DE3439731C2

DE3439731C2 -

Info

Publication number: DE3439731C2
Application number: DE19843439731
Authority: DE
Inventors: Carl-Ernst 8044 Unterschleissheim De Eilers; Hartmut Dr. 7920 Heidenheim De Michel; Horst 8028 Taufkirchen De Pachonik
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1984-10-30
Filing date: 1984-10-30
Publication date: 1991-10-24
Also published as: DE3439731A1

Description

Die Erfindung betrifft einen elektrischen monolithischen Schichtkondensator, insbesondere in Chip-Bauart, bei dem auf einem Trägermaterial abwechselnd als Elektroden dienende regenerierfähig dünne Me tallschichten und durch Glimmpolymerisation hergestellte Di elektrikumsschichten angeordnet sind, bei dem das Trägerma terial an zwei gegenüberliegenden Seiten mit metallischen Kon taktschichten versehen ist, bei dem jeweils eine der Kontakt schichten mit einer der gegenpoligen Elektroden des Kondensa tors verbunden ist und bei dem die metallischen Kontaktschich ten aus

a) einer ersten auf dem Trägermaterial angeordneten als Haft schicht wirkenden Metallschicht,
b) einer zweiten Schicht aus einem Metall hoher elektrischer Leitfähigkeit und
c) einer dritten Schicht aus einem Edelmetall bestehen.

Derartige Kondensatoren sind aus der DE 32 16 816 A1 bekannt. Dort ist über Schichtdicken der einzelnen Metallschichten nichts ausgesagt. Die einzelnen Metallschichten bestehen dort aus einer Schichtfolge von CrNi/Cu/Au. Da die einzelnen Kom ponenten der Kontaktschichten unterschiedliche Aufgaben zu erfüllen haben, wobei Materialeigenschaften und elektrische Leitfähigkeit aufeinander abgestimmt sein müssen und bei denen ferner sichergestellt sein muß, daß bei den erforderlichen Lötvorgängen die Kontaktschichten weder korrodieren noch sich vom Trägermaterial ablösen, ist es erforderlich, die Schicht dicken der einzelnen Metallschichten aufeinander abzustimmen.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, den Kondensator der ein gangsgenanntan Art derart weiterzubilden, daß die Schichtdicke der einzelnen Metallschichten den vorstehend aufgezeigten Anforderungen genügt.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Kontaktschichten an zwei gegenüberliegenden Stirnseiten des Trägermaterials angeordnet sind und sich auf den angrenzenden Bereich der Trägerseite erstrecken auf der der Kondensator an geordnet ist und daß die Schichtdicken der ersten und dritten Schicht ca. 100 nm und die der zweiten Schicht ca. 1000 nm betragen.

Vorzugsweise besteht die erste Schicht aus Cr oder NiCr, die zweite Schicht aus Cu und die dritte Schicht aus Pd oder Pd/Ag.

Die Erfindung wird anhand des folgenden Ausführungsbeispiels näher erläutert. In der dazugehörenden Zeichnung, die einen Teilschnitt eines monolithischen Schichtkondensators dar stellt, ist auf einem isolierenden Trägermaterial 1 eine ca. 100 nm starke Cr- oder CrNi-Schicht 2 angeordnet, die als Haftvermittler dient. Auf der Schicht 2 ist eine ca. 1 µm starke elektrisch gut leitende Schicht 3, beispielsweise aus Kupfer, angeordnet, die als elektrischer Leiter dient. Durch eine ca. 100 nm starke Deckschicht 4 aus Edelmetall, z. B. aus Pd oder Pd/Ag, erhält man einerseits eine gute Lötbarkeit der Kontaktierung und andererseits eine dauerhafte, gut leit fähige Verbindung zu den Elektroden 5 des Kondensators, die vorzugsweise aus Aluminium bestehen.

Die Schichten 2 bis 4 werden vorzugsweise aufgesputtert oder durch Aufdampfen hergestellt.

Wie der Figur zu entnehmen ist, greifen die Schichten 2 bis 4 auf die Seite des Trägermaterials 1 über, auf der der monolithische Schichtkondensator angeordnet ist, wobei in der Figur von diesem Kondensator nur eine der gegenpoligen Elektroden 5 gezeigt ist. Es ist aber auch möglich, die Schichten 2 bis 4 auf die gegenüberliegende Seite über greifen zu lassen, wodurch beim Einsatz als Chip eine verbesserte Lötbarkeit auf gedruckten Schaltungen erzielbar ist.

Anstelle der Chip-Bauart, bei der die seitlichen Kontakt schichten direkt mit Leiterbahnen verlötet werden, können auch in herkömmlicher Weise Anschlußdrähte an den Kontakt schichten befestigt werden.

Claims

1. Elektrischer monolithischer Schichtkondensator, insbesondere in Chip-Bauart, bei dem auf einem Trägermaterial (1) abwechselnd als Elektroden dienende, regenerierfähig dünne Metallschichten und durch Glimmpolymerisation hergestellte Dielektrikumsschichten angeordnet sind, bei dem das Trägermaterial (1) an zwei gegenüber liegenden Seiten mit metallischen Kontaktschichten (2, 3, 4) versehen ist, bei dem jeweils eine der Kontaktschichten mit einer der gegen poligen Elektroden des Kondensators verbunden ist und bei dem die metallischen Kontaktschichten (2, 3, 4) aus

a) einer ersten auf dem Trägermaterial angeordneten als Haft schicht wirkenden Metallschicht (2),
b) einer zweiten Schicht (3) aus einem Metall hoher elektrischer Leitfähigkeit und
c) einer dritten Schicht (4) aus einem Edelmetall bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakt schichten (2, 3, 4) zwei gegenüberliegenden Stirnseiten des Trägermate rials (1) angeordnet sind und sich auf den angrenzenden Bereich der Trägerseite erstrecken, auf der der Kondensator angeordnet ist und daß die Schichtdicken der ersten und dritten Schicht ca. 100 nm und die der zweiten Schicht ca. 1000 nm betragen.

2. Elektrischer Schichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (2) aus Cr oder NiCr, die zweite Schicht (3) aus Cu und die dritte Schicht (4) aus Pd oder Pd/Ag bestehen.