einer Kamera oder dergleichen anwendbar.
Wie beschrieben wurde, kann jede Brennpunktabweichung des Projektionsbelichtungsgeräts aufgrund von Temperaturänderungen, die durch Wärme verursacht werden, die von verschie­ denen Quellen innerhalb der Vorrichtung, beispielsweise einer Lichtquelle, der Antriebsbewegung oder dergleichen erzeugt wird, oder aufgrund von Temperaturänderungen, die durch Änderungen der Umgebungstemperatur verur­ sacht werden, korrigiert werden, so daß das Projektionsbelich­ tungsgerät auch hinsichtlich der Aufstellungsmöglichkeiten Vorteile besitzt.
Außerdem wird dadurch die Möglichkeit, eine erwünschte Temperatur für das optische Projektionssystem vorzugeben, eine Feinanpassung der optischen Betriebs­ eigenschaften möglich, wobei die Notwendigkeit eines komplizierten Brenn­ punkteinstellungsmechanismus entfällt.
Weiterhin wird die Korrektur der Brennpunktlage bei kompaktem und einfachem Aufbau kostengünstig erreicht.

Claims (5)

1. Projektionsbelichtungsgerät zum Projizieren eines Musters einer Vorlage auf einen lichtempfindlichen Gegen­ stand mittels eines einen Temperaturfühler auweisenden optischen Projektionssystems, das unterschiedlichen Temperaturen ausgesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kanalabschnitt (25) für eine Fluidströmung mit einem Halteelement (5) in Verbindung steht, das das optische Projektionssystem (4) umschließt, und daß eine Fluidtem­ peratursteuereinrichtung (21, 22) die Temperatur des durch den Kanalabschnitt strömenden Fluids auf der Grundlage eines Vergleichs zwischen der mit dem Temperaturfühler (6) im oder am Projektionssystem erfaßten Ist-Temperatur und einer mit einer Temperatureinstelleinheit (23) vorein­ stellbaren Soll-Temperatur des Projektionssystems regelt.
2. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein den Kanalabschnitt außen umgeben­ des Abdeckelement (24) aus einem Material mit niedriger Wärmeleitfähigkeit und niedrigem Wärmeausdehnungskoeffi­ zient besteht.
3. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß das Halteelement (5) aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit besteht.
4. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 2 oder 3, da­ durch gekennzeichnet, daß das Abdeckelement (24) aus kera­ mischem Material hergestellt ist.
5. Projektionsbelichtungsgerät nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das optische Projektionssystem (4) ein Linsensystem aufweist.
DE19843444569 1983-12-08 1984-12-06 Optische projektionsvorrichtung Granted DE3444569A1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58230577A JPS60122951A (ja) 1983-12-08 1983-12-08 光学装置
JP58230578A JPS60122952A (ja) 1983-12-08 1983-12-08 露光装置
JP23265983A JPS60125811A (ja) 1983-12-12 1983-12-12 焦点合わせ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3444569A1 DE3444569A1 (de) 1985-09-26
DE3444569C2 true DE3444569C2 (de) 1990-11-29

Family

ID=27331669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19843444569 Granted DE3444569A1 (de) 1983-12-08 1984-12-06 Optische projektionsvorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4669842A (de)
DE (1) DE3444569A1 (de)
GB (1) GB2153109B (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3447488A1 (de) * 1984-10-19 1986-05-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Projektionseinrichtung
JPH0758372B2 (ja) * 1985-12-20 1995-06-21 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
US5337097A (en) * 1985-12-26 1994-08-09 Nippon Kogaku K.K. Projection optical apparatus
USRE37352E1 (en) 1985-12-26 2001-09-04 Nikon Corporation Projection optical apparatus
US4869396A (en) * 1987-08-24 1989-09-26 Kirin Beer Kabushiki Kaisha Draught beer dispensing system
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
GB2249189B (en) * 1990-10-05 1994-07-27 Canon Kk Exposure apparatus
JPH0636993A (ja) * 1992-05-21 1994-02-10 Canon Inc 露光装置及び半導体素子の製造方法
JP3445045B2 (ja) * 1994-12-29 2003-09-08 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3437406B2 (ja) * 1997-04-22 2003-08-18 キヤノン株式会社 投影露光装置
USH1972H1 (en) 1998-10-06 2001-07-03 Nikon Corporation Autofocus system using common path interferometry
US6795260B2 (en) * 1999-12-09 2004-09-21 Contraves Space Ag Optical unit and its use
DE10248849A1 (de) * 2002-10-19 2004-04-29 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur Aufnahme eines Strahlteilerelements
US7561251B2 (en) * 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7830493B2 (en) * 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
DE112006004021T5 (de) * 2006-09-06 2009-07-16 Opticon Inc. Brennpunkt-Einstellsystem für MEMS-Vorrichtung
US7757808B1 (en) * 2009-02-04 2010-07-20 Gm Global Technology Operations, Inc. Noise reduction system
US8190012B2 (en) * 2009-09-10 2012-05-29 Raytheon Company Optical system with adjustable shims

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1539581A (en) * 1976-08-19 1979-01-31 Hughes Aircraft Co Gyroscopically self-stabilizing image scanner
US4236790A (en) * 1978-05-15 1980-12-02 Smith Ronald D Temperature compensated positioning device
JPS57169244A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer
JPS57192929A (en) * 1981-05-25 1982-11-27 Hitachi Ltd Projector provided with automatic focusing function
GB2117903A (en) * 1982-04-01 1983-10-19 British Aerospace Thermally responsive means
KR900000018B1 (ko) * 1983-11-16 1990-01-18 가부시기가이샤 도오시바 광 헤 드

Also Published As

Publication number Publication date
US4669842A (en) 1987-06-02
GB2153109A (en) 1985-08-14
GB2153109B (en) 1988-03-16
GB8430806D0 (en) 1985-01-16
DE3444569A1 (de) 1985-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3444569C2 (de)
DE3447488C2 (de)
DE69127335T2 (de) Projektionsbelichtungsapparat mit einer Vorrichtung zur Ausgleichung der Verzeichnung einer Projektionslinse
DE69531644T3 (de) Projektionsbelichtungsgerät und Herstellungsverfahren für eine Mikrovorrichtung
DE2905636C2 (de) Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück
DE3318980C2 (de) Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken
DE3328578A1 (de) Projektions-justiervorrichtung
DE69631260T2 (de) Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
DE3140217C2 (de)
DE69434080T2 (de) Abtastbelichtungsvorrichtung
DE1919991A1 (de) Venfahren zur automatischen Ausrichtung von zwei aufeinander einzujustierenden Objekten
DE2649687A1 (de) Maskenfotouebertrager
EP0746800B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur photomechanischen herstellung strukturierter oberflächen, insbesondere zum belichten von offsetdruckplatten
DE3872705T2 (de) Vorrichtung und verfahren zum feststellen/regulieren des freiraums bei einer lithographiemaschine.
DE3342995C2 (de)
DE69127479T2 (de) Belichtungssystem
DE2947071A1 (de) Anordnung zur praezisionsmaterialbearbeitung mittels laserstrahlen
DE4007069C2 (de) Vorrichtung zur optischen Abbildung
DE2948646A1 (de) Automatisch arbeitende vorrichtung zum ausrichten einer photomaske
DE10353029B3 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Messung der Längenänderung der Vorschubspindel in einem Belichter für Druckvorlagen
DE69218814T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von holographischen Projektionsschirmen
DE102020214130A1 (de) Verfahren zur Temperierung eines optischen Elementes und optische Baugruppe
DE68926721T2 (de) Verfahren und Gerät zur Charakterisierung von optischen Systemen
DE3517915A1 (de) Automatische belichtungsjustiervorrichtung
AT413305B (de) Verfahren und vorrichtung zum ausrichten eines justier-mikroskops mittels verspiegelter justiermaske

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition