DE3432480A1 - Fotoleitfaehiges aufzeichnungsmaterial - Google Patents
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Description
Struif
Patentanwälte und Vertreter beim EPA Dipl.-Ing. H.Tiedtke
Dipl.-Chem. G. Bühling Dipl.-Ing. R. Kinne Dipl.-Ing. R Grupe Dipl.-Ing. B. Pellmann
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4. September 1984 DE 4224
Die Erfindung betrifft fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial,
das gegenüberelektromagnetisdhen Wellen, wie Infrarotstrahlen, sichtbaren Strahlen, Ultraviolettstrahlen, Röntgen-Strahlen, Gammastrahlen,
usw. , empfindlich ist.
Fotoleitfähige Materialien aus fotoleitfahigen Schichten
müssen für den Einsatz in Feststoff-Bildaufnahmegeräten und Bildformierungsgeräten,
z.B. elektrofotografischen Bildformierungskörpern und Original-Lesegeräten, Eigenschaften, haben, wie hohe Empfindlichkeit,
hohes S/N-Verhältnis (Fotostrom (I )/Dunkelstrom Ud))>
Spektralabsorptionseigenschaften, die dem Spektrum der bei der Einstrahlung
verwendeten elektromagnetischen Wellen angepaßt ist, schnelles Ansprechvermögen auf Licht, einen gewünschen Dunkelwiderstandswert1
und Unschädlichkeit für den menschlichen Körper während der Bedienung,
sowie bei Feststoff-Aufnahmegeräten Einfachheit der Nachbildbehandlung.
Die Unschädlichkeit für den menschlichen Körper während der Bedienung
ist besonders für fotoleitfähige Materialien von Bedeutung, die in elektrofotografische Geräte für Bürozwecke eingebaut sind.
Ein fotoleitfähiges Material, das auf Grund der obigen
Punkte jüngst Beachtung erlangte, ist amorphes Silizium, nachfolgend als a-Si bezeichnet, das als elektrofotografischer Bildformierungskörper
in den DE-OSen 27 46 967 und 28 55 718 beschrieben ist und dessen Anwendung bei fotoelektrischen Lesegeräten in der DE-OS
29 33 411 angegeben ist.
Die bekannten fotoleitfähigen Materialien mit einer foto!eitfähigen Schicht aus a-Si sind jedoch in ihren Gesamteigenschaften
verbesserungsbedürftig, darunter in den elektrischen, optischen und Fotoleitfähigkeitseigenschaften, wie z.B. Dunkelwiderstand,
Fotoempfindlichkeit und Ansprechvermögen gegenüber Licht, Beständigkeit gegenüber Umweltbedingungen, wie Feuchtigkeitswiderstand,
sowie Langzeit-Stabilität der Leistungseigenschaften.
Wenn beispielsweise das bekannte Fotoleitmaterial des a-Si-Typs für elektrofotografische Bildformierungskörper eingesetzt
wird, führen die Versuche zur gleichzeitigen Steigerung der Fotoempfindlichkeit
und des Dunkelwiderstandes oft zu unerwünschten Wirkungen, nämlich daß häufig während der Bedienung ein Restpotential beobachtet
wird, bei wiederholtem kontinuierlichem Betrieb für zahlreiche Stunden die Ermüdung zunimmt und dadurch das sogenannte Geist-Phänomen,
d.h. ein Restbild, auftritt und beim Wiederhol betrieb mit hoher Geschwindigkeit das Ansprechvermögen allmählich schlechter
wird. Ferner hat a-Si im sichtbaren Bereich für längerwelliges
Licht einen relativ kleineren Absorptionskoeffizienten als für kürzerwelliges Licht. Daher ist die bekannte Fotoleitschicht aus
a-Si bei der Ausnutzung der Energie des heute praktisch benutzten Halbleiter-Lasers oder der langwelligen Energie einer Halogen- oder
Fluoreszenz-Lampe nicht effektiv, wenn diese Lichtquellen zur Einstrahlung
auf die Fotoleitschicht dienen. Dies ist ein Problem, das noch der Lösung harrt.
Wenn ein großer Teil des eingestrahlten Lichts ohne Absorption durch die Fotoleitschicht das Substrat des Fotoleitmaterials
erreicht, kann in der Fotoleitschicht infolge mehrfacher Reflexion Lichtinterferenz auftreten, wenn das Substrat für das durch die Foto-
leitschicht hindurchgegangene, auftreffende Licht ein hohes Reflexionsvermögen hat. Diese Interferenz ist eine Ursache für das "unfokussierte
Bild".
Dieser Effekt wird gesteigert, wenn zur Steigerung der Auflösung die Einstrahlungsstelle verkleinert wird. Wenn ein Halbleiter-Laser als Lichtquelle dient, ist dieser Effekt ein besonders ernstes
Problem.
Wenn die Fotoleitschicht aus a-Si besteht, können Wasserstoff-
oder Halogen-Atome, wie Fluor- oder Chlor-Atome, zur Verbesserung der elektrischen und Fotoleiteigenschaften, sowie Bor-, Phorphor-
oder einige andere Atome zur Steuerung des elektrischen Leitungstyps eingebaut werden. In Abhängigkeit von der Art des Einbaus entsteht
gelegentlich ein Problem bei den elektrischen oder Fotoleiteigenschaften der gebildeten Schicht. Beispielsweise besteht das Problem darin,
daß die in der Fotoleitschicht durch Lichteinstrahlung erzeugten Fototräger eine ungenügende Lebensdauer haben oder daß die Ladungsinjektion von der Substratseite in die Dunkelfläche nicht genügend
gehemmt ist.
Bei der Bildung einer Fotoleitschicht, die dicker als 10 und einige μ ist, entwickelt sich mit der Zeit die Neigung der
Schicht, sich von dem Substrat abzuheben oder abzuschälen oder zu reißen, wenn das Produkt nach seiner Entfernung aus der für
die Schichtbildung benutzten Bedampfungskammer an Luft liegen gelassen
wird. Diese Erscheinung ist besonders bemerkenswert, wenn das Substrat wie üblich auf dem Gebiet der Elektrofotografie trommeiförmig ausgebildet ist. Die Fotoleitschicht impliziert daher das Problem der
Langzeit-Beständigkeit.
Demgemäß ist es einerseits nötig, die Eigenschaften des a-Si zu verbessern und andererseits alle oben genannten Probleme
bei der Konzeption des fotoleitfähigen Körpers zu lösen.
Die vorliegende Erfindung zur Beseitigung der oben erwähnten Mängel wurde gemacht nach umfangreichen Studien über
die Anwendbarkeit von a-Si auf ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial
für Bildformierungskörper, Feststoff-Bildaufnahmegeräte sowie Lese-Geräte für die Elektrofotografie. Die vorliegende Erfindung beruhtauf
besonders überlegenen Eigenschaften, bezüglich elektrischer Leitung in jeder Hinsicht, speziell für die Elektrofotografie,
und der Spektral absorption in dem Bereich langer Wellen, eines
fotoleitfähigen Obertragungsmaterials mit einer fotoleitfähigen, Licht empfangenden Schicht, die aus einem amorphen Material aus
einer Matrix von Silizium- und Germanium-Atomen aufgebaut und hergestellt
ist, das wenigstens eine Atomart aus der Gruppe enthält, die aus Wasserstoff-Atomen, Halogen-Atomen, sogenanntem hydriertem,
amorphem Silizium-Germanium, halogeniertem, amorphem Silizium-Germanium
oder haiogenhaltigern, hydriertem, amorphem Silizium-Germanium
besteht (nachfolgend sind diese als "a-SiGe(H,X)" bezeichnet).
Die Hauptaufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines umweltbeständigen, fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials, das
immer beständige elektrische, optische und Fotoleiteigenschaften hat, durch die Umgebungsbedingungen kaum beeinträchtigt wird, überlegene
Fotoempfindlichkeit auf dar längerwelligen Seite und einen
hohen Widerstand gegen durch Licht verursachte Ermüdung hat, im Dauerbetrieb nicht abfällt und kein oder nur ein geringes Restpoten-
tial zeigt.
Die Aufgabe ist weiterhin die Schaffung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials mit hoher Empfindlichkeit gegenüber
allen sichtbaren Strahlen und insbesondere Strahlen aus Halbleiter-Lasern, das auf Licht schnell anspricht.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials mit hoher Schichtungsqualität, das im Aufbau kompakt und beständig ist und deren Schichten
durch starke Adhäsionskräfte verbunden sind.
Eine weitere Aufgabe ist die Schaffung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials mit guter elektrofotografischer
Eigenschaft, das nach der Beladung ein genügendes Ladungshaitevermögen
hat und auch in einer Atmosphäre mit hoher Feuchtigkeit beinahe keine beachtliche Verschlechterung dieser Eigenschaften zeigt,
so daß es sehr wirksam in der üblichen Elektrofotografie eingesetzt werden kann.
Aufgabe der Erfindung ist ferner die Schaffung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials für die Elektrofotografie,
das ein hochqualitatives Bild liefert, das eine hohe Dichte und
Auflösung hat und im Halbton klar ist.
Die Aufgabe ist ferner die Schaffung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials mit hoher Fotoempfindlichkeit, hohem S/N-Verhältnis und gutem elektrischem Kontakt zwischen Substrat und
Fotoleitschicht.
Erfindungsgemäß wird ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial mit einem Substrat und einer fotoleitfähigen, Licht empfan-
genden Schicht geschaffen, die ein amorphes Material aufweist, welches Silizium- und Germanium-Atome enthält, wobei in der Licht
empfangenden Schicht Stickstoff-Atome enthalten sind und die Verteilung
der Germanium-Atome in Richtung der Schichtdicke ungleichförmig ist.
Nach der Erfindung wird ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial
aus einem Substrat und einer auf dieses aufgelagerten fotoleitfähigen, Licht empfangenden Schicht aus einem amorphen
Material geschaffen, das Silizium- und Germanium-Atome enthält, wobei die Licht empfangende Schicht Stickstoff-Atome und eine Substanz
zur Steuerung der elektrischen Leitfähigkeitseigenschaften enthält und die Verteilung der Germanium-Atome in der Schicht in Richtung
senkrecht zur Schichtoberfläche ungleichförmig ist.
Nach der Erfindung wird ferner ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial mit einem Substrat und einer Licht empfangenden
Schicht geschaffen, die aus einer fotoleitfähigen ersten Schicht aus einem Silizium- und Germanium-Atome enthaltenden amorphen Material
und einer zweiten Schicht aus einem Silizium- und Kohlenstoff-Atome enthaltenden amorphen Material aufgebaut ist, wobei die erste
Schicht Stickstoff-Atome und eine Substanz zur Steuerung der elektrischen
Leitfähigkeit enthält und die Germanium-Atome in der ersten Schicht senkrecht zur Schichtoberfläche ungleichmäßig verteilt
sind.
Nach der Erfindung wird ferner ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial mit einem Substrat und einer Licht empfangenden
Schicht geschaffen, die aus einer ersten fotoleitfähigen Schicht aus einem Silizium- und Germanium-Atome enthaltenden amorphen Material
und einer zweiten Schicht aus einem Silizium- und Kohlenstoff-Atome
enthaltenden amorphen Material aufgebaut ist, wobei die erste Schicht Stickstoff-Atome enthält und die Verteilung der Germanium-Atome
in der ersten Schicht senkrecht zur Schichtoberfläche ungleichförmig ist.
Gemäß der Erfindung wird auch ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial
aus einem Substrat und einer Licht empfangenden Schicht geschaffen, die aus einer ersten fotoleitfähigen Schicht aus einem
Silizium- und Germanium-Atome enthaltenden amorphen Material und einer zweiten Schicht aus einem Silizium- und Sauerstoff-Atome
enthaltenden amorphen Material aufgebaut ist, wobei die erste Schicht Stickstoff-Atome enthält und die Verteilung der Germanium-Atome
in dieser Schicht senkrecht zur Schichtoberfläche ungleichmäßig ist.
Nach der Erfindung wird ferner ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial aus einem geeigneten Substrat und einer Licht
empfangenden Schicht geschaffen, die aus einer fotoleitfähigen ersten Schicht aus einem Silizium- und Germanium-Atome enthaltenden
amorphen Material und einer zweiten Schicht aus einem Sulizium- und Sauerstoff-Atome enthaltenden amorphen Material aufgebaut ist,
wobei die erste Schicht Stickstoff-Atome und eine Substanz zur Steuerung derelektrischen Leitfähigkeit enthält und die Verteilung
der Germanium-Atome in der ersten Schicht senkrecht zur Schichtoberfläche ungleichförmig ist.
Das fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial der Erfindung mit der oben angegebenen Schichtstruktur löst die oben genannten
verschiedenen Probleme und zeigt ausgezeichnete elektrische, optische
und Fotoleitfähigkeitseigenschaften, sehr hohen Widerstand gegen Hochspannung
und Beständigkeit gegenüber der Umgebung bei Betriebsbedingungen. Wenn insbesondere das foto!eitfähige Aufzeichnungsmaterial bei
einem elektrofotografischen Bildformierungskörper eingesetzt wird, beobachtet man bei der Bildformierung kein Restpotential-Effekt,
der Körper hat beständige elektrische Eigenschaften, hohe Fotoempfindlichkeit bei einem hohen S/N-Verhältnis, hohen Widerstand gegenüber
durch Licht verursachte Ermüdung, gute Eigenschaften im Wiederholungsbetrieb, so daß man im Wiederholungsbetrieb andauernd qualitativ
hochwertige Bilder mit hoher Dichte, klarem Halbton und hoher Auflösung erhält.
Die Licht empfangende Schicht des fotoleitfähigen Übertragungsmaterials
der Erfindung ist selbst robust und zäh, haftet fest an dem Substrat und kann lange Zeit wiederholt und kontinuierlich
mit hoher Geschwindigkeit benutzt werden.
Schließlich zeigt das Fotoleitfähigkeitsmaterial der Erfindung eine hohe Empfindlichkeit gegenüber allen sichtbaren
Strahlen, speziell gegenüber Strahlen aus Halbleier-Lasern, und zeigt ein schnelles Foto-Ansprechvermögen.
Die Figuren 1 und 2 sind schematische Ansichten zur Darstellung des Schichtaufbaus des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials der Erfindung.
Die Figuren 3 bis 11 sind Darstellungen der Verteilung der Germanium-Atome in der Licht empfangenden Schicht oder in deren
erster Schicht.
Figur 12 zeigt eine schematische Darstellung der Anlage
zur Herstellung des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials der Erfindung.
Die Figuren 13 bis 57 zeigen für die Beispiele der Erfindung die Geschwindigkeit der Schichtbildung als Funktion des
Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten.
Unter Bezugnahme auf die Zeichnung wird die Fotoleitschicht der Erfindung nun im einzelnen beschrieben.
Figur 1 ist eine schematische Ansicht zur Darstellung der Schichtstruktur des Fotoleitmaterials nach der ersten AusfUhrungsform
der Erfindung.
In Figur 1 besteht ein fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial
100 aus einem geeigneten Substrat 101 und einer fotoleitenden, Licht empfangenden Schicht 102, die auf das Substrat aufgelagert
ist und a-SiGe(H,X) und Stickstoff-Atome enthält. Die Verteilung der Ge-Atome in der Licht empfangenden Schicht 102 variiert kontinuierlich
in Richtung der Dicke (Richtung senkrecht zur Schichtoberfläche) derart, daß die Ge-Atome zur Substratseite 105 der Schicht
mengenmäßig stärker angereichert sind. Es ist erwünscht, daß die Ver-teilung der Ge-Atome in der Licht empfangenden Schicht wie
oben angegeben in Richtung der Dicke ungleichförmig und in den Richtungen parallel zur Schichtoberfläche gleichförmig ist.
Figur 2 ist eine schematische Ansicht, welche den Schichtaufbau des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials nach einer zweiten
Ausführungsform der Erfindung darstellt. Nach Fig. 2 besteht das fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial 200 aus einem Substrat 201
und einer darauf aufgebrachten Licht empfangenden Schicht, die aus
einer ersten Schicht (I) 202 und einer zweiten Schicht (II) 203 besteht.
Die erste Schicht (I) 202 besteht aus a-SiGe(H.X), enthält
Stickstoff-Atome und ist fotoleitend. Die zweite Schicht (II) 203
hat eine freie Oberfläche. Die Verteilung der Ge-Atome in der ersten Schicht (I) 202 variiert kontinuierlich in Richtung der Dicke in
der Weise, daß die Menge der Ge-Atome mit der Entfernung von der Substratseite der ersten Schicht abnimmt. Die zweite Schicht (II)
203 besteht aus einem amorphen Material, das als Matrix Si-Atome und ferner Kohlenstoff- und/oder Sauerstoff-Atome enthält; die
zweite Schicht enthält ferner nach Wunsch Wasserstoff- und/oder Halogen-Atome.
Die Verteilung der Ge-Atome in der ersten Schicht (I) kann wie oben angegeben in Richtung der Dicke ungleichmäßig und
in einer Ebene parallel zur Substratoberfläche gleichförmig sein.
Die Figuren 3 bis 11 zeigen typische Beispiele für die Verteilung der Ge-Atome in Richtung der Dicke in der Licht
empfangenden Schicht oder der ersten Schicht des erfindungsgemäßen foto!eitfähigen Aufzeichnungsmaterials. In diesen Zeichnungen gibt
die Abszisse die Verteilungskonzentration der Ge-Atome und die Ordinate den Abstand von der Grenzfläche zwischen dem Substrat
und der foto!eitfähigen, Licht empfangenden Schicht bzw ersten
Schicht an. tß bezeichnet die Position dieser Grenzfläche und ty
bezeichnet die Position der tR gegenüberliegenden Oberfläche der
Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht. Die Ge-Atome enthaltende, Licht empfangende Schicht bzw. erste Schicht wird
von der tß-Seite zur ty-Seite hin gebildet.
Figur 3 zeigt ein erstes typisches Beispiel der Verteilung
der Ge-Atome in der Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht in Richtung der Dicke. In diesem Fall wird die Verteilungskonzentration C der Ge-Atome auf einem konstanten Wert C. zwischen
der Position t„ und der Position t. der Ebene, die in einem Abstand
D I
von t. von der Grenzflächenposition tß entfernt liegt, gehalten,
fällt dort auf C? ab und nimmt dann kontinuierlich mit dem Abstand
weiter ab, um in der Position ty den Wert C, zu erreichen.
Im Falle der Figur 4 nimmt C mit dem Abstand Über den
gesamten Bereich zwischen der Position tß und der Position ty kontinuierlich
von C4 nach C5 ab.
Nach Figur 5 hat C zwischen der Position t„ und der
Position t? einen konstanten Wert Cß und nimmt dann kontinuierlich
mit dem Abstand ab, um in der Position ty im wesentlichen den Wert
0 zu erreichen. (Dies ist eine Konzentration unterhalb der Bestimmbarkeitsgrenze).
Nach Figur 6 nimmt C mit dem Abstand über den gesamten Bereich zwischen der Position tD und der Position tT kontinuierlich
D I
von Cg auf 0 ab.
Nach Figur 7 hat C zwischen den Positionen tß und t~
einen konstanten Wert Cg. Dieser Wert nimmt dann linear mit dem Abstand ab und erreicht an der Position ty den Wert C10-
Nach Figur 8 hat C zwischen tß und t» einen konstanten
Wert C,,, fällt dann bis C,„ ab und nimmt dann mit dem Abstand linear
ab, um in der Position ty C,- zu erreichen.
Im Falle der Figur 9 nimmt C über den gesamten Bereich zwischen t„ und ty von C1. auf im wesentlichen 0 linear ab.
In Figur 10 nimmt C in dem Bereich zwischen tß und t,-
linear von C1C nach C.g ab und wird dann zwischen den Positionen t,-
und ty auf einem konstanten Wert C16 gehalten.
In der Figur 11 nimmt C zunächst von C17, dem Wert
in der Position tß langsam abj fa-m dann scnnell bis zur Position
tg auf C^8 ab, nimmt dann schnell bis t-, auf C.« ab, dann weiter
sehr langsam auf Cp0 in der Position to und nimmt dann entsprechend
der Kurve in Fig. 11 zu der Position ty auf im wesentlichen null
ab.
Wie oben an Hand der Figuren 3 bis 11 in typischen Fällen dargestellt ist, liegt die Verteilungskonzentration der
Ge-Atome in der Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht der Erfindung auf der dem Substrat anliegenden Seite höher und
an der Position ty auf der Grenzflächenseite wesentlich niedriger.
Die Licht empfangende Schicht bzw. die erste Schicht des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials der Erfindung kann eine
lokalisierte Zone (A) aufweisen, die auf der dem Substrat anliegenden Seite Ge-Atome in relativ hoher Konzentration enthält. Die lokalisierte
Zone (A) liegt wunschgemäß innerhalb eines Abstands von 5 μ von der Position der Grenzfläche tß. Die Zone (A) kann die
gesamte oder einen Teil der Schichtzone (Ly) umfassen, die von der Grenzflächenposition tp bis zu der in einem Abstand von 5 μ
von dieser entfernten Ebene reicht. Die Wahl, ob die gesamte oder ein Teil der Zone (Ly) durch die lokalisierte Zone (A) besetzt
ist, hängt von den geforderten Eigenschaften der zu bildenden Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht ab.
Es ist erwünscht, die lokalisierte Zone (A) so zu bilden,
daß die Maximal konzentration C in der Zone (A) in Richtung der Dicke
verteilter Ge-Atome wenigstens 1000 Atom-ppm, vorzugsweise 5000 Atom-ppm, insbesondere 1 χ 10 Atom-ppm, bezogen auf die enthaltenen
Si-Atome beträgt. Nach der Erfindung wird die Licht empfangende Schicht bzw. die erste Schicht zweckmäßigerweise so gebildet, daß
die obige Maximal konzentration C innerhalb der oben definierten Zone (Ly) liegt, die von tß aus gemessen nicht mehr als 5 μ dick
ist.
Der Gehalt der Ge-Atome in der Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht wird zweckmäßigerweise so gewählt, daß
die Aufgabe der Erfindung wirksam gelöst wird. Im allgemeinen ist
5
ihr Gehalt 1 bis 9,5 χ 10 Atom-ppm, zweckmäßigerweise 100 bis
ihr Gehalt 1 bis 9,5 χ 10 Atom-ppm, zweckmäßigerweise 100 bis
5 5
8 χ 10 Atom-ppm, insbesondere 500 bis 7 χ 10 Atom-ppm, bezogen
auf die Summe der Gehalte der Si- und Ge-Atome.
In der.Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht
des fotoleitfähigen Materials der Erfindung sind die Ge-Atome über die gesamte Schichtzone kontinuierlich verteilt, und die Verteilungskonzentration C der Ge-Atome nimmt von der Substratseite zur freien
Schichtoberfläche hin ab. Die Verteilungskurve für die Ge-Atome
kann den Erfordernissen entsprechend ausgebildet sein, so daß die Licht empfangende Schicht bzw. die erste Schicht die geforderten
Eigenschaften hat.
Beispielsweise kann der Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht dadurch eine hohe Empfindlichkeit gegenüber
einem breiten Lichtwellenbereich von relativ kurzen bis zu langen Wellen einschließlich des sichtbaren Bereiches gegeben werden,
daß man die Verteilungskonzentration C der Ge-Atome an der Substratseite erhöht und auf der Seite der freien Oberfläche minimiert.
Durch extreme Steigerung der Konzentration C der Ge-Atome an oder nahe der Substratseite der Licht empfangenden Schicht bzw.
der ersten Schicht ist es auch möglich, daß das längerwellige Licht aus einem Halbleiter-Laser, das in der Schichtzone auf der Lichteinfallseite
nicht vollständig absorbiert wird, in der Zone auf der Substratseite beinahe vollständig absorbiert wird, wodurch
die Interferenz verhindert wird, welche durch die Reflexion von der substratseitigen Grenzfläche verursacht werden kann.
Bei dem fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial der Erfindung werden in die Licht empfangende Schicht bzw. die erste Schicht
Stickstoff-Atome eingebaut, um die Fotoempfindlichkeit, den Dunkelwiderstand
und die Haftung zwischen dem Substrat und der obigen Schicht zu verstärken. Die Stickstoff-Atome können entweder gleichmäßig
in der gesamten Schichtzone verteilt oder ungleichmäßig in einem Teil der Schicht konzentriert sein. Die Verteilungskonzentration
C(N) der Stickstoff-Atome in der Schicht kann in Richtung der Schichtdicke
gleichmäßig oder ungleichmäßig sein, ähnlich dem Verteilungszustand der Ge-Atome in Richtung der Schichtdicke, wie er in den
Figuren 3 bis 11 dargestellt ist. Der ungleichförmige Verteilungszustand der Stickstoff-Atome in Richtung der Schichtdicke ist daher
ähnlich dem in den Figuren 3 bis 11 dargestellten Verteilungszustand der Ge-Atome.
Die Stickstoff-Atome enthaltende Schichtzone (N) besetzt
die gesamte Zone der Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht, wenn der Hauptzweck des Stickstoffeinbaus die Verstärkung
der Fotoempfindlichkeit und des Dunkelwiderstandes ist. Die Schichtzone (N) besetzt die substratseitige Grenzfläche und deren Umgebung^
wenn der Hauptzweck des N-Einbaus die Verbesserung der Haftung
zwischen dem Substrat und der Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht ist.
Im ersteren Fall ist zur Erzielung hoher Fotoempfindlichkeit
der Gehalt der N-Atome in der Schichtzone (N) zweckmäßigerweise relativ niedrig. Im letzteren Fall sollte der Gehalt zum Zwecke
der Verbesserung der Haftung relativ hoch sein.
Um beide Zwecke gleichzeitig zu erreichen, verteilt man die Stickstoff-Atome entweder so, daß sie an der Substratseite
der Licht empfangenden Schicht bzw. der ersten Schicht relativ konzentriert und auf der Seite der freien Oberfläche der Schicht
relativ verdünnt vorliegen, oder so, daß sie auf der Seite der freien Oberfläche der Schicht nicht beabsichtigt enthalten sind.
Der Gehalt der N-Atome in der in der Licht empfangenden Schicht oder ersten Schicht gebildeten Schichtzone (N) wird zweckmäßigerweise
ausgewählt unter Berücksichtigung der organischen Beziehung zwischen den verschiedenen Eigenschaften, wie etwa den
geforderten Eigenschaften für die Schichtzone (N) selbst und denen der Berührungsfläche zwischen dem Substrat und der Schichtzone (N),
wenn diese das Substrat direkt berührt.
Wenn irgendeine andere Schichtzone die N-haltige Schichtzone (N) direkt berührt, wird der Gehalt der Stickstoff-Atome
darin zweckmäßigerweise unter Berücksichtigung der Beziehungen zu den Eigenschaften der anderen Schichtzone und zu den Eigenschaften
der Berührungsfläche zwischen den zwei Schichtzonen gewählt.
Kurz gesagt wird der Gehalt der N-Atome in der Schichtzone (N) zweckmäßigerweise entsprechend den für das fotoempfindliche
Aufzeichnungsmaterial geforderten Eigenschaften gewählt. Der Gehalt
beträgt im allgemeinen 0,001 bis 50 Atom-%, vorzugsweise 0,002 bis 40 Atom-%, insbesondere 0,003 bis 30 Atom-%. Wenn die Schichtzone
(N) die gesamte oder einen großen Teil der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht besetzt, wird die oben genannte Obergrenze
der Stickstoffgehalts wunschgemäß erniedrigt. Das ist der Fall,
wenn die Dicke T der Schichtzone (N) wenigstens 2/5 der Dicke (T)
der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht beträgt; die obere Grenze des Stickstoffgehalts in der Schichtzone (N) ist dann
im allgemeinen 30 Atom-%, vorzugsweise 20 Atom-%, insbesondere 10 Atom-%.
Vorzugsweise wird eine lokalisierte Zone (B), welche Stickstoff-Atome in relativ hoher Konzentration enthält, als Schichtzone
(N) an der Substratseite der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht gebildet, wodurch die Haftung zwischen dem Substrat
und der Schicht verbessert wird.
Unter Hinweis auf die Angaben in den Figuren 3 bis 11 wird die lokalisierte Zone (B) zweckmäßigerweise innerhalb einer
Grenze von 5 μ von der Grenzfläche tß gebildet. Die lokalisierte
Zone (B) kann die gesamte oder einen Teil der Schichtzone (L,.) ausmachen, die von der Grenzflächenposition tß bis zu der in einem
Abstand von 5 μ davon befindlichen Ebene reicht. Die Wahl, ob die gesamte oder ein Teil der Schichtzone (L1-) durch die lokalisierte
Zone (B) besetzt ist, hängt von den Eigenschaften ab, die für die
zu bildende Licht empfangende Schicht bzw. erste Schicht gefordert werden.
Die lokalisierte Zone (BJ kann in der Schicht vorzugsweise
in der Weise gebildet sein, daß der Stickstoff in Richtung der Schichtdicke mit einem Maximalwert der N-Atom-Konzentration von
vorzugsweise nicht weniger als 500 Atom-ppm, insbesondere nicht weniger als 800 ppm, speziell nicht weniger als 1000 ppm, verteilt
ist.
Es ist daher erwünscht, die N-Atome enthaltende Schichtzone (N) so zu bilden, daß die Maximal konzentration Cx, der Stickstoff-
max
Atome innerhalb der Grenze von 5 μ von der Grenzflächenposition tß
liegt.
Nach der Erfindung sind geeignete Beispiele für die
in die Licht empfangende Schicht bzw. die erste Schicht einzubauenden
Halogen-Atome Fluor-, Chlor-, Brom- und Jod-Atome, unter denen Fluor- und Chlor-Atome besonders geeignet sind.
Die Licht empfangende Schicht bzw. erste Schicht, die
aus a-SiGe(H.X) besteht, wird nach einem Vakuum-Abscheideverfahren,
z.B. der Glüh-Entlademethode, Sprühmethode oder Ionen-Plattiermethode,
welche eine elektrische Entladung ausnutzt, aufgebracht. Beispielsweise kann die Schichtbildung nach der Glühentladungsmethode wie
folgt durchgeführt werden: Einführung eines Si-Atome liefernden Gases und eines Ge-Atome liefernden Gases als wesentliche Ausgangsmaterialien
und nötigenfalls eines Wasserstoff-Atome liefernden Gases und/oder eines Halogen-Atome (X) liefernden Gases in eine
auf einen gewünschten Gasdruck evakuierbare Abscheidekammer, und Erzeugung einer Glühentladung in der Abscheidekammer zur Abscheidung
von a-SiGe(H,X) auf dem vorher in eine vorbestimmte Position gebrachten, vorbestimmten Substrat, wobei die Abscheidung der Ge-Atome so überwacht wird, daß sich die gewünschte Ge-Verteilungskurve ergibt.
Die Bildung der Schicht nach der Sprühmethode kann so erfolgen: Einsetzen eines Si-Targets oder eines Si-Targets zusammen
mit einem Ge-Target oder alternativ eines aus einem Si/Ge-Gemisch bestehenden Targets in eine Abscheidekammer für die Sprühmethode;
Einführen eines nötigenfalls mit einem Inertgas, wie He oder Ar, verdünnten, Ge liefernden Gases und nötigenfalls eines Wasserstoff
liefernden Gases und/oder eines Halogen (X) liefernden Gases in die Abscheidekammer zwecks Bildung einer Plasmaatmosphäre und Versprühung
(Sputtering) des Targets bei kontrollierter Strömung des
Ge lieferndes Gases, so daß sich die gewünschte Ge-Verteilungskurve
ergibt.
Die Schichtbildung nach der Ionen-Plattiermethode kann in der gleichen Weise wie bei der Sprühmethode erfolgen, wobei
jedoch polykristallines oder einkristallines Si und polykristallines
oder einkristallines Ge als Dampfquellen in Verdampfungsschiffchen
gebracht und die Dampfqueilen durch Widerstandsheizung oder durch
die Elektronenstrahlmethode (EB-Mehtode) erhitzt und verdampft werden,
so daß der gebildete Dampf durch die gewünschte Plasma-Atmosphäre
hindurchtritt.
Geeignete Materialien, die als Si lieferndes Gas nach der Erfindung benutzt werden können, sind Wasserstoff enthaltendes,
gasförmiges oder vergasbares Silizium (Silane), z.B. SiH4, Si2H5,
Si3Hg und Si4H10. Insbesondere werden SiH4 und SioHg wegen der
leichten Handhabung während der Schichtbildung und Wirksamkeit der Si-Lieferung bevorzugt.
Geeignete Materialien für das Ge liefernde Gas sind gasförmige oder vergasbare Germaniumwasserstoff-Verbindungen, z.B.
GeH4, Ge2H6, Ge3H3, Ge4H10, Ge5H12, Ge5H14, Ge7H16, Ge8H18 und Ge9H20.
Wegen der leichten Handhabung bei der Schichtenbildung und Wirksamkeit der Ge-Lieferung werden insbesondere GeH4, Ge2H6 und Ge3H3
bevorzugt.
Geeignete Materialien für Halogen liefernde Gase sind verschiedene gasförmige oder vergasbare Halogen-Verbindungen, z.B.
Halogen-Gase, halogenierte Verbindungen, Interhalogenverbindungen und halogensubstituierte Silan-Derivate.
Andere geeignete Beispiele für Halogen liefernde Gase sind gasförmige oder vergasbare Silane mit Silizium- und Halogen-Atomen
als Bestandteile. Einzelne geeignete Beispiele für Halogen liefernde Materialien sind Fluor, Chlor, Brom und Jod als Halogen-Gase
und Interhalogenverbindungen, wie BrF, ClF, ClF,-, BrF1-, BrF-,
JF3, JF7, JCl und JBr.
Geeignete Beispiele für halogenhaltige Silizium-Verbindungen,
d.h. halogensubstituierte Silan-Derivate, sind SiF4, Si2Fg,
SiCl4 und SiBr4.
Wenn eine solche Halogen enthaltende Silizium-Verbindung
zur Herstellung des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials durch Glühentladung eingesetzt wird, kann die Licht empfangende Schicht
bzw. erste Schicht, die aus Halogen-Atome enthaltendem a-SiGe besteht, auf einem gewünschten Substrat-ohne Verwendung irgendeines Silan-Gases
als Si-Lieferant zusammen mit dem Ge-Lieferanten gebildet werden.
Das Grundverfahren zur Bildung der Halogen enthaltenden, Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht auf einem gewünschten
Substrat nach der Glühentladungsmethode umfaßt die Einführung von
z.B. Siliziumhalogenid als Si lieferndes Gas, hydriertem Germanium
als Ge lieferndes Gas und einem Verdünnungsgas, wie Ar, H? oder
He, in vorbestimmten Verhältnissen und Strömungsgeschwindigkeiten in eine Abscheidekammer und die Erzeugung einer Glühentladung unter
Bildung einer Plasma-Atmosphäre dieser Gase. In diesem Fall kann Wasserstoffgas oder eine gasförmige, Wasserstoff-Atome enthaltende
Silizium-Verbindung in einem geeigneten Verhältnis dem obigen Gasgemisch
zugesetzt werden, um den Gehalt der in die Licht empfangende Schicht bzw. erste Schicht eingeführten Wasserstoff-Atome leichter
überwachen zu können.
Für jedes teilnehmende Gas kann ein einzelnes Gas oder
es können mehrere Gase in vorbestimmten Mischungsverhältnissen eingesetzt werden.
Nach der Sprüh- und der Ionen-Plattiermethode kann die Einführung von Halogen-Atomen in die zu bildende Schicht durch
Einführung der oben genannten gasförmigen Halogenverbindung oder Halogen-Atome enthaltenden, gasförmigen Silizium-Verbindung zusammen
mit den anderen notwendigen Beschickungsgasen in eine Abscheidekammer und Bildung einer Plasma-Atmosphäre dieser Gase erreicht werden.
Die Einführung von Wasserstoff-Atomen in die Schicht
kann durch Einführung eines H-Atome-Einführungsgases, z.B. Η~,
die oben genannten Silane und Germaniumwasserstoffe in eine zur Sprühung geeignete Abscheidekammer und Bildung einer Plasma-Atmosphäre
dieser Gase erfolgen.
Während die oben erwähnten Halogen-Verbindungen oder halogenhaltigen Silizium-Verbindungen erfindungsgemäß als Halogen-Einführungsgas
benutzt werden können, können die folgenden gasförmigen
oder vergasbaren· Verbindungen ebenfalls als wirksame Ausgangsmaterialien
für die Licht empfangende bzw. erste Schicht dienen. Es sind dies halogenierte Verbindungen mit wenigstens einem Wasserstoff-Atom
als Bestandteil, darunter Halogenwasserstoffe, wie HF, HCl, HBr und HJ; halogensubstituierte Silan-Derivate, wie SiH2Fp, SiH2J2,
SiHpCIp5 SiHCl-, SiH2Br2 und SiHBr-; hydrierte Germaniumhalogenide,
wie GeHF3, GeH2F2, GeH3F, GeHCl3, GeH2Cl2, GeH3Cl, GeHBr3, GeH2Br2,
GeH-Br, GeHJ-, GeHpJp und GeH13J; sowie Germaniumhalogenide, wie
GeF-, GeCl4, GeBr- GeJ-, GeF2, GeCl,,, GeBr2 und GeJ2.
Von den obigen Verbindungen können die halogenieren Verbindungen mit wenigstens einem Wasserstoff-Atome mit Vorteil
zur Halogeneinführung dienen, da sie die Einführung von Wasserstoff-Atomen zusammen mit Halogen-Atomen in die Schicht gestatten, wobei
die Wasserstoff-Atome zur überwachung der elektrischen oder fotoelektrischen
Eigenschaften der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht dienen.
Die Einführung von "Wasserstoff-Atomen als Bestandteil in
die Licht empfangende Schicht bzw. erste Schicht kann auch erfolgen ohne Verwendung der obigen Verbindung durch Einführung eines Silans,
wie SiH-, Si0H,-, Si0H0 oder Si-H1n zusammen mit Germanium, einer
4 cb Jo 4 JU
German ium-Verbindung oder hydriertem Germanium, wie GeH-, GepHfi,
Ge3H8, Ge4H10, Ge5H12, Ge6H14, Ge7H16, Ge8H18 oder Ge9H20, zur
Ge-Lieferung, und von Silizium oder einer Silizium-Verbindung für
die Si-Lieferung in eine Abscheidekammer und die Erzeugung einer elektrischen Entladung in der Kammer.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
sollte der Gehalt der Wasserstoff-Atome (H) oder der Gehalt der
Halogen-Atome (X) oder die Summe der Gehalte der Wasserstoff-Atome
und Halogen-Atome (H + X) in der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht des Fotoleitmaterials 0,01 bis 40 Atom-%, vorzugsweise
0,05 bis 30 Atom-%, insbesondere 0,1 bis 25 Atom-% betragen.
Die überwachung des Gehalts der Wasserstoff- und/oder
Halogen-Atome in der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht kann erfolgen durch überwachung beispielsweise der Substrattemperatur,
der Strömung des in die Abscheidekammer eingeführten Ausgangsmaterials für die Einbau der Wasserstoff- und/oder Halogen-Atome in die Schicht
und der elektrische Entladungsenergie.
Die Dicke der Licht empfangenden Schicht oder ersten Schicht in dem fotoleitfähigen Material der Erfindung wird zweckmäßigerweise
so bestimmt, da3 die in der Schicht erzeugten Fototräger wirksam transportiert werden. Die Dicke beträgt zweckmäßig 1 bis 100 μ,
vorzugsweise 1 bis 80 μ und insbesondere 2 bis 5Ou.
Die Bildung der Stickstoff-Atome enthaltenden Schichtzone
(N) in der Licht empfangenden Schicht oder ersten Schicht kann durch Zuführung eines N-Atome einführenden Ausgangsmaterials
zusammen mit dem oben genannten anderen Ausgangsmaterial unter überwachung der Strömungen dieser Materialien erfolgen.
Wenn die Glühentlademethode zur Bildung der Schichtzone (N) benutzt wird, setzt man den unter den oben genannten Ausgangsmaterialien
zur Bildung der Licht empfangenden bzw. ersten Schicht passend ausgewählten Stoffen ein N-Atome einführendes Ausgangsmaterial
zu. Als dieses N-Atome einführende Ausgangsmaterial können verschiedene gasförmige oder vergasbare Verbindungen dienen, die wenigstens ein
Stickstoff-Atom enthalten.
Zur Bildung der mit einer Schichtzone (N) versehenen,Licht
empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht ist es beispielsweise möglich, ein Silizium (Si) als Atombestandteil enthaltendes Ausgangsgas,
ein Stickstoff (N) als Atombestandteil enthaltendes Ausgangsgas
und nötigenfalls ein Wasserstoff (H) und/oder Halogen (X) als Atombestandteil enthaltendes Ausgangsgas in dem gewünschten Mischungsverhältnis
einzusetzen. Alternativ ist es möglich, ein Gemisch aus einem Silizium (Si) und Wasserstoff (H) als Atombestandteile
enthaltenden Ausgangsgas und einem Stickstoff (N) als Atombestandteil enthaltenden Ausgangsgas einzusetzen.
Wirksame Ausgangsmaterialien, die als Beschickungsgas
für die Einführung von N-Atomen dienen, sind z.B. gasförmiger Stickstoff (N?) und gasförmige oder vergasbare Nitride oder Azide, wie
Ammoniak (NH3), Hydrazin (H2N-NH2), Stickstoffwasserstoffsäure (HN3)
und Ammoniumazid (NH4N3). Außer diesen Verbindungen können als
Ausgangsmaterialien für die Einführung von Halogen-Atomen (X) zusammen
mit Stickstoff-Atomen (N) beispielsweise Stickstoffhalogenide angegeben werden, wie Stickstofftrifluorid (F3N) und Distickstofftetrafluorid
(F4N2).
Nach der Erfindung können Sauerstoff-Atome zusammen mit Stickstoff-Atomen in die Schichtzone (N) eingebaut werden,
um den mit N-Atomen erzielten Effekt weiter zu verstärken. Als Ausgangsmaterial für die Einführung von Sauerstoff-Atomen in die
Schichtzone (N) geeignete Verbindungen sind u.a. Sauerstoff (CL), Ozon (O3), Stickstoffmonoxid (NO), Stickstoffdioxid (NO2), Distickstoffmonoxid
(N2O), Distickstofftrioxid (N2O3), Distickstofftetroxid
(N2O4), Distickstoffpentoxid (N2O5), Stickstofftrioxid (NO3), sowie
niedere Siloxane, die Silizium, Sauerstoff und Wasserstoff als Atombestandteile enthalten, wie Disiloxan (HoSiOSiHo) und Trisiloxan
(H3SiOSiH2OSiH3).
Die Bildung der N-Atome enthaltenden Schichtzone (N) nach der Sprühmethode kann durchgeführt werden durch Verwendung
einer Scheibe aus einkristallinem oder polykristallinen! Silizium,
einer Scheibe aus Si3N4, oder einer Scheibe aus einem Si/Si3N4-GeIDisch
und Sprühen des Targetmaterials in einem geeigneten, unter verschiedenen
gasförmigen Stoffen ausgewählten Gas.
Wenn beispielsweise eine Si-Scheibe als Target dient, kann die Schichtzone (N) dadurch gebildet werden, daß man ein zur
Einführung von Stickstoff-Atomen und erforderlichenfalls Wasserstoff-Atomen
und/oder Halogen-Atomen befähigtes Ausgangsgas, erforderlichenfalls
mit einem Inertgas verdünnt, in eine geeignete Abscheidekammer einführt und die Si-Scheibe in einer Plasma-Atmosphäre dieser Gase
versprüht. Alternativ kann die Bildung der Schichtzone (N) erfolgen durch getrennte Verwendung von Si und Si3N4 als Targets oder durch
Einsatz eines Targets aus Si/Si3N4-GeIiIisch und Durchführung der
Sprühung in einer sprühgeeigneten Verdünnungsgas-Atmosphäre oder einer Gasatmosphäre, die wenigstens Wasserstoff (H) und/oder Halogen (X)
als Atombestandteile enthält. In diesem Falle können die oben für
die Glühentladung als geeignet genannten Ausgangsgase für die Einführung der N-Atome ebenfalls mit Erfolg eingesetzt werden.
Wenn die Licht empfangende Schicht bzw. die erste Schicht mit einer N-Atome enthaltenden Schichtzone (N) nach der Erfindung
gebildet wird, kann bei der Glühentladung das gewünschte Tiefenprofil
der N-Atom-Konzentration in der Schichtzone (N) dadurch erhalten werden,
daß man ein N-Atom-einführendes Ausgangsgas einführt und dabei die Strömungsgeschwindigkeit des Gases gemäß der gewünschten N-Atom-Verteilungskurve
variiert.
Die Regelung der Gasströmungsgeschwindigkeit kann erreicht werden beispielsweise durch allmähliche Veränderung der öffnung
eines in der Gasleitung eingesetzten Nadelventils in üblicher Weise, z.B. durch Betätigung von Hand oder durch Antrieb mit einem äußeren
Motor. Die Strömungsgeschwindigkeit wird nicht immer linear variiert. Sie kann gemäß einer vorher festgelegten bzw. gezeichneten Kurve
beispielsweise mittels eines Mikrocomputers geregelt werden. Auf diese Weise kann das gewünschte Tiefenprofil der N-Atom-Konzentrattion
erhalten werden.
Bei der Sprühung (Sputtering) besteht der erste Weg zur Erreichung des gewünschten Tiefenprofils darin, daß man ähnlich
wie bei der Glühentladung ein Stickstoff-Atome enthaltendes Ausgangsgas
in eine Abscheidekammer einleitet und dabei die Gasströmungsgeschwindigkeit gemäß der gewünschten N-Atom-Verteilungskurve variiert.
Der zweite Weg besteht darin, daß man ein zur Sprühung geeignetes Target, z.B. ein Target aus einem Si/SÜN^-Gemisch einsetzt, bei
dem das Mischungsverhältnis von Si zu Si^N* in Richtung der Tiefe
gemäß der gewünschten N-Atom-Verteilungskurve variiert worden ist.
Bei dem fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial der Erfindung können die Leitfähigkeitseigenschaften der Licht empfangenden
Schicht bzw. ersten Schicht wunschgemäß dadurch gesteuert werden, daß man in die Schicht eine Substanz einbaut, welche die Halbleitungseigenschaft
dominiert. Solche Substanzen sind auf dem Halbleiter-
gebiet sogenannte"Verunreinigungen", die nach der Erfindung Verbindungen
vom p-Typ, die dem a-SiGe(H,X) der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht die Eigenschaft eines Halbleiters vom p-Typ
verleihen, sowie Verunreinigungen des η-Typs, die die Eigenschaft eines Halbleiters vom η-Typ verleihen.
Zur Verwendung in der Erfindung geeignete Verunreinigungen des p-Typs sind u.a. Elemente der Gruppe III des Periodischen Systems,
z.B. B, Al, Ga, In und Tl, unter denen B und Ga praktisch geeignet
sind.
Zur Verwendung nach der Erfindung geeignete Verunreinigung
gen des η-Typs sind u.a. Elemente der Gruppe V des Periodischen Systems, z.B. P, As, Sb und Bi, unter denen P und As besonders
geeignet sind.
Der Gehalt der Verunreinigung (C), der die Halbleitungseigenschaft
in der Licht empfangenden Schicht steuert, wird in geeigneter Weise unter Beachtung ihrer organischen Beziehungen
zu verschiedenen Eigenschaften
ausgewählt, wie etwa solchen, die für die Schicht erforderlich sind, und solchen, welche die Berührungsfläche zwischen der Schicht
und dem Substrat betreffen.
Wenn die die Halbleitungseigenschaft steuernde Verunreinigung
(C) in einer Schichtzone, besonders in der substratseitigen Grenzflächenzone (E) der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten
Schicht lokalisiert ist, wird der Gehalt der Verunreinigung unter Berücksichtigung auch der Beziehung der anderen, in direktem Kontakt
mit der betreffenden Schichtzone befindlichen Schichtzone und der Beziehung zu der Eigenschaft dieser Kontaktgrenzfläche bestimmt.
3C
Der Gehalt der Verunreinigung (C) in der Licht empfangenden bzw.
4 ersten Schicht ist im allgemeinen 0,01 bis 5 χ 10 Atom-ppm, vorzugs-
4 3
weise 0,5 bis 1 χ 10 Atom-ppm und insbesondere 5 χ 10 Atom-ppm.
Wenn der gewünschte Gehalt der Verunreinigung (C) in der Licht empfangenden Schicht wenigstens 30 Atom-ppm, insbesondere
50 Atom-ppm und speziell 100 Atom-ppm beträgt, lokalisiert man die Verunreinigung (C) zweckmäßigerweise besonders in der substratseitigen
Grenzflächenzone (E) der Schicht.
Durch Konzentrierung der Verunreinigung (C) auf wenigstens die oben genannten Werte in der genannten Grenzflächenzone (E)
wird es möglich, bei einer Verunreinigung (C) des p-Typs die Elektroneninjektion
von dem Substrat in die Licht empfangende Schicht bzw. erste Schicht an den Stellen, wo deren freie Oberfläche positiv
geladen ist, wirksam zu hemmen. In analoger Weise kann bei einer Verunreinigung (C) des η-Typs die Injektion von Löchern aus dem
Substrat in die Licht empfangende Schicht an den Stellen, wo deren freie Oberfläche negativ geladen ist, wirksam gehemmt werden.
Wenn eine Verunreinigung (C) des p- oder des n-Typs so in die substratseitige Grenflächenzone (E) der Licht empfangenden
Schicht bzw. ersten Schicht eingebaut ist, kann die andere Schichtzone (Z), soweit sie nicht die Grenzflächenzone (E) umfaßt, eine
Verunreinigung (C) des entgegengesetzten Polaritätstyps oder eine Verunreinigung (C) des-selben Polaritätstyps in einer weit geringeren
Menge als in der Grenzflächenzone (E) enthalten. In diesen Fällen wird der Gehalt der Verunreinigung (C) in der Schichtzone (Z) zweckmäßigerweise
in Abhängigkeit von der Polarität und dem Gehalt der in der Grenzflächenzone (E) enthaltenen Verunreinigung ausgewählt;
er beträgt im allgemeinen 0,001 bis 1000 Atom-ppm, vorzugsweise 0,05 bis 500 Atom-ppm und insbesondere 0,1 bis 200 Atom-ppm.
Wenn Verunreinigungen des gleichen Typs in die Grenzflächenzone (E) und die Schichtzone (Z) eingebaut sind, beträgt
der Gehalt in der Schichtzone (Z) zweckmäßigerweise 30 Atom-ppm oder weniger. Eine andere Art der Verteilung der Verunreinigungen (C)
ist so, daß eine eine Verunreinigung enthaltende Schichtzone und eine andere eine Verunreinigung von entgegengesetzter Polarität
enthaltende Schichtzone in der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht in direktem gegenseitigem Kontakt miteinander angeordnet
sind, wodurch eine sogenannte Verarmungsschicht an der Kontaktgrenzfläche gebildet wird. Beispielsweise werden eine Schichtzone
mit der oben genannten Verunreinigung des p-Typs und eine Schichtzone mit der oben genannten Verunreinigung des η-Typs in der Licht
empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht in direkten gegenseitigen Kontakt gelegt, so daß sich an der Kontaktfläche eine Verarmungsschicht
bildet.
Die Einführung einer Verunreinigung, z.B. eines Elements der Gruppe III oder V in die Licht empfangende Schicht bzw. erste
Schicht kann dadurch erfolgen, daß man ein zur Einführung eines solchen Elements geeignetes Ausgangsgas zusammen mit anderen Ausgangsgasen
zur Bildung der Licht empfangenden Schicht bzw. ersten Schicht in eine Abscheidekammer einführt. Das Ausgangsmaterial zur Einführung
eines Elements der Gruppe III ist zweckmäßigerweise bei gewöhnlicher Temperatur und gewöhnlichem Druck gasförmig oder unter den Bedingungen
der Schichtenbildung leicht vergasbar.
Beispiele für Materialien zur Einführung eines Elements
der Gruppe III sind Borhydride (Borane), wie B2Hg9 B4H^0, B5H9,
B5^11' B6H10' B6^12 und B6^14' m<* Borna^ogenide, wie BF3, BCl3
und BBr3, zur Einführung von Bor, und AlCl3, GaCl35 Ga(CH3J3, InCl3
und TlCl3 zur Einführung anderer Elemente der Gruppe III.
Beispiele für Materialien zur Einführung eines Elements
der Gruppe V sind Phosphorwasserstoffe, wie PH3 und PoH4, und Phosphorhalogenide,
wie PH4J, PF3, PF54 PCl3, PCl55 PBr3, PBr5 und PJ3
zur Einführung von Phosphor, sowie AsH3, AsF3, AsCl-, AsBr3, AsFj-,
SbH3, SbF3, SbF5, SbCl3, SbCl5, BiH3, BiCl3 und BiBr3 zur Einführung
anderer Elemente der Gruppe V.
Wenn bei dem erfindungsgemäßen fotoieitfähigen Aufzeichnungsmaterial
die Licht empfangende Schicht auf dem Substrat eine geschichtete Struktur aus einer ersten Schicht, die - wie schon
beschrieben - aus a-SiGe(H,X) besteht, Stickstoff-Atome enthält
und fotoleitend ist, und einer zweiten Schicht aufweist, hat die zweite Schicht eine freie Oberfläche, und sie dient dazu,die Ziele der
Erfindung hauptsächlich in Bezug auf Feuchtigkeitsbeständigkeit, Verhalten im kontinuierlichen Wiederholungsbetrieb, Spannungswiderstand,
Beständigkeit gegenüber Umweltbedingungen beim Betrieb und Lebensdauer
zu erreichen. Die zweite Schicht besteht aus einem amorphen Material, das Silizium-Atome als Matrix und Kohlenstoff- und/oder
Sauerstoff-Atome enthält.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform besteht die zweite Schicht aus einem amorphen Material, das Silizium- (Si), Kohlenstoff-(C)
und, falls nötig, Wasserstoff- (H) und/oder Halogen-Atome (X) enthält (nachfolgend ist dieses amorphe Material als "a-(Si C1 ) (H5X)1 "
χ ι—χ y ι —y
bezeichnet, worin 0<x,y<1 ist).
Wenn die zweite Schicht aus a-(Si C.) (H9X). besteht,
kann sie durch die Glühentladungsmethode, Sprühmethode, Ionen-Implantationsmethode,
Ionen-Plattiermethode, Elektronenstrahlmethode
usw. gebildet werden. In der Praxis wird eine dieser Methoden in Abhängigkeit von solchen Faktoren, wie Produktionsbedingungen,
Investitionskosten für die Anlage, Produktionsmaßstab und die für das herzustellende foto!eitfähige Aufzeichnungsmaterial erforderlichen
Eigenschaften ausgewählt. Im allgemeinen wird die Glühentladungsmethode
und die Sprühmethode bevorzugt, da bei ihnen die Betriebsbedingungen zur Herstellung des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials mit
erforderlichen Eigenschaften relativ leicht zu überwachen sind und Kohlenstoff-Atome und Halogen-Atome zusammen mit Silizium-Atomen
leicht in die zu bildende zweite Schicht eingeführt werden können.
Die zweite Schicht kann auch durch kombinierte Anwendung der GTühentlademethode und der Sprühmethode in der gleichen Abscheidekammer
gebildet werden. Nach der Glühentladungsmethode kann die
zweite Schicht in der Weise gebildet werden, daß man ein zur Bildung von a-(SiC, ) (H5X), geeignetes gasförmiges Material, erforderlichenfalls
in einem vorbestimmten Mischungsverhältnis mit einem Verdünnungsgas gemischt, in eine Vakuum-Abscheidekammer einführt,
in der ein mit einer ersten Schicht belegtes Substrat angeordnet ist, und in der Kammer zwecks Bildung einer Plasma-Atmosphäre des
Beschickungsgases eine Glühentladung erzeugt, wodurch auf der ersten
Schicht a-(Si C1 ) (HjX)1 .. abgeschieden wird.
Die meisten gasförmigen oder vergasbaren Verbindungen,
die wenigstens eine Atomart unter Silizium (Si), Kohlenstoff (C), Wasserstoff (H) und Halogen (X) als Atombestandteil aufweisen,
können als Beschickungsgas für die Bildung von a-(Si C1 ) (H5X)1
χ ι *"X y ι "*y
dienen.
Wenn ein Gas mit Si als Atombestandteil als Ausgangsmaterial dient, können die folgenden Gasgemische in den gewünschten
Mischungsverhältnissen als Beschickung eingesetzt werden: Ein Gemisch aus einem Gas mit Si als atomarer Bestandteil, einem Gas mit C
als atomarer Bestandteil und ggfs. einem Gas mit H als Atombestandteil und/oder einem Gas mit X als Atombestandteil; ein Gemisch aus einem
Gas mit Si als AtombestandteiT mit einem Gas mit C und H als Atombestandteile
und/oder einem Gas mit X als Atombestandteil; sowie ein Gemisch aus einem Gas mit Si als Atombestandteil und entweder
einem Gas mit Si, C und H als Atombestandteile oder einem Gas mit Si, C und X als Atombestandteile.
Außer den obigen Mischungen können auch die folgenden Mischungen als Beschickungsmaterialien dienen: Ein Gemisch aus
einem Gas mit Si und H als Atombestandteile und einem Gas mit C als Atombestandteil; sowie ein Gemisch aus einem Gas mit Si und
X als Atombestandteile und einem Gas mit C als Atombestandteil.
Geeignete Halogene (X), die als Bestandteil der zweiten Schicht dienen können, sind F, Cl, Br und J. Insbesondere werden
F und Cl bevorzugt.
Als wirksame Ausgangsmaterialien zur Bildung der zweiten Schicht sind Substanzen zu nennen, die bei Normaltemperatur und
Normaldruck gasförmig oder leicht vergasbar sind und die Siliziumhydride, wie Silane, Kohlenwasserstoffe, wie gesättigte Cj-C.-Kohlen-
Wasserstoffe, äthylenische ^-^-Kohlenwasserstoffe und azetylenische
C.-^-Kohlenwasserstoffe; Halogene; Halogenwasserstoffe, Interhalogenverbindungen,
Siliciumhalogenide und halogenhaltige Siliziumwasserstoffe
umfassen. Spezielle Beispiele hierfür werden nachfolgend angegeben: Silane, z.B. SiH,, Si2H5, Si3H8 und Si4H10; gesättigte Kohlenwasserstoffe,
z.B. Methan, Äthan, Propan, η-Butan und Pentan; äthylenische Kohlenwasserstoffe, z.B. Äthylen, Propylen, Buten-1, Buten-2,
Isobutylen und Penten; azetylenische Kohlenwasserstoffe, z.B. Azetylen, Methylazety1 en und Butin; Halogene, z.B. Fluor, Chlor, Brom und
Jod; Halogenwasserstoffe, z.B. HF, HJ, HCl und HBr; Interhalogenverbindungen, z.B. BrF, ClF, ClF3, ClF55 BrF5, BrF3, JF7, JF5,
JCl und JBr; Siliciumhalogenide, z.B. SiF4, Si?Ffi, SiCl4, SiCl3Br,
SiCl2Br2J SiClBr3, SiCl3J und SiBr4; halogensubstituierte Siliziumwasserstoffe,
z.B. SiH2F2, SiH2Cl2, SiHCl35 SiH3Br, SiH2Br2 und
SiHBr3.
Außerdem können die folgenden Verbindungen mit Erfolg eingesetzt werden: Halogensubstituierte Paraffin-Kohlenwasserstoffe,
z.B. CF4, CCl45 CBr45 CHF3, CH2F2, CH3F5 CH3Cl5 CH3Br5 CH3J und
C2H5Cl; Schwefel fluoride, z.B. SF4 und SF5; Siliziumalkyle, z.B.
Si(CH-J4 und Si(C2Hg)4; Halogen enthaltende Siliziumalkyle, z.B.
SiCl(CH3)3, SiCl2(CH3)2 und SiCl3CH3. Diese Ausgangsstoffe werden
für den Einsatz so ausgewählt, daß Silizium-, Kohlenstoff-, Halogen- und ggfs. Wasserstoff-Atome in den gewünschten Verhältnissen in
der zu bildenden zweiten Schicht enthalten sind. Beispielsweise kann die aus a-(Si C1 V)x-(CIh-H)1- be-
x i*"X y ι"j
stehende zweite Schicht gebildet werden durch Einführung von Si(CH3J45
mit dem Si, C und H leicht eingebaut und eine Schicht mit gewünschten Eigenschaften gebildet werden kann, und einer der Verbindungen SiHCl35
lpj SiHoCl und SiCl- als Halogenquelle in gasförmigem Zustand in
einem vorbestimmten Mischungsverhältnis in eine Abscheidekammer zur Bildung der zweiten Schicht und Erzeugung einer Glühentladung
in der Kammer.
Die zweite Schicht kann nach der Sprühmethode in der Weise gebildet werden, daß man eine einkristalline oder polykristalline
Si-Scheibe, eine C-Scheibe oder eine Scheibe aus einem Si/C-Gemisch
als Target einsetzt und das Target nötigenfalls in einer geeigneten Gasatmosphäre versprüht, die Halogen und/oder Wasserstoff
als Atombestandteile enthält.
Wenn beispielsweise eine Si-Scheibe als Target benutzt wird, führt man ein gasförmiges Ausgangsmaterial zur Einführung
von C und wenigstens einer der Atomarten H und X, ggfs. im Gemisch mit einem Verdünnungsgas in eine Sprüh-Abscheidekammer ein, und
man bildet ein Plasma dieser Gase, um die Si-Scheibe zu versprühen.
Alternativ kann die zweite Schicht gebildet werden unter Verwendung eines Si-Targets zugleich mit einem C-Target oder
eines Targets aus einem Si/C-Gemisch und Sprühung in einer Gasatmosphäre
die H und/oder X als Atombestandteile enthält. Gasförmige Ausgangsstoffe zur Einführung von C, H und X, die im Zusammenhang mit der
Glühentlademethode oben angeführt sind, können auch in diesem Falle
mit Erfolg eingesetzt werden.
Geeignete Verdünnungsgase zum Einsatz bei der Bildung der zweiten Schicht nach dem Glühentladeverfahren oder Sprühverfahren
sind Edelgase, z.B. He5 Ne und Ar.
Die zweite Schicht wird mit Sorgfalt so gebildet, daß sie die notwendigen Eigenschaften hat. D.h., das aus Si, C und
ggfs. H und/oder X bestehende Material kann irgendeine Struktur
von kristallin bis amorph annehmen und in Abhängigkeit von den Arbeitsbedingungen seiner Bildung die elektrische Eigenschaft eines
Leiters, Halbleiters und Isolators annehmen. Demgemäß werden die Arbeitsbedingungen genau ausgewählt, so daß ein a-(Si C1 ) (H5X)1
χ ι~x y ι~y
mit den der Aufgabe entsprechenden, gewünschten Eigenschaften erhalten
wird. Wenn beispielsweise die zweite Schicht hauptsächlich darauf
gerichtet ist, die 'Durchschlagfeidstärke zu verbessern, stellt man
a-(Si C|_ ) (H9X)1 in amorpher Form her, so daß es im Betrieb
ausgezeichnete elektrische Isolationseigenschaften hat. Wenn man mit der zweiten Schicht hauptsächlich Verbesserungen des Verhaltens
beim kontinuierlichen Wiederhol betrieb und der Beständigkeit gegenüber
den Einwirkungen der Betriebsumgebung anstrebt,wird das Erfordernis
des elektrischen Isolationsvermögens in gewissem Maße verringert,
und es wird a-(Si C1 ) (H5X)1 in amorpher Form hergestellt,
χ ι~x y ι—y
das ein gewisses Maß von Empfindlichkeit gegenüber einstrahlendem
Licht hat.
Die Substrattemperatur während der Bildung der aus a-(Si C. ) (H,X). bestehenden zweiten Schicht auf der ersten
Schicht ist ein wichtiger Faktor, der die Struktur und Eigenschaften der gebildeten Schicht beeinflußt. Es ist deshalb erwünscht, daß
die Substrattemperatur genau kontrolliert wird, so daß ein a-(Si C, ) (H,X)._ mit den gewünschten Eigenschaften gebildet
wird.
Die zweite Schicht wird nach passender Wahl des optimalen
Bereiches der Substrattemperatur und der Schichtbildungsmethode gebildet, um die gewünschten Ziele mit Erfolg zu erreichen. Im
allgemeinen ist der Temperaturbereich 20 bis 400 0C, vorzugsweise 50
bis 350 0C, insbesondere 100 bis 350 0C. Zur Bildung der zweiten
Schicht ist die Glühentladungsmethode und die Sprühmethode von
Vorteil, da im Vergleich zu anderen Methoden die genaue überwachung
der Schichtzusammensetzung und -dicke relativ leicht möglich ist, zumal die elektrische Entladungsenergie, ähnlich wie die Substrattemperatur
ein wichtiger, die Eigenschaften des gebildeten
a-(Si C1 ) X1 beeinflussender Faktor ist.
χ ι—χ y ι~y
Die elektrische Entladungsenergie ist im allgemeinen 1,0 bis 300 W, vorzugsweise 2,0 bis 250 W, insbesondere 5,0 bis 200 W,
um mit guter Produktivität eine wirksame Bildung von a-(Si C1 ) X,
χ ι—χ y ι~y
mit den angestrebten Eigenschaften zu erreichen.
Der Gasdruck in der Abscheidekammer ist im allgemeinen 0,01 bis 1 Torr, vorzugsweise 0,1 bis 0,5 Torr.
Wenngleich die obigen Bereiche der Substrattemperatur und der elektrischen Entladungsenergie erwünscht sind, sind die optimalen
Bereiche dieser Schichtbildungsfaktoren nicht voneinander unabhängig, sondern sie hängen von organischen Beziehungen voneinander ab,
wenn im Ergebnis die zweite Schicht der Zusammensetzung a-(Si Ge1 ) (H5X)1
χ ι "*x y ι
mit den gewünschten Eigenschaften gebildet werden soll.
Der Gehalt der C-Atome in der zweiten Schicht ist ähnlich
wie die oben angegebenen Bedingungen für die Bildung der zweiten Schicht ein wichtiger Faktor zur Erreichung der gewünschten Eigenschaften.
Dieser Gehalt an Kohlenstoff-Atomen wird zweckmäßigerweise
entsprechend der Art und den Eigenschaften des die zweite Schicht bildenden amorphen Materials ausgewählt.
Die durch die allgemeine Formel a-(Si C1 ) (HjX)1
χ ι~x y ι —y
Ί-Sr
dargestellten amorphen Materialien werden grob unterteilt in amorphe
Materialien aus Silizium- und Kohlenstoff-Atomen (nachfolgend durch
"a-Si C1 J'>
worin (Ua£1 ist), amorphe Materialien, die aus Silizium-,
a ι —a
Kohlenstoff- und Wasserstoff-Atomen bestehen (nachfolgend durch
"3-(SIj3C1 .Jj)0H1 _c" dargestellt, worin 0<b,c^1 ist) und jene Materialien,
die aus Silizium-^, Kohlenstoff- und Halogen-Atomen und ggfs.
ferner Wasserstoff-Atomen bestehen (nachfolgend durch "a-(Si .C. .) (Η,Χ).,
dargestellt, worin 0^d,e^1 ist).
Wenn die zweite Schicht aus a-Si^C. besteht, enthält sie
a 1 —a
_3 Kohlenstoff-Atome in einer Konzentration von im allgemeinen 1x10
bis 90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 80 Atom-%, insbesondere 10 bis 75 Atom-%. Drückt man dies durch a in der Formel "a-Si C1 " aus,
a 1 —a
ist a im allgemeinen 0,1 bis 0,99999, vorzugsweise 0,2 bis 0,99, insbesondere 0,25 bis 0,9.
Wenn die zweite Schicht aus a"(SlhCi-b^c^1-c bestent»
enthält sie C-Atome in einer Konzentration von im allgemeinen
-3
1 χ 10 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 90 Atom-%, insbesondere 10 bis 80 Atom-%. In diesem Fall beträgt der Gehalt an Wasserstoff-Atomen im allgemeinen 1 bis 40 Atom-%, vorzugsweise 2 bis 35 Atom-% und insbesondere 5 bis 30 Atom-%. Wenn der Wasserstoffgehalt in dem obigen Bereich liegt, ist das fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial von ausreichend guter Qualität bei der praktischen Anwendung. Drückt man den Gehalt durch b und c der Formel a-(Si.C, . ) H, aus, ist b im allgemeinen 0,1 bis 0,99999, vorzugsweise 0,1 bis 0,99, insbesondere 0,15 bis 0,9, und c im allgemeinen 0,6 bis 0,99, vorzugsweise 0,65 bis 0,98, insbesondere 0,7 bis 9,95. Wenn die zweite Schicht aus 8-(Si01C1-J)6(HjX)1-6 besteht, enthält sie Kohlenstoff-Atome in
1 χ 10 bis 90 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 90 Atom-%, insbesondere 10 bis 80 Atom-%. In diesem Fall beträgt der Gehalt an Wasserstoff-Atomen im allgemeinen 1 bis 40 Atom-%, vorzugsweise 2 bis 35 Atom-% und insbesondere 5 bis 30 Atom-%. Wenn der Wasserstoffgehalt in dem obigen Bereich liegt, ist das fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial von ausreichend guter Qualität bei der praktischen Anwendung. Drückt man den Gehalt durch b und c der Formel a-(Si.C, . ) H, aus, ist b im allgemeinen 0,1 bis 0,99999, vorzugsweise 0,1 bis 0,99, insbesondere 0,15 bis 0,9, und c im allgemeinen 0,6 bis 0,99, vorzugsweise 0,65 bis 0,98, insbesondere 0,7 bis 9,95. Wenn die zweite Schicht aus 8-(Si01C1-J)6(HjX)1-6 besteht, enthält sie Kohlenstoff-Atome in
einer Konzentration von im allgemeinen 1 χ 10 bis 90 Atom-%, vorzugsweise
1 bis 90 Atom-%, insbesondere 10 bis 80 Atom-%. In diesem Fall beträgt der Gehalt der Halogen-Atome im allgemeinen 1 bis
20 Atom-%, vorzugsweise 1 bis 18 Atom-%, insbesondere 2 bis 15 Atom-%. Wenn der Halogengehalt in dem obigen Bereich liegt, hat das fotoleitfähige
Aufzeichnungsmaterial eine ausreichend gute Qualität für die praktische Verwendung. Der Gehalt der erforderlichenfalls eingebauten
Wasserstoff-Atome beträgt im allgemeinen bis zu 19 Atom-%,
vorzugsweise bis zu 13 Atom-%. Drückt man den Gehalt durch d und e der Formel a-iSi^C* j)e(H,X), aus>
beträgt d im allgemeinen 0,1 bis 0,99999, vorzugsweise 0,1 bis 0,99, insbesondere 0,15 bis 0,9,
und e im allgemeinen 0,8 bis 0,99, vorzugsweise 0,82 bis 0,99, insbesondere 0,85 bis 0,98.
Der Dickenbereich der zweiten Schicht ist ebenfalls ein bedeutender Faktor, um die Ziele der Erfindung zu erreichen.
Die Dicke wird zweckmäßigerweise so gewählt, daß die Aufgaben der Erfindung gelöst werden. Bei der Wahl der Dicke ist es nötig, den
Gehalt der Kohlenstoff-Atome in der zweiten Schicht, die Beziehung
zur Dicke der ersten Schicht sowie die organischen Beziehungen mit den für die Schichtzonen geforderten Eigenschaften zu berücksichtigen.
Ferner ist es erwünscht, wirtschaftliche Erwägungen,
darunter Produktivität und Massenproduktivität, zu berücksichtigen.
Im allgemeinen beträgt die Dicke der zweiten Schicht 0,003 bis 30 μ * vorzugsweise 0,004 bis 20 μ, insbesondere 0,005
bis 10 μ. Bei einer anderen Ausführungsform hat die zweite Schicht ein amorphes Material, das Silizium- (Si), Sauerstoff- (o) und
gegebenenfalls Wasserstoff- (H) und/oder Halogen-Atome (X) enthält
(nachfolgend wird dieses amorphe Material durch die Formel
a-CSi'O, V)W(H,X), dargestellt, worin 0*x,y<1 ist). Die zweite
χ ι — χ y ι ~y
Schicht dieses Typs kann nach der Entlademethode, Sprühmethode, Ionen-Implantationsmethode, Ionen-Plattiermethode, Elektronenstrahl methode
usw. gebildet werden. In der Praxis wird eine dieser Methoden zweckmäßigerweise gewählt in Abhängigkeit von Faktoren, wie Produktionsbedingungen,
Anlagekosten, Produktionsmaßstab, geforderte Eigenschaften des herzustellenden foto!eitfähigen Aufzeichnungsmaterials,
usw.. Im allgemeinen werden die GlUhentladungsmethode und
die Sprühmethode bevorzugt, weil die Betriebsbedingungen zur Herstellung des fotoleitfähigen Materials mit geforderten Eigenschaften leicht
überwacht und Sauerstoff- und Halogen-Atome leicht zusammen mit den Silizium-Atomen in die zu bildende zweite Schicht eingeführt
werden können.
Die zweite Schicht kann auch durch kombinierte Anwendung der Glühentladungs- und Sprühmethode in der gleichen Abscheidekammer
gebildet werden.
Die zweite Schicht kann nach der Glühentlademethode dadurch gebildet werden, daß man ein zur Bildung von a-(Si O1 ) (H5X)1
X I ""X jf 1 ""Jr
geeignetes gasförmiges Material, ggfs. in einem vorbestimmten Mischungsverhältnis mit einem Verdünnungsgas gemischt, in eine
Vakuum-Abscheidekammer einführt, in der ein mit einer ersten Schicht belegtes Substrat angeordnet ist, und in der Kammer eine Glühentladung
unter Bildung einer Plasma-Atmosphäre des zugeführten Gases erzeugt,
wodurch auf der ersten Schicht das 3-(SIyOIy)x-(H5X)1 abgeschieden
χ ■"Χ y * ~y
Nach der Erfindung können die meisten gasförmigen oder
vergasbaren Verbindungen, die wenigstens eine der Atomarten Silizium
(Si), Sauerstoff (0), Wasserstoff (H) und Halogen (X) als Atombestandteile enthalten, als Ausgangsgas zur Bildung von a-(Si O1 V),.(HSX),
dienen. Wenn ein Gas mit Si als Atombestandteil als Ausgangsmaterial dient, können die folgenden Gasmischungen in den gewünschten Mischungsverhältnissen
als Beschickungsmaterial für die Bildung der zweiten Schicht eingesetzt werden: Ein Gemisch aus einem Gas mit Si als
Atombestandteil, einem Gas mit 0 als Atombestandteil und ggfs.
einem Gas mit H als Atombestandteil und/oder einem Gas mit X als Atombestandteil; ein Gemisch aus einem Gas mit Si als Atombestandteil
und einem Gas mit 0 und H als Atombestandteile und/oder einem Gas
mit 0 und X als Atombestandteile; und ein Gemisch aus einem Gas
mit Si als Atombestandteil und entweder einem Gas mit Si, 0 und H
als Atombestandteile oder einem Gas mit Si, 0 und X als Atombestandteile.
Außerdem können die folgenden Gemische ebenfalls als Ausgangsmaterialien dienen: Ein Gemisch aus einem Gas mit Si und
H als Atombestandteile und einem Gas mit 0 als Atombestandteil;
und ein Gemisch aus einem Gas mit Si und X als Atombestandteile und einem Gas mit 0 als Atombestandteil.
Geeignete Halogene (X), die als Bestandteil der zweiten
Schicht dienen können, sind F, Cl, Br und J. Insbesondere werden F und Cl bevorzugt.
Die Bildung der zweiten Schicht nach der Sprühmethode wird beispielsweise wie folgt durchgeführt: Ein Gas für die Einführung
von Sauerstoff-Atom (0) und ggfs. ein Gas zur Einführung von Wasserstoff-Atom
(H) und/oder ein Gas zur Einführung von Halogen-Atom (X),
werden nach Verdünnung mit einem Inertgas, wie Ar oder He, einer Vakuum-Abscheidekammer zugeführt, in der ein Target aus Si besprüht
wird.
Alternativ können Sauerstoff-Atome (Q) in die zweite Schicht in der Weise eingeführt werden, daß man ein Target aus
SiO2, zwei Targets aus Si bzw. SiO2 oder ein Target aus eine Si/SiOp-Gemisch
versprüht. In diesem Fall kann der Gehalt der in die zweite Schicht eingeführten Sauerstoff-Atome (0) leicht wunschgemäß in
der Weise überwacht werden, daß man gleichzeitig ein Sauerstoff einführendes Beschickungsgas verwendet und die Gasströmung steuert
oder den Sauerstoffgehalt in dem Sauerstoff einführenden Target bei dessen Herstellung einstellt. Beide Methoden können auch kombiniert
werden.
Wirksame Ausgangsstoffe für die Si-Einführung sind z.B. gasförmige oder vergasbare Silane, wie SiH., Si2Hg, Si3Hg
und Si.H.Q unter denen SiH. Si2Hg wegen der leichten Handhabung
bei der Schichtbildung und der hohen Wirksamkeit der Si-Einführung besonders bevorzugt sind. Bei Einsatz dieser Materialien können
H zusammen mit Si durch passende Wahl der Schichtbildungsbedingungen in die gebildete zweite Schicht eingeführt werden. Wirksame Ausgangsstoffe
für die Si-Einführung sind außer den oben genannten Silanen
halogensubstituierte Silan-Derivate» wie Siliziumhalogenide, z.B.
SiF4, Si2Fg, SiCl4 und SiBr4.
Andere Beispiele wirksamer Ausgangsstoffe für die Si-Einführung
in die zweite Schicht sind gasförmige oder vergasbare halogenierte Verbindungen, die Wasserstoff als Atombestandteil
aufweisen, wie halogensubstituierte Silane, z.B. SiH2F2, Si
SiH2Cl2, SiHCl3, SiH3Br2 und SiHBr3.
Wenn diese Halogen (X) enthaltenden Silizium-Verbindungen
eingesetzt werden, können X zusammen mit Si durch passende Wahl der Schichtbildungsbedingungen in die zweite Schicht eingeführt
werden.
Die Wasserstoff enthaltenden Siliziumhalogenide (halogensubstituierte
Silane) unter den oben genannten Ausgangsstoffen sind für die Halogen-Einführung bevorzugt, da diese Verbindungen
zusammen mit den Halogen-Atomen (X) bei der Schichtbildung Wasserstoff-Atome (H) einführen, die zur Steuerung der elektrischen oder fotoelektrischen
Eigenschaften der zweiten Schicht sehr wirksam sind.
Wirksame Ausgangsstoffe zur Einführung von Halogen (X) bei der Bildung der zweiten Schicht sind beispielsweise neben den
obigen Verbindungen Halogene, wie F«, Cl?, Br? und J?; Interhalogenverbindungen,
wie BrF, ClF, ClF39 BrF5, BrF3, JF3, JF7, JCl und
JBr; sowie Halogenwasserstoffe, wie HF, HCl, HBr und HJ.
Wirksame Ausgangsstoffe zur Einführung von Sauerstoff (0) bei der Bildung von der zweiten Schicht sind aus Sauerstoff-Atomen (0)
oder Sauerstoff- (0) und Stickstoff-Atomen (N) zusammengesetzte Verbindungen, z.B. Sauerstoff (O2), Ozon (O3), Stickstoffmonoxid
(NO), Stickstoffdioxid (NO2), Distickstoffoxid (N2O), Distickstofftrioxid
(NpO3), Distickstofftetroxid (N2O4), Distickstoffpentoxid
(N9Oj.) und Stickstofftrioxid; niedere Siloxane, die aus Silizium-,
Sauerstoff- und Wasserstoff-Atome bestehen, z.B. Disiloxan (H3SiO-SiCH3)
und Trisiloxan (H3Si-O-SiH2-O-SiCH3).
Geeignete Verdünnungsgase bei der Bildung der zweiten Schicht nach der Glühentladungsmethode und der Sprühmethode sind
Edelgase, z.B. He, Ne und Ar.
Die zweite Schicht wird mit Sorgfalt gebildet, damit sie die gewünschten notwendigen Eigenschaften hat. Das aus Si,
0 und ggfs. H und/oder X bestehende Material der zweiten Schicht kann in Abhängigkeit von den Betriebsbedingungen der Schichtbildung
irgendeine Struktur von kristallin bis amorph annehmen und die elektrische Eigenschaft eines Leiters, Halbleiters oder Isolators
haben. Demgemäß werden die Betriebsbedingungen genau gewählt, so daß man a-(Si O1 ) (H,X)1- mit den gewünschten, der Aufgabe ent-
Λ I — X Jr I ""Jr
sprechenden Eigenschaften erhält. Wenn man z.B. mit der zweiten Schicht hauptsächlich auf eine Verbesserung der dielektrischen
Widerstandsfähigkeit (Durchschlagfeldstärke) abzielt, wird
a-(Si O1 ,,L(H5X)1 in amorpher Form hergestellt, so daß es unter
χ ι—χ γ ι~y
den Umgebungsbedingungen des Betriebs ausgezeichnete elektrische
Isolationseigenschaften zeigt.
Wenn man bei der Bildung der zweiten Schicht auf eine Verbesserung des Verhaltens beim kontinuierlichen Wiederholungsbetrieb
und die Beständigkeit gegenüber Umgebungseinwirkungen beim Betrieb abzielt, wird die oben geforderte Eigenschaft der elektrischen
Isolation etwas verringert, und es wird a-(Si O1 ) (H9X)1 in
χ ι —χ y ι —y
einer amorphen Form hergestellt, die in gewissem Maße gegen eingestrahltes
Licht empfindlich ist.
Die Substrattemperatur während der Bildung der aus
a-(Si O1 ) (HjX)1 bestehenden zweiten Schicht auf der ersten
χ ι —χ y ι ~*y
Schicht ist ein wichtiger Faktor, der die Struktur und Eigenschaften
der resultierenden Schicht beeinflußt. Demgemäß soll diese Temperatur genau überwacht werden, so daß ein a-(Si O1 ) (HjX)1 mit den
gewünschten Eigenschaften gebildet werden kann.
■ " ■ ' '343"248O
SZ
Die zweite Schicht wird nach passender Wahl des optimalen
Bereiches der Substrattemperatur und der Methode der Schichtbildung hergestellt. Der Temperaturbereich liegt im allgemeinen bei 20
bis 400 0C, vorzugsweise 50 bis 350 0C, insbesondere 100 bis 350 0C.
Zur Bildung der zweiten Schicht sind mit Vorteil die Glühentladungsmethode
und die Sprühmethode brauchbar, da sie im Vergleich zu anderen Methoden die genaue Kontrolle der Schichtzusammensetzung
und -dicke relativ leicht ermöglichen. Die elektrische Entladungsenergie ist ähnlich wie die Substrattemperatur ein wichtiger Faktor,
der die Eigenschaften des gebildeten 0-(SiO1) (H,X)1 beeinflußt.
Die elektrische Entladungsenergie beträgt im allgemeinen 1,0 bis 300 W, vorzugsweise 2,0 bis 250 W und insbesondere 5,0 bis 200 W,
wobei mit guter Produktivität a-(Si O1 ) (H5X)1 gebildet wird,
χ ι~x y ι ~y
das die Eigenschaften entsprechend der erfindungsgemäßen Aufgabe hat.
Der Gasdruck in der Abscheidekammer beträgt im allgemeinen
0,01 bis 1 Torr, vorzugsweise 0,1 bis 0,5 Torr.
Während die obigen Bereiche der Substrattemperatur und elektrischen Entladungsenergie erwünscht sind, werden die optimalen
Bereiche dieser die Schichtbildung beeinflussenden Faktoren nicht unabhängig voneinander festgelegt, sondern in Abhängigkeit
der zwischen ihnen bestehenden organischen Beziehung, so daß man eine aus a-(Si O1x)(HsX)1 bestehende zweite Schicht mit den
gewünschten Eigenschaften erhält.
Der Gehalt der Sauerstoff-Atome der zweiten Schicht
ist ähnlich wie die oben geannten Bildungsbedingungen für diese Schicht ein wichtiger Faktor, um der Schicht die gewünschten Eigen-
schäften zu verleihen. Dieser Gehalt an Sauerstoff-Atomen wird zweckmäßigerweise
nach der Art und den Eigenschaften des die zweite Schicht bildenden amorphen Materials ausgewählt.
Das durch die allgemeine Formel a-(Si O1 )..(H5X)1-dargestellte
amorphe Material kann grob klassifiziert werden in amorphe Materialien aus Silizium- und Sauerstoff-Atomen (nachfolgend durch
"a-Si O1 " dargestellt, worin 0-4 a<1 ist), amorphe Materialien aus
a ι —a
Silizium-, Sauerstoff- und Wasserstoff-Atomen (nachfolgend durch
"a-iSi.O-, ) H. " dargestellt, worin 0<:b,c£i ist) und amorphe
Materialien aus Silizium-, Sauerstoff- und Halogen-Atomen und ggfs. ferner Wasserstoff-Atomen (nachfolgend durch "a-(Sid0j_d) (H.X)^"
angegeben, worin 0*d,e-i-1 ist).
Wenn die zweite Schicht aus a-Si O1 a besteht, läßt sich
α I —a
der Sauerstoffgehalt in dieser Schicht durch die Zahl a dieser Formel
wie folgt ausdrücken: a beträgt im allgemeinen 0,33 bis 0,99999, vorzugsweise 0,5 bis 0,99, insbesondere 0,6 bis 0,9.
Wenn die zweite Schicht aus a-(Si, 0,. ) H. , läßt
sich der Sauerstoffgehalt in dieser Schicht durch b und c dieser Formel wie folgt ausdrücken; b beträgt im allgemeinen 0,33 bis
0,99999, vorzugsweise 0,5 bis 0,99, insbesondere 0,6 bis 0,9, und c beträgt im allgemeinen 0,6 bis 0,99, vorzugsweise 0,65 bis 0,98,
insbesondere 0,7 bis 0,95.
Wenn die zweite Schicht aus ^(^ηΟι.,ι) (H-,X), besteht,
läßt sich der Sauerstoffgehalt in dieser Schicht durch d und e dieser Formel wie folgt ausdrücken: d betragt im allgemeinen 0,33
bis 0,99999, vorzugsweise 0,5 bis 0,99, insbesondere 0,6 bis 0,9, und e beträgt im allgemeinen 0,8 bis 0,99, vorzugsweise 0,82 bis 0,99,
Cf-
insbesondere 0,85 bis 0,98.
Der Dickenbereich der zweiten Schicht ist ebenfalls ein wichtiger Faktor zur Erreichung der erfindungsgemäßen Ziele. Diese
Dicke wird zweckmäßigerweise so gewählt, daß die Aufgabe der Erfindung
mit Erfolg gelöst wird. Bei der Auswahl der Dicke ist es nötig, den Gehalt der Sauerstoff-Atome in der zweiten Schicht, die Beziehung
zu der Dicke der ersten Schicht und auch die organische Beziehung mit den für die Schichtzonen geforderten Eigenschaften zu berücksichtigen.
Zusätzlich ist es erwünscht, ökonomische Erwägungen, wie Produktionsleistung und Masseproduktivität, anzustellen.
Im allgemeinen beträgt die Dicke der zweiten Schicht 0,003 bis 30 μ, vorzugsweise 0,004 bis 20 μ, insbesondere 0,005
bis 10 μ.
Die zwei Schicht kann auch aus einem Gemisch aus einem amorphen Material, das Silizium-Atome als Matrix hat und Kohlenstoff-Atome
enthält, und einem amorphen Material, das Silizium-Atome als
Matrix hat und Sauerstoff-Atome enthält, bestehen.
Das erfindungsgemäß verwendete Substrat kann elektrisch leitend oder nichtleitend sein. Geeignete Materialien für leitfähige
Substrate umfassen Metalle und Legierungen, z.B. NiCr, Edelstahl, Al, Cr, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt und Pd. Als nichtleitendes (isolierendes)
Substrat können allgemein Folien oder Platten aus synthetischen Harzen, z.B. Polyester, Polyäthylen, Polykarbonat, Zelluloseazetat,
Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol und Polyamid, Glas und Keramikplatten, sowie Papier dienen. Es ist
erwünscht, wenigstens eine Seite des isolierenden Substrats durch Behandlung leitfähig zu machen. Dann wird die behandelte Oberfläche
mit anderen funktionellen Schichten belegt.
Wenn beispielsweise das Substrat aus Glas besteht, wird eine Substratseite dadurch leitfähig gemacht, daß man sie mit einem
Film aus NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In2O3,
SnO2 oder ITO (In2O3 + SnO2) bedeckt. Wenn das Substrat eine Folie
aus synthetischem Harz, z.B. eine Polyesterfolie, ist, wird eine
Substratseite mit dem Film eines Metalls, wie z.B. NiCr, Al, Ag, Pd, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti oder Pt, durch Vakuum-Abscheidung,
Elektronenstrahl-Bedampfung oder Sprühung bedeckt, oder es wird eine Folie des obigen Metalls auf eine Substratseite
aufgeschichtet und so dem Substrat Leitfähigkeit verliehen. Das Substrat kann irgendeine mögliche Form annehmen, wie etwa eine zylindrische,
bandartige, plattenartige oder andere Form. Die Substratform wird in geeigneter Weise ausgewählt; wenn z.B. das in den Figuren
1 oder 2 gezeigte fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial 100 bzw. 200 als elektrofotografischer Bildformierungskörper dient, hat dessen
Substrat zweckmäßigerweise die Form eines endlosen Bandes oder eines Zylinders. Die Dicke des Substrats wird so gewählt, daß das gewünschte
fotoleitfähige Aufzeichnungsmaterial gebildet werden kann. Wenn für dieses Material Flexibilität erforderlich ist, kann die Substratdicke auf die Mindestgrenze verringert werden, bei der das Substrat
seine Funktion erfüllen kann. Selbst in diesem Fall beträgt die Dicke jedoch zweckmäßigerweise 10 μ oder mehr im Hinblick auf Schwierigkeiten
bei der Herstellung, Handhabung sowie auf die mechanische Festigkeit des Substrats.
Das Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials wird nachfolgend an Hand eines
Beispiels ausgeführt.
Figur 12 zeigt eine Anlage zur Herstellung des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials.
Die Bomben 1102 bis 1106 sind mit den gasförmigen Ausgangsstoffen zur Bildung des fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials gefüllt.
Beispielsweise enthält die Bombe 1102 mit He verdünntes SiH^-Gas (99,999 % Reinheit, nachfolgend als SiH./He bezeichnet), die Bombe 1103
mit He verdünntes GeH^-Gas (99,999 % Reinheit, nachfolgend als GeH./He
bezeichnet), die Bombe 1104 mit He verdünntes B2Hg-GaS (99,99 %
Reinheit, nachfolgend als B^Hg/He bezeichnet), die Bombe 1105 NHo-Gas
(99,999 % Reinheit) und die Bombe 1106 H2-GaS (99,999 % Reinheit).
Zur Einführung dieser Gase in die Reaktionskammer 1101 wird nach Schließung der Ventile 1122 bis 1126 der Bomben 1102 bis
1106 und des Leckventils 1135 und nach öffnung der Einströmventile
1112 bis 1116, der Ausströmventile 1117 bis 1121 und der Hilfsventil
1132 und 1133 das Hauptventil 1134 geöffnet, um die Reaktionskammer
1101 und alle Leitungen zu evakuieren. Wenn an dem Vakuum-Anzeigegerät 1136 ein Vakuum von etwa 5 χ 10~ Torr angezeigt wird, werden die
Hilfsventil 1132 und 1133 und die Ausströmventile 1117 bis 1121 geschlossen.
Nachfolgend wird ein Beispiel zur Bildung einer Licht empfangenden Schicht auf einem zylindrischen Substrat 1137 angegeben.
Hierzu werden die Ventile 1122 bis 1125 geöffnet, die Drucke an den Ausgangsmanometern werden auf 1 Kg/cm2 eingestellt, und die
Einströmventile 1112 bis 1115 werden allmählich geöffnet, um SiH./He-Gas
aus der Bombe 1102, GeH4/He-Gas aus der Bombe 1103, B2Hg/He-Gas
aus der Bombe 1104 und NH3-GaS aus der Bombe 1105 in die Massen-
Strömungsregler 1107 bis 1110 einzuführen. Anschließend werden die
Ausströmventile 1117 bis 1120 und das Hilfsventil 1132 allmählich geöffnet, um jedes Gas in die Reaktionskammer 1101 einzuführen.
Gleichzeitig werden die Ausströmventile 1117 bis 1120 zwecks Einstellung
der Verhältnisse aller Gasströmungen auf die gewünschten Werte eingeregelt. Während man die Anzeige des Vakuum-Anzeigegeräts 1136
abliest, wird das Hauptventil 1134 so reguliert, daß der Druck in der Reaktionskammer 1101 auf den gewünschten Wert eingestellt wird.
Nachdem das Substrat durch den Erhitzer 1138 auf eine vorgeschriebene Temperatur zwischen etwa 50 und 400 0C erhitzt ist, wird die Energiequelle
auf eine vorgeschriebene Energie zur Erzeugung der Glühentladung in der Reaktionskammer 1101 eingestellt, und gleichzeitig wird die
Strömung des GeH,/He-Gases zeitlich nach einer vorbestimmten Ge-Verteilungskurve
durch Regulierung des Ausströmventils 1118 von
Hand oder durch einen externen Antriebsmotor variiert, wodurch die
Verteilung der Ge-Atome in der entstehenden Schicht gesteuert wird. Es ist zu bemerken, daß BOH,-/He-Gas eingesetzt wird,
wenn es die Gelegenheit erfordert.
Auf diese Weise wird auf dem Substrat 1137 eine aus
a-SiGe(H,X) bestehende Schichtzone (N) oder (B5N) gebildet. In der
Schichtzone sind Stickstoff-Atome (oder Stickstoff- und Bor-Atome) enthalten, und die Ge-Atome sind gemäß der vorbestimmten Verteilungskurve verteilt.
Dann wird auf der Schichtzone (N) oder (B,N) eine obere
Schichtzone aus a-SiGe(H,X), worin keine Stickstoff- und Bor-Atome oder Stickstoff- und/oder Bor-Atome enthalten und Ge-Atome nach
der vorgeschriebenen Verteilungskurve verteilt sind, nach der obigen
Arbeitsweise unter den gleichen Bedingungen gebildet, wobei jedoch
ein oder beide Ausströmventile 1119 und 1120 zu der Zeit vollständig geschlossen werden, wenn die Dicke der Schichtzone (N) oder (B,N)
den gewünschten Wert erreicht, und die Bedingungen der elektrischen Entladung den Erfordernissen entsprechend geändert werden. Die Bildung
einer Licht empfangenden Schicht wird so vervollständigt.
Bei der Bildung der Licht empfangenden Schicht können die Bor-Atome enthaltende Schichtzone (B) und die Stickstoff-Atome
enthaltende Schichtzone (N) jeweils auf die gewünschte Dicke dadurch eingestellt werden, daß man die Einführung des B2Hg/He-Gases oder
NH,-Gases zu einer gewünschten Zeit nach Beginn der Schichtbildung
unterbricht.
Die Verteilung der Stickstoff-Atome in der Schichtzone (N)
kann durch Regulierung der Strömung des in die Reaktionskammer 1101 eintretenden NH_-Gases entsprechend einer gewünschten Verteilungskurve
wunschgemäß gesteuert werden.
Halogen-Atome können in die Licht empfangende Schicht dadurch eingebaut werden, daß man beispielsweise dem obigen Gasgemisch
SiF- zusetzt und eine Glühentladung erzeugt.
Halogen-Atome ohne Wasserstoff-Atome können in die Licht empfangende Schicht unter Benutzung von SiF,/He-Gas und GeF./He-Gas
anstelle von SiH./He-Gas und GeH^/He-Gas eingebaut werden. Zur Komplettierung
der Licht empfangenden Schicht in der Weise, daß die so gebildete Schicht als eine erste Schicht dient und auf dieser
eine zweite Schicht aufgebracht wird, kann die zweite Schicht gebildet werden durch Zuführung von SiH.-Gas und C?H«-Gas oder SiH.-Gas
und NO-Gas, ggfs. nach Verdünnung mit Edelgas, wie He, bei den gleichen
Ventil betätigungen wie bei der Bildung der ersten Schicht, und Erzeugung
einer Glühentladung unter vorgeschriebenen Bedingungen. Für den Einsatz dieser Gase wird eine CpH^Gas-Bombe oder eine NO-Gas-Bombe
hinzugefügt, oder es wird eine nicht benötigte Bombe durch sie ersetzt. Zum Einbau von Halogen-Atomen in die zweite Schicht
wird diese ähnlich unter Benutzung von z.B. SiF.-Gas zusammen mit C2H.-Gas, SiF,-Gas zusammen mit NO-Gas oder SiH- zusätzlich zu diesen
Gasen gebildet.
Selbstverständlich sind die Ausströmventile außer denen
für die benötigten Gase während des Betriebs geschlossen. Um das Zurückbleiben der für eine vorhergehende Schichtbildung benutzten
Gase in der Reaktionskammer 1101 und in den Leitungen zwischen den Ausströmventilen 1117 bis 1121 und der Reaktionskammer 1101,zu vermeiden,
werden die Ausströmventile 1117 bis 1121 geschlossen, die
Hilfsventil 1132 und 1133 geöffnet, das Hauptventil 1134 vollständig
geöffnet und die Reaktionskammer 1101 und die gesamten Räume der Leitungen einmal auf Hochvakuum evakuiert. Diese Maßnahme wird durchgeführt,
wenn die Gelegenheit es erfordert.
Der Gehalt der Kohlenstoff- oder Sauerstoff-Atome in
der zweiten Schicht kann wunschgemäß dadurch gesteuert werden, daß man bei Schichtbildung durch Glühentladung das Strömungsverhältnis
von in die Reaktionskammer 1101 eingeführtem SiH»-Gas zu C2H4-GaS
oder SiH.-Gas zu NO-Gas passend einstellt oder bei Schichtbildung durch die Sprühmethode das Flächenverhältnis eines Silizium-Targets
zu einem Graphit-Target oder einem Si0?-Target oder das Mischungsverhältnis
von Siliziumpulver zu Graphit-Pulver oder SiO^-Pulver
bei der Herstellung dieser Targets passend wählt. Der Gehalt der
Halogen-Atome in der zweiten Schicht kann wunschgemäß durch geeignete
Regulierung der Strömung des in die Reaktionskammer 1101 eingeführten
Halogen enthaltenden Beschickungsgases, z.B. SiF.-Gases, gesteuert
werden.
Es ist erwünscht, das Substrat während der Schichtbildung durch den Motor 1139 mit konstanter Geschwindigkeit zu drehen, um
die Schichtbildung zu vergleichmäßigen.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung in den Einzelheiten.
Beispiel 1
Durch die in Figur 12 gezeigte Herstellungsvorrichtung wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet. Dabei
wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH./He-Gas zu SiH./He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den
Bedingungen der Tabelle A-1 verändert, wobei die in Figur 13 gezeigte
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten befolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es erfolgte eine Korona-Beladung
bei Θ 5,0 kV für 0,3 Sekunden und unmittelbar anschließend die Einstrahlung eines Lichtbildes von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle
bei einer Dosis von 2 Lux-sec durch eine durchlässige Testkarte.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines © geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die Oberfläche des Bildformierungskörpers
auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei über-
tragung des Tonerbildes von dem Bildformierungskörper durch Koronabeladung
bei 0 5,0 kV auf ein Kopierpapier erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbar
kei t .
Beispiel 2
Beispiel 2
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle A-2 verändert, wobei der in Fig. 14 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 1. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 3
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle A-3 verändert, wobei der in Fig. 15 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 1. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 4
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle A-4 verändert, wobei der in Fig. 16 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 1. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 5
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle A-5 verändert, wobei der in Fig. 17 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 1. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
3Λ32480
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 6
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle A-6 verändert, wobei der in Fig. 18 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 1. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 7
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle A-7 verändert, wobei der in Fig. 19 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 1. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 8
Es wurden unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 Schichten gebildet, wobei jedoch Si^Hg/He-Gas
anstelle des in Beispiel 1 verwendeten SiH*/He-Gases eingesetzt wurde und die Betriebsbedingungen wie in Tabelle A-8
angegeben geändert wurden. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper gebildet.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Oberträgungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 9
Es wurden unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 Schichten gebildet, wobei jedoch SiF«/He-Gas
anstelle des in Beispiel 1 benutzten SiH./He-Gases eingesetzt und die Betriebsbedingungen wie in Tabelle A-9 angegeben
geändert wurden. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper erzeugt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 10
Es wurden unter den gleichen Bedingungen wie inBeispiel 1 Schichten erzeugt, wobei jedoch anstelle des in '
Beispiel 1 verwendeten SiH4/He-Gases (SiH4/He + SiF4/He)-Gas
eingesetzt wurde und die Betriebsbedingung wie in Tabelle A-10 angegeben geändert wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofoto-
grafischer Bildformierungskörper hergestellt.
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 11
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-ZyIinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle A-11 verändert, wobei der in Fig. 13 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde eine Koronabeladung bei © 5,0 kV für 0,3 Sekunden durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild aus einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle bei einer Dosis von 2 Lux.see
durch eine durchlässige Testkarte eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines © geladenen
Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die Oberfläche des BiIdformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild
erhalten. Bei übertragung des Tonerbildes von dem Bildformierungskörper
durch Koronabeladung bei Θ 5,0 kV auf ein Kopierpapier
erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 12
Durch die in Fig. 12.dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He~Gas zu SiH4/He-Gas und das von NH3-GaS zu SiH4-GaS
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle A-12 verändert, wobei der in Fig. 20 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es erfolgte eine Koronabeladung
bei Θ 5,0 kV für 0,3 Sekunden und unmittelbar anschließend
die Einstrahlung eines Lichtbildes von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle bei einer Dosis von 2 Lux.see durch eine durchlässige Testkarte.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die Oberfläche
des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei übertragung des Tonerbildes von dem Bildformierungskörper durch
Koronabeladung bei Θ 5,0 kV auf ein Kopierpapier erhielt man ein
klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter
Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 13
Jeder elektrofotografische Bildformierungskörper wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt mit
der Abweichung, daß bei Bildung einer ersten Schicht das in Tabelle A-13
angegebene Strömungsgeschwindigkeitsverhältnis von NH- zu (SiH- + GeH.)
benutzt wurde anstelle des Strömungsgeschwindigkeitsverhältnisses von Beispiel 1.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurden die Ergebnisse der Tabelle A-13 erhalten.
Beispiel 14
Jedes der elektrofotografischen Bildformierungskörper wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 erzeugt,
wobei jedoch die Dicke der ersten Schicht wie in Tabelle A-14 angegeben geändert wurde.
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurden die Ergebnisse der Tabelle A-14 erhalten. Beispiel 15
Es wurden Tonerbilder unter den gleichen Bedingungen der Tonerbildformierung wie in Beispiel 1 gebildet, wobei jedoch
die elektrostatischen Bilder unter Verwendung eines Halbleiter-Lasers des GaAs-Typs (10 mW) von 810 nm anstelle der in den Beispielen 1 bis
CS
10 benutzten Wolfram-Lampe angewendet wurde. Die unter den Bedingungen
der Beispiele 1 bis 10 hergestellten elektrofotografischen Bildformierungskörper
wurden hinsichtlich der Qualität der übertragenen Tonerbilder bewertet. Es waren klare Bilder mit hoher Qualität,
ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Die gewöhnlichen Schichtbildungsbedingungen in den Beispielen 1 bis 15 sind wie folgt.
Substrattemperatur: Germaniumatome (Ge) enthaltende
Schicht etwa 200 0C
Entladungsfrequenz: 13,56 MHz
Innendruck in der Reaktionskammer bei der Reaktion...0,3 Torr
Beispiel 16
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden auf einem Al-ZyIinder-Substrat Schichten gebildet. Dabei wurde
das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle B-1 verändert, wobei der in Fig. 21 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es erfolgte eine Korona-Beladung bei © 5,0 kV für 0,3 Sekunden und unmittelbar anschließend die Einstrahlung eines Lichtbildes
von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle bei einer Dosis von 2 Lux.see
durch eine durchlässige Testkarte.
CS
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines 0 geladenen
Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei
übertragung des Tonerbildes von dem Bildformierungskörper durch Koronabeladung bei ©5,0 kV auf ein Kopierpapier erhielt man ein
klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 17
Beispiel 17
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle B-2 verändert, wobei der in Fig. 22 gezeigten Veränderungskun
des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel
Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 16 ein Bild auf einem Obertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 18
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle B-3 verändert, wobei der in Fig. 23 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 16. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 16 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 19
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle B-4 verändert, wobei der in Fig. 24 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 16. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
BiIdformierungskörper hergestelIt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 16 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 20
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle B-5 verändert, wobei der in Fig. 25 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 16. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bi1 dformierungskörper hergestel11.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 16 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 21
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle B-6 verändert, wobei der in Fig. 26 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 16. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 16 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 22
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle B-7 verändert, wobei der in Fig. 27 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 16. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 16 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 23
J Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 16 gebildet, wobei jedoch die in Tabelle B-8 bis Tabelle B-10 angegebenen Bedingungen anstelle der in Beispiel 16
angewandten Bedingung der Tabelle 1 benutzt wurden. Auf diese Weise wurden elektrofotografische Bildformierungskörper (Proben Nr.
801 - 803) hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieser Bildformierungskörper
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 16 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 24
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-ZyIinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH./He-Gas zu SiH,/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle B-11 verändert, wobei der in Fig. 21 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer BiIdformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bi Idformierungskörper wurde in
ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es erfolgte eine Korona-Beladung bei Θ 5,0 kV für 0,3 Sekunden
und unmittelbar anschließend die Einstrahlung eines Lichtbildes von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle bei einer Dosis von
2 Lux-sec durch eine durchlässige Testkarte.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei übertragung des Tonerbildes
von dem Bildformierungskörper durch Korona-Beladung bei 0 5,0 kV
auf ein Kopierpapier erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 25
Beispiel 25
Durch die in Fig. T2 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle B-12 verändert, wobei der
in Fig. 21 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese
Weise wurde ein eiektrofotografischer Bildformierungskörper·
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es erfolgte eine Korona-Beladung für 0,3 Sekunden bei Θ 5,0 kV
und unmittelbar anschließend die Einstrahlung eines Lichtbildes von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle bei einer Dosis von
2 Lux'sec durch eine Durchlassigkeitstestkarte
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines @ geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei übertragung des Tonerbildes
von dem Bildformierungskörper durch Korona-Beladung bei Θ 5,0 kV auf ein Kopierpapier erhielt man ein klares Bild von hoher
Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 26
Beispiel 26
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmunusgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle B-13 verändert, wobei der in Fig. 22 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 25. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 25 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 27
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
und das von NH3-GaS zu SiH./He-Gas mit dem Zeitablauf
der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle B-14 verändert, wobei der in Fig. 23 gezeigten Veränderungskurve
des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in
Beispiel 25. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 25 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 28
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
und das von NH3-GaS zu SiH,/Ge-Gas mit dem Zeitablauf
der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle B-15
verändert, wobei der in Fig. 24 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt
wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 25. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 25 ein Bild auf einem öbertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 29
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der SchichtbiTdung unter den Bedingungen der Tabelle B-16 verändert, wobei der in Fig. 25 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 25. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 25 ein Bild auf einem Öbertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 30
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle B-17 verändert, wobei der in Fig. 26 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 25. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer BiIdformierungskörper hergestelIt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 25 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 31
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle B-18 verändert, wobei der in Fig. 27 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 25. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 25 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 32
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 25 gebildet mit der Abweichung, daß die in
Tabelle B-19 bis Tabelle B-21 angegebenen Bedingungen anstelle
der in Tabelle B-12 angegebenen Bedingungen des Beispiels benutzt wurden. Dabei wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
(Proben Nr. 1901 - 1903) hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 25 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 33
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle B-22 verändert, wobei der in Fig. 21 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein eiektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es erfolgte eine Korona-Beladung bei © 5,0 kV für 0,3 Sekunden und unmittelbar anschließend die Einstrahlung eines Lichtbildes
von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle bei einer Dosis von 2 Lux-see durch eine Durch!ässigkeitstestkarte.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines 0 geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei Übertragung des Tonerbildes
von dem Bildformierungskörper durch Korona-Beladung bei ©5,0 kV auf ein Kopierpapier erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte,
ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit. Beispiel 34
Tonerbilder wurden unter den gleichen Bedingungen der Tonerbildformierung wie in den Beispielen 16 und 25 aufgezeichnet,
wobei jedoch die elektrostatischen Bilder unter Benutzung eines GaAs-Halbleier-Lasers (10 mW) von 810 nm anstelle der in den Beispielen
16 und 25 benutzten Wolfram-Lampe gebildet wurden.
Die unter den Bedingungen der Beispiele 16 und 25 hergestellten elektrofotografischen Bildformierungskörper wurden hinsichtlich
der Qualität der übertragenen Tonerbilder bewertet. Die Bilder waren klare Bilder hoher Qualität mit ausgezeichneter Auflösung
und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Die normalen Schichtbildungsbedingungen in den Beispielen 16 bis 34 der Erfindung sind wie folgt.
Substrattemperatur:
Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht... etwa 200 0C
Entladungsfrequenz: 13,56 MHz
Innendruck der Reaktionskammer bei der Reaktion: 0,3 Torr
Beispiel 35
Durch die in Fig. 12 dargestellte HerstellungsanTage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet. Dabei, wurde
das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH./He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle C-1 verändert, wobei der
in Fig. 28 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt v/urde. Auf diese
Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in
ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei Θ 5,0
2 0
kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung
bei © 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreeroduzierbarkeit.
Beispiel 36
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-r
Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle C-2 verändert, wobei der in Fig. 29 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmunusgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 35. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 37
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-
Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle C-3 verändert, wobei der in Fig. 30 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 35. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 38
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle C-4 verändert, wobei der in Fig. 31 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 35. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 39
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle C-5 verändert, wobei der in Fig. 32 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 35. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 40
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle C-6 verändert, wobei der in Fig. 33 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 35. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 41
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle C-7 verändert, wobei der in Fig. 34 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 35. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 42
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 gebildet, wobei jedoch SipHg/He-Gas anstelle
des in Beispiel 35 benutzten SiH./He-Gases eingesetzt wurde und die Betriebsbedingung wie in Tabelle C-8 angegeben geändert
wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 43 ;
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei jedoch SiF,/He-6as
anstelle des in Beispiel 35 benutzten SihL/He-Gases eingesetzt
wurde und die Betriebsbedingungen wie in Tabelle C-9 angegeben geändert wurden. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografische
Bildformierüngskörper1 hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 44
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei jedoch (SiH,/He + SiF»/He)-Gas
anstelle des in Beispiel 35 benutzten SiH-/He-Gases eingesetzt
wurde und die Betriebsbedingungen wie in Tabelle C-10 angegeben
geändert wurden. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Obertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 45
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle C-11 verändert, wobei der in Fig. 28 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
as
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei Θ 5,0 kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines Q) geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopiereapier durch Koronabeladung bei 0 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 46
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-ZyIinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas und das von NH~-Gas zu SihL/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle C-12 verändert, wobei der in Fig. 35 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Der gebildete BiIdformierungskörper wurde in
ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei 0 5,0
kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines © geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der Übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung
bei 0 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit. Beispiel 47
Es wurden elektrofotografische Bildformierungskörper unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 hergestellt,
wobei jedoch bei Bildung der ersten Schicht das in Tabelle C-13 angegebene Strömungsgeschwindigkeitsverhältnis von NH3 zu
(SiH, + GeH-) anstelle des Strömungsgeschwindigkeitsverhältnisses
in Beispiel 35 benutzt wurde.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurden die Ergebnisse der Tabelle C-13 erhalten.
Beispiel 48
Es wurden elektrofotografische Bildformierungskörper unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei
jedoch die Dicke der ersten Schicht wie in Tabelle C-14 angegeben geändert
wurde.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildfomrierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 35 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurden die Ergebnisse der Tabelle C-14 erhalten. Beispiel 49
Es wurden Tonerbilder unter den gleichen Bedingungen der Tonerbildformierung wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei
jedoch die elektrostatischen Bilder unter Benutzung eines GaAs-HaIbIeiter-Lasers (10 mW) von 810 nm anstelle der in
den Beispielen 35 bis 44 benutzten Wolfram-Lampe gebildet wurden. Die elektrofotografischen Bildformierungskörper wurden
unter den Bedingungen der Beispiele 35 bis 44 hergestellt und hinsichtlich Qualität des übertragenen Tonerbildes bewertet.
Die Bilder waren klare Bilder hoher Qualität mit ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 50
Elektrofotografische Bildformierungskörper (Proben Nr. 12-401 - 12-408, 12-701 - 12-708 und 12-801 - 12-808;
24 Proben) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach demselben Verfahren wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei
jedoch die Bedingung der Bildung von Schicht (II) wie in Tabelle C-15 angegeben geändert wurde.
Die erhaltenen elektrofotografischen Bildformierungskörper
wurden einzeln in ein Wiedergabegerät eingesetzt und dann in Bezug auf die Gesamtbildqualität und die Lebensdauer
SB
bei wiederholter Kopierung unter den gleichen Bedingungen
wie in dem Beispiel bewertet. Es wurden die in Tabelle C-16 angegebenen Ergebnisse ermittelt.
Beispiel 51
Beispiel 51
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Target-Flächenverhältnis einer Siliziumscheibe zu Graphit und das Verhältnis des Gehaltes
von Silizium-Atom zu Kohlenstoff-Atom in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000 Wiederholungen der Bildformierung, Entwicklung
und Reinigung gemäß Beschreibung in Beispiel 35 hinsichtlich der Bildqualität beurteilt. Man erhielt die in Tabelle C-17
angegebenen Ergebnisse.
Beispiel 52
Beispiel 52
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von SiH4-GaS zu C?H4-Gas und das Verhältnis des Gehalts
der Silizium-Atome zu dem Gehalt der Kohlenstoff-Atome in
der Schicht (II) geändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper
wurden nach etwa 50 000 Wiederholungen des Verfahrens
bis zur übertragung wie in Beispiel 35 beschrieben in Bezug auf die Bildqualität bewertet. Es wurden die in Tabelle C-18
angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 53
Beispiel 53
Es wurden Bilformierungskörper nach dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei jedoch bei Bildung
der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von SiH^-Gas : SiF4-GaS : C2H4-GaS und das Verhältnis der Gehalte
der Silizium-Atome zu den Kohlenstoff-Atomen in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden
hinsichtlich Bildqualität nach etwa 50 000 Wiederholungen
der Bildformierung, Entwicklung und Reinigung wie in Beispiel 35 beschrieben beurteilt. Man erhielt die in der Tabelle C-19 erhaltenen
Ergebnisse.
Beispiel 54
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 35 hergestellt, wobei jedoch die
Dicke der Schicht (II) verändert wurde. Die Bildformierung, Entwicklung und Reinigung wurde wie in Beispiel 35 beschrieben
wiederholt. Es wurden die in Tabelle C-20 angegebenen Ergebnisse erhalten.
Die normalen Schichtbildungsbedingungen in den Beispielen 35 bis 54 der Erfindung sind wie folgt.
Substrattemperatur:
Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht......etwa 200 °C
Keine Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht
etwa 250 0C
Entladungsfrequenz: 13,56 MHz
Innendruck in der Reaktionskammer bei der Reaktion: 0,3 Torr
Beispiel 55
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-SubstratjSchichten gebildet. Dabei wurde
das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas
zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle D-1 verändert, wobei der in Fig. 36 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei © 5,0 kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines© geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die
Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von dem Bildformierungskörper
auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung bei ©5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung
und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 56
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-2 verändert, wobei der in Fig. 37 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 55. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
BiIdformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 55 ein Bild auf einem Obertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 57
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle D-3 verändert, wobei der in Fig. 38 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 55. Auf. diese Weise wurde ein elektrofotografischer
BiIdformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 55 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 58
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-4 verändert, wobei der in Fig. 39 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 55. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 55 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 59
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-5 verändert, wobei der in Fig. 40 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 55. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 55 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 60
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-6 verändert, wobei der in Fig. 41 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 55. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 55 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 61
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-7 verändert, wobei der in Fig. 42 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 55. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bi Idformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 55 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 62
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 55 gebildet, wobei jedoch die in Tabelle D-8 bis
Tabelle D-10 angegebenen Bedingungen anstelle der in Beispiel gewählten Bedingungen der Tabelle D-1 benutzt wurden. Hierdurch
wurden elektrofotografische Bildformierungskörper (Probe
Nr. 801 - 803) hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 55 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 63
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle D-11 verändert, wobei der
in Fig. 36 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese
Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei Θ 5,0
kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines
©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes
Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung
bei Θ 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 64
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle D-12 verändert, wobei der
in Fig. 36 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese
Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei Θ 5,0 kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung bei 0 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit. Beispiel 65
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-
Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-13 verändert, wobei der in Fig. 37 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 64. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 64 ein Bild auf einem Übertragungspapier
gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 66
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
und das von NO-Gas zu SiFL/He-Gas mit dem Zeitablauf
der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-14 verändert,
wobei der in Fig. 38 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen
Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 64. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 64 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 67
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He~
Gas und das von NO-Gas zu SiFL/He-Gas mit dem Zeitablauf
der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-15 verändert, wobei der in Fig. 39 gezeigten Veränderungskurve
des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in
Beispiel 64. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 64 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 68
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-16 verändert, wobei der in Fig. 40 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 64. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 64 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 69
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle D-17 verändertü wobei der in Fig. 41 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 64. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 64 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 70
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle D-18 verändert, wobei der in Fig. 42 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 64. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 64 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 71
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 64 gebildet, wobei jedoch jeweils die in
Tabelle D-19 bis Tabelle D-21 angegebenen Bedingungen anstelle
der in Beispiel 64 benutzten Bedingungen der Tabelle D-I2
Anwendung fanden. Auf diese Weise wurden elektrofotografische
Bildformierungskörper (Proben Nr. 1901 - 1903) hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 64 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 72
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle D-22 verändert, wobei der in Fig. 36 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in
ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei© 5,0
kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines© geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die
Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild
erhalten. Bei der Übertragung des Tonerbildes von dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung bei ® 5,0 kV erhielt
man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 73
Es wurden Tonerbilder unter den gleichen Bedingungen der Tonerbildformierung wie in den Beispielen 55 und 64 gebildet,
wobei jedoch die elektrostatischen Bilder unter Benutzung eines GaAs-Halbleiter-Lasers (10 mW) von 810 nm anstelle
der in den Beispielen 55 und 64 benutzten Wolfram-Lampe erzeugt wurden. Die unter den Bedingungen der Beispiele 55 und 64
hergestellten elektrofotografischen Bildformierungskörper wurden hinsichtlich Qualität der übertragenen Tonerbilder
bewertet. Die Bilder waren klare Bilder von hoher Qualität mit ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 74
Elektrofotografische Bildformierungskörper (Proben Nr. 12-401 - 12-408, 12-701 - 12-708 und 12-801 - 12-808;
24 Proben) wurden unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen Verfahren wie jedes der Beispiele und unter
den in Tabelle D-I1 in Beispiel 63, Tabelle D-12 in Beispiel
und Tabelle D-22 in Beispiel 72 angegebenen Bedingungen hergestellt, wobei jedoch die Bedingungen zur Bildung der zweiten
Schicht (II) wie in Tabelle D-23 angegeben geändert wurden.
ΛΟΛ
Die erhaltenen elektrofotografischen Bildformierungskörper wurden einzeln in ein Wiedergabegerät eingesetzt und
dann hinsichtlich Gesamtbildqualität und Lebensdauer bei Kopierungswiederholung unter den gleichen Bedingungen wie
in dem Beispiel bewertet. Es wurden die in der Tabelle D-24 angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 75
Beispiel 75
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 55 hergestellt, wobei jedoch bei Bildung
der Schicht (II) das Target-Flächenverhältnis einer Silizium-Scheibe zu Graphit sowie das Verhältnis der Gehalte von Silizium-Atom
zu Kohlenstoff-Atom in der Schicht (II) verändert wurde.
Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000 Wiederholungen der Bildformierung, Entwicklung und Reinigung
wie in Beispiel 55 beschrieben hinsichtlich Bildqualität bewertet. Es wurden die in der Tabelle D-25 gezeigten Ergebnisse
erhalten.
Beispiel 76
Beispiel 76
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 55 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von SiH.-Gas zu CpH.-Gas sowie das Verhältnis der Gehalte
von Silizium-Atom zu Kohlenstoff-Atom in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000 Wiederholungen des Verfahrens bis zur Kopierung
wie in Beispiel 55 beschrieben hinsichtlich Bildqualität bewertet. Es wurden die in der Tabelle D-26 angegebenen Ergebnisse
erhalten
AO X
Beispiel 77
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 55 hergestellt, wobei jedoch bei Bildung
der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von SiH.-Gas : SiF.-Gas : CpH4-GaS sowie das Verhältnis der Gehalte
von Silizium-Atom zu Kohlenstoff-Atom in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 OOOWiederholungen der Bildformierung, Entwicklung
und Reinigung wie in Beispiel 55 beschrieben hinsichtlich Bildqualität bewertet. Es wurden die in der Tabelle D-27
angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 78
Beispiel 78
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 55 hergestellt, wobei jedoch die
Dicke der Schicht (II) geändert wurde. Die Bildformierung, Entwicklung und Reinigung wurde wie in Beispiel 55 beschrieben
wiederholt. Es wurden die in Tabelle D-28 angegebenen Ergebnisse erhalten.
Die normalen Schichtbildungsbedingungen in den Beispielen 55 bis 78 der Erfindung sind wie folgt.
Substrattemperatur:
Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht etwa 200 0C
Keine Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht...etwa 250 0C
Entladungsfrequenz: 13,56 MHz
Innendruck in der Reaktionskammer bei Reaktion: 0,3 Torr
Innendruck in der Reaktionskammer bei Reaktion: 0,3 Torr
Beispiel 79
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-ZyIinder-Substrat Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten
von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle E-1 verändert, wobei der in Fig. 43 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer BiIdformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei 0 5,0 kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines
© geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes
Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung
bei 0 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichnete
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 80
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-
3"432'48U
Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle E-2 verändert, wobei der in Fig. 44 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 1. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 1 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 81
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle E-3 verändert, wobei der in Fig. 45 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 79. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestel1t.
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 82
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
343248U
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle E-4 verändert, wobei der in Fig. 46 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 79. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 83
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle E-5 verändert, wobei der in Fig. 47 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 79. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 84
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle E-6 verändert, wobei der in Fig. 48 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 79. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 85
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle E-7 verändert, wobei der in Fig. 49 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 79. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 86
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 79 gebildet, wobei jedoch SiJWHe-Gas anstelle
des in Beispiel 79 benutzten SihL/He-Gases eingesetzt und
die Betriebsbedingung wie in Tabelle E-8 angegeben geändert
wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 87
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei jedoch SiF./He-Gas
anstelle des in Beispiel 79 benutzten SiFL/He-Gases eingesetzt
wurde und die Betriebsbedingung wie in Tabelle E-9 angegeben geändert wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper erzeugt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 88
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei jedoch* (SiH4ZHe + SiF4/He)-Gas
anstelle des in Beispiel 79 benutzten SiH./He-Gases eingesetzt
wurde und die Betriebsbedingung wie in Tabelle E-10 angegeben geändert
-w- "3%3248Ö
wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
erzeugt.
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 89
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle E-11 verändert, wobei der in Fig. 43 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei © 5,0 kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung
bei© 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 90
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas und durch das von NH3-GaS
zu SiH^/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle E-12 verändert, wobei der in
Fig. 50 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der
Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bi Idformierungskörper hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei 0 5,0 kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung bei 0 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstüfungsreproduzierbarkeit.
- m- '"' ' ' 3'432'48Ό
Beispiel 91
Es wurden elektrofotografische Bildformierungskörper
unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei jedoch bei der Bildung der ersten Schicht das in der
Tabelle E-13 angegebene Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von NH3 zu (SiH4 + GeH4) anstelle des Strömungsgeschwindigkeitsverhältnisses
in Beispiel 79 benutzt wurde.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurden die Ergebnisse der Tabelle E-13 erhalten.
Beispiel 92
Es wurden elektrofotografische Bildformierungskörper unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 79 hergestellt, ■
wobei jedoch die Dicke der ersten Schicht wie in Tabelle E-14 angegeben geändert wurde.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 79 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurden die Ergebnisse der Tabelle E-14 erhalten.
Beispiel 93
Tonerbilder wurden unter den gleichen Bedingungen der Tonerbildformierung wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei
jedoch die elektrostatischen Bilder mit einem GaAs-Halbleiter-Laser
(10 mW) von 810 nm anstelle der in den Beispielen 79 bis 88 verwendeten Wolfram-Lampe erzeugt wurde. Die unter
den Bedingungen der Beispiele 79 bis 88 erzeugten elektrofotografi-
-jar- ■ " 343Z480
"1
sehen Bildformierungskörper wurden hinsichtlich Qualität
der übertragenen Tonerbilder bewertet. Die Bilder waren klare Bilder hoher Qualität mit ausgezeichneter Auflösung und guter
Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 94
Beispiel 94
Es wurden elektrofotografische Bildformierungskörper
(Probe Nr. 11-401 - 11-408, 11-701 - 11-708 und 11-801 - 11-808; 24 Proben) unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen
Verfahren wie in den Beispielen 82, 85 und 86 hergestellt, wobei jedoch die Bedingungen der Bildung der Schicht (II)
wie in Tabelle E-15 angegeben geändert wurden.
Die erhaltenen elektrofotografischen Bildformierungskörper wurden einzeln in ein Wiedergabegerät eingesetzt und
dann hinsichtlich Gesamtbildqualität und Lebensdauer bei Kopierungswiederholung unter den gleichen Bedingungen wie
in dem Beispiel bewertet.
Es wurden die in der Tabelle E-16 angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 95
Beispiel 95
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Target-Flächenverhältnis einer Silizium-Scheibe zu SiO2J das Mischungsverhältnis von Ar
zu NO sowie das Verhältnis der Gehalte von Silizium-Atom
zu Sauerstoff-Atom in der Schicht (II) verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000
Wiederholungen der Bildformierung, Entwicklung und Reinigung
wie in Beispiel 79 beschrieben hinsichtlich Bildqualität bewertet. Es wurden die in der Tabelle E-17 angegebenen Ergebnisse
erhalten.
Beispiel 96
Beispiel 96
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von SiH,-Gas zu NO-Gas sowie das Verhältnis der Gehalte
von Silizium-Atom zu Sauerstoff-Atom in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000 Wiederholungen des Verfahrens bis zur Kopierung
wie in Beispiel 79 beschrieben hinsichtlich Bildqualität bewertet. Es wurden die in der Tabelle E-18 angegebenen Ergebnisse
erhalten.
Beispiel 97
Beispiel 97
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von SiH4-GaS : SiF.-Gas : NO-Gas sowie das Verhältnis
der Gehalte von Silizium-Atom zu Sauerstoff-Atom in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000 Wiederholungen der Bildformierung, Entwicklung
und Reinigung wie in Beispiel 79 beschrieben hinsichtlich Bildqualität bewertet. Es wurden die in der Tabelle E-19
angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 98
Beispiel 98
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 79 hergestellt, wobei jedoch die Dicke der Schicht (II) geändert wurde. Die Bildformierung,
Entwicklung und Reinigung wurde wie in Beispiel 79 beschrieben wiederholt. Es wurden die in Tabelle E-20 angegebenen Ergebnisse
erhalten.
Die normalen Schichtbildungsbedingungen in den Beispielen 79 bis 98 der Erfindung waren wie folgt.
Substrattemperatur:
Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht etwa 200 0C
Keine Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht...etwa 250 0C
Entladungsfrequenz; 13,56 MHz
Innendruck in der Reaktionskammer bei der Reaktion: 0,3 Torr
Beispiel 99
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet. Dabei wurde
das Verhältnis der Gäsströmungsgeschwindigkeiten von GeH./He-Gas
zu SiH./He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-1 verändert, wobei der in Fig.
51 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt.
Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei © 5,0 kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer
Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines
343Z48Ü
©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes
Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung
bei ® 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 100
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle F-2 verändert, wobei der in Fig. 52 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 99. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 99 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 101
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-3 verändert, wobei der in Fig. 53 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 99. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 99 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 102
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsart!age
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-4 verändert, wobei der in Fig. 54 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 99. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 99 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 103
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle F-5 verändert, wobei der in Fig. 55 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 99. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 99 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 104
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-6 verändert, wobei der in Fig. 56 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 99. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer BiIdformierungskörper hergestelIt.
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 99 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 105
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen
der Tabelle F-7 verändert, wobei der in Fig. 57 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten
gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 99. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 99 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 106
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 99 gebildet, wobei jedoch die in Tabelle
F-8 bis Tabelle F-10 angegebenen Bedingungen a stelle der in Beispiel 99 benutzten Bedingungen der Tabelle F-1 angewandt
wurden. Auf diese Weise wurden elektrofotografische Bildformierungskörper
(Proben Nr. 801 - 803) hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 99 ein Bild auf einem Obertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 107
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle F-11 verändert, wobei der
-yt- 343"24BO
in Fig. 51 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungsköreer wurde in
ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei 0 5,0
kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der Übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung bei 0 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit, Beispiel 108
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle F-12 verändert, wobei der
in Fig. 51 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese
Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete BiIdformierungskörper wurde in
ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es wurde für 0,3 Sekunden eine Koronabeladung bei Θ 5,0
kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer Wolfram-Lampe ats Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux-see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines ©geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung bei Θ 5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter
Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit. Beispiel 109
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-13 verändert, wobei der in Fig. 52 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie
in Beispiel 108. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografische Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 108 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 110
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas und das von NHo-Gas zu SiH,/He-Gas mit dem Zeitablauf
der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-14 verändert,
wobei der in Fig. 53 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen
Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 108. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 108 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 111
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der
Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
und das von NH~-Gas zu SiH./He-Gas mit dem Zeitablauf
der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-I5 verändert,
wobei der in Fig. 54 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen
Bedingungen waren die gleichen wie in Beispiel 108. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 108 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 112
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-16 verändert, wobei der in Fig. 55 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die dleichen
wie in Beispiel 108. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer
Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 108 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet. Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 113
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-I7 verändert, wobei der in Fig. 56 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie in
Beispiel 108. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
-jar- "3A3'24'80
Es wurde unter Benutzung dieses BiIdformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 108 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 114
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden Schichten gebildet. Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas
mit dem Zeitablauf der Schichtbildung unter den Bedingungen der Tabelle F-18 verändert, wobei der in Fig. 57 gezeigten
Veränderungskurve des Verhältnisses der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Die anderen Bedingungen waren die gleichen
wie in Beispiel 108. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieses Bildformierungskörpers
nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 108 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten. Beispiel 115
Es wurden Schichten unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 108 gebildet, wobei jedoch die in Tabelle F-19
bis Tabelle F-21 angegebenen Bedingungen anstelle der im
Beispiel 108 benutzten Bedingungen der Tabelle F-12 angewandt
wurden. Auf diese Weise wurden elektrofotografische Bildformierungskörper (Proben Nr. 1901 - 1903) hergestellt.
Es wurde unter Benutzung dieser Bildformierungskörper nach der gleichen Arbeitsweise und unter den gleichen Bedingungen
wie in Beispiel 108 ein Bild auf einem Übertragungspapier gebildet.
Dabei wurde ein sehr klares Bild erhalten.
Beispiel 116
Durch die in Fig. 12 dargestellte Herstellungsanlage
wurden auf einem Al-Zylinder-Substrat Schichten gebildet.
Dabei wurde das Verhältnis der Gasströmungsgeschwindigkeiten von GeH4/He-Gas zu SiH4/He-Gas mit dem Zeitablauf der Schichtbildung
unter den Bedingungen der Tabelle F-22 verändert, wobei der in Fig. 51 gezeigten Veränderungskurve des Verhältnisses
der Gasströmungsgeschwindigkeiten gefolgt wurde. Auf diese Weise wurde ein elektrofotografischer Bildformierungskörper
hergestellt.
Der gebildete Bildformierungskörper wurde in
ein Versuchsgerät zur Beladung und Belichtung eingesetzt. Es wurde für 0,3 Sekunden eine KoronabeTadung bei© 5,0
kV durchgeführt und sogleich danach ein Lichtbild von einer Wolfram-Lampe als Lichtquelle durch eine Durchlässigkeitstestkarte
bei einer Dosis von 2 Lux.see eingestrahlt.
Unmittelbar danach wurde durch Kaskadieren eines Θ geladenen Entwicklers (der Toner und Träger enthielt) auf
die Oberfläche des Bildformierungskörpers auf diesem ein gutes Tonerbild erhalten. Bei der übertragung des Tonerbildes von
dem Bildformierungskörper auf ein Kopierpapier durch Koronabeladung
bei ©5,0 kV erhielt man ein klares Bild von hoher Dichte, ausgezeichneter Auflösung und guter Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 117
Tonerbilder wurden unter den gleichen Bedingungen der
3A3'24'80
Tonerbildformierung wie in Beispielen 99 und 108 hergestellt,
wobei jedoch die elektrostatischen Bilder mit einem GaAs-Halbleiter-Laser
(10 mW) von 810 nm anstelle der in den Beispielen 99 und 108 verwendeten Wolfram-Lampe erzeugt wurde. Die unter
den Bedingungen der Beispiele 99 und 108 erzeugten elektrofotografischen Bildformierungskörper wurden hinsichtlich Qualität
der übertragenen Tonerbilder bewertet. Die Bilder waren klare Bilder hoher Qualität mit ausgezeichneter Auflösung und guter
Abstufungsreproduzierbarkeit.
Beispiel 118
Beispiel 118
Es wurden elektrofotografische Bildformierungskörper
(Proben Nr. 11-401 - 11-408, 11-701 - 11-708 und 11-1201 - 11-1208; 24 Proben) unter den gleichen Bedingungen und nach dem gleichen
Verfahren wie in den Beispielen 102, 105 und 110 hergestellt, wobei jedoch die Bedingungen der Bildung der Schicht (II)
wie in Tabelle F-23 angegeben geändert wurden.
Die erhaltenen elektrofotografischen Bildformierungskörper
wurden einzeln in ein Wiedergabegerät eingesetzt und dann hinsichtlich Gesamtbildqualität und Lebensdauer bei
Kopierungswiederholung unter den gleichen Bedingungen wie in den Beispielen bewertet.
Es wurden die in der Tabelle F-24 angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 119
Beispiel 119
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 99 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Target-Flächenverhältnis einer
Silizium-Scheibe zu SiO^, das Mischungsverhältnis von Ar
zu NO sowie das Verhältnis der Gehalte von Silizium-Atom zu Sauerstoff-Atom in der Schicht (II) verändert wurde. Die
erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000
Wiederholungen der Bildformierung, Entwicklung und Reinigung wie in Beispiel 99 beschrieben hinsichtlich Bildqualität
bewertet. Es wurden die in der Tabelle F-25 angegebenen Ergebnisse
erhalten.
Beispiel 120
Beispiel 120
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen
Verfahren wie in Beispiel 99 hergestellt, wobei jedoch bei Bildung der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten
von SiH4-GaS zu NO-Gas sowie das Verhältnis der Gehalte
von Silizium-Atom zu Sauerstoff-Atom in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden
nach etwa 50 000 Wiederholungen des Verfahrens bis zur Kopierung wie in Beispiel 99 beschrieben hinsichtlich Bildqualität
bewertet. Es wurden die in der Tabelle F-26 angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 121
Beispiel 121
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 99 hergestellt, wobei jedoch bei
Bildung der Schicht (II) das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten von SiH4-GaS : SiF4-GaS : NO-Gas sowie das Verhältnis
der Gehalte von Silizium- zu Sauerstoff-Atom in der Schicht (II)
verändert wurde. Die erhaltenen Bildformierungskörper wurden nach etwa 50 000 Wiederholungen der Bildformierung, Entwicklung
und Reinigung wie in Beispiel 99 beschrieben hinsichtlich Bildqualität bewertet. Es wurden die in der Tabelle F-27
angegebenen Ergebnisse erhalten.
Beispiel 122
Beispiel 122
Es wurden Bildformierungskörper nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 99 hergestellt, wobei jedoch die
Dicke der Schicht (II) geändert wurde. Die Bildformierung, Entwicklung und Reinigung wurde wie in Beispiel 99 beschrieben
wiederholt. Es wurden die in Tabelle F-28 angegebenen Ergebnisse erhalten.
Die normalen Schichtbildungsbedingungen in den Beispielen 99 bis 122 der Erfindung waren wie folgt.
Substrattemperatur:
Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht etwa 200 0C
Keine Germanium-Atome (Ge) enthaltende Schicht...etwa 250 0C
Entladungsfrequenz: 13,56 Mhz
Innendruck in der Reaktionskammer bei der Reaktion: 0,3 Torr
Tabelle A-1
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | (μ) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| Erste | SiH4/He = 0.05 | GeH4/SiH4 = 1/1~ 2/10 | ||||
| Schicht | GeH./He =0.05 4 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 | 0.18 | 5 | 1 |
| NH3 | ||||||
| Zweite | SiH,/He =0.05 | SiH. + GeH. =50 | GeH./SiH. = 2/10 ^- 0 | 0.18 | 5 | 19 |
| Schicht | GeH4/He =0.05 | 4 4 |
CW: CD
Tabelle A-2
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 NH3 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1/10^4/100 NH /(GeH.+SiH.) = 2/100 |
0.18 | 5 | 5 |
| Zwe i te Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 4/100 -v-O | 0.18 | 5 | 15 |
Tabelle A-3
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He = 0.05 NH3 |
SiH4 + GeH4 = 50 | GeH4/SiH, = 4/10 "\. 2/10 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1.5 |
| Zwe i te Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He = 0.05 |
SiH, + GeH, = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 2/10^2/1000 | 0.18 | 5 | 18.5 |
Tabelle A-4
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH,/He =0.05 4 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 15/100 NH3/(GeH4+SiH4)= 4/100 |
0.18. | 5 I |
4 |
| Zwe i te Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He = 0.05 |
SiH4 + GeH4 = 50 | GeH4/SiH4 = 15/lOOM) | 0.18 | 5 | 16 |
Tabelle A-5
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin | (μ) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| Erste | SiH^/He =0.05 | GeH4ZSiH4 = l~5/10 | ||||
| Schicht | GeH^/He =0.05 | SiH, + GeH. = 50 4 4 |
NH3/(GeH4H-SiH4) = 5/100 | 0.08 | 5 | 0.5 |
| NH3 | ||||||
| Zweite | SiH./He = 0.05 | SiH, + GeH, = 50 | GeH./SiH, = 5/10~0 | 0.18 | 5 | 19.5 |
| Schicht | GeHA/He =0.05 |
Tabelle A-6
| Schicht aufbau j i |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH,/He =0.05 4 GeH./He =0.05 4 NH3 |
SiH, + GeH, = 50 4 4 |
GeH,/SiH, = 2/10^5/100 4 4 NH /(GeH4+SiH )= 3/100 |
0.18 | 5 | -P- |
| Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 4 |
SiH, + GeH, = 50 4 4 |
GeH4VSiH4 = 5/100 ~0 | 0.18 | 5 | 16 |
-Ρ-CD O
Tabelle A-7
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | 5 | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht | |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | 5 | (μ) | ||
| digkeit | |||||||
| (A/sec) ' | |||||||
| Erste | SiH4/He =0.05 | GeH /SiH4 = 1/10"-8/10O | 1 | ||||
| Schicht | GeH4/He =0.05 | SiH, + GeH, = 50 4 4 |
NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 | 0.18 | 4 | ||
| NH3 | |||||||
| Zwe i te Schicht |
SiH./He =0.05 4 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH./SiH. = 8/100~0 4 4 |
0.18 | 16 | ||
| GeH4VHe = 0.05 |
-P--OO CD
Tabelle A-8
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwindi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
Si2H6/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
Si_H, + GeH. = 50 2 6 4 |
GeHA/Si2H6 = 1/1 ^2/10 NH3/(GeHA+Si2H6)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| 7wg i te Schicht |
Si0H,/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 |
Si0H, + GeH. = 50 ZO 4 |
GeH./Si0H, = 2/10^-0 4 ίο |
0.18 | 5 | 19 |
CO NJ)
-P--CO CD
N5
CJi
Tabelle A-9
| Schicht | verwendete | i | SiF4/He =0.05 | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | GeH4/He =0.05 | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs-; | Schicht | |
| NH3 | (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin | (μ) | |||
| SiF4/He = 0.05 | digkeit : | |||||||
| GeH4/He =0.05 | (Ä/sec) | |||||||
| Erste | GeH4ASiF4 = l/l~2/10 | |||||||
| Schicht | SiF. + GeH, =50 4 4 |
NH3/ (GeH4H-SiF4) = 3/100 | 0.18 | 5 | 1 | |||
| Zweite | SiF. + GeH, = 50 4 4 |
GeH4/SiF4 = 2/10^-0 | 0.18 | 5 | 19 | |||
| Schicht |
K)
CJi
ND
Tabelle A-10
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (u) |
| Erste Schicht |
SiH4/He =0.05 SiF4/He = 0.05 GeH./He = 0.05 4 NH3 |
SW+CeV3O | GeH,/(SiH.+SiF.)=l/l~2/10 4 4 4 NH3/(GeH4+SiH4+SiF4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 SiF./He = 0.05 4 GeH./He =0.05 4 |
SiF4+Si2F8+GeH4=50 | GeH4/(SiH4+SiF4)=2/10-\- 0 | 0.18 | 1 5 |
19 |
CO .{ΓΟΟ
-F--OO CD
(S3 O
Tabelle A-11
cn
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin-· | (μ) | ||
| digkeit ', | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| SiHA/He =0.05 | GeH4/SiH4 = 1/1^2/10 | |||||
| Erste | GeH4/He =0.05 | SiH. + GeH, = 50 4 4 |
NH3V(GeH^SiH4) = 2/100 | 0.18 | 5 | 1 |
| Schicht | NH3 | |||||
| SiH4/He =0.05 | GeH4ZSiH4 = 2/10~0 | |||||
| Zweite | GeH /He =0.05 | SiH. + GeH. = 50 4 4 |
NH3/(GeH4+SiH4) = 1/100 | 0.18 | 5 | 19 |
| Schicht | NH3 |
Tabelle A-12
cn
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | .Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin | (μ) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| SiH4/He =0.05 | GeH4/SiH4 - 1/1^5/100 | |||||
| Erste | GeH,/He =0.05 | SiH. + GeH, = 50 4 4 |
NH3(GeH4+SiH4)=15/100 | 0.18 | 5 | 7 |
| Schicht | NH3 | ~i/io | ||||
| SiH4/He =0.05 | GeH./SiH. = 5/100—0 4 4 |
|||||
| Zweite | GeH4/He =0.05 | SiH. + GeH. « 50 4 4 |
NH3/(GeH4+SiH4)=l/10-0 | 0.18 | 5 | 13 |
| Schicht | NH3 |
to
cn
Tabelle A-13
| Probe Mr. | 1301 | 1302 | 1303 | 1304 | 1305 | 1306 | 1307 | 1308 |
| NH3/(GeH4+SiH4) Verhältnis der Strö- munqsgeschwindigkeiten |
1/1000 | 5/1000 | 9/1000 | 2/100 | 3/100 | 5/100 | 8/100 | 1/10 |
| N-Gehalt Atom-i |
0.1 | 0.5 | 0.89 | 1.96 | 2.9 | 4.76 | 7.4 | 9.1 |
| Bewertung i |
Δ | O | O | @ | © | O | O | Δ |
©: Sehr gut O: Gut Δ: Praktisch zufriedenstellend
Tabelle A-14
| Probe Nr. | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | Δ: Praktisch zufriedenstellend | 1406 | 1407 | 1408 |
| Dicke der Schicht j |
30Ä | 500Ä | O. Iy | 0.3y | Ο.'8μ | 3μ | 4μ | 5μ | |
| Bewertung \ | Δ | O | © | © | © | O | O ' | Δ | |
| ®\ Sehr gut O: Gut |
to
Ul
Tabelle B-1
| Schicht- .aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der I Strömungs geschwindigkeiten |
Intiadungs- energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH./He = 0.05 4 GeH4/He =0.05 B9H,/He = 10~3 NH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH./SiH. = 4/10*^8/100 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH,)=8 χ 10 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zwe i te Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 |
SiH4 + GeH4 = 50 | GeH4/SiH4 = 8/100~0 | 0.18 | 5 | 19 |
hO 4>-OO
CD
to
Tabelle B-2
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bi 1 dungs- geschwin digkeit (A/sec) |
Dicke der ' Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1/10 — 8/100 B0H,/(GeH,+SiH.)=5xlO"3 ZO 4 4 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zwe i te Schicht |
SiH,/He =0.05 GeH./He =0.05 4 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100 ~0 | 0.18 | 5 | 19 , |
cn
cn
Tabelle B-3
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs- | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwi ndi gkei ten | (W/cm2) | geschwin- | (μ) | ||
| digkeit . | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| SiH4/He = 0.05 | GeH4/SiH4 = 4/10~33/100 | |||||
| Erste ', | GeH4/He =0.05 | SiH, + GeH. = 50 4 4 |
B2H6/(GeH4+SiH4)=lxlO~3 | 0.18 | 5 | 0.5 |
| Schicht | B2H6/He = 10"3 | NH3/(GeH4+SiH4) = 2/100 | ||||
| NH3 | ||||||
| Zweite | SiH4/He =0.05 | SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 33/100-4/100 | 0.18 | 5 | 19.5 |
| Schicht | GeH4/He =0.05 |
cn
Tabelle B-4
Cn
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten * |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht r |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH./SiH. = 15/100 44 -4 B„H,/(GeH,+SiH,)=5xl0 ζ ο η 4 NH,/(GeH,+SiH,) = 3/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| Zwe i te Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH^/He =0.05 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4ZSiH4 = 15/100~0 | 0.18 | 5 | 19.5 |
to
Tabelle B-5
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (M) |
| Erste Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = ΙΟ"3 NH3 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = l/l~6/10 B2H6/(GeH4+SiH )=2xlO~3 NH3/(GeH4H-SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zwe i te Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH./SiH. = 6/10-5/1000 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
OO ISO
co
cn
cn
Tabelle B-6
| Schicht | verwendete | Strömungs | . Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | (μ) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| SiH4/He =0.05 | GeH4/SiH4=2/10-195/1000 | |||||
| Erste | GeH./He = 0.05 | SiH. + GeH, = 50 4 4 |
B0H,/(GeH.+SiH,)=5xlO~3 / O 4 4 |
0.18 | 5 | 1 |
| Schicht | B2H6/He = 10 | NH3Z(GeH4H-SiH4) = 3/100 | ||||
| NH3 | ||||||
| Zweite | SiH4/He =0.05 | SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 195/1000^0 | 0.18 | 5 | 19 |
| Schicht | GeH4/He =0.05 |
CO
O
cn
Tabelle B-7
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht ι |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH./SiH, = 1/10 — 95/100 B2H6/(GeH4+SiH4)=2x10 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zweite Schicht |
SiH4/He = 0.05 ;GeH4/He =0.05 |
SiH, + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 95/100~0 | 0.18 | 5 | 19 |
CJl
Tabelle B-8
Ol
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
Si„H,/He = 0.05 ί O GeH,/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
Si2H, + GeH4 = 50 | GeH./Si.H, = 4/10-8/100 H Δ O „ B0H,/ (GeH.+SioH,)=8xl0 NH3/(GeH4H-Si2H6) = 3/100 |
0.18 | 5 I |
1 |
| Zweite Schicht |
Si0H,/He =0.05 Z O GeH4/He = 0.05 |
Si0H, + GeH. = 55 Δ Ό Η |
GeH./Si0H, - 8/100^0 | 0.18 | 5 | 19 |
CO ι O
Tabelle B-9
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der i Schicht \ (μ) |
| Erste Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B„H,/He =10 2. D NH3 |
SiF. + GeH, = 50 4 4 |
GeH./SiF. = l/10~8/100 44 -3 B9H./(GeH,+SiF,) = 5x10 ZO H H NH /(GeH4+SiF4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zweite Schicht |
SiF^/He =0.05 GeH./He = 0.05 4 |
SiH, + GeH. = 50 4 4 |
GeH,/SiF4 = 8/100-^0 | 0.18 | 5 | 19 |
Tabelle B-IO
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungsge schwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strö- mungsgeschwi ndi gkei ten (W/cm2) |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Schicht dicke (μ) |
| Erste Schicht |
SiH^/He = 0.05 SiF,/He =0.05 GeH4/He =0.05 B0H,/He = 10"3 NH3 |
SiH.+SiF.+GeH. 4 4 4 = 50 |
GeH4/(SiH4+SiF4)= 4/10 -33/100 B2H6/(GeH4+SiH4+SiF4) = 1 χ 10~3 NH3/(GeH4+SiH +SiF4) - 2/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| Zwe i te Schicht |
SiH./He = 0.05 4 SiF^/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH4+SiF4+GeH4 = 50 |
GeH4/(SiH4+SiF4)= 4/10 ~33/100 |
0.18 · | 5 ) |
19.5 |
τ=" IS
OO · O
Tabelle B-11
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (Vl/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste , Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH./He =0.05 4 -3 PH3/He = 10 NH3 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH./SiH. = 4/10-8/100 44 -3 PH /(GeH4+SiH4)= 1x10 NH /(GeH4^SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | r-l |
| Zweite Schicht L |
SiH^/He = 0.05 GeH4/He = 0.05 |
SiH, + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100~O | 0.18 | 5 | 19 |
Ca) OO
Tabelle B-12
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | (μ) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| Erste Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH./He = 0.05 4 S B2H6/He = 10 J |
SiH, + GeH. = 50 | GeH,/SiH^- = 4/10~0 B0H,/(GeH.+SiH. ) = 8x10~3 NH3/(GeH +SiH4) = 1/100 |
0.18 | 5 | 20 |
| NH3 |
Tabelle B-13
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH./He = 0.05 4 GeH^/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH./SiH. = l/10~0 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH.)=5xlO /6 4 4 NH3/(GeH4+SiH4) - 1/100 |
0.18 | 5 | 20 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH^/iGeH.+SiH.) wurde linear verringert.)
Q-T^ |,ι^;
Tabelle B-14
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B2H6/He = 10 J JiH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH4/SiH4= 4/10^4/100 B2H6/(GeH4+SiH4) = 1χ10~3 NH„/(GeH.+SiH.)= 2/100-0 3 4 4 |
0.18 | 5 | 20 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3Z(GeH4H-SiH4) wurde linear verringert.)
to
Tabelle B-15
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | (μ) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| SiH./He =0.05 4 |
GeH./SiH. = 15/100^0 4 4 , |
|||||
| Erste | GeH./He = 0.05 | SiH. + GeH. = 50 | BoH,/(GeH.+SiH.)=5xl0 | 0.18 | 5 | 20 |
| Schicht | B2H6/He «10 | 4 4 | Lb η 4 NH0/(GeH.+SiH.)=3/100~0 3 4 4 |
|||
| NH3 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(GeH.+SiH.) wurde linear verringert.).
cn
Tabelle B-16
| Schicht aufbau |
verwendete : Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste . Schicht . |
SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4ZSiH4 = l/l~6/10 B2H6/(GeH4+SiH4)=2xl0~3 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zweite Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH^/He =0.05 B„H,/He = 10~3 λ O |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH4/SiH4= 6/10-N.5/1000 B2H6/(GeH4+SiH4)=2xl0"3 |
0.18 | 5 | 19 |
co
cn
cn
cn
Tabelle B-17
| verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
|
| Schicht aufbau |
SiH4/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B0H,/He =10 NH3 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH. /SiH =2/10-195/1000 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH.)=5x10 Zo h. h· NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 15 |
| Erste Schicht |
SiH./He = 0.05 4 GeH./He =0.05 4 -3 B H /He =10 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH./SiH. = 195/1000^-0 4 4 B-H,/(GeH.+SiH.)=5xl0~3 2 6 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
| Zweite Schicht |
to
Cn
Tabelle B-18
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungS" geschwin digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| i Erste Schicht 1 |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10"3 NH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH./SiH,=1/10^95/100 44 -3 BoH,/(GeH,+SiH.)=2xl0 ZD H 4 NH3/ (GeH4H-SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zweite Schicht |
SiH^/He = 0.05 GeH,/He =0.05 B0H,/He = 10~3 Z D |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH,/SiH. = 95/100~0 4 4 B0H,/(GeH,+SiH.)=2xlO~3 ZO 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
Tabelle B-19
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H5/He = 10~3 NH3 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH, /SiH4 = 4/10~8/100 B2H6/(GeH4+SiH4)=8xl0~3 NH3/(GeH4+SiH4)=3/100~0 |
0.18· | 5 I |
1 |
| Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B„H,/He =10 L D |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100—0 B0H,/(GeH,+SiH,)=8xlO~3 |
0.18 | 5 | 19 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(GeH^SiH4) wurde linear verringert.)
OO ' CD
cn
cn
Tabelle B-20
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs- energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Erste Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH. + GeH, = 50 4 4 |
GeH,/SiH. = 1/10 — 8/100 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH,)=5xl0 NH3/(GeH4H-SiH4)=3/101>0 |
0.18 | 5 | 1 |
| Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He = 0.05 B0H1,/He = 10~3 Ib |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100~0 B0H,/(GeH.+SiH.)=5xlQ~3 |
0.18 | 5 | 19 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(GeH4+SiHj wurde linear verringert.)
CO -P--Cu
NJ
to
Tabelle B-21
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | (M) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| SiH^/He = 0.05 | GeH./SiH. = 4/10~33/100 4 4 |
|||||
| Erste | GeH^/He =0.05 | SiH. + GeH. = 50 4 4 |
B2H6/(GeH4+SiH4)=lxl0 | 0.18 | 5 | 0.5 |
| Schicht | B„H,/He = 10"3 Z ο NH3 |
NH3/(GeH4+SiH4) = 2/100 | ||||
| SiH4AIe =0.05 | GeH./SiH. = 33/100^0 4 4 |
|||||
| Zwe i te | GeH,/He =0.05 | SiH, + GeH. = 50 | 0.18 | 5 | 19.5 | |
| Schicht | -3 B H /He = 10 |
B2H5/(GeH4+SiH4)=1x10~ |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NhL/(GeH.+SiHJ wurde linear verringert.)
to
t
αι
cn
Tabelle B-22
| Schicht | verwendete | Strömungs | Verhältnis der | Entladungs | Schicht- | Dicke der |
| aufbau | Gase | geschwindigkeit | Strömungs | energie | bildungs- | ι Schicht |
| (SCCM) | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | (μ) | ||
| digkeit | ||||||
| (A/sec) | ||||||
| SiH,/He =0.05 | GeH4/SiH4= 4/10~8/100 | |||||
| Erste | GeH4/He =0.05 | SiH. + GeH, = 50 4 4 |
B0H,/ (GeH.+SiH, )=8xlO~3 | 0.18 | 5 | 15 |
| Schicht | B„H,/He = 10"3 Z D NH3 |
NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 | ||||
| SiH./He = 0.05 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100~O | |||||
| Schicht | GeH./He =0.05 4 -3 PH /He =10 |
SiH. + GeH. = 50 4 4 |
PH3/(GeH4+SiH4)= 1x10 | 0.18 | 5 | 5 |
!S3
cn
Tabelle C-1
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs1 energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwiπ αινεί t ■(Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (ΐ) |
Zweite Schicht |
SiH,/He = 0.05 4 GeH,/He =0.05 4 NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 1/1^-2/10 4 4 NH„/(GeH,+SiH,)=3/100 3 4 4 |
0.18 | 5 | 1 |
| Schicht (II) | SiH,/He =0.05 4 GeH,/He =0.05 4 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 2/10~0 | 0.18 | 5 | 19 | |
| SiH4/He =0.5 C2H4 |
SiH, = 100 4 |
SiH4/C2H4 =3/7 | 0.18 | 10 | 0.5 |
te
cn
Tabelle C-2
| Schicht aufbau |
First layer |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Layer (D |
Second' layer |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH, = l/10~4/100 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)= 2/100 |
0.18 | 5 | 5 |
| SiH4VHe = 0.05 GeH4/He =0.05 L |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH,= 4/100~0 4 4 |
0.18 | 5 | 15 |
Oi
cn
Tabelle C-3
| .... , -.. Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (I) I |
Zweite Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 4/10~ 2/10 4 4 NH3/(GeH^fSiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1.5 |
| SiH./He =0.05 4 GeH4/He - 0.05 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 2/10^2/1000 | 0.18 | 5 | 18.5 |
Tabelle C-4
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
)icke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 15/100 NH3/(GeH4+SiH4)= 4/100 |
0.18 | 5 | 2 |
| SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 15/100 ~0 | 0.18 | 5 | 18 |
OO , CD
N)
cn
Tabelle C-5
cn
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH,/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1-5/10 NH /(GeH4+SiH.) = 5/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH^/He =0.05 GeH^/He =0.05 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4/SiH4 = 5/10~0 | 0.18 | 5 | 19.5 |
Tabelle C-6
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Scbicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zwe i te Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH4ZHe = 0.05 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 2/10-^5/100 NH_/(GeH.+SiH.)= 3/100 3 4 4 |
0,18 | 5 | 4 |
| SiH./He = 0.05 4 GeH,/He = 0.05 |
SiH4+GeH,=50 | GeH4/SiH4 = 5/100~0 | 0.18 | 5 | 16 |
Ol
Tabelle C-7
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zwe ite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 1/10-8/100 NH3/(GeH,+SiH.)= 3/100 |
0.18 | 5 | 4 |
| SiH,/He = 0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH. =50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100^0 | 0.18 | 5 | 16 |
Tabelle C-8
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit iSCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Sdiicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/seO |
Dicke der ScM ch t (μ) |
| Schicht (D |
Zwe i te Schicht |
Si2H5/He = O.O5 GeH4/He =0.05 NH3 |
SioH,+GeH.=50 2 6 4 |
GeH4/Si2H6 = 1/1*^2/10 NH3/(GeH4+Si2H6) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Si0H,/He= 0.05 GeH4/He =0.05 |
Si„H,+GeH.=50 2 6 4 |
GeH./Si„H, = 2/10^0 4 2 b |
0.18 | 5 | 19 |
cn
Tabelle C-9
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiF./He = 0.05 4 GeH^/He =0.05 NH3 |
SiF.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiF. = l/l~2/10 4 4 NH /(GeH4+SiF4)=3/100 |
0.18 | 5 ' | 1 |
| SiF./He =0.05 4 GeH,/He =0.05 |
SiF.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiF4 = 2/10-^0 | 0.18 | 5 | 19 |
CO -Ο-GO K)
to
Tabelle C-10
| Erste | verwendete | Strömungs | Verhältnis Entladungs- | energie | Stfncht- | Dicke der | |
| Schicht | Schicht | Gase | geschwin | der Strömungs | biidungs- | Schicht | |
| aufbau | digkeit | geschwindigkeiten | (W/cm2) | geschwin- | |||
| (SCCM) | djgkeit | (μ) | |||||
| SiH^/He = 0.05 | GeH4/(SiH4+SiF4)=l/l~2/10 | 0.18 | (A/sec) | ||||
| 1 | SiF4/He = 0.05 | SiH. 4-SiF .+GeH. 4 4 4 |
1 | ||||
| Zweite | GeH4/He =0.05 | = 50 | NH3/(GeH4+SiH4+SiF,) | 5 | |||
| Schicht | NH3 | = 3/100 | |||||
| Schicht | |||||||
| (D | |||||||
| SiH./He =0.05 | |||||||
| 4 | 0.18 | ||||||
| SiF./He = 0.05 4 |
SiF4+Si2F8+GeH4 | GeH4/ (SiH4+SiF4) = 2/10~0 | 19 | ||||
| ι GeH,/He = 0.05 I 4 |
= 50 | 5 | |||||
Tabelle C-11
|
Schicht
aufbau |
Erste
Schicht |
verwendete
Gase |
Strömungs
geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis
der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs
energie (W/cm2) |
Schicht-
bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der
Schicht (μ) |
|
chicht
(D |
Zweite
Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4ZSiH4 = l/l~2/10 NH3/(GeH4+SiH4)= 2/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SchicHt (II) | SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 2/10~0 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)= 1/100 |
0.18 | 5 | 19 | |
| SiH4/He =0.5 C2H4 |
SiH4 = 100 | SiH4/C2H4 = 3/7 | 0.18 | 10 | 0.5 |
CO -!>■ OO
to
Tabelle C-12
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit ISCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht en dungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 1/1^-5/100 NH /(GeH4+SiH4)=15/100 ~l/10 |
0.18 | 5 | 7 |
| Schicht (II). | SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 5/100-N-O 4 4 NH3/ (GeH4J-SiH4)=1/10-0 |
0.18 | 5 | 13 | |
| SiH4/He =0.5 C2H4 |
SiH4 = 100 | SiH4/C2H4 = 3/7 | 0.18 | 10 | 0.5 |
to
CJI
Tabelle C-13
| Probe Nr. | 1301 | 1302 | 1303 | 1304 | 1305 | 1306 | 1307 | 1308 |
| NH3/(GeH4+SiH4) Verhältnis der Strö mungsgeschwindigkeiten |
1/1000 | 5/1000 | 9/1000 | 2/100 | 3/100 | 5/100 | 8/100 | 1/10 |
| N-Gehalt : Atom-« |
0.1 | 0.5 | 0.89 | 1.96 | 2.9 | 4.76 | 7.4 | 9.1 |
| Bewertung | Δ | O | O | © | ® | O | O | Δ |
@: Sehr gut O: Gut A: Praktisch zufriedenstellend
Tabelle C-14
| Probe Nr. | 14 01 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | 1407 | 1408 |
| "Dicke der Schicht |
3 OA | 500Ä | Ο.ΐμ | 0.3μ | 0.8μ | 3μ | 4μ | 5μ |
| Bewertung | Δ | O | © | © | © | O | O ■ | Δ |
@: Sehr gut Ο: Gut Δ: Praktisch zufriedenstellend
co
co ISJ)
OO · O
Tabelle C-15
| Bedingungen. | verwendete Gase | Strömungsge schwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strö mungsgeschwindigkeiten oder Flächenverhältnis |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht dicke (μ) |
| 12-1 | Ar | 200 | Si-Scheibe : Graphit = 1.5:8.5 |
0.3 | 0.5 |
| 12-2 | Ar | 200 | Si-Scheibe : Graphit = 0.5:9.5 |
0.3 | 0.3 |
| 12-3 | Ar | 200 | Si-Scheibe : Graphit = 6:4 |
0.3 | 1.0 |
| 12-4 | SiH4/He=l C2H4 |
SiH4=IS | SiH4:C2H4 = 0.4:9.6 |
0.18 | 0.3 |
| 12-5 | SiH4/He=0.5 C2H4 |
SiH4=IOO | SiH4:C2H4 = 5:5 |
0.18 | 1.5 |
| 12-6 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 C2H4 |
SiH4+SiF4=150 | SiH4:SiF4:C2H4 = 1.5:1.5:7 |
0.18 | 0.5 |
| 12-7 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 C2H4 |
SiH.+SiF.=15 4 4 |
SiH4:SiF4:C2H4 = 0.3:0.1 : 9.6 |
0.18 | 0.3 |
| 12-8 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 C2H4 |
SiH.+SiF =150 4 4 |
SiH4:SiF4:C2H4 = 3:3:4 |
0.18 | 1.5 |
CO . ■Ο- "
GO NJ
Tabelle C-16
! Schicht (II)
: Herstellungsbedingungen
: Herstellungsbedingungen
12-1
12-2
12-3
12-4
12-5
12-6
12-7
12-8
Probe Nr. / Ergebnisse
12-401
O O
12-402
O O
12-403
O O
12-404
12-405
© I @
12-406
12-407 O 1 O 12-408
O I O
12-701
O
12-702
O
12-703
O
12-704
12-705
12-706
12-707 O 1 12-708
O I
12-801
O O
12-802
O O
12-803
O O
12-804
12-805
12-8 06 © j © 12-807 Q [Q 12-808 O I O
Probe Mr.
Gesamt-Bildbewertung
Bewertung der
Lebensdauer
Lebensdauer
Bewertungsmaßstab:
©...Sehr gut
O...Gut
O...Gut
Tabelle C-I7
| Probe Nr. | 1301 | 1302 | 1303 | 1304 | 1305 | 1306 | 1307 |
| Si : C Target (Flächenverhältöis) |
9:1 | 6.5:3.5 | 4:6 | 2:8 | 1:9 | 0.5:9.5 | 0.2:9.8 |
| Si : C (Gehaltsverhältnis) ; |
9.7:0.3 | 8.8:1.2 | 7.3:2.7 | 4.8:5.2 | 3:7 | 2:8 | 0.8:9.2 |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | O | ® | O | Δ | X |
© : Sehr gut O : Gut
Δ : Praktisch ausreichend brauchbar
X : Bildfehler aufgetreten
X : Bildfehler aufgetreten
Tabelle C-18
| Probe Nr. | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | 1407 | 1408 |
| SiH4 : C2H4 (Verhältnis der Strö- miinriQ noc rhwi πΠίπ^ότ +ώ |
9:1 | 6:4 | 4:6 | 2 :8 | 1:9 | 0.5:9.5 | 0.35:9.65 | 0.2:9.8 |
| Si : C (Gehaltsverhultnis) |
I 9:1 |
7:3 | 5.5:4.5 | 4:6 | 3:7 | 2:8 | 1.2:8.8 | 0.8:9.2 |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | O | ® | © | O | Δ | X. |
® : Sehr gut O : Gut
Δ : Praktisch ausreichend brauchbar
χ : Bildfehler aufgetreten
χ : Bildfehler aufgetreten
Ol
Tabelle C-19
| Probe Nr. | 1501 | 1502 | 1503 | 1504 | 1505 | 1506 | 1507 | 1508 |
| SiH4:SiF4:C2H4 (Verhältnis der Strö- munqsqeschwindigkeit.pn) |
5:4:1 | 3:3.5:3.5 | 2:2:6 | 1:1:8 | 0.6:0.4:9 | 0.2:0.3:9.5 | 0.2:0.15:9.65 | 0.1:0.1:9.8 |
|
Si : C
(Gehaltsverhältnis) |
9:1 | 7:3 | 5.5:4.5 | 4:6 | 3:7 | 2:8 | 1.2:8.8 | 0.8:9.2 |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | O | © | ® | O | Δ | X |
(£) : Sehr gut
O : Gut
A : Praktisch zufriedenstellend
χ : Bildfehler aufgetreten
ΙΛ
CO
CO K)
CO CD
Tabelle C-20
| Probe Nr. | Dicke der amorphen Schicht (II) (μ) |
Ergebnisse |
| 1601 | 0.001 | Tendenz zum Auftreten von Bildfehlern |
| 1602 | 0.02 | Keine Bildfehler bis zu 20 000 Wiederholungen |
| 1603 | 0.05 | Beständig bis zu 50 000 oder mehr Wiederholungen |
| 1604 | 1 | Beständig bis zu 200 000 oder mehr Wiederholungen |
CO -Ρ—
NJ ■ί>-CX)
O
cn
cn
Tabelle D-1
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie iW/cm23 |
Scibichtr biidungs- geschwin- digkeit iA/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH4/He =0.05 B„H,/He = 10"3 L O NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 4/10^8/100 B0H,/(GeH.+SiH,)=8/10"3 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Schicht (II) | SiH^/He = 0.05 GeH,/He =0.05 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH /SiH4 = 8/100~0 | 0.18 | 5 | 19 | |
| SiH4/He =0.5 C2H4 |
SiH4 = 100 | SiH4/C2H4 = 3/7 | 0.18 | 10 | 0.5 |
to
Tabelle D-2
|
Schicht
aufbau |
Erste Schicht |
verwendete
Gase |
Strömungs
geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis
der Strömungs geschwindigkeiten |
Intladungs-
energie (W/cm2) |
Schicht-
bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der
Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH4/He =0.05 B0H,/He = 10~3 NH3 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4/SiH4= 1/10-^8/100 B2H6/(GeH4+SiH4)=5xl0~3 NH /(GeH.+SiH,)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH =50 | GeH4/SiH4 = 6/100^0 | 0.18 | 5 | 19 |
GO, ■Ρ--· CjO K)
te
Tabelle D-3
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCMO |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Scbicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
)icke der Schicht (μ) |
| Schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B„H./He = 10"3 JL O NH3 |
SiH,+GeH=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 4/10-V-33/100 B-H£/(GeH.+SiH.)=lxlO"3 NH3/(GeH4+SiH4) = 2/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4/SiH4=33/100~4/100 | 0.18 | 5 | 19.5 |
Tabelle D-4
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (M) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 15/100 B0H,/(GeH.+SiH.)=5x1Ö"4 I. D H 4 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 15/100^-0 | 0.18 | 5, | 19.5 |
ts5
Ul
Ul
NS
O
CJl
Tabelle D-5
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit iSCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cnrO |
SdTi ich t- bildungs- geschwin-' digkeit (A/secl |
Dicke der · Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10"3 NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH. = l/l~6/10 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH.)=2xlO NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 6/10->-5/1000 | 0.18 | 5 | 19 |
CJl
cn
Tabelle D-6
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 4 -3 B0H,/He =10 I O NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH,=2/10-195/1000 44 -3 B0H,/(GeH,+SiH,)=5xlO Io η 4 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH,/He = 0.05 GeH,/He =0.05 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 195/1000^0 | 0.18 | 5 | 19 |
cn
Tabelle D-7
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (M) |
| Schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH,/He =0.05 B„H,/He = 10"3 ί D NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 1/10^95/100 BoH./(GeH.+SiH. )=2xlO~3 2 6 4 4 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | ' 1 |
| SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH /SiH4 = 95/100^0 | 0.18 | 5 | 19 |
to
cn
Tabelle D-8
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit ISCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
.ntiadungs- energie iW/cm23 |
Sdncht^ bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Sc))I cb t ω |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
Si0H,/He = 0.05 Z D GeH4/He =0.05 B„H,/He = 10~3 Z D NH3 |
SioH,+GeH =50 2 6 4 |
GeH./Si.H,= 4/10^8/100 4 2 6 - BoH,/(GeH,+SioH,)=8xl0~ Zb η Zb NH„/(GeH.+Si„H,) = 3/100 j ^Zb |
0.18 | 5 | 1 |
| Si2H6/He = 0.05 GeH^/He = 0.05 |
Si„H,+GeH,=55 2 6 4 |
GeH4/Si2H6 = 8/100 — 0 | 0.18 | 5 | 19 |
to
αϊ
cn
Tabelle D-9
| Schicht aufbau 1 |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Scbicbt- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zwei te Schicht |
SiF4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 B0H,/He = 10"3 Z D NH3 |
SiF4+GeH4=50 | GeH /SiF. = 1/10^8/100 -3 B2H5/(GeH4+SiF4)=5xl0 NH3/(GeH4+SiF4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiF4/He = 0.05 GeH^/He = 0.05 |
SiF.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiF. = 8/100^-0 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
to
Tabelle D-10
Schichtaufbau
verwendete Gase
Strömungsgeschwindigkeit (SCCM)
Verhältnis
der Strömungsgeschwindigkeiten
der Strömungsgeschwindigkeiten
Entladungsenergie
(W/cm2)
SchiCht-
bildungs-
geschwin-
digkeit
(A/sec)
Dicke der Schicht
(μ)
Schicht
Erste
Schicht
Schicht
S1H4/He
SiF./He
4
4
GeH4/He
B2H6/He
NH„
B2H6/He
NH„
0.05 0.05
0.05 -3
SiH.+SiF. 4
+GeH =50
= 10
GeH4/(SiH +SiF4)=4/10^33/100
B0H./(GeH.+SiH.+SiF.)=lxlO~3
2 6 4 4 4
2 6 4 4 4
NH /(GeH4+SiH4+SiF4)= 2/100
0.18
Zweite
SiH /He =0.05 SiF4/He = 0.05 GeH4/He =0.05
SiH.+SiF, 4
+GeH4=50
GeH4/(SiH4+SiF4)=4/10-v33/100
0.18
0.5
19.5
OD CZ)
N)
cn
Tabelle D-11
Schichtaiifbau
verwendete Gase
Strömungsgeschwin digkeit (SCCM)
Verhältnis
der Strömungsgeschwindigkeiten
der Strömungsgeschwindigkeiten
Entladungs: energie
(W/cm2)
Schicht-
bildungs-
geschwin-
djgkeit
(A/sec)
Dicke der Schicht
(μ)
Schicht
(D
(D
Erste Schicht
SiH,/He =0.05
GeH4/He
0.05
PH3/He = NH „
-3
SiH.+GeH,=50 4
GeH4/SiH4 = 4/10-8/100
PH3/(GeH^SiH4 )=lxlO~3
NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100
PH3/(GeH^SiH4 )=lxlO~3
NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100
0.18
Zweite Schicht
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05
SiH,+GeH =50
GeH,/SiH. = 8/100~~0
0.18
19
Schicht (II)
SiH4/He =0.5 C2H4
SiH4 =
SiH4/C2H4 = 3/7
0.18
10
0.5
cn
Tabelle D-12
|
Schicht
aufbau |
Erste Schicht |
verwendete
Gase |
Strömungs
geschwin digkeit (SCCMJ |
Verhältnis
der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs
energie !W/cm2} |
Sd)i cli t- bildungs- geschwin- digkeit lA/seO |
Dicke der
Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH./He = 0.05 4 GeH,/He =0.05 4 -3 B9H,/He =10 Z O NH3 |
SiH,+GeH=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 4/10~0 4 4 -3 B0H,/(GeH.+SiH.)=8x10 Zo 4 H NH3/(GeH4+SiH4) = 1/100 |
0.18 | 5 | 20 |
| SiH /He =0.5 C2H4 |
SiH4 = 100 | SiH,/C0H, = 3/7 4 Z 4 |
0.18 | 10 | 0.5 |
CO, CD
Tabelle D-13
|
Schicht
aufbau i |
Erste Schicht |
verwendete
Gase |
Strömungs
geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis
der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs
energie (W/cm2) |
Schiclrt-
bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der
Schicht (μ) |
| Schicht (D |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 B2H6/He = 10"3 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH,/SiH, = l/10~0 -3 B2H6/(GeH4+SiH4)=5x10 NH_/(GeH.+SiH.)= 1/100 3 4 4 |
0.18 | 5 | 20 |
co . ■
oo :■■
Tabelle D-14
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Strömungs- Gase geschwin digkeit ISCCM) |
SiH.+GeH =50 4 4 |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Seil ich t- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der ScMcht (μ) |
| Schicht (D |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 B2H&/He = 10 NH3 |
GeH4ZSiH4 = 4/10-4/100 B2H6/ (GeH4+SiH4)=lxl0~3 NH3/(GeH4+SiH4)=2/10O~0 |
0.18 | 5 | 20 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/ (GeH4H-SiH4) wurde linear verringert.)
to
CJl
| Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Tabelle D-15 | Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
|
| SiH,/He =0.05 GeH./He = 0.05 4 B„H./He = 10~3 Z O NH3 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
0.18 | 5 | 20 | ||
| Schicht aufbau |
GeH4/SiH4= 15/100-0 B0H./(GeH,+SiH, )=5xl0~4 NH3/(GeH4+SiH4)=3/100~0 |
||||||
| Schicht (D |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(GeH4H-SiH4) wurde linear verringert.)
cn
cn
Tabelle D-16
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
ScTlicTTt- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| lSchicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH^/He =0.05 B0H,/He = 10"3 NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH,=l/l~6/10 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH,)=2xlO Lb 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)=3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH./He = 0.05 4 GeH./He =0.05 4 -3 B0H,/He = 10 I ο |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 6/10 5/1000 4 4 B2H6/ (GeH4^-SiH4) =2x10~3 |
0.18 | 5 | 19 ■ |
Oj) ■ CO
co
ο
Tabelle D-17
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10"3 NH3 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH4/SiH4=2/10-vL9 5/1000 B„H,/(GeH.+SiH,)=5xlO~ NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 15 |
| SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10"3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 195/1000~0 4 4 B2H6/(GeH4+SiH4)=5xl0"3 |
0.18 | 1 5 |
19 |
to
Tabelle D-18
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit ISCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie [W/cm23 |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit [Ä/secl |
)icke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH,/He =0.05 4 GeH,/He =0.05 4 -3 B0H,/He =10 ί D NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH, = l/lO^-95/lOO 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH.)=2x10 Zo 4 4 NH /(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH,/He =0.05 GeH,/He =0.05 B0H,/He =10 £- O |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH./SiH, = 95/100~0 4 4 BoH,/(GeH,+SiH, )=2xl0~3 2 6 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
cn
Tabelle D-19
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis I der Strömungs geschwindigkeiten |
Mladungs- energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht' (D |
Zwe i te Schicht |
■SiH^/He = 0.05 GeH./He =0.05 B2H6/He = 10 NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH4/Sill4=4/10~8/100 B0H, / (GeH. +Sill,) =8x10~3 NH3/ (GeIl^SiH4) =3/100-0 |
0.18 | 5 | 1 |
| Sill./Hc = 0.05 4 GoH4/lic = 0.05 B..H,/He = 10"3 |
Sill.+GcII.»50 4 4 |
GeII4/SiH4 - 8/lOOM) B2H6/(GeH4+Sill4)=8xl0~3 |
0.18 | 5 | 19 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(GeH4+SiH4) wurde linear verringert.)
bo
Tabelle D-20
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie {W/cm2} |
Sdhicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht iv) |
| Schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B„H,/He = 10~3 L O NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4=l/10~8/100 B0H,./ (GeH.+SiH. )=5xl0~3 Zo 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)=3/100-0 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH /He = 0.05 GeH./He = 0.05 4 -3 B2H6/He =10 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 8/100-0 4 4 B0H,/ (GeH.+SiH. )=5xlO~3 Zb 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(6eH4+SiH4) wurde linear verringert.)
Cn
cn
cn
Tabelle D-21
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Scbicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B2H6/He =10 NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 4/10-33/100 B0H. / (GeH. +SiH. )=1x10~3 JL D 4 4 NH3/(GeH4+SXH4)= 2/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH4/He =0.05 GeH4/He = 0.05 B2H6/He = 10~3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 33/100^0 B„HC/(GeH.+SiH.)=lxlO 2 6 4 4 |
0.18 | 5 | 19.5 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3AGeH^SiH4) ■ wurde linear verringert.)
bo
cn ι
Tabelle D-22
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 B„H,/He = 10~3 Z D NH |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 4/10-8/100 44 -3 B_H,/(GeH.+SiH.)=8xlO 2 6 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 15 |
| Schicht (Π) | SiH4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 PH3/He = 10~3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100-0 PH3/ (GeH4+SiH4)=lxl0~5 |
0.18 | 5 | 5 | |
| SiH4/He =0.5 C2H4 |
SiH. = 100 4 |
SiH4/C2H4 = 3/7 | 0.18 | 10 | 0.5 |
to
CJI
Tabelle D-23
| Bedingungen, | verwendete Gase | Strömungsge schwindigkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strö- Entladungs- mungsgeschwindigkeiten energie oder Flächenverhältnis (W/cm2) |
0.3 | Schicht dicke (μ) |
| 12-1 | Ar | 200 | Si-Scheibe : Graphit = 1.5:8.5 |
0.3 | 0.5 |
| 12-2 | Ar | 200 | Si-Scheibe : Graphit = 0.5:9.5 |
0.3 | 0.3 |
| 12-3 | Ar | 200 | Si-Scheibe : Graphit = 6:4 |
0.18 | 1.0 |
| 12-4 | SiH4/He=l C2H4 |
SiH4=IS | SiH4:C2H4 = 0.4:9.6 |
0.18 | 0.3 |
| 12-5 | SiHVHe=O. 5 C2H4 |
SiH4=IOO | SiH4:C2H4 = 5:5 |
0.18 | 1.5 |
| 12-6 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 C2H4 |
SiH.+SiF-1=ISO 4 4 |
SiH4:SiP4:C2H4 = 1.5:1.5:7 |
0.18 | 0.5 |
| 12-7 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 C2H4 |
SiH4+SiF4=15 | SiH4:SiF4:C2H4 = 0.3:0.1:9.6 |
0.18 | 0 .3 |
| 12-8 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 C2H4 |
SiH +SiF4=150 | SiH4:SiF4:C2H4 = 3:3:4 |
1.5 |
to
Tabelle D-24
Schicht (II)
Herstellungsbedingungen
Herstellungsbedingungen
12-1
12-2
12-3
12-4
12-5
12-6
12-7
12-8
Probe Nr. / Ergebnisse
12-401
O O
12-402
O O
12-403
O O
12-404
12-405
12-406
12-407
o 1 o
12-408
O I O
12-701
O
12-702
O
12-703
O
12-704
12-705
12-706
12-707
O 1
12-708
O I
12-801
O O
12-802
O O
12-803
O O
12-804
12-805
@ I @
12-806
12-807 O 1 O
12-808 O I O
Probe Mr.
Gesamt-Bildbewertung
Bewertung der Lebensdauer
Bewertungsmaßstab:
0 ...Sehr gut
O --Gut
O --Gut
to
Tabelle D-25
| Probe Nr. | 1301 | 1302 | 1303 | 1304 | 1305 | 1306 | 1307 |
| Si : C Target (Flächenverhältni.s) |
9:1 | 6.5:3.5 | 4:6 | 2:8 | 1:9 | 0.5:9.5 | 0.2:9.8 |
| Si : C (GehaltsVerhältnis)' |
9.7:0.3 | 8.8:1.2 | 7.3:2.7 | 4.8:5.2 | 3:7 | 2:8 | 0.8:9.2 |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | O | ® | © | O | Δ | X |
® : Sehr gut O : Gut
Δ : Praktisch ausreichend brauchbar
X : Bildfehler aufgetreten
X : Bildfehler aufgetreten
| 1401 | 1402 | Tabelle | D-26 | 1405 | 1406 | 1407 | 1408 | |
| Probe Nr. | 9:1 | 6:4 | 1403 | 1404 | 1:9 | 0.5:9.5 | 0.35:9.65 | 0.2:9.8 |
| SiH4 : C2H4 (Verhältnis der Strö- munqsqeschwindiakeiten |
9:1 | 7:3 | 4:6 | 2:8 | 3:7 | 2:8 | 1.2:8.8 | 0.8:9.2 |
| Si .-.C- (Gehaltsverhältnis) |
Δ | O | 5.5:4.5 | 4:6 | © | O | Δ | X |
| Bewertung der Bildqualität |
© | © | ||||||
® : Sehr gut O : Gut
Δ : Praktisch ausreichend brauchbar
X : Bildfehler aufgetreten
X : Bildfehler aufgetreten
CXD CD
to
Tabelle D-27
| Probe Nr. | 1501 | 1502 | 1503 | 1504 | 1505 | 1506 | 1507 | 1508 |
| SiH4:SiF4:C2H4 _JVerhältnis der Strci- munqsqeschwindigkeiten) |
5:4:1 | 3:3.5:3.5 | 2:2:6 | 1:1:8 | 0.6:0.4:9 | 0.2:0.3:9.5 | 0.2:0.15:9.65 | 0.1:0.1:9.8 |
| Si : C (Gehaltsverhältnis) |
9:1 | 7:3 | 5.5:4,5 | 4:6 | 3:7 | 2:8 | 1.2:8.8 | 0.8:9.2 |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | O | © | © | © | O | Δ | X |
(s): Sehr gut
O: Gut
O: Gut
A : Praktisch zufriedenstellend
X : Bildfehler aufgetreten
X : Bildfehler aufgetreten
Tabelle D-28
| Probe Nr. | Dicke der Schicht (II) (μ) |
Ergebnisse |
| 1601 | 0.001 | Tendenz zum Auftreten von Bildfehlern |
| 1602 | 0.02 | Kein Bildfehler bis zu 20 000 Wiederholungen |
| 1603 | 0.05 | Bestandig bis zu 50 000 oder mehr Wiederholungen |
| 1604 | 1 | Beständig bis zu 200 000 oder mehr Wiederholungen |
cn
Tabelle E-I
|
Schicht
aufbau |
Erste Schicht |
verwendete
Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie iW/cm2) |
Sdjicht- bildungs- geschwin- digkeit {A/seO |
Dicke der ' Schidyt (M) |
|
Schicht
(I) |
Zwe i te Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = l/l~2/10 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Schicht dt) | SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 2/10-0 | 0.18 | 5 | 19 | |
| SiH4/He =0.5 NO |
SiH4 = 100. | SiH4/N0 = 1 | 0.18 | 10 | 0.5 |
(S3
Tabelle E-2
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1/10-4/100 NH3/(GeH4+SiH4)= 2/100 |
0.18 | 5 | 5 |
| SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.H-GeH. =50 4 4 |
GeH4/SiH4= 4/100^0 | 0.18 | 5 | 15 |
Tabelle E-3
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| ! ! iSchicht |
7we i te Sch ich L |
SiH4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4/SiH4 = 4/10^2/10 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
' 0.18 | 5 | 1.5 |
| SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4=2/10~2/1000 | 0.18 | 5 | 18.5 |
to
Tabelle E-4
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
bcmcnt- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (I) |
Zwe i te Schicht. |
SiH./He = 0.05 4 GeH,/He = 0.05 4 NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH = 15/100 NH3/(GeH4+SiH4)=4/100 |
0.18 | 5 | 2 |
| SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH. /SiH. = 15/100—0 4 4 |
0.18 | 5 | 18 |
Tabelle E-5
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- " bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht ' (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1—5/10 NH3/(GeH4+SiH4) = 5/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 5/10—0 | 0.18 | 5 | 19.5 |
to
Tabelle E-6
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit ISCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm8.) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) 5 |
Dicke der Schicht (μ) 4 |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH,/He = 0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 2/10-5/100 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 16 |
| SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4/SiH4 = 5/100 ->-0 | 0.18 |
Tabelle E-7
| Schicht aufbau I |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| !Schicht (D |
Zwe i te Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = l/10~8/100 NH3/(GeH4^SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 4 |
| SiH4ZHe =0.05 GeH./He =0.05 4 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100 ~0 | 0.18 | 5 | 16 |
to
ο
Tabelle E-8
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zwe i te Schicht |
Si0H1,/He= 0.05 Z 0 GeH,/He =0.05 NH3 |
Si„H,+GeH.=50 2 6 4 |
GeH. /Si0H =1/1~ 2/10 4 2 6 NH_/(GeH.+SioH,)=3/100 j 4 ^ ο |
0.18 | 5 | 1 |
| Si2H6/He= 0.05 GeH4/He = 0.05 |
SioH,+GeH=50 2 6 4 |
GeH,/Si0H, - 2/10-n-O 4 Z D |
0.18 | 5 | 19 |
Tabelle F.-9
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (M) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiF4/He =0.05 GeH4/He =0.05 NH3 |
SiF.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiF4 = 1/1^2/10 NH3/(GeH4+SiF.)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiF./He = 0.05 4 GeH4/He =0.05 |
SiF.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiF. = 2/10-^0 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
Ol
Tabelle E-IO
| Schicht aufbau ! |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit iSCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entiadungs- energie (W/cm2) |
ücmcht- bildungs- geschwin- djgkeit iA/sec) |
Dicke der Schicht |
| Schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 SiF4/He =0.05 GeH,/He =0.05 4 NH3 |
SiH,+SiF. 4 4 +GeH4 = 50 |
GeH4/(SiH4+SiF4)= l/l~2/10 NH3/(GeH4+SiH4+SiF4)=3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH4/He = 0.05 SiF^/He =0.05 GeH,/He =0.05 |
SiH-+SiF, 4 4 +GeH4 = 50 |
GeH4/(SiH4+SiF4) = 2/10>0 | 0.18 | 5 | 19 |
cn
Tabelle E-11
| — . .. ._j Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
SchiclvE- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1/1--2/10 NH3/(GeH4+SiH4) = 2/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Schicht (II.) | SiH./He =0.05 4 GeH4/He = 0.05 NH3 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 2/10~0 NH3 (GeH4 SiH4)= 1/100 |
0.18 | 5 | 19 | |
| SiH4/He =0.5 NO |
SiH4 = 100 | SiH4/N0 = 1 | 0.18 | 10 | 0.5 |
CO -P--GO KJ
N)
O
Tabelle E-12
| Schicht- ί aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs-. geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entiadungs- energie (W/cm2) |
bcmcnt- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (M) |
| Schicht (D · |
Zweite Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH,/He =0.05 NH3 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 1/1^5/100 NH /(GeH,+SiH,)=15/100 ό HH ~l/10 |
0.18 | 5 t |
7 |
| Schicht (II) | SiH4/He = 0.05 GeH4/He = 0.05 NH3 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4/SiH4 = 5/100^0 NH3 (GeH4 SiH4) = 1/1(W) |
0.18 | 5 | 13 | |
| SiH4/He =0.5 NO |
SiH4 = 100 | SiH./NO = 1 4 |
0.18 | 10 | 0.5 |
(S3
O
O
Tabelle E-13
| Probe Nr. | 1301 | 1302 | 1303 | 1304 | 1305 | 1306 | 1307 | 1308 |
| NH3/(GeH4+SiH4) Verhältnis der Strö mungsgeschwindigkeiten |
1/1000 | 5/1000 | 9/1000 | 2/100 | 3/100 | 5/100 | 8/100 | 1/10 |
| N-Gehalt Atom-^ |
0.1 | 0.5 | 0.89 | 1.96 | 2.9 | 4.76 | 7.4 | 9.1 |
| Bewertung | Δ | O | O | ® | © | O | O | Δ |
©: Sehr gut O: Gut Δ: Praktisch zufriedenstellend
Tabelle E-14
| Probe Nr. | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | 1407 | 1408 |
| Dicke der Schicht |
30Ä | 500Ä | Ο.ΐμ | 0.3μ | 0.8μ | 3μ | 4μ | 5μ |
| Bewertung | Δ 1 |
O | © | © | © | O | O | Δ |
@: Sehr gut O: Gut Δ: Praktisch zufriedenstellend
co
OO O
to
Ol
OI
| verwendete Gase | Tabelle | E-15 | Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht dicke (μ) |
|
| Bedingungen, | Ar (NO/Ar) | Strömungsge schwindigkeit (SCCM) |
0.3 | 0.5 | |
| 11-1 | Ar (NO/Ar) | 200 (1/1) | Verhältnis der Strö mungsgeschwindigkeiten oder Flächenverhältnis |
0.3 | 0.3 |
| 11-2 | Ar (NO/Ar) | 200 (1/1) | Si-Scheibe : SiO9 = 1:30 c |
0.3 | 1.0 |
| 11-3 | SiHVHe=I NO |
200 (1/1) | Si-Scheibe : SiO9 =1:60 c |
0.18 | 0.3 |
| 11-4 | SiH./He=0.5 NO |
SiH4=15 | Si-Scheibe : SiO0 = 6:4 * |
0.18 | 1.5 |
| 11-5 | SiH./He=O.5 SiF /He=O.5 NO |
SiH4=IOO | SiH4:N0 = 5:1 |
0.18 | 0.5 |
| 11-6 | SiH4ZHe=O.5 SiF4/He=0.5 NO |
SiH-H-SiF71=ISO 4 4 |
SiH :N0 = 1:1 |
0.18 | 0.3 |
| 11-7 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 NO |
SiH4+SiF4=15 | SiH. :SiF. :N0 4 4 = 1:1:1 |
0.18 | 1.5 |
| 11-8 | SiH4+SiF4=150 | SiH4:SiF4:N0 = 2:1:4 |
|||
| SiH4ISiF4:N0 = 1:1:3 |
|||||
Tabelle E-16
Schicht (II)
Herstellungs-
bedingungen
11-1
11-2
11-3
11-4
11-5
11-6
11-7
11-8
Probe Nr. / Ergebnisse
11-401
O O
11-402
O O
11-403
O 1 O
11-404
11-405
11-406
11-407 O 1 O 11-408
O I O
11-701
O
11-702
O
11-703
O I Q
11-704
11-705
11-706
11-707 O I 11-708
O
11-801
O O
11-802
O O
11-803
O j Q
11-804
11-805
11-806
11-807 O 1 O
11-808 O I O
Probe Mr.
Gesamt-Bildbewertung
Bewertung der
Lebensdauer
Lebensdauer
Bewertungsmaßstab:
Sehr gut
Λ
•F
•F
O —
IC
Ul
INS O
Tabelle E-17
| Probe Nr. Ci* · c^n |
1201 | 1202 | 1203 | 1204 | 1205 | 1206 | 1207 |
| i>i : biUo Target (Flächenverhältnis) NO/Ar |
9:1 (0/1) |
6.5:3.5 (1/1) |
4:10 (1/1) |
2:20 (1/1) |
1:100 (2/1) |
1:100 (3/1) |
1:100 (4/1) |
| Si : 0 Gehaltsverhältnis |
9.7:0.3 | 8.8:1.2 | 7.3:2.7 | 5.0:5.0 | 4.5:5.5 | 4:6 | 3:7 |
| bewertung der Bildqualität |
Δ | © | © | O | O | Δ | X |
® : Sehr gut O : Gut
A : Praktisch ausreichend brauchbar χ : Bildfehler aufgetreten
Tabelle E-18~
Probe Nr.
SiH4 : NO
(Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten)
Si : 0
(Gehaltsverhältnis)
Bewertung der
Bildqualität
Bildqualität
1301
1000:1
9.9999 =0.0001
1302
99:1
9.9:0.1
1303
5:1
9:1
1304
1:1
6:4
1305
1:2
5:5
1306
3:10
3.3:6.7
© : Sehr gut O : Gut
A ^Praktisch zufriedenstellend X : Bildfehler aufgetreten
1307
1:1000
NS
Tabelle E-19
| Probe Nr. | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | 1407 |
| SiH4:SiFA:N0 (Verhältnis der Strö- inungsgeschwindiqkeiten) |
500:400 :1 |
50:50 :1 | 5:5:2 | 5:5:10 | 1:1:4 | 3:3:20 | 1:1:2000 |
| Si : 0 (Gehaltsverhältnis) |
9.9998 :0 .0002 |
9.8:0.2 | 8.8:1.2 | 6.3:3.7 | 5.1:4.9 | 3.5:6.5 | 2.3:7.7 |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | O | ® | © | O | X | Δ |
<£> : Sehr gut
O : Gut
O : Gut
Δ : Praktisch zufriedenstellend
X : Bildfehler aufgetreten
X : Bildfehler aufgetreten
Tabelle E-20
| Probe Nr. | Dicke der Schicht (II) (μ) |
Ergebnisse |
| 1601 | 0.001 | Tendenz zum Auftreten von Bildfehlern |
| 1602 | 0.02 | Kein Bildfehler bis zu 20 000 Wiederholungen |
| 1603 | 0.05 | Bestand'iq bis zu 50 000 oder mehr Wiederholungen |
| 1604 | 1 | Beständig bis zu 200 000 oder mehr Wiederholungen |
Cu" CO
cn
Tabelle F-1
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
I Dicke der Schicht (μ) ! |
| Schicht | Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH /He =0.05 B2H6/He =10 NH3 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH,/SiH4= 4/10~8/100 B2H6/(GeH4+SiH4)=8xl0~3 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| (D | Schicht (II)' | SiH4/He =0.05 GeH./He = 0.05 4 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH, = 8/100~0 | 0.18 | 5 | 19 |
| SiH4/He =0.5 NO |
SiH. = 100 4 |
SiH./NO = 1 4 |
0.18 | 10 | 0.5 |
CO ■Ρ-GO
Tabelle F-2
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
t Dicke der Schicht (M) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4= l/10~8/100 B0H./(GeH.+SiH. )=5xlÖ"3 Z ο 4 4 NH_/(GeH.+SiH.) = 3/100 3 4 4 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH./SiH. = 8/100~0 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
cn
Tabelle F-3
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (U) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 » 4/10~33/100 B0H,/ (GeH,+SiH. )=lxlO"3 NH3/(GeH4+SiH4) = 2/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4=33/10(K4/100 | 0.18 | 5 | 19.5 |
LO. CO
co
cn
Tabelle F-4
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
i Dicke der ! Schicht { w \ |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH^/He = 0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He - 10~3 NH3 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH4ZSiH4 = 15/100 B2H6/(GeH4+SiH4)=5xlÖ"4 NH3/(GeH4+SiH4)=3/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 15/100^0 | 0.18 | 5 | 19.5 |
Tabelle F-5
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH4Me = 0.05 B0H,/He = 10~3 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1/1-ν6/10 B0H,/(GeH.+SiH.)=2xlO~3 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH4/He =0.05 GeEL/He = 0.05 |
SiH, +GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 6/10-5/1000 | 0.18 | 5 | 19 |
to
Tabelle F-6
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie iW/cmO |
Sdntfit- bi'idungs- geschwin- digkeit (Ä/secO |
Dicke der : Schicht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 4 -3 B0H,/He =10 NH3 |
SiH.+GeH,=50 4 4 |
GeH4/SiH4=2/10~195/1000 B2H6/(GeH4+SiH4)=5xl0~3 NH /(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH./He =0.05 4 GeH^/He = 0.05 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4= 195/1000 — 0 | 0.18 | 5 | 19 |
to
ο
Tabelle F-7
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit ISCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie {W/cni2J |
Sc?)icht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/secO |
Dicke der ScM cht (μ) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B0H./He = 10 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1/10-95/100 B0H,./(GeH.+SiH. )=2xlO"3 NH0/(GeH.+SiH.) = 3/100 3 4 4 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH,/He =0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH./SiH. = 95/100~0 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
te
Tabelle F-8
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndigkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Scbicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) ; |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
Si0H,./He = 0.05 Z D GeH./He = 0.05 4 -3 B2H6/He =10 NH3 |
Si2H6+GeH4=50 | GeH4/Si2H =4/10-8/100 B2H6/ (GeH4+Si2H6)=8xlO"3 NH3/(GeH4+Si2H6)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| Si0H,/He = 0.05 Z 0 GeH./He =0.05 4 |
SioH,.+GeH.=55 | GeH./Si0H, = 8/100~0 H Zo |
0.18 | 5 | 19 |
(Probe Nr. 801J
Ol
Tabelle F-9
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der . Schicht (M) 1 |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiF4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiF.+GeH.=50 4 4 |
GeH4ZSiF4 = 1/10~8/100 B2Hg/ (GeH4+SiF4)=5xl0~3 NH3/(GeH4+SiF4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 19 |
| SiF,/He =0.05 GeH./He =0.05 4 |
SiF,+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiF4 = 8/100^-0 | 0.18 | 5 |
(Probe Nr. 802)
GO NJ)
bo
CJl
Tabelle F-10
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Ent! adungs energie (W/cm2) |
: Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec^ |
Dicke der Schicht (P) |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH./He =0.05 4 SiF4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B0H,/He = 10"3 NH3 |
SiH,+SiF, 4 4 +GeH4 = 50 |
GeH4/(SiH4+SiF4) = 4/10 ~33/100 B0H /(GeH.+SiH.+SiF,) « lxlO~J NH3/(GeH4+SiH4+SiF4) = 2/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH4/He =0.05 SiF4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+SiF, 4 4 +GeH4 = 50 |
GeH4/(SiH4+SiF4)= 4/10 ~33/100 |
0.18 | 5 | 19.5 |
(Probe Nr. 803]
cn
Tabelle F-11
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (M) I |
| Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4VHe =0.05 GeH4/He =0.05 PH3/He = 10~3 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4ZSiH4 = 4/10^8/100 PH3/(GeH^SiH4) =1x10~3 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.1-8 | 5 i |
1 |
| Schicht (II) | SiH,/He = 0.05 GeH4/He =0.05 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100 ~0 | 0.18 | 5 | 19 | |
| SiH./He =0.5 4 NO |
SiH, = 100 | SiH./NO = 1 4 |
0.18 | 10 | 0.5 |
CX) CD
Tabelle F-12
| Schicht aufbau |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entiadungs- energie {W/cm2} |
Sdjicht- Mldungs- geschwin- djgkeit {A/seO |
Dicke der Schiebt |
| Schicht Erste (D Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH4+GeH4=50 | GeH4/SiH4 = 4/10 — 0 B0H,/( GeH.+SiH.)=8x10~3 NH3/(GeH4+SiH4) = 1/100 |
0.18 | 5 | 20 |
| Schicht (II) | SiH /He =0.5 NO |
SiH4 = 100 | SiH4/NO = 1 | 0.18 | 10 | 0.5 |
Tabelle F-13
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (R). . |
| •Schicht : (D i |
SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B2H6/He = 10 NH3 |
SiH.+GeH.=50 A 4 |
GeH /SiH, = 1/10-^0 -3 B„H,/(GeH.+SiH.)=5xl0 ZO H h NH3/(GeH4+SiH4)= 1/100 |
0.18 | 5 | 20 |
Tabelle F-14
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie L (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht (D |
SiH4/He =0.05 GeH4/He = 0.05 B2H6/He = 10"3 NH3 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 4/10~4/100 44 -3 B2H6/(GeH^SiH4)=1x10 NH_/(GeH,+SiH4) = 2/100-0 |
0.18 | 5 | 20 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(GeH.+SiH.) wurde linear verringert,)
Tabelle F-15
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit iA/sec) |
Dicke der Schicht (μ) |
| Schicht ! π) ι |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH,+GeH.=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 15/100~0 -4 B2H6/(GeH4+SiH4)=5x10 NH3/(GeH4+SiH4)=3/100-0 |
0.18 | 5 | 20 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH.,/(GeH.+SiHJ wurde linear verringert.)
CO 4>· GO K) 4>OO
CD
to
cn
| Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Tabelle F-16 | Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit Ca/ssc) |
Ji | Dicke der Schicht , (μ) |
|
| Zweite Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH4/He =0.05 B„H./He = 10"3 Z D NH3 |
SiH,+GeH =50 4 4 |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
0.18 | 5 | 1 | ||
| Schicht aufbau |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 4 -3 B2H6/He =10 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 1/1-^6/10 44 -3 B0H,/(GeH,+SiH,)=2x10 ZD 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 19 | ||
| Schicht (D |
GeH,/SiH, = 6/10^5/1000 4 4 B0H,/ (GeH,+SiH, )=2xlO~3 2 6 4 4 |
|||||||
to
Tabelle F-17
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (A/sec) |
Dicke der Schicht (U) |
| ,Schicht (D |
Zweite Schicht |
SiH4/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B2H6/He = 10 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4=2/10~195/1000 B0H,/(GeH.+SiH.)=5xlO~3 Δ Ό Η 4 NH3/(GeH4+SiH4) = 3/100 |
0.18 | 5 | 15 |
| SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH./SiH. = 195/1000~0 4 4 B2H6/(GeH4+SiH4)=5xl0~3 |
0.18 | 5 | 19 |
to
ο
Tabelle F-18
| Schicht- \ aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2") |
ι Schicbt- bildungs- geschwin- ' digkeit tf/Ät) |
Dicke der Schicht Iv) |
| Schicht i (I) I |
Zweite Schicht |
SiH./He =0.05 4 GeH4/He =0.05 B0H,/He = 10~3 NH3 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 1/10-95/100 B0H,/ (GeH.+SiH. )=2xlO~3 L D 4 4 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH4/He = 0.05 GeH./He =0.05 B0H,/He =10 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 95/100->-0 B0H,/ (GeH.+SiH. )=2xlO~3 λ ο 4 4 |
0.18 | 5 | 19 |
Cn
cn
Tabelle F-19
| Schicht- aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs- energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
Dicke der Schicht (μ) , |
| Schicht (I) |
Zweite Schicht |
SiH^/He =0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B0H,/He = 10 J i D NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH, = 4/10^8/100 -3 B0H,/(GeH,+SiH.)=8xlO NH3/(GeH4+SiH4)=3/100-0 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH^/He = 0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B H /He = 10 J |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH,/SiH, = 8/100 ~0 B9H./ (GeH.+SiH. ) = 8xlO~3 |
0.18 | 5 | 19 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH3/(GeH4+SiH4) wurde linear verringert.)
(Probe Nr. 1901)
CO
O
Oi
Tabelle F-20
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
ί Dicke der' Schicht (μ) |
| Schicht (D |
!Zweite ,Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 B2H6/He = 10"3 NH3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 1/10-^8/100 44 -3 B0H,/(GeH.+SiH.)=5x10 Zb 4 4 NH3/(GeH^SiH4)=3/100-0 |
0.18 | 5 | 1 |
| SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B0H,/He =10 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100--Ό B2H5/(GeK4+SiH4) =5x10"3 |
0.18 | 5 | 19 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH-Z(GeH^SiH.) wurde linear verringert.)
(Probe Nr. 1902)
CO 4>GO NJ
-P--CO CD
cn
Tabelle F-?1
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs geschwindigkeiten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- djgkeit (A/sec) |
Dicke der \ Schicht j (μ) '! |
| Schicht (D |
Zweite schicht |
SiH4/He =0.05 GeH./He =0.05 4 -3 B0H./He = 10 NH3 |
SiH,+GeH,=50 4 4 |
GeH./SiH. = 4/10-33/100 -3 B0H,/(GeH,+SiH,)=lxlO NH3/(GeH^SiH4) = 2/100 |
0.18 | 5 | 0.5 |
| SiH4/He =0.05 GeH,/He =0.05 B2H6ZHe = 10"3 |
SiH.+GeH.=50 4 4 |
GeH./SiH. = 33/100~0 4 4 B0H,./ (GeH.+SiH. )=1x10-3 2 6 4 4 |
0.18 | 5 | 19.5 |
(Das Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten NH,/(GeH.+SiHJ wurde linear verringert.)
"4'
(Probe Nr, 1903)
to cn
Cn
Tabelle F-22
| Schicht aufbau |
Erste Schicht |
verwendete Gase |
Strömungs geschwin digkeit (SCCM) |
Verhältnis der Strömungs- geschwi ndi gkei ten |
Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht- bildungs- geschwin- digkeit (Ä/sec) |
)icke der Schicht (M) |
| Schicht (D · |
Zweite Schicht |
SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 B2H6/He = 10~3 NH3 |
SiH.+GeH =50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 4/10~~8/100 B0H,/ (GeH,+SiH,)=8x10~3 NH3/(GeH4+SiH4)= 3/100 |
0.18 | 1 5 |
15 |
| SiH4/He =0.05 GeH4/He =0.05 PH /He = 10~3 |
SiH,+GeH, =50 4 4 |
GeH4/SiH4 = 8/100~0 PH3/ (GeH4+S 1H4)=1x10*"5 |
0.18 | 5 | 5 |
CO
OI
| verwendete Gase | Tabelle | F-23 | Entladungs energie (W/cm2) |
Schicht dicke (U) |
|
| Bedingungen. | Ar (NO/Ar) | Strömungsge schwindigkeit (SCCM) |
0.3 | 0.5 | |
| 11-1 | Ar (NO/Ar) | 200 (1/1) | Verhältnis der Strö mungsgeschwindigkeiten oder Flächenverhältnis |
0.3 | 0.3 |
| 11-2 | Ar (NO/Ar) | 200 (1/1) | Si-Scheibe : SiO9 = 1:30 c |
0.3 | 1.0 |
| 11-3 | SiH4/He=I NO |
200 (1/1) | Si-Scheibe : SiO0 = 1:60 L |
0.18 | 0.3 |
| 11-4 | SiH./He=0.5 NO |
SiH4=15 | Si-Scheibe : SiO9 = 6:4 ά |
0.18 | 1.5 |
| 11-5 | SiH./He=0.5 SiF./He=O.5 NO |
SiH4=IOO | SiH4:NO = 5:1 |
0.18 | 0.5 |
| 11-6 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 NO |
SiH.+SiF.=150 4 4 |
SiH4:NO = 1:1 |
0.18 | 0.3 |
| 11-7 | SiH4/He=0.5 SiF4/He=0.5 NO |
SiH4+SiF4=15 | SiH4ISiF4:NO = 1:1:1 |
0.18 | 1.5 |
| 11-8 | SiH4+SiF4=150 | SiH4:SiF4:NO = 2:1:4 |
|||
| SiH4:SiF4:NO = 1:1:3 |
|||||
N)
O
O
Tabelle F-24
Schicht (II)
Herstellungs-
bedingungen
11-1
11-2
11-3
11-4
11-5
11-6
11-7
11-8
Probe Nr. / Ergebnisse
11-401
O O
11-402
O O
11-403
O O
11-404
11-405
11-406
11-407
O 1 O
11-408
O I O
O 1 O
11-408
O I O
11-701
O O
11-702
O O
11-703
O O
11-704
11-705
11-706
11-707 Q 1 O 11-708 O I O
11-1201
O O
11-1202
O O
11-1203
O O
11-1204
11-1205
11-1206
11-1207
O j O
11-1208
O I O
Probe Mr.
GesFtmt-Bildbewertung
Bewertung der Lebensdauer
Bewertungsmaßstab:
© ...Sehr gut O -.Gut
to
to
TabdU J-Z5 '
| Probe Nr. | 1201 | 1202 | 1203 | 1204 | 1205 | 1206 | 1207 |
| Si : SiO2 Target (Flächenverhältnis) NO/Ar |
9:1 (0/1) |
6.5:3.5 (1/1) |
4:10 (1/1) |
2:20 (1/1) |
1:100 (2/1) |
1:100 (3:1) |
1:100 (4:1) |
| Si : O Gehaltsverhältnis |
9.7:0.3 | 8.8:1.2 | 7.3:2.7 | 5.0:5.0 | 4.5:5.5 | 4:6 | 3:7 |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | ® | O | O | Δ | X |
® : Sehr gut O : Gut Δ : Praktisch ausreichend brauchbar
X : Bildfehler aufgetreten
lahtllt T-i.6
Probe Nr.
1301
1302 1303
1304
1305
1306
1307
NO
Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeiten)
1000:1
99:1 5:1
1:1
1:2
3:10
Si : 0
(GehaltsverhäHnis)
(GehaltsverhäHnis)
9.9999 :0 .0001 1:1000
9 .9:0.1 9:1
6:4
5:5
3.3:6.7
2:8
Bewertung der
Bildqualität
Bildqualität
© : Sehr gut O : Gut
Λ : Praktisch zufriedenstellend X : Bildfehler aufgetreten
te
Ol
Tabelle F-27
| Probe Nr. | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | 1407 |
© : Sehr gut /\ : Praktisch zufriedenstellend
O : Gut χ : Bildfehler aufgetreten |
| SiH4ISiF^NO (Verhältnis der Strö mungsgeschwindigkeiten) |
500:400 :1 |
50:50:1 | 5:5:2 | 5:5:10 | 1:1:4 | 3:3:20 | 1:1 :2000 | |
| Si : O (Gehaltsverhältnis) |
9 .9998 :0.0002 |
9 .8:0.2 | 8.8:1.2 | 6.3:3.7 | 5.1:4.9 | 3.5:6.5 | 2.3:7.7 | |
| Bewertung der Bildqualität |
Δ | O | ® | O | X | Δ | ||
Tabelle F-28
| Probe Nr. | Dicke der Schicht (II) (μ) |
Ergebnisse |
| 1601 | 0.001 | Tendenz zum Auftreten von Bildfehlern |
| 1602 | 0.02 | Kein Bildfehler bis 711 ?0 (WO Wiodorhnlungon |
| 1603 | 0.05 | BestÜMtliq bis zu 50 000 oder mohr Wiederholungen |
| 1604 | 1 | Beständig bis zu 200 000 oder mehr Wiederholungen |
- Leerseite -
Claims (48)
1. Fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial mit einem Substrat und einer Licht empfangenden, fotoleitfähigen Schicht,
dadurch gekennzeichnet, daß die Licht empfangende Schicht ein Silizium-Atome und Germanium-Atome enthaltendes, amorphes Material
aufweist und in der Licht empfangenden Schicht Stickstoff-Atome enthalten und die Germanium-Atome in Richtung der Schichtdicke
ungleichförmig verteilt sind.
2. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Licht empfangende Schicht Wasserstoff-Atome enthält.
3. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Licht empfangende Schicht Halogen-Atome enthält.
4. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Licht empfangende Schicht Wasserstoff- und Halogen-Atome enthält.
5. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Germanium-Atome in der Licht empfangenden Schicht zur
Substratseite hin stärker verteilt sind.
6. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Licht empfangende Schicht ferner eine Substanz enthält, welche die elektrische Leitfähigkeit steuert.
7. Material nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Licht empfangende Schicht ferner Wasserstoff-Atome
enthält.
8. Material nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Licht empfangende Schicht ferner Halogen-Atome enthält.
9. Material nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Licht empfangende Schicht ferner Wasserstoff- und Halogen-Atome enthält.
10. Material nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Germanium-Atome in der Licht empfangenden Schicht zur
Substratseite hin stärker angereichert sind.
11. Material nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz, welche die elektrische Leitfähigkeit steuert,
Atome eines Elements der Gruppe III des Periodischen Systems sind.
12. Material nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substanz, welche die elektrische Leitfähigkeit steuert, Atome eines Elements der Gruppe V des Periodischen Systems
sind.
13. Fotoleitfähiges Aufzeichnungsmaterial mit einem
Substrat und einer Licht empfangenden Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Licht empfangende Schicht eine fotoleitende erste Schicht
mit einem Silizium-Atome und Germanium-Atome enthaltenden amorphen
Material und eine zweite Schicht mit einem Silizium-Atome als
Matrix und Kohlenstoff- und/oder Sauerstoff-Atome enthaltenden
amorphen Material aufweist, wobei in der ersten Schicht Stickstoff-Atome enthalten und die Germanium-Atome in Richtung der Schichtdicke
ungleichförmig verteilt sind.
14. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht Wasserstoff-Atome enthält.
15. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht Halogen-Atome enthält.
16. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht Wasserstoff- und Halogen-Atome enthält.
17. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Germanium-Atome in der ersten Schicht zur Substratseite
hin mehr verteilt sind.
18. Material nach Anspruch 13,* dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht eine Substanz enthält, welche die elektrischen
Leitfähigkeitseigenschaften steuert.
19. Material nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht Wasserstoff-Atome enthält.
20. Material nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht Halogen-Atome enthält.
21. Material nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht Wasserstoff- und Halogen-Atome enthält.
22. Material nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,
daß die Germanium-Atome in der ersten Schicht stärker zur Substratseite
hin verteilt sind.
23. Material nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substanz, welche die elektrischen Leitfähigkeitseigenschaften steuert, Atome eines Elements der Gruppe III des Periodischen
Systems sind.
24. Material nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz, welche die elektrischen Leitfähigkeitseigenschaften
steuert Atome eines Elements der Gruppe V des Periodischen
Systems sind.
25. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Stickstoff-Atome in der Licht empfangenden
Schicht in dem Bereich von 0,001 bis 50 Atom-% liegt.
26. Material nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Wasserstoff-Atome in der Licht empfangenden
Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
27. Material nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Halogen-Atome in der Licht empfangenden
Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
28. Material nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der summierte Gehalt der Wasserstoff-Atome und Halogen-Atome in'der Licht empfangenden Schicht in dem Beriech von
0,01 bis 40 Atom-% liegt.
29. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Licht empfangenden Schicht in dem Bereich
von 1 bis 100 μ liegt.
30. Material nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet,
daß der Gehalt der Germanium-Atome in der Licht empfangenden
5 Schicht in dem Bereich von 1 bis 9,5 χ 10 Atom-ppm liegt,
bezogen auf die Summe der Gehalte der Silizium- und Germanium-Atome.
31. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Substanz, welche die elektrischen Leitfähigkeitseigenschaften steuert, in der Licht empfangenden Schicht in
dem Bereich von 0,01 bis 5 χ 10 Atom-ppm liegt.
32. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Stickstoff-Atome in der ersten Schicht in
dem Bereich von 0,001 bis 50 Atom-% liegt.
33. Material nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Wasserstoff-Atome in der ersten Schicht
in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
34. Material nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Halogen-Atome in der ersten Schicht in dem
Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
35. Material nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der summierte Gehalt der Wasserstoff- und Halogen-Atome
in der ersten Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
36. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der ersten Schicht in dem Bereich von 1 bis 100 μ
liegt.
37. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Germanium-Atome in der ersten Schicht in
dem Bereich von von 1 bis 9,5 χ 10 Atom-ppm liegt, bezogen
auf den summierten Gehalt der Silizium- und Germanium-Atome.
38. Material nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Substanz, welche die elektrischen Leitfähigkeits-
eigenschaften steuert, in der ersten Schicht in dem Bereich
4
von 0,01 bis 5 χ 10 Atom-ppm liegt.
von 0,01 bis 5 χ 10 Atom-ppm liegt.
39. Material nach Anspruch Ί3, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Schicht Wasserstoff-Atome enthält.
40. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht Halogen-Atome enthält.
41. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht Wasserstoff- und Halogen-Atome enthält.
42. Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der zweiten Schicht in dem Bereich von 0,003
bis 30 μ liegt.
43. Material nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Wasserstoff-Atome in der Licht empfangenden
Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
44. Material nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Halogen-Atome in der Licht empfangenden
Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
45. Material nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der summierte Gehalt der Wasserstoff- und Halogen-Atome
der Licht empfangenden Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-%
liegt.
46. Material nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß der Gehalt der Wasserstoff-Atome in der ersten Schicht
in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
47. Material nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt der Halogen-Atome in der ersten Schicht in dem
Bereich von 0,01 bis 40 Atom-% liegt.
48. Material nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der summierte Gehalt der Wasserstoff- und Halogen-Atome
in der ersten Schicht in dem Bereich von 0,01 bis 40 Atom-%
liegt.
Applications Claiming Priority (6)
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|---|---|---|---|
| JP58162724A JPS6053956A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 電子写真用光導電部材 |
| JP58163432A JPS6055349A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 電子写真用光導電部材 |
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| JP58167749A JPS6059362A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光導電部材 |
| JP58191988A JPS6083956A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光導電部材 |
| JP58191984A JPS6083952A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 光導電部材 |
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| DE3432480C2 DE3432480C2 (de) | 1989-05-24 |
Family
ID=27553266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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| DE3432480C2 (de) | 1989-05-24 |
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