DE3231556A1 - Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart - Google Patents

Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart

Info

Publication number
DE3231556A1
DE3231556A1 DE19823231556 DE3231556A DE3231556A1 DE 3231556 A1 DE3231556 A1 DE 3231556A1 DE 19823231556 DE19823231556 DE 19823231556 DE 3231556 A DE3231556 A DE 3231556A DE 3231556 A1 DE3231556 A1 DE 3231556A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
capacitor
recess
layers
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19823231556
Other languages
English (en)
Inventor
Reinhard 8000 München Behn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19823231556 priority Critical patent/DE3231556A1/de
Publication of DE3231556A1 publication Critical patent/DE3231556A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/015Special provisions for self-healing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02Mountings
    • H01G2/06Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H01G2/065Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

  • Regenerierfähiger elektrischer Schichtkondensator in
  • Chip-Baua rt Die Erfindung betrifft einen regenerierfähigen elektrischen Schichtkondensator in Chip-Bauart, der aus mindestens zwei gegenpoligen Metallschichten besteht, zwischen denen sich eine durch Glimmpolymerisation hergestellte Dielektrikumsschicht befindet, der auf einem Träger angeordnet ist, wobei der Träger an zwei gegenüberliegenden Stirnseiten mit metallischen Kontaktschichten versehen ist, die sich bis auf den angrenzenden Bereich der Ober-und Unterseite des Trägers erstrecken, und wobei jeweils eine der gegenpoligen Metallschichten mit den Kontaktschichten elektrisch verbunden ist.
  • Ein derartiger Kondensator ist beispielsweise aus der DE-A 30 40 930 bekannt.
  • Der geschilderte Kondensatoraufbau ist gegenüber mechanischen Beschädigungnen und atmosphärischen Einflüssen, insbesondere der Luftfeuchtigkeit, relativ empfindlich, so daß es wünschenswert ist, den Kondensator mit einer dicken Schutzschicht zu versehen. Als Schutzschichten eignen sich insbesondere Kunststoffe, die im flüssigen Zustand aufgetragen werden und anschließend aushärten.
  • Hierbei besteht jedoch die Gefahr, daß der Kunststoff im noch flüssigen Zustand die Kontaktschichten durch Umfließen benetzt und dadurch die Kontaktierung des Chip-Kondensators erschwert oder verhindert.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen Kondensator der eingangs genannten Art anzugeben, der gegen mechanische und atmosphärische Einflüsse geschützt ist und bei dem die Herstellung der erforderlichen Schutzschicht nicht zu unerwünschten Kontaktschwierigkeiten beim Einbau des elektrischen Bauelements führt.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Träger auf der Oberseite mit einer Vertiefung versehen ist, daß sich die Kontaktschichten bis in die Vertiefung erstrecken, daß der Kondensatoraufbau in der Vertiefung angeordnet und von einer Schutzschicht bedeckt ist, und daß die Größe der Vertiefung so bemessen ist, daß die durch die Vertiefung gebildeten Randbereiche des Trägers höher sind als der Kondensatoraufbau mit der darauf angeordneten Schutzschicht.
  • Damit wird der Vorteil erzielt, daß in der muldenartigen Vertiefung eine dicke Schutzschicht auf den Kondensatoraufbau aufgebracht werden kann und ein Umfließen der Kontaktschichten verhindert wird. Dadurch ergibt sich ein besonders rationelles Herstellungverfahren der geschilderten Kondensatoren, indem auf einen Träger viele Kondensatoraufbauten nebeneinander angeordnet werden können und die Schutzschichten im Durchlaufverfahren aufgetragen, getrocknet bzw. ausgehärtet werden können. Erst danach erfolgt die Trennung in Einzelelemente.
  • Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Kondensators besteht darin, daß der in der Vertiefung angeordnete Kondensatoraufbau durch die höheren Randbereiche besonders gut gegen mechanische Beschädigungen geschützt ist.
  • Dadurch wird es beispielsweise ermöglicht, daß größere Kapazitätswerte in der Technik der organischen Vielschiehtkondensatoren ermöglicht werden, indem mehrere Kondensatoren übereinander gestapelt werden können ohne daß der Schichtaufbau und die Selbstheilung des Kondensators durch Druck beeinflußt wird.
  • Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind auf dem Träger auf der Unterseite Einkerbungen angeordnet. Hierdurch wird der Vorteil erzielt, daß beim Festkleben des Chips auf der Leiterplatte dem überschüssigen Kleber die Möglichkeit gegeben wird, in die Hohlräume der Einkerbungen einzudringen, so daß verhindert wird, daß überschüssiger Kleber die Kontakte beim Hervorquellen unter dem Chip verschmutzen kann. Ein zusätzlicher Vorteil ergibt sich bei dieser Ausführungsform, daß die zu klebende Oberfläche vergrößert ist.
  • Eine weitere Ausgestaltung sieht vor, daß der Trägervaus Polyphenylensulfid besateht. Dieses Material gewährleistet eine hohe elektrische und mechanische Stabilität des Kondensators. Insbesondere bei Temperaturänderungen treten keine bzw. allenfalls sehr geringe mechanische Spannungen im Bauelement, insbesondere in den kapazitiv wirksamen Schichten auf.
  • Die Erfindung wird anhand der folgenden Ausführungsbeispiele näher erläutert. In der dazugehörenden Zeichnung zeigen: Fig. 1 ein Schnittbild eines einzelnen Chip-Kondensators und Fig. 2 ein Schnittbild eines Bauelementes mit hohen Kapazitätswerten.
  • In der Fig. 1 ist der Schnitt durch einen Chip-Kondensator dargestellt, der auf einem Trägermaterial 1 angeordnet ist. Das Trägermaterial 1 besteht vorzugsweise aus Polyphenylensulfid und ist durch Formpressen bzw. Extrudieren hergestellt. Das Trägermaterial 1 weist an seiner Oberseite eine muldenförmige Vertiefung 8 auf, die dadurch gebildet wird, daß die beiden Randbereiche 2 bzw. 5 die übrige Fläche der Oberseite überragen. An den beiden gegenüberliegenden Stirnseiten 4 bzw. 5 des Trägers 1 sind metallische Kontaktschichten 6 bzw. 7 angeordnet, die sich über die erhöhten Randbereiche 2 bzw. 3 hinweg bis in den Randbereich der muldenartigen Vertiefung 8 erstrecken. Die metallischen Metallschichten 6 und 7 sind derart angeordnet, daß sie auch die Randbereiche der Unterseite 9 des Trägers 1 überdecken.
  • In der muldenartigen Vertiefung 8 befindet sich der Kondensatoraufbau, von dem zurbesseren Ubersichtlichkeit in der Figur nur die beiden gegeepoligenMetallschichten 10 und 11 sowie die zwischen ihnen angeordnete Dielektrikumsschicht 12 dargestellt sind. Die Dicke der Schichten 10, 11 und 12 ist in der Figur nicht maßstabsgerecht, sondern zur besseren Übersichtlichkeit überhöht dargestellt.
  • Die untere Metallschicht 10 ist derart auf den Träger 1 aufgebracht, daß sie in elektrischem Kontakt mit der metallischen Kontaktschicht 6 steht. Die Dielektrikumsschicht 12 ist durch Glimmpolymerisation hergestellt und die darauf angeordnete Metallschicht 11 steht in Kontakt mit der metallischen Kontaktschicht 7. In Wirklichkeit sind bei dem Schichtkondensator etwa 100 Metall- und Dielektrikumsschichten angeordnet, wobei die Metallschichten des einen Potentials in Kontakt mit der metallischen Kontaktschicht 6 und die des anderen Potentials im Kontakt mit der metallischen Kontaktschicht 7 stehen.
  • Die Metallschichten 10 bzw. 11 bestehen beispielsweise aus Aluminium, sind ca. 30 nm dick und sind beiscielsweise mittles Kathodenzerstäubung hergestellt. Im Zusammenhang mit der glimmpolymeren Dielektrikumsschiht 12 ist somit die Regènerierfähigkeit des Kondensators gewährleistet. Um den Kondensatoraufbau gegenüber äußeren Einflüssen zu schlitzen, befindet sich dariiber eine Schutzschicht 13 aus Kunststoff. Durch die hochgezogenen Rinder 2 und 3 des Trägers 1 läßt sich die Scnlltzschicht 1 3 besonders einfach herstellen, indem der in der muldenartigen Vertiefung 8 angeordnete Kondensatoraufbau mit einem flüssigen Kunststoff bedeckt werden kann, ohne daß die Gefahr besteht, daß der Kunststoff die metallischen Kontaktschichten 6 bzw. 7 umfließt. Die Größe der muldenartigen Vertiefung 8 ist dabei so gewählt, daß sie etwas tiefer als sämtliche Kondensatorschichten und der darauf angeordneten Schutzschicht ist. Die Dicke der Schutzschicht 13 beträgt beispielsweise 0,3 mm.
  • Die Herstellung des Kondensators geschieht bespielsweise dadurch, daß zunächst das Trägermaterial 1 mit den seitlichen, metallischen Kontaktschichten 6 und 7 versehen wird. Dann werden mehrere, nebeneinanderliegende Kondensatoraufbauten in der muldenförmigen Vertiefung 8 des Trägers 1 hergestellt und anschließend wird die Schutzschicht 13 im Durchlaufverfahren aufgetragen und getrocknet bzw. ausgehärtet. Erst danach erfolgt die Trennung in einzelne Kondensatoren, wobei die Trennschnitte an den Stellen angebracht werden, wo sich keine Kondensatoraufbauten befinden. Dadurch erhält man einen vollständig umhüllten Kondensator.
  • Es ist aber auch möglich, die gegenpoligen Metallschichten 10 und 11 und die dazwischen angeordnete Dielektrikumsschicht 12 durchlaufend auf den Träger 1 aufzubringen und anschließend die Trennung beispielsweise mit einer Metallkreissäge vorzunehmen, wodurch eine Randisolation der Belagsflächen entlang der Schnittkanten erreicht wird, wie es bei Schichtkondensatoren üblich ist.
  • Der vereinzelte Chip-Kondensator wird dann mit seiner Unterseite 9 derart auf eine Leiterplatte aufgeklebt, daß die seitlichen Kontaktschichten 6 und 7 im Kontakt mit entsprechenden Leiterbahnen kommen. Anschließend er- folgt beispielsweise mittels einer Tauchlötung eine dauerhafte elektrische Verbindung zwischen den Kontaktschichten 6, 7 und den entsprechenden Leiterbahnen.
  • In der Fig. 2 ist ein Schnittbild einer Ausführungsform dargestellt, mit der sich wesentlich höhere Kapazitätswerte als mit einem Einzelchip erzielen lassen. Dabei sind mehrere Träger 1 übereinander angeordnet. Durch die hochgezogenen Randbereiche 2, 3 der Träger 1 wird gewährlistet, daß bei der Stapelung kein mechanischer Druck auf den Schichtaufbau 14 ausgeübt werden kann. Der Schichtaufbau 14 ist in der Fig. 2 nur schematisch dargestellt und entspricht dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel mit gegenpoligen Metallschichten, einer dazwischen angeordneten Dielektrikumsschicht und einer Schutzschicht.
  • Durch das Überziehen der seitlichen Kontaktschichten 5, 7 l auf die angrenzenden Teile der Unterseiten der Träger 1 wird ein besonders sicherer elektrischer Kontakt bei der Stapelung gewährleistet. Durch die in der Fig. 2 dargestellte Ausführungsform wird somit gewährleistet, daß die guten Regeneriereigenschaften der organischen Vielschichtkondensatoren erhalten bleiben, die bekanntlich durch Druckeinflüsse stark beeinträchtigt werden.
  • Die Anzahl der übereinander gestapelten Träger 1 mit den darauf angeordneten Kondensatoraufbaus 14 richtet sich nach den gewünschten Kapazitätswerten. Die übereinander gestapelten Chip-Kondensatoren können gemeinsam eiterverarbeitet (kontaktiert, umhüllt, geprüft) werden.
  • Der unterste Träger 15 weist an seiner Unterseite 16 Einkerbungen 17 auf. Dadurch wird gewährleistet, daß der Kleber bei der Bestückung der Leiterplatte mit en Chip-Kondensatoren nicht mehr seitlich unter dem Chip hervorquellen und die Kontaktstellen verschmutzen kann. Der überschüssige Kleber weicht in die durch die Einkerbungen 17 geschaffenen Hohlräume aus, wobei zusätzlich noch eine sicherere Verklebung gewähleistet wird, da die zu klebende Oberfläche vergrößert ist.
  • Selbstverständlich kann auch das in der Fig. 1 dargestellte Chip-Bauelement auf seiner Unterseite 9 mit derartigen Einkerbungen versehen werden.
  • 3 Patentansprüche 2 Figuren

Claims (3)

  1. Patentansprüche Regenerierfähiger elektrischer Schichtkondensator in Chip-Bauart, der aus mindestens zwei gegenpoligen Metallschichten besteht zwischen denen sich eine durch Glimmpolymerisation hergestellte Dielektrikumsschicht befindet, der auf einem Träger angeordnet ist, wobei der Träger an zwei gegenüberliegenden Stirnseiten mit metallischen Kontaktschichten versehen ist, die sich bis auf den angrenzenden Bereich der Ober- und Unterseite des Trägers erstrecken, und wobei jeweils eine der gegenpoligen Metallschichten mit den Kontaktschichten elektrisch verbunden ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t daß der Träger (1) auf der Oberseite mit einer Vertiefung (8) versehen ist, daß sich die Kontaktschichten (6,7) bis in die Vertiefung (8) erstrecken, daß der Kondensatoraufbau in der Vertiefung (8) angeordnet und von einer Schutzschicht (13) bedeckt ist, und daß die Größe der Vertiefung (8) so bemessen ist, daß die durch die Vertiefung (8) gebildeten Randbereiche (2,3) des Trägers (1) höher sind als der Kondensatoraufbau mit der darauf angeordneten Schutzschicht (13).
  2. 2. Schichtkondensator nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf der Unterseite (16) des Trägers (1) Einkerbungen (17) angeordnet sind.
  3. 3. Schiahtkondensator nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Träger (1,15) aus Polyphenylensulfid besteht.
DE19823231556 1982-08-25 1982-08-25 Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart Withdrawn DE3231556A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823231556 DE3231556A1 (de) 1982-08-25 1982-08-25 Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823231556 DE3231556A1 (de) 1982-08-25 1982-08-25 Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3231556A1 true DE3231556A1 (de) 1984-04-19

Family

ID=6171654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823231556 Withdrawn DE3231556A1 (de) 1982-08-25 1982-08-25 Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3231556A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3439731A1 (de) * 1984-10-30 1986-04-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrischer monolithischer schichtkondensator
EP0218022A2 (de) * 1985-08-14 1987-04-15 OMRON Corporation Montagestruktur für einen oberflächenmontierten Bauelementtyp und Verfahren zum Montieren dieses Bauelementtyps auf einer Leiterplatte

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3439731A1 (de) * 1984-10-30 1986-04-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrischer monolithischer schichtkondensator
EP0218022A2 (de) * 1985-08-14 1987-04-15 OMRON Corporation Montagestruktur für einen oberflächenmontierten Bauelementtyp und Verfahren zum Montieren dieses Bauelementtyps auf einer Leiterplatte
EP0218022A3 (en) * 1985-08-14 1988-11-09 Omron Tateisi Electronics Co. Mounting structure for a surface-mounted-type component, and method of mounting a component of this type on a printed-circuit board
US4814944A (en) * 1985-08-14 1989-03-21 Omron Tateisi Electronics Co. Mounting structure for surface mounted type component with projection extending down from lower surface thereof and method of mounting a surface mounted type component on a printed circuit board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2201585B1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement
DE69830987T2 (de) Elektronisches bauelement
DE2940339C2 (de)
DE3211538A1 (de) Mehrschichten-stromschiene
EP1078451A1 (de) Elektronisches bauelement
DE2623474C2 (de) Regenerierfähiger elektrischer Kondensator
DE3850641T2 (de) Struktur zur Versiegelung eines elektrostriktiven Elements.
DE19627543B9 (de) Multi-Layer-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE3231556A1 (de) Regenerierfaehiger elektrischer schichtkondensator in chip-bauart
DE3110351A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektrischen schichtkondensatoren mit glimmpolymerisatschichten als dielektrika
EP1693865B1 (de) Hochspannungskondensator
DE112020005494T5 (de) Varistor
DE3211540A1 (de) Miniaturisierte stromschiene hoher kapazitanz und verfahren zur herstellung derselben
DE3231277C2 (de)
DE2246573C3 (de) Abgleichbarer Schichtkondensator
EP0171642B1 (de) Varistor in Chip-Bauweise zur Verwendung in gedruckten Schaltungen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004029411B4 (de) Keramischer Mehrschichtkondensator
DE4103657A1 (de) Translatorstapel und verfahren zu dessen herstellung
WO2016162153A1 (de) Elektronisches bauteil und verfahren zum herstellen eines elektronischen bauteils
DE102015117452B4 (de) Folienkondensator und Verfahren zur Herstellung eines Folienkondensators
DE3224271A1 (de) Als mehrlagige streifenleiteranordnung ausgebildete sammelleitung (bus) mit hoher kapazitaet
DE3216816A1 (de) Umhuellter, regnerierfaehiger elektrischer schichtkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE3240412A1 (de) Laminierte sammelschiene hoher kapazitaet
DE2020535C3 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter in gedruckten Schaltungen sowie nach diesem Verfahren hergestellter elektrischer Leiter
DE2439581C2 (de) Abgleichbarer Schichtkondensator

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee