DE3324968A1 - Verfahren zur bildung einer elektrode eines organischen elements - Google Patents

Verfahren zur bildung einer elektrode eines organischen elements

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Description

Verfahren zur Bildung einer Elektrode eines
organischen Elements
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer Elektrode eines organischen Sekundärelements durch Verwendung eines organischen, elektrizitätsleitenden Materials und insbesondere ein Verfahren zur Verbesse-
25 rung des Haftvermögens eines aus einem Metall bestehenden Dünnfilms an der Elektrodenoberfläche, um die Leistungsfähigkeit einer organischen Elektrode bezüglich der Stromabnahme zu verbessern.
30 Der Ausdruck "organisches Element" bedeutet eine elektrische Zelle, bei der als Elektrode eine organische
Substanz wie z. B. Polyacetylen verwendet wird.
Eine Stromabnahme vor einer organischen Elektrode
35 ist durchgeführt worden, indem die Elektrode mit einem Metalldraht, beispielsweise einem Platindraht, in
B/13
Dresdner Bank iMuncnen) Kto 3939844
B*y*r Vcreinstwnk !München) KIo 50894t
PDstscheck ι Mönchen ι Kto. 670-43-804
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Kontakt gebracht und von dem in Kontakt gebrachten Bereich ein Strom abgenommen wurde. Mit diesem Verfahren kann jedoch kein hoher Wirkungsgrad der Stromabnahme erzielt werden, weil der Kontaktwiderstand bei einer kleinen Kontaktfläche hoch ist. Es ist versucht worden, eine Metallfolie durch Schmelzen unter Anwendung von Wärme mit der Oberfläche einer organischen Elektrode zu verbinden, um die Kontaktfläche zu vergrößern. Bei diesem Vorgang ist jedoch ein relativ langes Erhitzen auf eine hohe Temperatur erforderlich, so daß das organische Material der Elektrode bei dieser Behandlung dazu neigt, sich thermisch zu zersetzen, und infolgedessen wird das Dilemma herbeigeführt, daß man sich entweder füfr einen auf diese Weise möglichen Verlust an Elektrodenmaterial oder für eine Verminderung der gewünschten Verbesserung der Haftfestigkeit entscheiden muß.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Bildung einer Elektrode für ein organisches Element zur Verfügung zu stellen, mit dem die Nachteile der üblichen Verfahren beseitigt werden können und das durch ein neuartiges Verbindungsverfahren für die Herstellung einer sicheren Verbindung zwischen dem organischen, elektrizitätsleitenden Material der Elektrode und dem als Stromabnahmeeinrichtung verwendeten Metall, bei dem keine nachteilige Wirkung auf das organische, elektrizitätsleitende Material hervorgerufen wird,
gekennzeichnet ist.
30
Erfindungsgemäß wird auf der Oberfläche von mindestens einem Teil auf mindestens einer Seite einer aus einem organischen, elektrizitätsleitenden Material hergestellten, blatt- bzw. folienförmigen Elektrode ein aus einem Metall hergestellter Dünnfilm gebildet, und
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zwar bei einer so niedrigen Temperatur, daß keine Möglichkeit besteht, daß eine thermische Zersetzung des organischen Materials verursacht wird, und dann wird an der Grenzfläche zwischen dem aus dem Metall gebildeten Dünnfilm und der Elektrodenfolie durch ein Rückstoßionen-Implantationsverfahren eine Atominterdiffusionsschicht gebildet, wodurch eine sichere Haftung des aus dem Metall bestehenden Dünnfilms an der Elektrodenfolie erzielt wird.
10
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend näher erläutert.
Die organischen Sekundärelemente, bei denen als Elektro- !5 den ein organisches, elektrizitätsleitendes Material verwendet wird, sind bereits bekannt, und infolgedessen ist eine nähere Erläuterung solcher Elemente für sich nicht notwendig.
im Rahmen der Erfindung können als organisches, elektrizitätsleitendes Material, das die Elektrode bildet, verschiedene bekannte Substanzen wie z. B. Polyacetylen, Polyparaphenylen und Polypyrrol eingesetzt werden. Als Material des auf der Elektrode zu bildenden, aus einem Metall bestehenden Dünnfilms wird ein gut elektrizitätsleitendes Material wie z. B. Aluminium, Nickel oder Zinn empfohlen.
Das im Rahmen der Erfindung verwendete, organische Material kann bei einer Temperatur unterhalb von 2000C ohne Risiko verwendet werden, jedoch wurde festgestellt, daß ein solches Material im Fall des Erhitzens bis etwa 300°C vor einer thermischen Zersetzung geschützt bleibt, wenn die Erhitz ..ngsdauer kurz ist. Erfindungsgemäß wird deshalb ein aus Metall bestehender Dünnfilm
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unter einer solchen Temperaturbedingung auf dem organischen, elektrizitätsleitenden Material gebildet.
Zuerst wird auf einem Teil der Oberfläche oder auf der gesamten Oberfläche eines blatt- bzw. folienförmigen, organischen elektrizitätsleitenden Materials mit einer Dicke von im allgemeinen 100 pm oder mehr unter Anwendung der üblichen Vakuumbedampfungs- oder Druckverfahren ein dünner Metallfilm mit einer Dicke von mindestens 2,0 nm gebildet. Wenn ein solcher Film auf einem Teil der Oberfläche des organischen, elektrizitätsleitenden Materials gebildet werden soll, kann der erhaltene, dünne Metallfilm eine kamm- oder maschen- bzw. geflechtartige Gestalt oder die Form von Punkten bzw. Flecken haben oder ein netzartiges Muster mit durch Linien verbundenen Punkten bilden. Für die Bildung eines Metallfilms mit solchen Formen ist ein Fotoresistverfahren, wie es im allgemeinen für die Herstellung von gedruckten Schaltungen angewandt wird, am besten geeignet.
Für die Vakuumbedampfung wird im Rahmen der Erfindung üblicherweise ein Elektronenstrahlverfahren oder ein Widerstandsheizverfahren angewandt. Im Fall des Elektro- ^5 nenstrahlVerfahrens wird eine aus einem organischen, elektrizitätsleitenden Material hergestellte Elektrode in ein Vakuumsystem hineingebracht, und dann wird das System bis zu einem Vakuumgrad von nicht weniger als 13 nbar evakuiert. Unter dieser Bedingung wird
nach einem üblichen Elektronenstrahlverfahren bei Raumtemperatur (25°C) auf der erwähnten Elektrode eine gewünschte Metallschicht abgeschieden. Dieses Verfahren ist nicht mit der Anwendung einer hohen Temperatur, die eine Zersetzung des Elektrodenmaterials verursachen könnte, verbunden.
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Bei aet?. Druckverfahren wird eine Elektrode durch Siebdruck bzw. Schablonendruck gebildet, wobei im allgemeinen eine Silberpaste verwendet wird. Im einzelnen wird eine Silberpaste unter Anwendung eines Siebes δ mit einer Maschenweite von 150 /urr. bis 53 μτη (100 bis 300 mesh) bei Raumtemperatur unter Bildung eines gewünschten Musters aufgedruckt und dann zur Bildung eines Metallfilms für eine Dauer bis zu 30 min auf eine Temperatur von 150° bis 3000C erhitzt. Mit dem Druckverfahren können im allgemeinen dünne Metallfilme gebildet werden, deren Dicke in dem Bereich von etwa 2 pm bis etwa 100 ^m liegt, so daß ein solches Druckverfahren in einigen Fällen gegenüber dem Vakuumbedampfungsverfahren, das hinsichtlich der erzielbaren
!5 Filmdicke bestimmten Einschränkungen unterliegt, bevorzugt wird.
Dann wird der erhaltene, dünne Metallfilm einer Eückstoßionen-Implantation unterzogen, um eine sichere Verbindung des Films mit dem organischen Material der Elektrode zu erzielen. Durch diese Rückstoßionen-Implantation wird an der Grenzfläche zwischen dem dünnen Metallfilm und dem organischen Material eine Atominterdiffusionsschicht bzw. eine durch Interdiffusion von Atomen hergestellte Schicht gebildet. Diese Diffusionsschicht führt nicht nur zu der erforderlichen Haftfestigkeit, sondern hat auch die Wirkung einer Verminderung des elektrischen Widerstandes.
Zu den Ionen, die bei einem solchen Rückstoßionen-Implantationsverfahren angewandt werden können, gehören Xe+-, Kr+- und Ar+-Ionen. Solche Ionen, beispielsweise Ar -Ionen, werden in den aus einem Metall wie z. B. Aluminium bestehenden Dünnfilm hineingetrieben, und die Metall-(Al-)Atome werden unter Ausnutzung
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der sicn ergebenden kinetischen Energie, die erzeugt wird, zur Diffusion in das organische, elektrizitätsleitende Material veranlaßt. Dieser Implantationsvorgang kann bei einem Vakuumgrad unterhalb von 1,3 nbar und einer Beschleunigungsspannung unterhalb von 20 MeV durchgeführt werden, und die Ionenimplantationsdichte kann in geeigneter Weise den Bedürfnissen entsprechend verändert werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand einer Ausführungsform näher erläutert.
Beispiel
Auf einer aus einer Polyacetylenfolie bestehenden Elektrode wurde nach einem Elektronenstrahlverfahren unter einem Vakuum von 66,7 nbar und bei Raumtemperatur (25 C) eine Aluminiuir.schicht mit einer Dicke von 1,0 pm gebildet. Diese Schicht wurde dann nach einem Rückstoßionen-Implantationsverfahren unter den folgenden Bedingungen einer Ionenimplantation durch Xe+-Ionen unterzogen: Vakuum von nicht mehr als 1,3 nbar; Beschleunigungsspannung von 1,5 MeV; Implantationsdichte von 25
1 χ 10 cm und Raumtemperatur (25 C). Die erhaltene Diffusionsschicht hatte eine Dicke von 12,0 nm. Als Ergebnis wurde eine bedeutende Verminderung des elektrischen Widerstandes erzielt. Das heißt, daß die anfängliche spezifische Leitfähigkeit des Elektrodenmaterials,
die 2,5 χ 10 J2 .cm" betrug, schließlich auf
3 /ι -1 -1
1,1 χ 10 Sc .cm angestiegen war.

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    15 1. Verfahren zur Bildung einer Elektrode aus einem organischen, elektrizitätsleitenden Material für die Verwendung in einem organischen Element, dadurch gekennzeichnet, daß ein Dünnfilm aus einem Metall auf der Oberfläche von mindestens einem Teil mindestens
    20 einer Seite der in Blatt- bzw. Folienform vorliegenden Elektrode bei einer solchen Temperatur gebildet wird, daß in dem organischen Material keine thermische Zersetzung auftritt und daß dann an der Grenzfläche zwischen dem Dühnfilm und der Elektrode durch ein Rückstoß-
    25 ionen-Implantationsverfahren eine Atominterdiffusionsschicht gebildet wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische, elektrizitätsleitende Material
    30 Polyacetylen, Polyparaphenylen oder Polypyrrol ist.
    3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall, das den Dünnfilm bildet, Aluminium, Nickel oder Zinn ist.
    B/13
    Dresdner Bank !München) KIo. 3939844
    Btytr Vereiiubank (München Klo £06941
    PostKheck (München) KIo. 670-43-804
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    4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dünnfilrr. so gestaltet ist, daß er nicht die gesamte Oberfläche der aus dem organischen Material bestehenden Elektrode bedeckt.
    5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der aus einem Metall bestehende Dünnfilm eine kamm- oder maschen- bzw. geflechtartige Gestalt oder die Form von Punkten bzw. Flecken hat oder ein netzartiges Muster mit durch Linien verbundenen Punkten bildet.
    6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der aus einem Metall bestehende Dünnfilm durch ein Vakuumaufdampf- oder ein Druckverfahren gebildet wird.
    7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der aus einem Metall bestehende Dünnfilm bei einer Temperatur unterhalb von 200°C gebildet wird.
    8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der aus einem Metall bestehende Dünnfilm unter einem Vakuum von 66,7 nbar bei Raumtemperatur durch ein Elektronenstrahlverfahren auf einer Polyacetylenfolie gebildet wird.
    9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich-
    net, daß die Rückstoßionen-Implantation unter Anwendung
    von Xe+-Ionen unter den folgenden Bedingungen durchgeführt wird: Vakuum von nicht mehr als 1,3 nbar, Beschleunigungsspannung von 1,5 MeV, Implantationsdichte von
    1 χ 10 cm" und Raumtemperatur.
    35
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0169312A1 (de) * 1984-07-23 1986-01-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Abscheidung von Metallen als Zwischenschichten innerhalb von Filmen organischer Polymere

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644765B2 (ja) * 1987-09-09 1997-08-25 株式会社リコー 蓄電池用正極
JP2610026B2 (ja) * 1987-10-02 1997-05-14 株式会社リコー 電池用電極
CA2051611C (fr) * 1991-09-17 1996-01-23 Michel Gauthier Procede de preparation d'ensembles collecteurs-electrodes pour generateurs de films minces, ensembles collecteurs- electrodes et generateurs obtenus
CA2051614C (fr) * 1991-09-17 1996-01-23 Michel Gauthier Collecteurs de courant pour generateurs electrochimiques securitaires, procedes de preparation et generateurs obtenus
US5260095A (en) * 1992-08-21 1993-11-09 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of liquid monomers
JP4240961B2 (ja) * 2002-09-04 2009-03-18 チッソ株式会社 改質された導電性ポリマーフイルム及びその製造方法
CN100367546C (zh) * 2005-04-05 2008-02-06 河南科技大学 锡基氧化物薄膜阳极的制备方法
FR2948127B1 (fr) * 2009-07-17 2011-11-25 Quertech Ingenierie Procede d'incrustation par un faisceau d'ions d'une couche metallique deposee sur un substrat

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152491A (en) * 1978-06-26 1979-05-01 Exxon Research & Engineering Co. Cells having cathodes containing carbon monosulfide polymer cathode-active materials

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152491A (en) * 1978-06-26 1979-05-01 Exxon Research & Engineering Co. Cells having cathodes containing carbon monosulfide polymer cathode-active materials

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0169312A1 (de) * 1984-07-23 1986-01-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Abscheidung von Metallen als Zwischenschichten innerhalb von Filmen organischer Polymere

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