DE3419694A1

DE3419694A1 - Elektronische vorrichtung

Info

Publication number: DE3419694A1
Application number: DE19843419694
Authority: DE
Inventors: Desmond Basingstoke Hampshire Wheable
Original assignee: Transamerica DeLaval Inc
Current assignee: IMO Industries Inc
Priority date: 1983-05-27
Filing date: 1984-05-25
Publication date: 1984-12-20
Also published as: IT1176193B; FR2547969A1; IT8421074A0; NL8401690A; US4592665A; GB8314846D0; IT8421074A1

Description

Elektronische Vorrichtung

Die Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung und insbesondere eine temperaturgesteuerte elektronische Vorrichtung, wie beispielsweise eine temperaturgesteuerte Widerstands-Dehnungsmeßbrücke.

Das Steuern der Temperatur einer elektronischen Vorrichtung zur Minimierung einer Änderung in den Eigenschaften der Vorrichtung mit der Temperatur, im folgenden als thermische Verschiebungen bezeichnet, ist üblich.

Ein herkömmlicher Druckwandler umfaßt eine Siliziummembran, auf der eine vierarmige, aktive Widerstands-Dehnungsmeßbrücke ausgeführt ist, wobei die vier Widerstände der Brücke in die Siliziummembran in den Bereichen einer maximalen Dehnung diffundiert sind. Ein konstanter Strom oder ein über einen Widerstand von einer Konstantspannungsquelle eingespeister Strom liegt an entgegengesetzten ersten und zweiten Verbindungspunkten der Brücke. Wenn der Widerstandswert der Widerstände in derBrücke konstant bleibt, dann bleibt auch die Spannung zwischen dem ersten und dem zweiten Verbindungspunkt konstant. Eine Dehnung in der Membran aufgrund eines einwirkenden Druckes oder einer beaufschlagenden Kraft führt zu einer Änderung im Widerstandswert der Brückenwiderstände, und diese Änderung wird durch eine Detektoreinrichtung erfaßt, die mit einem dritten und einem vierten, entgegengesetzten Verbindungspunkt gekoppelt ist. Die Detektoreinrichtung kann oft einen Verstärker aufweisen, und das Ausgangssignal der Brücke kann in einem Stromwert je Einheitsdruck oder Einheitskraft ausgedrückt werden.

Wenn die Temperatur der Vorrichtung konstant bleibt, dann bleibt der Widerstandswert der Widerstände und damit das Ausgangssignal der Brücke für eine gegebene Dehnung im Wandler konstant, sofern die Dehnungskoeffizienten der Dehnungsmeßbrückenwiderstände angepaßt sind.

Wenn sich jedoch die Temperatur der Membran aufgrund Schwankungen in der Betriebs- und/oder Umgebungstemperatur verändert, dann ändern sich die Werte der Brückenwiderstände mit einer entsprechenden Änderung in der Spannung am ersten und am zweiten Verbindungspunkt der Brücke, und dies stellt sich als Fehler oder Abweichung im gemessenen Ausgangssignal dar.

Jede Änderung in der Temperatur kann auch den Betrieb von anderen zugeordneten Vorrichtungen beeinflussen, wie beispielsweise von einem Meßverstärker, was zu einer Änderung in der Verstärker-Verschiebespannung, einer Drift im Verstärker-Ausgangssignal und dergleichen führt.

Es ist daher von Bedeutung, daß die Temperatur derartiger elektronischer Vorrichtungen konstant gehalten wird oder Mittel zum Kompensieren der Temperaturänderung vorgesehen werden.

Ein üblicher Druckwandler mit einer Siliziummembran und einer vierarmigen aktiven Brücke, wie dies oben erläutert wurde, weist zwei weitere Sätze von Siliziumwiderständen auf, die auf dem Substrat in einem nicht-aktiven Bereich aufgetragen sind. Ein Temperaturmeßsatz der Widerstände ist vorgesehen, um ein die Temperatur der Membran darstellendes Signal an den Eingang eines Verstärkers zu liefern, dessen Ausgang so angeordnet ist, daß ein Ausgangsstrom am anderen Heizsatz der Widerstände liegt, wodurch die Membran erwärmt und auf einer vorbestimmten Temperatur gehalten wird. Eine Steuer-Rückkopplungsschleife liegt in üblicher Weise zwischen dem

Ausgang und dem Eingang des Verstärkers, um die Temperatur im wesentlichen konstant zu halten und Schwankungen und Fluktuationen um die vorbestimmte Temperatur zu vermeiden.

Diese übliche Anordnung hält die Temperatur der Membran im wesentlichen konstant und vermindert Abweichungen oder Fehler im Ausgangssignal der Brücke. Da jedoch die Temperatursteuerung durch die Temperaturfühlerwiderstände auf dem nichtaktiven Bereich der Membran festgelegt wird, begrenzen die Temperaturgradienten über dem Siliziumsubstrat und Änderungen dieser Temperaturgradienten mit der Umgebungstemperatur die Genauigkeit, mit der die Temperatur des aktiven Bereiches der Membran gesteuert werden kann.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine elektronische Vorrichtung zu schaffen, bei der die obigen Probleme überwunden sind.

Diese Aufgabe wird bei einer elektronischen Vorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß durch die in dessen kennzeichnendem Teil enthaltenen Merkmale gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich insbesondere aus den Patentansprüchen 2 bis 20.

Die Erfindung ermöglicht also eine elektronische Vorrichtung mit wenigstens einem Widerstandselement, dessen Temperatur gesteuert und dessen Widerstandswert im Gebrauch abhängig von der Größe eines physikalischen Parameters außer der Temperatur, im folgenden als "nicht-thermischer Parameter" bezeichnet, der auf die Vorrichtung einwirkt, verändert werden soll, und einer Einrichtung zum Erfassen der Temperatur des Widerstandselementes oder der Widerstandselemente, die so angeordnet ist, daß die Temperatur eines Heizwiderstandes gesteuert wird, der elektrisch von dem Widerstandselement oder

den Widerstandselementen isoliert ist, jedoch zu diesem bzw. diesen in einer Wärmeübertragungsbeziehung liegt, so daß die Temperatur des Widerstandselements oder der Widerstandselemente im wesentlichen konstant gehalten wird.

Die Widerstandselemente können eine Widerstandsbrücke sein, wie beispielsweise eine Widerstands-Dehnungsmeßbrücke.

Die Dehnungsmeßbrücke kann auf dem aktiven Teil einer Membran sein, auf die ein zu messender Druck oder eine zu messende Kraft einwirkt. Der Heizwiderstand kann auf einem nicht-aktiven Teil der Membran sein, so daß er nicht einer Dehnung aufgrund eines einwirkenden Druckes oder einer beaufschlagenden Kraft unterworfen ist, was seinen Widerstandswert ändern könnte.

Die Membran kann eine Siliziummembran sein, bei der Dehnungsmeßwiderstandselemente in das Silizium an Bereichen einer maximalen Dehnung eindiffundiert sind, und diese Widerstände können so angeordnet sein, daß sie eine vierarmige aktive Brücke bilden.

Die Siliziummembran kann aus einem Grundmaterial mit einem zentralen, quadratischen Teil verringerter Dicke bestehen, um die Membran mit einem relativ dicken, ringförmigen Randteil zu bilden. Die Dehnungsmeßwiderstände können auf der Membran an Bereichen maximaler Dehnung liegen, d.h. in der Nähe des Überganges der Membran zu dem dicken ringförmigen Teil, und der Heizwiderstand kann auf dem ringförmigen Teil angeordnet sein. Der Heizwiderstand kann ein einzelner Widerstand sein, der sich um einen wesentlichen Teil des ringförmigen Bereiches erstreckt, oder er kann eine Vielzahl diskreter Widerstände aufweisen, die um den ringförmigen Teil angeordnet und zusammen in Reihe verbunden sind.

Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Messen eines nicht-thermischen physikalischen Parameters mit einer temperaturempfindlichen Einrichtung, wobei insbesondere eine vorbestimmte Temperatur auf die temperaturempfindliche Einrichtung zur Einwirkung gebracht wird, wobei der physikalische Parameter mit der temperaturempfindlichen Einrichtung gemessen wird, wobei die temperaturempfindliche Einrichtung einer die erwähnte vorbestimmte Temperatur beeinflussenden Schwankung der Umgebungstemperatur ausgesetzt wird, wobei weiterhin die temperaturempfindliche Einrichtung selbst für die Messung der Änderung der Umgebungstemperatur herangezogen wird, und wobei schließlich die temperaturempfindliche Einrichtung auf deren vorbestimmte Temperatur abhängig von der Messung der Änderung der Umgebungstemperatur gebracht wird, die durch die temperaturempfindliche Einrichtung selbst bewirkt ist.

Außerdem betrifft die Erfindung ein Gerät zum Messen eines nicht-thermischen physikalischen Parameters mit einer temperaturempfindlicherf Einrichtung, mit insbesondere einer ersten Einrichtung, die mit der temperaturempfindlichen Einrichtung verbunden ist, um den physikalischen Parameter mit einer derartigen temperaturempfindlichen Einrichtung zu messen, mit einer zweiten Einrichtung, die eine vorbestimmte Temperatur auf die temperaturempfindliche Einrichtung zur Einwirkung bringt, wobei diese temperaturempfindliche Einrichtung Änderungen der Umgebungstemperatur ausgesetzt ist, welche die erwähnte vorbestimmte Temperatur beeinflussen, mit einer mit der temperaturempfindliehen Einrichtung verbundenen dritten Einrichtung für die Messung der Umgebungstemperaturänderung mit einer derartigen temperaturempfindlichen Einrichtung und mit einer mit der zweiten und der dritten Einrichtung verbundenen vierten Einrichtung zum Wiederherstellen der temperaturempfindlichen Einrichtung auf deren vorbestimmte Temperatur abhängig von der mit der

temperaturempfindlichen Einrichtung bewirkten Messung der Änderung der Umgebungstemperatur.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels der Erfindung in der Form einer vierarmigen aktiven Brücke und eines Teiles von deren Steuerschaltung,

Fig. 2 eine schematische Draufsicht einer Siliziummembran, die als Teil eines Druck- oder Kraftwandlers verwendbar ist, der die Brückenwiderstände und den Heizwiderstand von Fig. 1 aufweist,

Fig. 3 einen Schnitt 3-3 von Fig. 2 und

Fig. 4 eine Abwandlung eines Teils der Schaltung von Fig.1.

In der Zeichnung ist eine elektronische Vorrichtung 10 mit einer vierarmigen, aktiven Dehnungsmeßbrücke 12 aus Widerständen 14,16,18 und 20 gezeigt. Die Widerstände 14,16,18 und 20 sind in eine Oberfläche 22a einer Siliziummembran in Bereichen einer maximalen Dehnung oder Beanspruchung in die Membran 22 diffundiert, wenn diese durch einen Druck oder eine Kraft beansprucht wird, der bzw. die beispielsweise auf die andere Oberfläche 22b einwirkt.

Ein konstanter Strom liegt an dem ersten und zweiten Verbindungspunkt 12a, 12b der Brücke 12 über Widerstände 24, 26 von einem Operationsverstärker 28, von dem ein negativer oder invertierender Eingang 28a mit einer negativen Sammelschiene 30 über einen Widerstand 32 verbunden ist, während der andere, positive oder nicht-invertierende Eingang 28b an einer Quelle einer Bezugsspannung liegt, die über einer Zener- oder Bandabstand-Bezugsdiode 34 entwickelt wird. Die

Diode 34 ist als ein Potentialteiler mit einem Widerstand 36 zwischen der negativen Sammelschiene 30 und der positiven Sammelschiene 38 gekoppelt. Eine Bandabstand-Diode, an der nominell 1,2 V entwickelt werden, hat einen sehr niedrigen Temperaturkoeffizienten der Spannung, so daß das am Eingang 28b des Verstärkers 28 liegende Potential im wesentlichen konstant ist. Wenn die Temperatur des Verstärkers konstant gehalten wird, dann wird der an der Brücke über die entgegengesetzten Verbindungspunkte 12a, 12b liegende Strom im wesentlichen konstant gehalten, sofern der Widerstandswert des Widerstandes 38 konstant gehalten ist.

Die Ausgangsspanne der Brücke 12 kann durch Einstellen des Wertes des Widerstandes 32 eingestellt werden, und der Null-Ausgang der Brücke an Verbindungspunkten 12c, 12d kann durch Stellwiderstände 24 und 26 eingestellt werden.

Wenn die Temperatur des Verstärkers 28 und der Brückenwiderstände 14, 16, 18, 20 konstant gehalten wird, dann hängt das an den Verbindungspunkten 12c, 12d auftretende Ausgangssignal von der Dehnung ab, die in den Brückenwiderständen durch einen Druck oder eine Kraft hervorgerufen ist, welcher bzw. welche auf die Membran 22 einwirkt. Die Verbindungspunkte sind gewöhnlich mit einer Verstärkerschaltung mit Operationsverstärkern 41a und 41b und Ausgangswiderständen 41c und 41d verbunden, welche in einer Meßverstärkeranordnung zwischen den Brückenanschlüssen 12c und 12d und den Ausgangsanschlüssen 40a und 40b angeordnet sind, was im folgenden insgesamt als Ausgangsanschluß 40a bezeichnet wird, der das sogenannte Brücken-Ausgangssignal abgibt.

Die Vorrichtung 10 kann einer Temperaturänderung aufgrund beispielsweise Schwankungen in der Umgebungstemperatur oder der in der Vorrichtung verbrauchten Leistung ausgesetzt sein. Wenn sich die Temperatur der Membran 22 ändert, dann führt die damit verbundene Änderung im Widerstandswert der Brücken-

widerstände zu einem Fehler oder einer Abweichung im Ausgangssignal der Brücke am Ausgangsanschluß 40a des Verstärkers 40 und zu einer Änderung in der Potentialdifferenz zwischen den Anschlüssen 12a und 12b. In ähnlicher Weise führen Änderungen in der Temperatur der Verstärker zu einem Drift und zu Änderungen in deren Verschiebespannung, und die Stromtemperaturkoeffizienten verschlechtern die Genauigkeit des am Ausgang 40a auftretenden Ausgangssignales der Brücke.

Ein in Fig. 2 als vier in Reihe liegende Widerstände gezeigter Widerstand 42 ist auf dem nicht-aktiven äußeren Randbereich der quadratischen Membran 22 angebracht und als ein gesteuerter Heizer für die Membran angeschlossen.

jede Änderung, im Widerstandswert der Widerstände 14,16,18, 20 aufgrund einer Temperaturechwankung ändert die zwischen den Anschlüssen 12a und 12b gemessene Potentialdifferenz über der Brücke. Diese Änderung wird durch einen Potentialteiler aus Widerständen 44, 46_# erfaßt, die in Reihe zwischen dem Ausgang des Verstärkers 28 und der negativen Sammelschiene 30 liegen. Die Werte dieser Widerstände 44,46 sind so gewählt, daß die Spannung an ihrem Verbindungspunkt bei einer vorbestimmten Temperatur ungefähr gleich der Spannung über der Diode 34, also beispielsweise etwa gleich 1,2 V ist.

Die Spannungen an der Diode 34 und am Widerstand 46 sind mit dem positiven oder nicht-invertierenden bzw. mit dem negativen oder invertierenden Eingang 48a bzw. 48b eines Operationsverstärkers 48 gekoppelt. Der Ausgangsanschluß 48c des Verstärkers 48 ist mit der Basis eines NPN-Transistors 50 gekoppelt. Ein Widerstand 52 liegt in der Kollektorstrecke, und der Heizwiderstand 42 ist mit der Emitterstrecke des Transistors 50 verbunden. Ein Rückkopplungswiderstand 54 liegt zwischen dem Emitter des Transistors 50 und dem nega-

tiven Eingangsanschluß 48b des Verstärkers 48. Dies bildet eine Temperatur-Steuerschaltung für das Substrat. Der Rückkopplungswiders tand 54 steuert die Schleifenverstärkung um die Temperatur-Steuerschaltung, damit die Temperatur des Substrates im wesentlichen konstant gehalten wird.

Im Betrieb ist der Wert des Potentials am Verbindungspunkt 47, also am Eingang 48b so eingestellt, daß der Ausgang des Verstärkers 48 den durch den Transistor 50 fließenden Strom auf einen derartigen Wert steuert, daß bei einer vorbestimmten Umgebungstemperatur von beispielsweise 20°C die durch den auf die Siliziummembran diffundierten Widerstand 42 erzeugte Wärme die Widerstände der Brücke 12 im wesentlichen bei einer konstanten Temperatur von beispielsweise 80°C hält.

Die Brückenwiderstände 14,16,18,20 haben einen positiven Temperaturkoeffizienten für den Widerstandswert, so daß jegliche Steigerung in der Umgebungstemperatur das Potential an der Brücke 12 und damit am Widerstand 46 erhöht. Dies verringert die Potentialdifferenz an den Eingangsanschlüssen 48a, 48b des Verstärkers 48 und damit den durch den Widerstand 42 fließenden Strom. Die durch den Widerstand 42 erzeugte Wärme wird so verringert, bis die Temperatur der Brückenwiderstände, die durch die Widerstände 44,46 und den Verstärker 48 erfaßt wird, wieder bei der erforderlichen Temperatur von 80°C ist.

Wenn dagegen die Umgebungstemperatur unter den vorbestimmten Wert von 20⁰C abfällt, dann verursacht der Verstärker 48 eine Steigerung im Stromfluß durch den Transistor 50, um die durch den Widerstand 42 erzeugte Wärme zu erhöhen, bis die Temperatur des Brückenwiderstandes wieder bei dem erforderlichen Wert von 80°C ist.

Auf diese Weise kann durch Erfassen der Widerstandswertänderung der Brückenwiderstände 14,16,18,20 aufgrund einer Temperaturschwankung deren tatsächliche Temperatur bei einem vorbestimmten Wert viel genauer gehalten werden, wie wenn ein getrennter Temperaturfühlerwiderstand benutzt wird.

Wie bereits oben erläutert worden ist, wird der Verstärkungsfaktor der Rückkopplungsschleife um den Verstärker durch den Widerstandswert des Widerstandes 54 gesteuert.

Wie ebenfalls bereits oben erwähnt worden ist, können Temperaturänderungen in den Verstärkern 28,40,48 zu Änderungen in den Verstärker-Verschiebespannungen, den Strömen und der Drift führen, was die Genauigkeit des am Ausgang 40a der Brücke auftretenden Ausgangssignales herabsetzt. Die Einflüsse dieser Schwankungen in der Umgebungstemperatur können mittels der durch den Widerstand 52 verbrauchten Temperatur bzw. Wärme vermindert werden. Entsprechend einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung (vgl. die Strichlinien 56), sind die Verstärker auf einem einzigen Chip untergebracht, beispielsweise auf einem üblichen "Vierer-Operationsverstärker", und der Chip liegt in einer eine Wärmeübertragung ermöglichenden Beziehung auf einem Dickfilmwiderstand 52. Wie im Zusammenhang mit dem Heizwiderstand 42 erläutert worden ist, nehmen der Strom durch den Widerstand 52 und die durch diesen verbrauchte Wärme mit abnehmender bzw. zunehmender Umgebungstemperatur zu bzw. ab. Somit kann der Bereich der Temperatüränderungen der Verstärker mit Änderungen in der Umgebungstemperatur im wesentlichen mittels einer entsprechenden Verminderung in deren Verschiebespannungen und Stromdrifts vermindert werden. Falls die thermischen Eigenschaften des Widerstandes 52 und der Verstärker gleich sind wie beim Substrat der Membran 22, dann ist die Temperatursteuerung der Verstärker an diejenige der Brückenwiderstände angepaßt. Obwohl dies unwahrscheinlich ist, kann dennoch eine gewisse Maßnahme zur Temperatursteuerung erzielt werden.

Fig. 4 zeigt eine Abwandlung der Schaltung von Fig. 1, wobei der Widerstand 52 parallel zum Heizwiderstand 42 in der Emitterstrecke des Transistors 50 liegt. Diese Schaltung erlaubt eine höhere Flexibilität in der Steuerung der Temperatur des Widerstandes 52 und daher der Verstärker 28,40,48, da es möglich ist, deren Wert zu wählen.

Der Wert des Widerstandes 52 in Fig. 4 kann so ausgewählt werden, daß bei einer Umgebungstemperatur von beispielsweise 20°C der Strom durch den Widerstand 52 derart eingestellt ist, daß die Temperatur der Verstärker auf dem gleichen Wert wie diejenige der Brückenwiderstände von beispielsweise 80⁰C gehalten wird. Die Drifts, Verschiebespannungen und dergleichen der Verstärker sind dann bekannt oder festlegbar.

Wenn die Umgebungstemperatur zunimmt, dann nimmt der Strom durch den Transistor 50 und den Widerstand 52 ab, so daß die Temperatur der Verstärker herabgesetzt wird. Wenn die Umgebungstemperatur auf den bevorzugten Wert von 80°C ansteigt, dann wird der Strom durch den Transistor 50 wirksam auf Null vermindert, so daß dort keine Wärmeübertragung vom Widerstand 52 zu den Verstärkern eintritt und diese bei einer Temperatur von 80°C sind. Somit sind bei zwei weit beabstandeten Umgebungstemperaturen von in diesem Beispiel 20°C und 8O°C die Verstärker bei 80°C, so daß deren Verstärkungsfaktoren, Verschiebespannungen und dergleichen gleich sind. Zwischen und über den beiden gewählten Temperaturen von 20°C und 80°C können die Verstärkerkennlinien nicht der Umgebungstemperatur folgen, wobei sie jedoch so eingestellt werden können, daß sie innerhalb sehr annehmbarer Grenzen zu folgen vermögen, was eine wesentliche Verbesserung gegenüber einer Schaltung darstellt, in der keine Temperatursteuerung der Verstärker vorhanden ist.

Im Prinzip kann die Einrichtung, die eine vorbestimmte Temperatur einwirken läßt, eine Heiz- oder eine Kühleinrichtung sein. Entsprechend dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird die temperaturempfindliche Einrichtung 12 auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt, und der nichtthermische physikalische Parameter wird mit einer derartigen erwärmten temperaturempfindlichen Einrichtung 12 gemessen. Auch ist diese temperaturempfindliche Einrichtung 12 einer Umgebungstemperaturschwankung ausgesetzt, welche die gewünschte vorbestimmte Temperatur beeinträchtigt, und diese erwärmte temperaturempfindliche Einrichtung selbst wird benutzt, um eine Messung der Schwankung der Umgebungstemperatur zu bewirken. Die temperaturempfindliche Einrichtung 12 wird dann auf ihre.vorbestimmte Temperatur abhängig von der Messung der Umgebungstemperaturänderung zurückgebracht, welche mit dieser erwärmten temperaturempfindlichen Einrichtung selbst bewirkt wird.

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Claims

Patentansprüche

1^/Elektronische Vorrichtung mit wenigstens einem Widerstandselement, dessen Temperatur zu steuern und dessen Widerstandswert im Gebrauch abhängig von der Größe eines physikalischen Parameters, außer der Temperatur, veränderbar ist, der auf die Vorrichtung einwirkt, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (10) eine Einrichtung (34,44-50) aufweist, um die Temperatur des Widerstandselements oder der Widerstandselemente (14,16,18,20) zu erfassen, und derart angeordnet ist, daß die Temperatur eines Heizwiderstandes (42) gesteuert wird, der elektrisch vom Widerstandselement Oder von den Widerstandselementen (14,16,18,20) isoliert ist, jedoch mit diesem in einer Wärmeübertragungsbeziehung steht, so daß die Temperatur des Widerstandselements oder der Widerstandselemente (14,16,18,20) im wesentlichen konstant gehalten ist.

Bankkonten/ Bank Accounts

Dresdner Bank München N⁰ 391599200(BLZ 70080000)

Hypobank MDnchen N» 3750139700(BLZ 70020001)

Postscheckkonto München N⁰ 61560-803
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandselemente (14,16, 18,20) so verbunden sind, daß sie eine Widerstandsbrücke (12) bilden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandselemente (14,16, 18,20) eine Widerstands-Dehnungsmeßbrücke (12) bilden, wie beispielsweise eine vierarmige aktive Brücke.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Dehnungsmeßbrücke (12) sich auf dem aktiven Teil einer Membran (22) befindet, auf die ein zu messender Druck oder eine zu messende Kraft zur Einwirkung gebracht werden kann.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß der Heizwiderstand (42) auf einem nicht-aktiven Teil der Membran (22) ist, so daß er nicht Dehnungen aufgrund eines einwirkenden Druckes oder einer einwirkenden Kraft ausgesetzt ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran (22) eine Siliziummembran ist, wobei die Widerstandselemente der Dehnungsmeßbrücke in das Silizium an den Bereichen maximaler Dehnung diffundiert sind.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliziummembran (22) aus einem Grundmaterial mit einem zentralen, quadratischen oder kreisförmigen Teil verringerter Dicke besteht, um die Membran (22) mit einem relativ dicken ringförmigen Randteil zu versehen.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß die Dehnungsmeß-Widerstandselemente (14,16,18,20) auf der Membran (22) in Bereichen maximaler Dehnung nahe des Überganges der Membran (22) zu dem dicken ringförmigen Teil liegen, und daß der Heizwiderstand (42) auf dem ringförmigen Teil angeordnet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Heizwiderstand (42) ein einzelner Widerstand ist, der sich um einen wesentlichen Teil des ringförmigen Teiles der Membran (22) erstreckt. .
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Heizwiderstand (42) eine Vielzahl diskreter Widerstände aufweist, die um den ringförmigen Teil der Membran (22) angeordnet und miteinander verbunden sind.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung (34, 44-50) zum Erfassen der Temperatur des Widerstandselementes oder der Widerstandselemente (14,16,18,20) eine Verstärkereinrichtung (48) aufweist, die einen Eingang (48b), der mit dem Widerstandselement oder den Widerstandselementen verbunden ist, um ein Eingangssignal abhängig von dessen bzw. deren Temperatur abzuleiten, und einen Ausgangsanschluß, der mit dem Heizwiderstand (42) verbunden ist, um den Heizstrom dort hindurch zu steuern, hat.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch einen weiteren Heizwiderstand (52), der mit einem Ausgang der Verstärkereinrichtung gekoppelt und in einer Wärmeübertragungsbeziehung mit einem akti-

ven Element oder aktiven Elementen (34,28,48) der Verstärkereinrichtung angeordnet ist, wodurch die Temperatur des weiteren Heizwiderstandes (52) mit abnehmender und zunehmender Umgebungstemperatur zunimmt bzw. abnimmt, so daß Temperaturänderungen im aktiven Element oder in den aktiven Elementen aufgrund Schwankungen der Umgebungstemperatur minimalisiert sind.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandselement oder die Widerstandselemente (14,16,18,20) mit einer weiteren Verstärkereinrichtung (40) gekoppelt ist bzw. sind, und daß das aktive Element der weiteren Verstärkereinrichtung in einer Wärmeübertraqungsbeziehung mit dem weiteren Heizwiderstand (52) gekoppelt ist.
14. Verfahren zum Messen eines nicht-thermischen physikalischen Parameters mit einer temperaturempfindlichen Einrichtung, gekennzeichnet durch Beaufschlagen der temperaturempfindlichen Einrichtung mit einer vorbestimmten Temperatur, Messen des physikalischen Parameters mit der temperaturempfindlichen Einrichtung, Unterwerfen der temperaturempfindlichen Einrichtung unter eine Umgebungstemperatur^nderung 1st, die die vorbestimmte Temperatur beeinträchtigt, Verwenden der temperaturempfindlichen Einrichtung selbst für eine Messung der Umgebungstemperaturänderung, und Wiederherstellen der temperaturempfindlichen Einrichtung auf die vorbestimmte Temperatur abhängig von der Messung der Umgebungstemperaturänderung, die mit der temperaturempfindlichen Einrichtung selbst bewirkt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch Vorsehen einer erregbaren Einrichtung, die von der temperaturempfindlichen Einrichtung getrennt ist, um die temperaturempfindliche Einrichtung mit der vorbestimmten Temperatur zu versehen, und Erregen der getrennten Ein-

richtung abhängig von der durch die temperaturempfindliche Einrichtung selbst bewirkten Messung der Umgebungstemperaturänderung, um die temperaturempfindliche Einrichtung auf die vorbestimmte Temperatur wiederherzustellen.
16. '.Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, gekennzeichnet durch Versehen der temperaturempfindlichen Einrichtung mit elektrisch erregbaren Elementen mit einem Temperaturkoeffizienten/ Einwirken der vorbestimmten Temperatur auf diese Elemente, Anlegen eines konstanten erregenden Eingangssignales an diese Elemente, Einwirken des nicht-thermischen physikalischen Parameters auf diese Elemente, Ableiten eines den physikalischen Parameter wiedergebenden Ausgangssignales aus diesen Elementen/ ' Bewirken der Messung der Umgebungstemperaturänderung mittels einer Eingangsspannung der Elemente mit dem dort anliegenden konstanten erregenden Eingangssignal und Wiederherstellen der Elemente auf die vorbestimmte Temperatur abhängig von der mittels der Eingangsspannung vorgenommenen letzteren Messung der Umgebungstemperatüränderung.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, gekennzeichnet durch Einwirken des physikalischen Parameters auf die temperaturempfindliche Einrichtung innerhalb eines vorbestimmten Bereiches, und Anordnen der erregbaren getrennten Einrichtung in eine Wärmeübertragungsbeziehung mit der temperaturempfindlichen Einrichtung außerhalb des vorbestimmten Bereiches.
18. Gerät zum Messen eines nicht-thermischen physikalischen Parameters mit einer temperaturempfindlichen Einrichtung, wie beispielsweise einer Dehnungsmeßbrücke, gekennzeichnet durch eine erste, mit der temperaturempfindlichen Einrichtung verbundene Einrichtung zum Messen des physikalischen Parameters mittels der temperaturempfindlichen Einrichtung, eine zweite Einrichtung, die

eine vorbestimmte Temperatur auf die temperaturempfindliche Einrichtung zur Einwirkung bringt, wobei die temperaturempfindliche Einrichtung einer diese vorbestimmte Temperatur beeinflussenden Umgebungstemperaturänderung ausgesetzt ist, eine mit der temperaturempfindlichen Einrichtung verbundene dritte Einrichtung zum Messen der Umgebungstemperaturänderung mit der temperaturempfindlichen Einrichtung und eine mit der zweiten und der dritten Einrichtung verbundene vierte Einrichtung zum Wiederherstellen der temperaturempfindlichen Einrichtung auf die vorbestimmte Temperatur abhängig von der mit der temperaturempfindlichen Einrichtung bewirkten Messung der Umgebungstemperaturänderung.
19. Gerät nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung eine erregbare, von der temperaturempfindlichen Einrichtung getrennte Einrichtung aufweist, um die vorbestimmte Temperatur auf die temperaturempfindliche Einrichtung zur Einwirkung zu bringen, und daß eine Einrichtung mit der zweiten Einrichtung verbunden ist, um die getrennte Einrichtung abhängig von der mit der temperaturempfindlichen Einrichtung bewirkten Messung der Umgebungstemperaturänderung zu erregen, wodurch die temperaturempfindliche Einrichtung auf die vorbestimmte Temperatur wiederhergestellt wird.
20. Gerät nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Einrichtung eine Einrichtung aufweist, um den physikalischen Parameter auf die temperaturempfindliche Einrichtung innerhalb eines vorbestimmten Bereiches zur Einwirkung zu bringen, und daß die erregbare, getrennte Einrichtung außerhalb des vorbestimmten Bereiches in einer Wärmeübertragungsbeziehung mit der temperaturempfindlichen Einrichtung liegt.