DE3415040A1 - Leistungsverstaerker - Google Patents
LeistungsverstaerkerInfo
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3001—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
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Description
Die Erfindung betrifft einen Leistungsverstärker nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Derartige Leistungsverstärker werden beispielsweise für die Verstärkung von Wechselstromsignalen, insbesondere
von Audiosignalen, verwendet.
Im allgemeinen wird bei einer herkömmlichen Schaltung für den Antrieb einer akustischen Ausgabevorrichtung,
z.B. eines Lautsprechers oder einer Last mit niedriger Impedanz, etwa eines Synchronmotors, ein Ausgangstransformator
als unmittelbare Einrichtung für die Versorgung der Last mit der notwendigen Leistung in
der Weise vorgesehen, daß er ein Spannungssignal von
einem Vorstufen-Leistungsverstärker in ein entsprechendes Stromsignal für den Antrieb der Last umwandelt.
Ein Ausgangstransformator ist jedoch unvorteilhaft schwer, und die Reduzierung seines Gewichts bewirkt
einerseits eine Verzerrung des übertragenen Signals und übt andererseits einen ungünstigen Einfluß auf die
Frequenzcharakteristiken der gesamten Einrichtung aus.
Seit einiger Zeit haben auch Leistungsverstärker mit bipolaren Transistoren breite Anwendung gefunden,
und es gibt viele Gebiete, auf denen Verstärker eingesetzt werden, die Niederimpedanzlasten direkt und
ohne die Zwischenschaltung eines Transformators antreiben.
Einige Leistungsverstärker mit bipolaren Transistoren haben sich als geeignet für die verschiedenen
Anwendungsfälle herausgestellt. Bei den meisten dieser bipolaren Transistor-Leistungsverstärkern wird
indessen von der niedrigen Ausgangsimpedanz der bipolaren Transistoren Gebrauch gemacht, oder es wird die
komplementäre Verstärkerstruktur ausgenutzt, bei der zwei komplementäre bipolare Transistoren in Reihe
mit einer Stromversorgung geschaltet sind. Aufgrund dieses Umstandes besitzen diese bipolaren Transistor-Leistungsverstärker
in nachteiliger Weise einen reduzierten dynamischen Bereich für das Ausgangsspannungssignal,
bezogen auf eine vorgegebene Le i stungsve rs orgungs spannung.
Um den dynamischen Bereich zu vergrößern, wird im allgemeinen eine Stromversorgung von 5 oder mehr Volt
verwendet. Bei einer Stromversorgung von drei Volt wird eine Bootstrap-Schaltung verwendet, welche eine
Reihenschaltung aus zwei Batterien enthält. In Diesem Fall wird eine relativ große Kapazität erforderlich.
Eine Schaltung mit Bipolartransistoren erfordert die Zuführung eines Vorspannungs-Stroms, damit sie
richtig arbeitet, weshalb eine solche Schaltung dazu neigt, einen beachtlichen Betrag an elektrischer
Energie im Ruhezustand zu verbrauchen, wenn das zu übertragende Wechselctrom-Nutzsignal auf Null Volt
verbleibt. Der Leistungsverbrauch im Ruhezustand
nimmt mit der elektrischen Leistung zu, die ein Verstärker an eine zugeordnete Last abgeben kann (auch
als "Ausgangsleistung" bezeichnet). Somit ist die in einem Verstärker im Ruhestand verbrauchte Leistung bei
einem großen Wert der Ausgangsleistung viel größer als die Leistung, die tatsächlich auf eine zugeordnete
Last in einer elektrischen Vorrichtung gegeben wird, in welcher die maximal erzielbare Ausgangsleistung
wesentlich größer ist als diejenige, welche für den normalen Bereich der Eingangssignale erforderlich ist.
Aufgrund des relativ großen Leistungsverbrauchs im
-9-
Ruhezustand müssen Mittel für die Wärmeabfuhr vorgesehen
werden, und aus demselben Grund wird eine diese Bedingungen erfüllende Stromversorgung unvorteilhaft
groß. Falls Batterien als Stromversorgungsquellen verwendet werden, sind sie in verhältnismäßig
kurzer Zeit verbraucht.
Diese Nachteile eines Leistungsverstärkers mit bipolaren Transistoren können bis zu einem gewissen
Grad durch die Verwendung von MOS-Transistoren vermieden werden (vergl. z.B. FR-OS 2 418 576). Beispielsweise
ermöglicht die Kombination zweier komplementärer Verstärker-MOS-Transistoren (auch
als "C-MOS-Struktur" bezeichnet) in einem Verstärker die Ausdehnung des Dynamik-Bereichs des Ausgangssignals
in fast dem Umfang des Bereichs der zugehörigen Stromversorgungsspannung. Außerdem gestattet sie
die Reduzierung der Vorspannungsströme in den Bereichen
außerhalb der Ausgangsstufe des Verstärkers bis zu einem kleinen Strom von einigen Mikroampere
im Verhältnis zu einigen Zehntel. Die Zunahme der maximalen Ausgangsleistung in einem Verstärker bewirkt
jedoch unvermeidlich ein Ansteigen des Leistungsverbrauchs im Ruhezustand, weshalb der Leistungsver-
brauch im Verstärker nicht wesentlich verringert werden kann, indem man die bekannte C-MOS-Struktur
heranzieht.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, den Leistungsverbrauch eines Verstärkers im Ruhezustand
zu verringern.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der mit öler Erfindung ^rj^eite Vorteil besteht insbesondere
darin, daß der Lei$tungsverbrauch in
einer Verstärker-Sti4.fi.^if<? I^ Iw^egusti&nd verringert
wird und d»ß <Jtr v<j>-Jt*$g"»yr?-is^;";|l8." ''C-MQS''--Str^ktüa?
ausgebildete telftvngiveritäf^*^ gleichzeitig ein
verhältniamiißig gfoß## Auggiiigö^ighal abgibt, verglichen mit einer v<tfh.ältriisi^ßig geringen Spannung
(etwa drei Volt) d$r verwfn^tten Energieversorgung.
Mit der Erfindung ist es also möglich, einen Wechselstrom-Leistungsverstärker
en einer Spannungsquelle von drei Volt oder weniger zu betreiben, wobei die
im Ruhezustand verbrauchte Verlustleiste auf ein Milliwatt oder noch weniger reduziert wird. Hierdurch
kann ein Wechselspannungssignal mit relativ großer Amplitude auf eine Last mit relativ geringer
Impedanz gegeben werden.
Ausführungsbeispiele d<£r Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig.1 einen erfindungsgemäßen Leistungsverstärker ι
mit geringem Energieverbrauch;
Fig. 2 die Betriebskgtimzeichen zweier Transistoren,
die zusammen ßine Ausgan.gsyerstärkerschaltung
im Leistungsverstärker mit niedrigen Energie- ί
verbrauch gemäß Fig.l bilden;
Fig. 3 das Wechselstromverhältien zweier Transistoren,
die zusammen eine Ausgangsverstärkerschaltung im Verstärker mit niedrigem Energieverbrauch
gemäß Fig.l bilden;
Fig.4 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Leistungsverstärkers mit niedrigem Energieverbrauch;
Pig.5 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Leistungsverstärkers mit niedrigem Energieverbrauch;
Fig.6 eine Anwendung des erfindungsgemäßen Leistungsverstärkers
bei einer Lautsprecher-
Treiberschaltung;
Fig.7 eine vierte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Leistungsverstärkers mit niedrigem
Energieverbrauch, wobei "C-MOS"-Transistoren
für den Aufbau eines Differenzverstärkers verwendet werden;
Fig.8 eine fünfte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Leistungsverstärkers mit geringem
Energieverbrauch, der einen erhöhten Verstärkungsfaktor aufweist.
In der Fig.1 ist eine erste Ausführungsform der Erfindung
dargestellt, die im wesentlichen aus einer Eingangsverstärkerschaltung 1 und einer strichpunktiert
umrahmten Ausgangsverstärkerschaltung 2 besteht. Der Eingangsanschluß der Eingangsverstärkerschaltung
1 ist mit dem Eingangsanschluß IN des Leistungsverstärkers verbunden, während der Ausgangsanschluß der Eingangsverstärkerschaltung 1 mit dem
Eingangsanschluß der Ausgangsverstärkerschaltung 2 verbunden
ist. Die Eingangsverstärkerschaltung 1 ist mit zwei Speiseleitungen VDD und Vgs verbunden.
Der Eingangsanschluß der Ausgangsverstärkerschaltung
2 ist mit der Steuer-Elektrode eines ersten MOS-Transistors Tr,, der einen p-leitenden Kanal
aufweist (im folgenden einfach als "Transistor" bezeichnet),
direkt sowie mit der Steuer-Elektrode eines zweiten MOS-Transistors Tr2/ der einen n-leitenden
Kanal aufweist (im folgenden einfach als "Transistor" bezeichnet), über einen Kondensator C1
verbunden. Eine Vorspannungs-Quelle V_, ist der Steuer-Elektrode des Transistors Tr0 über einen Widerstand
R1 zugeführt. Die Absaug-Elektroden der Transistoren
Tr1 und Tr2 sind mit dem Ausgangsanschluß
OUT der Einrichtung verbunden. Die Quellenelektrode und das Substrat des Transistors Tr1 sind mit der
ersten Speise-Leitung V^_ verbunden, während die
Quellenelektrode und das Substrat des Transistors Tr0 mit der zweiten Speise-Leitung Veo verbunden sind.
Bei dieser Anordnung hängt der Gleichstromarbeitspunkt der Ausgangsverstärkerschaltung 2 von der
Gleichstrom-Steuer-Spannung V p des ersten Transistors Tr1 ab, die der Ausgangsgröße der Eingangsverstärkerschaltung
1 entspricht, und von der Gleichstrom-Steuer-Spannung V-., des zweiten Transistors Tr0,
WN Δ
die gleich V_ ist.
Die Fig.2 zeigt, wie der Arbeitspunkt der Ausgangsverstärkerschaltung
2 durch die Gleichstrom-Steuerelektroden-Spannung V des ersten Transistors Tr1 und die
Gleichstrom-Steuerelektroden-Spannung V_._ des zweiten
Cj IN
Transistors Tr_ bestimmt wird. Die Abszisse des Graphen stellt die Absaugelektroden-Spannung VDn des
ersten Transistors Tr1 und die Absaugelektroden-Spannung
VDN des zweiten Transistors Tr„ dar, während
-13-
die Ordinate den Absaugelektroden-Strom IDp des
ersten Transistors Tr, und den Absaugelektroden-Strom I7.... des zweiten Transistors Tr0 darstellt.
DN ^
Die Kurven Γ IJ und \4j stellen das Verhältnis der
Absaugelektroden-Spannung V zum Absaugelektroden-Strom I des ersten Transistors Tr1 dar, während
die Kurven (2J und \3>) die Beziehung der Absaugelektroden-Spannung
Vm zum Absaugelektroden-Strom I des zweiten Transistors Tr2 darstellt. Wenn am
Ausgangsanschluß des LeistungsVerstärkers keine Last
angelegt ist, sind die Absaugelektroden-Ströme IDp
und In der Transistoren Tr.. und Tr2 einander gleich,
weshalb der Gleichstrom-Arbeitspunkt dieser Transistören
auf dem Schnittpunkt der Kurven TlJ und (2J
oder der Kurven f4 ) und (3 ) liegt.
Nimmt man an, daß die Transistoren Tr1 und Tr9 so
arbeiten, wie es durch die Kurven ill und (2J angedeutet
ist, dann gibt der Schnittpunkt P1 dieser
Kurven den Gleichstrom-Arbeitspunkt an. Folglich bewegt sich die Ausgangsspannung des Leistungsverstärkers
um ihren Zentralwert herum, der gleich der Absaugelektroden-Spannung Vnp1 der Abszisse des
Schnittpunkts P1 ist.
Der Absaugelektroden-Strom Iop1/ der an der Ordinate
des Schnittpunkts P1 angegeben ist, fließt und wird
im Ausgangsverstärker 2 während des Ruhezustands verbraucht. Nimmt man an, daß die Vorspannungs-Spannung
Vr, erniedrigt wird, um die Gleichstrom-Steuerelektroden-Spannung
VQN des zweiten Transistors
Tr2 nahe an die Spannung der Speiseleitung νςς, zu
bringen, dann neigt sich die Kurve (2) der Fig.2 nach
-14-
unten zur Kurve Qf) , Hie^«äisurcit gelangt der Gleichstromarbeitspunkt
nach Έ>2> wodurch der Ruhestrom
wesentlich reduziert witfd. Der Zentralwert des Ausgangs
spannungsbereichs driftet allerdings in nachteiliger
Weise in Richtung auf einen Extremwert, wodurch der Dynamikbereich reduziert wird. Um diesen
Zustand zu verbessern, wird beispielsweise die Amplitude der Gleichstrom~Spannung, die auf den Eingangsanschluß
IN des Leistungsverstärkers gegeben wird, so verändert, daß die Gleichstrom-Steuerelektroden-Spannung
Vrp des ersten Transistors Tr- in die Nähe
der Spannung V einer der Speiseleitungen gebracht wird, wodurch die Kurve (1) veranlaßt wird, sich nach
unten zur Kurve \AJ zu neigen. Hierauf gelangt der
Gleichstromarbeitspunkt nach P^. Somit wird der Zentralwert
des AusgangsSpannungsbereichs wieder zum Zentralwert zwischen den Spannungen V__ und V0 a der
DD oö
Speiseleitungen gebracht, wodurch die Situation nicht geändert wird, daß der Energieverbrauch im Ruhezustand
erheblich reduziert wird, und zwar unabhängig von der Impedanz der zugehörigen Last.
Im folgenden wird das Wechselstromverhalten des in der Fig.1 gezeigten Leistungsverstärkers beschrieben.
Die Fig.3 beinhaltet eine graphische Darstellung der
Wechselstromeigenschaften der Ausgangsverstärkerschaltung 2 des gesamten Leistungsverstärkers. Die
Abszisse stellt die Steuerelektroden-Spannung V des ersten Transistors Tr, und die Steuerelektrodenspannung
V_„ des zweiten Transistors Tr0 dar, während die
(jJN /
Ordinate den Absaugelektroden-Strom IDp des ersten
Transistors Tr1 und den Absaugelektroden-Strom IQ„ des
zweiten Transistors Tr2 darstellt. Die Kurve Γδ) zeigt
-15-
die Beziehung zwischen der Steuerelektroden-Spannung V des ersten Transistors Tr1 und seinem Absaugelektroden-Strom
Inp/ während die Kurve (6/ die Beziehung
zwischen der Steuerelektroden-Spannung V"rN
des zweiten Transistors Tr~ und seinem Absaugelektroden-Strom I „ zeigt. Diese Kurven veranschaulichen,
daß die Absaugelektroden-Ströme In- und In„ sehr
stark mit der Zunahme der zugeordneten Steuerelektroden-Spannung ansteigen, wenn die Spannung am Ausgangsanschluß
OUT des Leistungsverstärkers auf einem vorgegebenen konstanten Wert gehalten wird. Die
Amplitude des Ruhestroms In-, wird durch die Absaugelektroden-Spannungen
an den Arbeitspunkten der Transistoren Tr, und Tr2 bestimmt. Nimmt man an, daß
das Potential, welches an einem Ende einer Last erscheint, die mit dem Ausgangsanschluß OUT des
Leistungsverstärkers verbunden ist, auf dem Zentralwert des AusgangsSpannungsbereichs gehalten wird und
daß dann eine Wechselstromspannung auf die Steuerelektrode jedes Transistors gegeben wird, so bewirkt
diese eine starke Änderung des Absaugelektroden-Stroms im Transistor.
Der Kurvenverlauf V_,_. zeigt im einzelnen eine Wechsel-
GP
Stromkomponente des Spannungssignals, das direkt auf
die Steuerelektrode des ersten Transistors Tr. über den Eingangsverstärker 1 gegeben wird, während der
Kurvenverlauf V_,„T ein Signal zeiat, das auf die
Steuerelektrode des zweiten Transistors Tr« gegeben wird, nachdem die Gleichstromkomponente von diesem
Spannungssignal, das auf die Steuerelektrode des ersten Transistors Tr, gegeben wird, mit Hilfe des
Kondensators C. beseitigt wurde. Die Kurvenverläufe 1DP und 1DN' äie man ^urcl1 Projizieren der Kurvenver-
verlaufe V„,_ vm* νΛΜ auf die .Ordinate über die
und [6J erhält, zeigen die Schwankungen
der Absaugelektroden-Ströme in den Transistoren Tr1
und Tr2- Wie dargeitellt/ ändern sich die Kurvenverlaufe
iDp und i „ polöuritätsmäßig entgegengesetzt zueinander,
wobei sie um eine halbe Periode phasenverschoben sind. Folglich ergibt sich ein resultierender
Kurvenverlauf aus diesen zwei Stromverläufen i N und i über der Last, die mit dem Ausgangsanschluß OUT
des Leistungsverstärkers verbunden ist. Die maximale Amplitude des elektrischen Stroms, der auf die Last
gegeben wird, ist durch die Impedanz der Last und die Spannung der Stromversorgung bestimmt, aber der
elektrische Strom, der im Ruhezustand fließt, ist nicht unmittelbar mit diesen Faktoren verknüpft.
Wie man leicht aus der Fig.3 ersieht, bewirkt die Zunahme
der Amplituden der Wechselstrom-Spannungskurven V__ und V_N eine erhebliche Zunahme der Spitzenwerte
der Stromkurvenverläufe iDp und iDN- Ein sehr kleines
Wechselstromsignal, das auf den Eingangsanschluß IN der Eingangsverstärkerschaltung 1 gegeben wird, wird
in diesem verstärkt, bevor es auf die Ausgangsverstärkerschaltung 1 gegeben wird. Mit der in der Fig.1
dargestellten Vorverstärkeranordnung kann ein recht großer elektrischer Strom in einer Last fließen.
Im folgenden werden einige Abwandlungen des Leistungsverstärkers gemäß Fig. 1· beschrieben.
30
Die Fig.4 zeigt eine zweite Ausführungsform, deren Ausgangsverstärkerschaltung 2' Transistoren mit
Polaritäten enthält, die entgegengesetzt zu jenen der entsprechenden Transistoren der Ausgangsverstärker-
-17-
schaltung 2 der ersten Ausführungsform der Fig.l ist.
Das von einer Eingangsverstärkerschaltung 1 kommende Signal wird direkt auf die Steuerelektrode eines
ersten Transistors Tr~ gegeben, der ein "n"-Kanal-MOS-Transistor
ist.
Andererseits wird dasselbe Signal über einen Kondensator C. auf die Steuerelektrode des "p"-Kanal-MOS-Transistors
gegeben, der einen zweiten Transistor Tr4 bildet. Eine Verspannung V0 wird auf die Steuerelektrode
£5
des zweiten Transistors Tr4 über einen zugeordneten
Widerstand R... gegeben. Der Leistungsverstärker der
Fig.4 arbeitet auf eine ähnliche Weise wie derjenige
der ersten Ausführungsform, weshalb eine Erläuterung
der Wirkungsweise der zweiten Ausführungsform.nicht
erforderlich erscheint.
Die Fig.5 zeigt eine dritte Ausführungsform, deren Wechselstromleistungsverstärkerschaltung in praktischer
Hinsicht verbessert ist. Im einzelnen besteht hierbei eine Eingangsverstärkerschaltung aus einem Differenzverstärker
3, während eine Ausgangsleistungsverstärkerschaltung 2" eine einfache Spannungsstabilisierungsschaltung
aufweist, die aus einem "p"-Kanal-MOS-Transistor Tr5 mit seinen miteinander verbundenen
Steuer- und Absaugelektroden und einem zugehörigen Widerstand R2 zum Erzeugen einer Vorspannung besteht,
die auf die Steuerelektrode eines zweiten Transistors Tr4 gegeben wird.
Wie dargestellt, weist der Differenzverstärker 3 zwei
Eingangsanschlüsse auf, und zwar einen nicht-invertierten (+) und einen invertierten (-) Anschluß· Wenn
ein Signal auf den invertierten (-) Anschluß des
-18-
Differenzverstärkers 3 gegeben Wird, wird es invertiert und verstaut» JEn der Ausgangsverstärkerschaltung
2" wird 0s daiaft/hochmsle invertiert und
verstärkt, bevor «s amAu^gangs-anschluß OUT des
Leistungsverstärkt/rss
Andererseits wird ein Signal, das auf den nicht-invertierten (+) Anschluß des Differenzverstärkers 3 gegeben wird, in diesem verstärkt, worauf das verstärkte
Signal in der Ausgangsverstärkerschaltung invertiert und verstärkt wird, bevor es ain Ausgangsanschluß OUT
des LeistungsVerstärkers erscheint. Vom Gleichstromgesichtspunkt
aus entspricht die Kombination des Differenzverstärkers 3 mit der Ausgangsverstärkerschaltung
2" einem Operationsverstärker, sie ist jedoch dadurch gekennzeichnet, daß der äquivalente Operationsverstärker
bei offener Schleife verschiedene Verstärkungsgrade für Wechselstrom- und Gleichstromsignale
hat, weil ein Wechselstrom-Koppelkondensator C.,
in der Ausgangsverstärkerschaltung 2" verwendet wird. Diese verschiedenen Verstärkungsfaktoren sind jedoch
so groß, daß diese Schaltungsanordnung, wenn sie als Wechselstromverstärker verwendet wird, wie dies bei der
Einrichtung gemäß Fig, 5 der Fall ist, als ein Wechselstromverstärker
angesehen werden kann, der einen
normalen Operationsverstärker verwendet. ■
Wie in der Fig.5 dargestellt, wird ein Wechselstromsignal
von einer Signalquelle 4 auf den invertierten Eingangsanschluß (-) des Eingangsverstärkers 3 über
einen gleichstromabtrennenden Kondensator C2 und einen
Eingangswiderstand Rj gegeben. Außerdem wird ein Rückkopplungssignal
von dem Ausgangsanschluß OUT des Leistungsverstärkers auf den invertierten Eingangsan-
-19-
Schluß (-) des Eingangsverstärkers 3 über eine Rückkopplungsschaltung
gegeben, die aus einer Parallelschaltung eines Widerstands R. mit einem Kondensator
C-, besteht. Bei diesem Inversions-Verstärker ist die
Spannung VDC, die im Ruhestand am Ausgangsanschluß
OUT des Leistungsverstärkers erscheint, gleich der Bezugsspannung V^n, die am nicht-invertierenden Anschluß
(+) des Eingangsverstärkers 3 ansteht. Deshalb kann der Arbeitspunkt des Leistungsverstärkers
leicht auf eine gewünschte Spannung gelegt werden, indem die Bezugsspannung V-^n in geeigneter Weise ausgewählt
wird. Die Rückkopplungsschaltung kann anstelle einer Parallelschaltung von Kondensator und Widerstand
auch eine Diode aufweisen.
Mit dieser Schaltungsanordnung wird während der Ruhezeit kein elektrischer Strom auf die Last L gegeben,
falls ein Ende der Last auf der Bezugsspannung V
gehalten wird und falls das andere Ende der Last mit dem Ausgangsanschluß OUT des LeistungsVerstärkers
verbunden ist. Auf diese Weise wird der Verbrauch elektrischer Energie während der Ruhezeit auf wirksame
Weise verringert. Für den Fall, daß der Verstärkungsfaktor - wie oben erwähnt - bei offener Schleife für
ein Wechselstromsignal groß ist, so ist der Wechselspannungs-Verstärkungsfaktor
des invertierten Verstärkers, der mit einer Rückkopplungsschaltung ausgerüstet
ist, gleich dem Verhältnis des Eingangswiderstands R^ zum Rückkopplungswiderstand R., weshalb
ein gewünschter Verstärkungsfaktor leicht ausgewählt
werden kann.
Die Eigenschaften der Ausgangsverstärkerschaltung werden im folgenden näher beschrieben. In der Aus-
-20-
-?°- 34150A0
gangsverstärkerschaltuftg wirf die Ausgangs spannung
einer Konstantspannungsschaltung auf die Steuerelektrode des zweiten Transistors Tr. gegeben. Die
Transistoren Tr4 und Tr5 bilden zusammen eine
elektrische Strom-'Spiegelschaltung, weshalb sich
die elektrischen Ströme, die durch die Transistoren Tr4 und Tr^ fließen, zueinander proportional verhalten
und eine gute Reproduzierbarkeit aufweisen, wenn die Schaltung in Form einer integrierten Schaltung
aufgebaut wird. Dank dieses Umstands kann ein Gleichstrom, der in dem Transistor Tr4 fließt, d.h.
ein Ruhestrom, leicht durch geeignete Auswahl des Widerstands R2 bestimmt werden, und dementsprechend
ist auch der Schaltungsentwurf einfach.
Die Kombination des Differenzverstärkers 3 mit der Ausgangsverstärkerschaltung 2" hat ein ebenso
breites Anwendungsgebiet wie ein Operationsverstärker. Beispielsweise kann diese Kombination als
ein nicht-invertierender Verstärker dienen, wenn Wechselstromsignale auf den nicht-invertierten Eingangsanschluß
(+) des Eingangsverstärkers 3 gegeben werden. Ferner kann sie als aktives Filter wirken,
wenn der Kondensator C?, der Widerstand R3 und die
Rückkopplungsschaltung des Kondensators C3 und des
Widerstands R4 für diesen Zweck durch ein geeignetes Netzwerk ersetzt werden.
Die Fig.6 zeigt eine Anwendung eines erfindungsgemäßen
Wechselstromleistungsverstärkers bei einer Lautsprechertreiberschaltung. Wie dargestellt, ist
der Verstärker als BLT-Schaltung ausgebildet, die aus
zwei Wechselstromleistungsverstärkern besteht, von denen jeder einen Differenzverstärker 5 oder 6 und
eine Ausgangsverstärkerschaltung 7 oder 8 aufweist. Im einzelnen weist die Lautsprecher-Treiberschaltung
eine erste Verstärkerschaltung mit einem Differenzverstärker 5, einer Ausgangsverstärkerschaltung 7,
einem Kondensator C., mit Widerständen R^, Rg und R-,
einem Eingangsanschluß IN und einem ersten Ausgangsanschluß OUT auf, sowie eine zweite Verstärkerschaltung
mit einem Differenzverstärker 6, einer Ausgangsverstärkerschaltung 8, mit Widerständen R„
und Rg, mit einem Eingangsanschluß, dem ein Ausgangssignal
von der ersten Verstärkerschaltung zugeführt wird, sowie mit einem zweiten Ausgangsanschluß
OUTj auf. Die erste Verstärkerschaltung ist als
nicht-invertierter Verstärker ausgebildet, dessen
Verstärkungsfaktor G durch _~ 7_ bestimmt ist.
R7
Andererseits ist die zweite Verstärkerschaltung als invertierender Verstärker ausgebildet, und die zugehörigen Widerstände RR und Rg sind so ausgewählt, daß sie einander gleich sind, so daß der Verstärkungsfaktor des invertierten Verstärkers gleich -1 sein kann.
Andererseits ist die zweite Verstärkerschaltung als invertierender Verstärker ausgebildet, und die zugehörigen Widerstände RR und Rg sind so ausgewählt, daß sie einander gleich sind, so daß der Verstärkungsfaktor des invertierten Verstärkers gleich -1 sein kann.
Bei dieser Anordnung erscheint ein Spannungssignal am Ausgangsanschluß OUT. G-mal so groß wie ein
Spannungssignal, das auf den Eingangsanschluß IN der
Treiberschaltung gegeben wird, während am Ausgangsanschluß
OUT2 ein Spannungssignal G-mal so groß wie ein
Spannungssignal erscheint, das auf den Eingangsanschluß
IN gegeben wird. Somit kann die erforderliche elektrische Leistung auf einen kleinen dynamischen
Lautsprecher SP gegeben werden, der zwischen den Anschlüssen OUT. und OUT2 liegt.
Die Figuren 7 und 8 zeigen weitere Ausführungsformen,
wobei eine Eingangsverstärkerschaltung als C-MOS-Differenzverstärker
ausgebildet ist. In den Fig. und 8 ist der positive Anschluß der Stromversorgung
mit Vnn bezeichnet, während der negative An-Schluß
der Stromversorgung mit Voc, bezeichnet ist.
ob
Der invertierte Eingangsanschluß des Eingangsverstärkers ist durch das Symbol (*-O gekennzeichnet; dagegen
ist der nicht-invertierte Eingangsanschluß des Eingangsverstärkers durch das Symbol Γ-Γ) gekenn ze ichnet.
Der Ausgangsanschluß der Vorrichtung ist mit OUT bezeichnet.
Die in der Fig.7 gezeigte Einrichtung besteht aus drei Teilen, die mit gestrichelten Linien eingerahmt
sind. Der erste Teil weist einen Gleichstrom-Differenzverstärker 9 auf, der einen "p"-Kanal-MOS-Transistor
Tr,, zwei "p"-Kanal-MOS-Transistoren Tr7 und Trg, die mit zwei Differenz-Eingangsanschlüssen
verbunden sind und zwei "n"-Kanal-MOS-Transistoren Trg und Tr10 enthält, die mit den
zwei Verstärker-Transistoren Tr7 und Tr8 als deren
Lastwiderstände verbunden sind. Der Gleichstrom-Differenzverstärker 9 stellt am Verbindungspunkt
zwischen der Absaugelektrode des Transistors Tr0 und
der Absaugelektrode des Transistors Tr1 ein Ausgangssignal
bereit. Der zweite Teil besteht aus einer Ausgangsverstärkerschaltung 10, die einen ersten
Leistungstransistor Tr11 enthält, d.h. einen großen
"n"-Kanal-MOS-Transistor; sowie einen zweiten Leistungstransistor T^12/ d.h. einen "p"-Kanal-MOS-Transistor,
dessen Kanalbreite ungefähr zweimal so groß ist wie die des ersten Transistors Tr11; sowie
einen Wechselstrom-Koppelkondensator Cx-, einen Widerstand
R11/ der mit einer Schaltung für die Zuführung
der Vorspannung verbunden ist; und einen Rückkopplungskondensator
Cg, der das Auftreten einer höheren Frequenz verhindert.
Der dritte Teil besteht aus einer Konstantspannungsschaltung 11, die einen "p"-Kanal-MOS-Transistor
Tr13 und einen Widerstand R., aufweist. Der Spannungsstabilisierer
gibt eine Vorspannung sowohl auf den Transistor Tr, im Differenzverstärker 9 als auch auf
die- Steuerelektrode des zweiten Transistors Tr-jo ^η
der Ausgangsverstärkerschaltung 10.
Wie in der Fig.8 dargestellt, ist der Leistungsverstärker
der Fig.7 durch das Hinzufügen einer C-MOS-Verstärkerschaltung 12 zwischen dem Ausgang der
Differenzverstärkerschaltung 9 und dem Eingang der Ausgangsverstärkerschaltung 10 modifiziert, wodurch
die Verstärkung der.Einrichtung bei offener Schleife vergrößert wird. Die Verstärkerschaltung 12 besteht
aus einer ersten Inverterschaltung mit einem '^"-Kanal
MOS-Transistor Tr-. und einem zugehörigen Lastwiderstand
in Form eines "p"-Kanal-MOS-Transistor Tr,5
sowie einer zweiten Inverter-Schaltung mit einem "n"-Kanal-MOS-Transistor
Tr.,,- und einem zugehörigen Lastwiderstand
in Form eines "p"-Kanal-MOS-Transistor Tr17, wobei die erste und die zweite Inverterschaltung
direkt miteinander verbunden sind. Die Transistoren Tr15 und Tr17, die als Lastwiderstände verwendet
werden, haben eine im Vergleich zur Breite vergrößerte Kanallänge, weshalb ihre Impedanzen groß genug
sind, um den elektrischen Energieverbrauch auf einen sehr niedrigen Wert zu drücken.
Wie sich aus den obigen Erläuterungen ergibt, besitzt
34150AQ
ein erfindungsgemäßer Wechselstromverstärker einen Dynamikbereich, der in seinem Umfang dem Spannungsbereich der Stromversorgung entspricht. Außerdem
weist er einen erniedrigten Ruhe-Energieverbrauch auf, verglichen mit der verfügbaren Ausgangsleistung.
Außerdem ist es durch die Verwendung eines Differenzverstärkers in der Eingangsstufe eines Wechselstromleistungsverstärkers
möglich, die Gleichstrom-Arbeitspunktspannung wunschgemäß festzulegen (also die Spannung, die am Ausgangsanschluß des Wechselstromverstärkers
im Ruhezustand erscheint). Die Verwendung einer Rückkopplungsschaltung erleichtert zudem
die Auswahl eines Verstärkungsfaktors beim Schaltungsentwurf. Ein erfindungsgemäßer Wechselstromleistungsverstärker
kann entweder als nichtinvertierter oder als invertierten Verstärker ausgebildet
sein, weshalb leicht eine BLT-Schaltung aufgebaut werden kann. Die notwendigen Teile für den Aufbau
eines erfindungsgemäßen Wechselstromleistungs-Verstärkers dind auf MOS-Transistoren, Widerstände
und Kondensatoren beschränkt, weshalb dieser Verstärker leicht in Form einer C-MOS integrierten
Schaltung hergestellt werden kann und somit sehr klein ist. Ein erfindungsgemäßer Wechselstromverstärker
und digitale Schaltungen können auf einfache Weise in hybrider Form als integrierte Schaltung aufgebaut
werden.
Ein erfindungsgemäßer Wechselstromverstärker kann
überdies in vorteilhafter Weise in einer kleinen Einrichtung eingesetzt werden, die mir Batterien bestückt
ist, z.B. in einer zeitsignalisierenden Armbanduhr, in der eine Lautsprecher mit niedriger
Impedanz von einer Batterie mit großem Innenwider-
-25-
widerstand angetrieben wird.
Die Erfindung wurde zwar im Zusammenhang mit bestimmten Ausführungsformen beschrieben, doch versteht
es sich, daß Abwandlungen noch im Rahmen der Erfindung liegen.
Claims (24)
1. Leistungsverstärker, gekennzeichnet durch eine Eingangsverstärkerschaltung (1) und
eine Ausgangsverstärkerschaltung (2), an welche eine Last anschließbar ist, wobei der Ausgang
der Eingangsverstärkerschaltung (1) mit dem Eingang der Ausgangsverstärkerschaltung (2) verbunden
ist und die Ausgangsverstärkerschaltung (2) steuerbare elektronische Elemente aufweist.
2. Leistungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronischen Elemente
Feldeffekttransistoren sind.
-2-
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3. Lelstung$vers1^pk(5ijr-,.äntaiJh.^nsp3ruch 2, dadurch
ge Kennte iohne,,fc >
da:ß, die Feldeffekttransistoren
Metalloxid-Halbleiter Sind (MOS-Transistoren).
4. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der
vorangegangenem Ansprüche/ dadurch gekennzeichnet,
daß zwei komplemeiitärö Transistoren (Tr1, Tr2)
vorgesehen sind. ν ■ >
5. Leistungsverstürksr n^ch Anspruch 4, dadurch
gefrennsfrichyiij,^, daß eine Vorspannungsschaltung (V_)
vorgesehen ist, elie eine feste Vorspannung auf einen der Transistoren C?^) gibt.
6. Leistungsverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der andere Transistor (Tr-)
als Vorspannung die Gleichstromkomponente eines Ausgangssignals der Eingangsverstärkerschaltung
(1) erhält.
7. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorspannungen der Transistoren (Tr1, Tr9) auf
den gleichen und relativ niedrigen Wert gesetzt sind.
8. Leistungsverstärker mit niedrigem Energieverbrauch, dadurch gekennzeichnet, daß er eine
Eingangsverstärkerschaltung (1) für die Verstärkung von Wechselstromsignalen enthält;
daß er ferner eine Ausgangsverstärkerschaltung (2) aufweist, die einen ersten MOS-Transistor (Tr.)
besitzt, dessen Steuer-Elektrode mit dem Ausgangsanschluß der Wechselstromeingangsverstärkerschaltung
(1) verbunden ist;
daß ein zweiter MOS-Transistor (Trn) vorgesehen
ist, dessen Polarität komplementär zur Polarität des ersten MOS-Transistors (Tr1) ist;
daß die Steuerelektrode des zweiten MOS-Transistors (Tr9) über einen Kondensator (C1) mit dem Ausgangsanschluß
der Wechselstromeingangsverstärkerschaltung (1) verbunden ist, wobei die Saugoder
Abzugselektroden des ersten und des zweiten
MOS-Transistors (Tr1, Tr9) miteinander verbunden
sind und einen Ausgangsanschluß (OUT) bereitstellen, wobei die Quellenelektroden des ersten und des
zweiten MOS-Transistors (Tr1, Tr2) mit einer
ersten beziehungsweise einer zweiten Speiseleitung (VDD, v ss) verbunden sind;
und daß eine Vorspannungs-Versorgungsschaltung (V ) vorgesehen ist, welche eine geeignete Gleichstrom-Vorspannung
an die Steuerelektrode des zweiten MOS-Transistors (Tr2) legt.
9. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Eingangsverstärkerschaltung (1) einen Differenzverstärker enthält.
10. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorspannungs-Versorgungsspannungsschaltung aus einer Konstantspannungsschaltung besteht.
11. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Konstantspannungsschaltung aus einer
Stromspiegelschaltung bezüglich des zweiten MOS-Transistors (Tr4) in der Ausgangsverstärker-
Schaltung (2") besteht.
12. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeich net,
daß eine negative Rückkopplungsschaltung (Cn., R.) zwischen dem Ausgangsanschluß der Ausgangsverstärkerschaltung
(2") und dem Eingangsausschluß der Eingangsverstärkerschaltung (3) vorgesehen ist.
13. Leistungsverstärker nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet. daß die negative Rückkopplungsschaltung einen Widerstand (R4) enthält.
14. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Eingangsverstärkerschaltung (1) und die Ausgangsverstärkerschaltung (2) monolithisch aufgebaut
sind.
15. Anwendung des in einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüchen beschriebenen Leistungsverstärkers,
dadurch gekennzeichnet, daß zwei Verstärker (5, 7; 6, 8) vorgesehen sind, die eine
Last (SP) speisen.
16. Anwendung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Leistungsverstärker (5, 7; 6, 8) so
miteinander verbunden sind, daß sie komplementäre Ausgangssignale abgeben.
17. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Steuerelektrode des zweiten Transistors
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(Tr2) an den Verbindungspunkt zwischen dem Kondensator
(C-) und einem Widerstand (R1) angeschlossen
ist, wobei dieser Widerstand an einer Gleichspannungsquelle (V0) liegt.
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18. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ausgangsverstärkerschaltung (2") drei MOS-Transistoren (Tr3, Tr4, Tr5) enthält, von denen die
Steuerelektrode eines MOS-Transistors (Tr1-) über
einen Widerstand (R1) mit der Steuerelektrode eines
anderen MOS-Transistors (Tr4) verbunden ist.
19. Leistungsverstärker nach einen oder mehreren der
vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückkopplung aus der Parallelschaltung eines
Kondensators (C3) m^ einem Widerstand (4) besteht.
20. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Differenzverstärker (9) einen "p"-Kanal-MOS-Transistor (Tr,-) und zwei "p"-Kanal-MOS-Transistoren
(Tr7, Tr8) aufweist, wobei letztere an zwei Differenzanschlüsse
angeschlossen sind, und daß diese Differenzverstärker (9) außerdem mit zwei "n"-Kanal-MOS-Transistoren
(Tr„, Tr1n) versehen ist, die als
Last-Widerstände der verstärkenden Transistoren (Tr7, Tr7) dienen.
21. Leistungsverstärker nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch ,gekennzeichnet,
daß die Konstantspannungsschaltung (11) einen "p"-Kanal-MOS-Transistor (Tr13) un^ einen Widerstand
(R10) enthält.
22. Leistungsverstärker naqh einem oder mehreren der
vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß eine C^MOS-Verst^rkerschaXtung (12) zwischen
den Ausgang des Piffexenzverstärkers (9) und den
Eingang der Ausgangsverstärkerschaltung (10) gelegt ist.
23. Leistungeverstärker, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens zwei über ein Feld steuerbare elektronische Verstärkerelemente (Tr,, Tr~) vorgesehen
sind, die einen gemeinsamen Verbindungspunkt (OUT) aufweisen, an den eine Last (L) anschließbar
ist, und daß diese Verstärkerelemente (Tr1, Tr9) mit Vorspannungen betrieben werden,
die eine minimale Verlustleistung der Verstärkerelemente (Tr1, Tr2) im Ruhezustand bewirken.
24. Leistungsverstärker nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet,
daß die in den Ansprüchen 1 bis 22 erwähnten Merkmale einzeln oder in ihrer Gesamtheit
als Ausgestaltungen vorgesehen sind.
— 7—
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