DE3308389C2 - - Google Patents

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DE3308389C2
DE3308389C2 DE19833308389 DE3308389A DE3308389C2 DE 3308389 C2 DE3308389 C2 DE 3308389C2 DE 19833308389 DE19833308389 DE 19833308389 DE 3308389 A DE3308389 A DE 3308389A DE 3308389 C2 DE3308389 C2 DE 3308389C2
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DE
Germany
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semiconductor device
insulating container
wall
gate
thyristor
Prior art date
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DE19833308389
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German (de)
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Other versions
DE3308389A1 (de
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Yuzuru Itami Hyogo Jp Konishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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    • H10W72/851—
    • H10W72/30—
    • H10W76/138—
    • H10W72/073—
    • H10W72/07337—
    • H10W72/07533—
    • H10W72/522—
    • H10W72/5363—
    • H10W72/5524—

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  • Die Bonding (AREA)
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JP57038904A JPS58154239A (ja) 1982-03-09 1982-03-09 半導体装置

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DE3308389A1 DE3308389A1 (de) 1983-11-17
DE3308389C2 true DE3308389C2 (enExample) 1989-01-05

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JPS58154239A (ja) 1983-09-13
JPS6332255B2 (enExample) 1988-06-29
DE3308389A1 (de) 1983-11-17

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