DE3318828A1 - Verfahren zum aufbonden von targetmaterial auf kathodenbasen zur verwendung bei beschichtungsverfahren mittels kathodenzerstaeubung - Google Patents
Verfahren zum aufbonden von targetmaterial auf kathodenbasen zur verwendung bei beschichtungsverfahren mittels kathodenzerstaeubungInfo
- Publication number
- DE3318828A1 DE3318828A1 DE19833318828 DE3318828A DE3318828A1 DE 3318828 A1 DE3318828 A1 DE 3318828A1 DE 19833318828 DE19833318828 DE 19833318828 DE 3318828 A DE3318828 A DE 3318828A DE 3318828 A1 DE3318828 A1 DE 3318828A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- target material
- cathode
- adhesion promoter
- spraying
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Description
-
- VERFAHREN ZUM AUFBONDEN VON TARGETMATARIAL AUF
- KATHODENBASEN ZUR VERWENDUNG BEI BESCHICHTUNGS-VERFAHREN MITTELS KATHODENZERSTÄUBUNG Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial-auf eine rechteckige im wesentlichen ebene Fläche von Kathodenbasen zur Verwendung bei Beschichtungsverfahren mittels Kathodenzerstäubung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- In den letzten Jahren hat die Vakuumbeschichtung mittels Kathodenzerstäubung als Beschichtungsverfahren für eine Reihe von Werkstoffen zunehmende Bedeutung gewonnen.
- Insbesondere können großflächige Glasscheiben (bis zu 3,18 x 6,00 m) auf diese Weise mit Sonnenschutz-, Wärmeschutz-, elektrisch leitenden und spiegelnden Schichten belegt werden.
- Bei der Kathodenzerstäubung wird das zu beschichtende Material als Targetmaterial auf Kathodenbasen aufgebondet, von denen es während des Beschichtungsverfahrens mit Hilfe einer Gasentladung bei Unterdruck zerstäubt wird. Das zerstäubte Targetmaterial kondensiert anschließend auf der zu beschichtenden Oberfläche des Werkstoffes, beispielsweise der Glasscheibe.
- Im Falle einer großflächigen Beschichtung bestehen die Kathodenbasen aus Rechteck-Rohren oder aus-Platten (mit im wesentlichen ebener Fläche), die zur Kühlung mit Kühlmitteln in Berührung gebracht sind. Dieses Kühlmittel kann beispielsweise im Inneren des Rechteck-Rohrs strömen. Beim Beschichten wird während des Zerstäubens eine Relativbewegung zwischen der Kathode, die durch die mit dem Targetmaterial versehene Kathodenbasis gebildet ist, und dem zu beschichtenden Werkstoff erreicht. In der Praxis wird entweder die Kathode oder der Werkstoff bewegt. Die Kathode muß dabei den zu beschichtenden Werkstoff senkrecht zur Bewegungsrichtung überdecken. Bei einem solchen Zerstäubungsverfahren wird mehr als 90% der zugeführten elektrischen Energie im Target in Wärme umgesetzt. Deshalb ist es wesentlich, daß das Targetmaterial guten thermischen Kontakt zur Kathodenbasis besitzt, damit es durch die Kühlung vor Überhitzung geschützt werden kann Wird das Targetmaterial mittels Verbundguß auf die Kathodenbasis aufgebracht, kommt es zu thermischen Spannungen zwischen Kathodenbasis und dem Targetmaterial was zu Rißbildung im Target und damit sehr häufig zu einem Ablösen des Targetmaterials von der Kathodenbasis führt. Wird das Target auf die Kathodenbasis aufgelötet, so ist der Erfolg als sehr unsicher anzusehen.
- Wegen der großen Targetfläche ist es nämlich nicht möglich eine vollkommene Flächenhaftung zwischen dem Targetmaterial und der Kathodenbasis zu erreichen. Somit können lokale Erhitzungen des Targetmaterials und Ablösungen auftreten. Wird das Targetmaterial auf die Kathodenbasis aufgepratzt, ist der thermische Kontakt ebenfalls meist ungenügend.
- Diese Verfahren zum Aufbringen des Targetmaterials auf die Kathodenbasis führen somit zu ungleichmäßigen Beschichtungen und damit zu Ausschuß Es ist Aufgabe'der Erfindung ein Verfahren zum Aufbonden des Targetmaterials auf eine Kathodenbasis anzugeben, mittels dem eine sichere Haftung-erreicht werden kann.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Targetmaterial mittels eines Flammspritzverfahrens, wie thermisches Spritzen, Plasmaspritzen, Lichtbogen- spritzen, aufgebracht wird.
- Vorteilhaft dabei ist unter anderem, daß das Targetmaterial dem Erosionsprofil während des Zerstäubungsverfahrens angepaßt werden kann. Bei allen Kathodenanordnungen erfolgt nämlich die Erosion infolge ionenoptischer Effekte nicht gleichmäßig über die gesamte Targetfläche sondern linienförmig längs der längeren Kathodenbasenkanten. Durch das Flammspritzverfahren ist es auf einfache Weise möglich, das Targetmaterial dort verdickt oder verstärkt aufzubringen, wo es bei der Zerstäubung bevorzugt abgetragen wird.
- Das Flammspritzverfahrenkann jedoch zu schlecht haftenden Targetbelägen führen, die während des Zerstäubungsverfahrens explosionsartig absprühen oder abspringen. Zur Überwindung dieses Problems wird vor dem Flammspritzen des Targetmaterials eine Schicht eines Haftvermittlers auf die aufgerauhte Fläche galvanisch oder durch Flammspritzen aufgebracht. Auf diese Weise wird die Heftung des Targetbelages erheblich verbessert, so daß ein explosionsartiges Absprühen oder Abspringen von Target vermieden wird.
- Die Erfindung wird durch die Merkmale der Unteransprüche weitergebildet. Insbesondere führt eine thermische Nachbehandlung zu einer Verringerung der Porösität des Targetbelags.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird das rechteckige Kathodenbasisrohr oder die rechteckige Kathodenbasisplatte zunächst durch Sandstrahlen aufgerauht und gereinigt. Nach dieser bei allen Bondtechniken üblichen Vorbereitung wird auf die gesandstrahlte Fläche ein Haftvermittler mittels eines galvansijchen Verfahrens oder mittels eines Flammspritzverfahrens aufgebracht. Beispielsweise ist Nickel ein geeigneter galvanisch aufbringbarer Haftvermittler. Mittels Flammspritzens kann eine Nickel/Aluminium-Legierung aufgesprüht werden.
- Vorzugsweise ist die Haftvermittlerschicht etwa 10 bis 100 jun dick. Auf den Haftvermittler wird nun ebenfalls mittels eines Flammspritzverfahrens das Targetmaterial, vorteilhaft entsprechend dem Erosionsprofil, aufgespritzt. Zum Flammspritzen können alle an sich üblichen Flammspritzverfahren verwendet werden wie thermisches Spritzen, Plasmaspritzen, Lichtbogenspritzen.
- Die Kathodenbasis mit dem Haftvermittler und mit dem aufgespritzten Targetmaterial wird dann thermisch nachbehandelt, und zwar unter Schutzgas- Atmosphäre gesintert und gegebenenfalls reduziert.
- Die Erfindung wird anhand des folgenden Beispiels näher erläutert: In der erläuterten Weise konnten erfolgreich Wismut-und Wismut/Mangan-Legierungstargets hergestellt werden, wobei im Fall der Legierung dem Wismutpulver bis zu o,6 Gewichtsprozent Mangan, vorzugsweise 0,3 bis 0,6 Gewichtsprozent Mangan, beigefügt waren. Der Targetbelag wurde auf eine Kathodenbasis, bestehend aus einem Rechteck-Rohr mit den Abmessungen 30 x 80 x 3400 mm, einseitig auf einer der beiden breiten Seitenflächen auf gebracht. Zuvor wurde das gesamte Kathodenbasis-Rohr mit Korund gesandstrahlt und wurde ferner durch Flammspritzen auf die gewählte breite Seitenfläche eine 50 bis 10p um dicke Haftvermittlerschicht, bestehend aus einer Nickel/ Alumium-Legierung niedergeschlagen. Nach dem Auftrag dieser Haftvermittlerschicht wurde mit einer handelsüblichen Pulverspritzpistole das Wismut- bzw. Wismut/Mangan-Pulver bis zu einer Dicke etwa 4 mm entsprechend dem Erosionsprofil des Targets aufgespritzt.
- Diese so vorbereitete beschichtete Kathodenbasis wurde dann in einem Muffelofen zwei Stunden lang bei 400 OC unter Wasserstoff-Atmosphäre getempert und anschließend während 48 Stunden langsam abgekühlt.
- Die so hergestellten Wismut- und Wismut/Mangan-Legierungs-Kathoden zeigten während des Zerstäubungsverfahrens kein explosionsartiges Sprühen. Metallurgische Untersuchungen ergaben ferner, daß durch die Temperung das aufgespritzte Pulver sintert und reduziert wird und außerdem zwischen dem Haftvermittler und dem Targetmaterial eine Legierungsbildung erfolgt.
- Anhand der Figuren 1 und 2 wird die Verwendung einer Kathode bei der Zerstäubung erläutert.
- Es zeigen Fig. 1 schematisch eine Kathode mit einer Targetschicht gleichmäßiger Dicke, Fig. 2 eine Kathode mit an das Erosionsprofil angepaßter Dicke des Targetbelages.
- Fig. 1 zeigt im Schnitt eine gegenüber einem nicht dargestellten zu beschichtenden Werkstoff offene wannenartige Anordnung, in deren Innenbereich eine Rechteckrohr-Kathodenbasis 1 aufgenommen ist. In dem Innenraum 2 der Kathodenbasis 1 strömt ein Kühlmittel. Auf der frei liegenden breiten Seitenfläche 3 der Kathodenbasis 1 befindet sich ein Target 4. Die die Kathodenbasis 1 mit dem Target 4 aufnehmende Wanne bildet eine elektrische Abschirmung 5. Zwischen der Abschirmung 5 und der Kathodenbasis 1 ist elektrisch ein Setzgerät 6 geschaltet, derart, daß eine Gleichspannung von bis zu 5 kV zwischen der Kathodenbasis 1 und der Abschirmung 5 liegt. Das Target 4 ist erfindungsgemäß gebildet und besteht aus einer sehr dünnen Haftvermittlerschicht 7 auf der Seitenfläche 3 der Kathodenbasis 1 und einer darauf aufgebrachten Schicht8 desTargetmaterials. Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 ist die Schichtdicke gleichmäßig.
- Zur Beschichtung großer Flächen ist es vorteilhaft, wenn das Targetmaterial entsprechend einem Erosionsprofil aufgetragen ist, d.h. über die Breitenerstreckung der Seite 3 der Kathodenbasis 1 einen profilierten Verlauf hat, wie er in Fig. 2 dargestellt ist.
- In dem Bereich, in dem bevorzugt abgetragen wird, nämlich dem Kantenbereich der Seitenfläche 3, ist die Schichtdicke des Targetmaterials vergleichsweise groß gegenüber der Schichtdicke in der Mitte der Seitenfläche 3.
- - Leerseite -
Claims (8)
- ANSPRÜCHE Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial auf eine rechteckige im wesentlichen ebene Fläche von Kathodenbasen zur Verwendung beiBeschichtungsverfahren mittels Kathodenzerstäubung, bei dem die Fläche aufgerauht wird und das Targetmaterial auf die Fläche fest aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Targetmaterial mittels eines Flammspritzverfahrens, wie thermisches Spritzen, Plasmaspritzen, Lichtbogenspritzen, aufgebracht wird.
- 2 Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Flammspritzen des Targetmaterials eine Schicht eines Haftvermittlers auf die aufgerauhte Fläche galvanisch oder durch Flammspritzen aufgebracht wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenbasis mit dem Targetmaterial und gegebenenfalls dem Haftvermittler thermisch nachbehandelt, insbesondere unter Schutzgas-Atmosphäre gesintert und verdichtet wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei der thermischen Nachbehandlung langsam abgekühlt wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Targetmaterial entsprechend dem Erosionsprofil beim Zerstäubungsverfahren aufgespritzt wird.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Haftvermittler durch Schichten aus Aluminium, Nickel, Chrom und/oder Zink sowie Legierungen dieser Metalle gebildet ist.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalle mit Titan, Mangan, Silizium, Eisen, Molybdän, Wolfram, Kohlenstoff, Zinn und/oder Kobalt jeweils bis zu 5% dotiert sind.
- 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftvermittlerschicht etwa 10 bis 100 tim dick ist.Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Targetmaterial durch Wismut oder einertismut/Mangan-Legierungmit bis zu 0,6 Gewichtsprozent Mangan gebildet ist, daß die Haftvermittlerschicht aus Nickel oder einer Nickel/Aluminium-Legierung besteht, daß nach dem Aufbringen des Targetmaterials auf die Haftvermittlerschicht die so gebildete Kathodenbasis bei 400 OC unter Wasserstoff-Atmosphäre zwei Stunden lang gesintert und verdichtet wird und dann in 48 Stunden langsam abgekühlt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833318828 DE3318828C2 (de) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833318828 DE3318828C2 (de) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3318828A1 true DE3318828A1 (de) | 1984-11-29 |
DE3318828C2 DE3318828C2 (de) | 1986-01-02 |
Family
ID=6199751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833318828 Expired DE3318828C2 (de) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3318828C2 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0291945A2 (de) * | 1987-05-20 | 1988-11-23 | DEMETRON Gesellschaft für Elektronik-Werkstoffe m.b.H. | Sputtertarget zur Erzeugung optisch transparenter Schichten und Verfahren zur Herstellung dieser Targets |
EP0623415A1 (de) * | 1993-04-02 | 1994-11-09 | Ppg Industries, Inc. | Verfahren zum Herstellen von Silizium enthaltenden Kathoden-Targets |
EP0960955A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Universiteit Gent | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Spritzen eines zähen Überzugs |
WO2001042522A2 (en) * | 1999-12-03 | 2001-06-14 | N.V. Bekaert S.A. | Sputtering target and methods of making same |
WO2002027057A2 (en) * | 2000-09-25 | 2002-04-04 | Cardinal Cg Company | Sputtering target and method of making same |
EP1350861A1 (de) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | Alloys for Technical Applications S.A. | Verfahren zur Herstellung und Regeneration von Sputtertargets |
US7563488B2 (en) * | 2001-08-13 | 2009-07-21 | Nv Bekaert Sa | Process for the manufacturing of a sputter target |
US8137518B2 (en) | 2007-11-29 | 2012-03-20 | W.C. Heraeus Gmbh | Magnetic shunts in tubular targets |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19958424C2 (de) * | 1999-12-03 | 2002-05-29 | Zentrum Fuer Material Und Umwe | Zerstäubungstarget für die Dünnbeschichtung großflächiger Substrate und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102009022877B4 (de) * | 2009-04-29 | 2014-12-24 | Rogers Germany Gmbh | Gekühlte elektrische Baueinheit |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1106667B (de) * | 1958-05-20 | 1961-05-10 | Sonoco Products Co | Papierform zum Giessen von Betonsaeulen |
DE1293515B (de) * | 1963-06-26 | 1969-04-24 | Pevar Maxwell | Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von insbesondere durch Metallspritzen auf ein Grundmetall aufgebrachten Metallschichten |
US3441816A (en) * | 1967-04-05 | 1969-04-29 | Federal Pacific Electric Co | Multisection power factor correction capacitor |
DE1295954B (de) * | 1964-01-10 | 1969-05-22 | Metco Inc | Verfahren und Vorrichtung zum Plasmaspritzen |
-
1983
- 1983-05-24 DE DE19833318828 patent/DE3318828C2/de not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1106667B (de) * | 1958-05-20 | 1961-05-10 | Sonoco Products Co | Papierform zum Giessen von Betonsaeulen |
DE1293515B (de) * | 1963-06-26 | 1969-04-24 | Pevar Maxwell | Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von insbesondere durch Metallspritzen auf ein Grundmetall aufgebrachten Metallschichten |
DE1295954B (de) * | 1964-01-10 | 1969-05-22 | Metco Inc | Verfahren und Vorrichtung zum Plasmaspritzen |
US3441816A (en) * | 1967-04-05 | 1969-04-29 | Federal Pacific Electric Co | Multisection power factor correction capacitor |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0291945A2 (de) * | 1987-05-20 | 1988-11-23 | DEMETRON Gesellschaft für Elektronik-Werkstoffe m.b.H. | Sputtertarget zur Erzeugung optisch transparenter Schichten und Verfahren zur Herstellung dieser Targets |
EP0291945A3 (en) * | 1987-05-20 | 1990-05-16 | Demetron Gesellschaft Fur Elektronik-Werkstoffe M.B.H. | Sputtertarget for obtaining optically transparent layers, and method to produce it |
EP0623415A1 (de) * | 1993-04-02 | 1994-11-09 | Ppg Industries, Inc. | Verfahren zum Herstellen von Silizium enthaltenden Kathoden-Targets |
EP0960955A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Universiteit Gent | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Spritzen eines zähen Überzugs |
WO2001042522A3 (en) * | 1999-12-03 | 2002-05-02 | Bekaert Sa Nv | Sputtering target and methods of making same |
WO2001042522A2 (en) * | 1999-12-03 | 2001-06-14 | N.V. Bekaert S.A. | Sputtering target and methods of making same |
US6787003B2 (en) | 1999-12-03 | 2004-09-07 | N.V. Bekaert S.A. | Sputtering target and methods of making and using same |
WO2002027057A2 (en) * | 2000-09-25 | 2002-04-04 | Cardinal Cg Company | Sputtering target and method of making same |
WO2002027057A3 (en) * | 2000-09-25 | 2002-06-20 | Cardinal Cg Co | Sputtering target and method of making same |
US7563488B2 (en) * | 2001-08-13 | 2009-07-21 | Nv Bekaert Sa | Process for the manufacturing of a sputter target |
EP1350861A1 (de) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | Alloys for Technical Applications S.A. | Verfahren zur Herstellung und Regeneration von Sputtertargets |
BE1014736A5 (fr) * | 2002-03-29 | 2004-03-02 | Alloys For Technical Applic S | Procede de fabrication et de recharge de cibles pour pulverisation cathodique. |
US8137518B2 (en) | 2007-11-29 | 2012-03-20 | W.C. Heraeus Gmbh | Magnetic shunts in tubular targets |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3318828C2 (de) | 1986-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0024355B1 (de) | Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kühlteller für Aufstäubanlagen | |
DE102004060423B4 (de) | Rohrtarget und dessen Verwendung | |
EP0034408B2 (de) | Verfahren zur Bildung einer korrosionsbeständigen Beschichtung auf einem Metallelektrodesubstrat | |
DE19518781C1 (de) | Vakuumbeschichteter Verbundkörper und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3318828A1 (de) | Verfahren zum aufbonden von targetmaterial auf kathodenbasen zur verwendung bei beschichtungsverfahren mittels kathodenzerstaeubung | |
EP0165565A2 (de) | Vakuum-Plasma-Beschichtungsanlage | |
DE2610993A1 (de) | Roentgenanode und verfahren zu ihrer herstellung. | |
DE102013221102A1 (de) | Stahlkolben für eine Brennkraftmaschine und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3047252A1 (de) | Verfahren zum vakuumdichten abdichten einer metalloberflaeche mit einer glasoberflaeche oder glas-keramik-oberflaeche | |
EP0432090A2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung und Werkstück beschichtet nach dem Verfahren | |
DE1802932B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Schaltkontaktes | |
DE3247268C1 (de) | Zum Verringern von Stoerungen durch Sekundaerelektronenemission dienende Beschichtung fuer einen Hochfrequenzleiter und Verfahren zum Herstellen einer solchen Beschichtung | |
DE3601439C1 (de) | Schichtverbundwerkstoff,insbesondere fuer Gleit- und Reibelemente,sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2263013A1 (de) | Verfahren zum verbinden von titan oder tantal mit kupfer oder eisen | |
DE1916292C3 (de) | Verfahren zum Beschichten von Niob mit Kupfer | |
WO2012113426A1 (de) | Verfahren zum fügen eines bauteils aus einem kohlefaserverstärkten verbundwerkstoff mit einem bauteil aus einem metall und verbindungsanordnung solcher bauteile | |
DE19628102A1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Beschichtungskammer und zumindest einer Quellenkammer | |
EP0302552A2 (de) | Drehanode für Röntgenröhren | |
EP0187258B1 (de) | Röntgenbildverstärker | |
EP0770712A2 (de) | Material mit einer organischen Beschichtung, die einen elektrolytisch polymerisierten, Chrom-enthaltenden Film aufweist und Methode | |
EP2448709A1 (de) | Verfahren zum verkleiden eines bauteils mit einer durch kaltspritzen verschlossenen selbst tragenden verkleidung | |
EP0571796B1 (de) | Oberflächenschutzschicht sowie Verfahren zur Herstellung derselben | |
EP0627496A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Metallsubstraten, insbesondere Stahl- oder Aluminiumblechen in Bandform | |
DE10240160A1 (de) | Korrosionsgeschütztes Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE19958424C2 (de) | Zerstäubungstarget für die Dünnbeschichtung großflächiger Substrate und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8330 | Complete disclaimer |