DE3237912C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3237912C2
DE3237912C2 DE3237912A DE3237912A DE3237912C2 DE 3237912 C2 DE3237912 C2 DE 3237912C2 DE 3237912 A DE3237912 A DE 3237912A DE 3237912 A DE3237912 A DE 3237912A DE 3237912 C2 DE3237912 C2 DE 3237912C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wire
heat flow
flow sensor
thermoelectric heat
sensor according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE3237912A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3237912A1 (de
Inventor
Jochen 3200 Hildesheim De Deicke
Eberhard Dipl.-Ing. 3000 Hannover De Kammeyer
Alfred Prof. Dr.-Ing. 3002 Wedemark De Muehlbauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
VEREINIGUNG ZUR FOERDERUNG DES INSTITUTS FUER ELEK
Original Assignee
Eberhard Dipl.-Ing. 3000 Hannover De Kammeyer
Alfred Prof. Dr.-Ing. 3002 Wedemark De Muehlbauer
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eberhard Dipl.-Ing. 3000 Hannover De Kammeyer, Alfred Prof. Dr.-Ing. 3002 Wedemark De Muehlbauer filed Critical Eberhard Dipl.-Ing. 3000 Hannover De Kammeyer
Priority to DE19823237912 priority Critical patent/DE3237912A1/de
Publication of DE3237912A1 publication Critical patent/DE3237912A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3237912C2 publication Critical patent/DE3237912C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K17/00Measuring quantity of heat
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K3/00Thermometers giving results other than momentary value of temperature
    • G01K3/02Thermometers giving results other than momentary value of temperature giving means values; giving integrated values
    • G01K3/06Thermometers giving results other than momentary value of temperature giving means values; giving integrated values in respect of space
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/854Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising only metals

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen thermoelektrischen Wärmestromsensor nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Wärmeströme, z. B. durch Trennwände, lassen sich vorteilhaft mit thermoelektrischen Wärmestromsensoren folienartiger Bauform messen. Dabei müssen derartige Wärmestromsensoren im allgemeinen einen guten thermischen Kontakt mit der zu messenden Trennwand besitzen, was z. B. durch Aufkleben, Andrücken oder Einbetten erfolgen kann.
Ein beispielsweise aus "Arch. Wärmewirtschaft", 1924, Seite 9 (E. Schmidt: Die Messung von Wärmeverlusten im Betriebe) bekannter thermoelektrischer Wärmestromsensor 1 wird gemäß Fig. 1 der Zeichnung durch eine auch als Hilfswand bezeichnete wärmeleitende Trägerschicht sowie durch beidseitig auf dieser aufgebrachte Thermoelemente 4a und 4b zur Messung der Temperaturdifferenz zwischen einer Vorderseite 5 und einer Rückwand 6 der Trägerschicht bzw. Hilfswand gebildet. Die Thermoelemente 4a und 4b sind in Differentialanordnung thermisch parallel und elektrisch in Serie geschaltet. Eine feuchtigkeitsundurchlässige Beschichtung, z. B. beidseitig überlappend geklebte Schutzfolien 7a und 7b, bildet einen äußeren Abschluß. Der thermoelektrische Wärmestromsensor ist dabei, wie bereits ausgeführt, an einer zu messenden Trennwand 2 angebracht.
Der im allgemeinen kalibrierte Wärmestromsensor liefert eine Meßspannung als Meßgröße eines ihn durchfließenden Wärmestromes, der in Fig. 1 durch einen mit q bezeichneten Pfeil angedeutet ist. Da ein einziges Differentialthermoelement nur eine sehr geringe Meßspannung liefert, ist es günstig, möglichst viele (z. B. einige 100) solcher Differentialthermoelemente in Serie anzuordnen, um eine ausreichend hohe Meßspannung zu erhalten und diese mit einem relativ einfachen und daher billigen, im übrigen leicht zu handhabenden und leicht zu transportierenden Meßgerät messen zu können.
Ein weiterer thermoelektrischer Wärmestromsensor mit ebenfalls nur einem einzigen Differentialthermoelement ist aus der US-PS 47 79 994 bekannt. Dieser Sensor ist durch Aufdampfen bzw. Epitaxie mehrerer Schichten auf ein festes Substrat gebildet. Hinsichtlich der Größe der von diesem Sensor abgegebenen Meßspannung gelten die vorstehenden Ausführungen entsprechend.
Zur Herstellung einer Vielzahl von in Serie geschalteten Differentialthermoelementen kann in vorteilhafter Weise ein galvanisches Verfahren zur Herstellung lötkopffreier Thermoelemente verwendet werden, wie es aus einer Arbeit von W. L. Lustig und J. S. Kammerer: Folien-Wärmestrom- Messer für technische und physiologische Untersuchungen in "Ges.-Ing.", 76 (1955), Seiten 289 bis 293 bekanntgeworden ist.
Bei diesem Verfahren werden die einzelnen Thermoelemente nicht durch Kontaktieren zweier verschiedener, im folgenden mit A und B bezeichneten Thermomaterialien, sondern durch teilweisen galvanischen Auftrag des Materials B auf das Material A hergestellt, wobei die so entstandene Materialkombination im folgenden mit BA bezeichnet wird. Bei richtiger Auswahl und Dimensionierung hinsichtlich des spezifischen elektrischen Widerstandes und des Querschnittes beider Thermomaterialien A und B erreichen die thermoelektrischen Eigenschaften des Materials BA nahezu die des Materials B. Als Material A kann beispielsweise Constantan und als Material B beispielsweise Kupfer Verwendung finden.
Zur Herstellung der Vielzahl von in Serie geschalteten Diifferentialthermoelementen mit Hilfe des vorstehend genannten Verfahrens sind zwei Herstellungsschritte erforderlich, die im folgenden an Hand von Fig. 2 der Zeichnung erläutert werden:
Gemäß Fig. 2 ist eine mäanderförmig eingeschnittene Trägerschicht bzw. eine Hilfswand 3 vorgesehen, bei der durch die mäanderförmigen Einschnitte Stege 8 entstehen.
Im ersten der beiden vorgenannten Herstellungsschritte wird das Material A so auf die Trägerschicht bzw. die Hilfswand 3 aufgebracht, daß es in Leiterrichtung abwechselnd die Vorder- und Rückseite der Trägerschicht bzw. Hilfswand tangiert. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, daß die Stege 8 der Trägerschicht bzw. Hilfswand 3 mit Material A in Form eines Flachdrahtes 9 umwickelt werden.
Im zweiten Herstellungsschritt muß das Material A auf der Vorder- und Rückseite der Trägerschicht bzw. Hilfswand 3 partiell so mit Schutzlack 10 gegen unerwünschten galvanischen Auftrag des Materials B geschützt werden, daß nach dem Galvanisieren in Leiterrichtung abwechselnd durchgehende Leiterstücke aus Material A und solche aus Material BA von der Vorder- zur Rückseite der Hilfswand entstehen. Übergänge 11 zwischen Material A und Material BA müssen dabei eindeutig auf der Vorder- oder Rückseite der Trägerschicht bzw. der Hilfswand liegen.
Bisher wurde im ersten Herstellungsschritt eine Wickeltechnik angewandt, d. h., auf einen flachen oder zylindrischen Träger (der später die Funktion der Trägerschicht bzw. Hilfswand übernimmt) wurde ein Flach- oder Runddraht auf Thermomaterial gewickelt.
Eine solche Wickeltechnik hat den Nachteil, daß es mechanisch schwierig und aufwendig ist, bei einer flachen Trägerschicht bzw. Hilfswand 3 eine hohe Thermoelementdichte zu erzielen.
Wird gemäß Fig. 3 ein zylindrischer Träger 12 verwendet, so ergibt sich der Nachteil, daß die Dicke der Trägerschicht bzw. Hilfswand, zu der der zylindrische Träger 12 in die Form einer archimedischen Spirale 13 gebracht wird, größer als beim flachen Träger gemäß Fig. 2 wird. Dies ist meßtechnisch ungünstig.
Darüber hinaus ergeben sich bei der Wickeltechnik für beide Trägerformen nach den Fig. 2 und 3 Nachteile für die galvanische Behandlung. Da der aufzuwickelnde Draht aus Thermomaterial einen hohen spezifischen Widerstand haben soll, um ihn abschnittsweise durch galvanischen Auftrag eines anderen Thermomaterials thermoelektrisch verändern zu können, müssen Stromzuführungen beim Galvanisieren in kurzen räumlichen Abständen angebracht werden, was bei durchgehend gewickelten Wärmestromsensoren im Sinne der Fig. 2 und 3 zu erhöhtem Aufwand führt.
Schließlich ist noch aus der DE-OS 17 73 155 eine Serienschaltung von Thermoelementen bekannt, die in der dargestellten Konfiguration jedoch keine Messung eines Wärmestromes, sondern nur eine Temperaturmessung ermöglichen. Ein Gewebe, in das die Zuführungsleitungen zu den Thermoelementen eingewebt sind, dient demnach lediglich der elektrischen Isolation und mechanischen Stabilität, jedoch nicht als wärmeleitende Trägerschicht. Die Thermoelemente selbst liegen außerhalb des Gewebes.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen thermoelektrischen Wärmestromsensor der eingangs angegebenen Art mit hoher Thermoelementdichte, meßtechnisch günstiger Form der Trägerschicht bzw. Hilfswand und einer einfachen Möglichkeit der galvanischen Behandlung zu schaffen.
Diese Aufgabe wird bei einem thermoelektrischen Wärmestromsensor der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Patentanspruchs 1 gelöst.
Ein Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Wärmestromsensors der vorstehend definierten Art ist in Ausgestaltung des Erfindungsgedankens durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Patentanspruchs 18 gekennzeichnet.
Weiterbildungen sowohl hinsichtlich des erfindungsgemäßen Wärmestromsensors als auch des Verfahrens zu seiner Herstellung sind in entsprechenden Unteransprüchen gekennzeichnet.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden an Hand von Fig. 4 näher erläutert. Fig. 4 zeigt dabei eine Aufsicht eines thermoelektrischen Wärmestromsensors in schematischer Darstellung (ohne äußere Schutzfolie):
Gemäß Fig. 4 wird eine Trägerschicht bzw. eine Hilfswand durch eine Vielzahl von parallelen dünnen Streifen 14 gebildet. Es kann sich dabei beispielsweise um beidseitig angeätzte PTFE-Streifen handeln. Diese Streifen 14 bilden im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Ketten eines Gewebes. Die Streifen werden mit Thermomaterial A in Form eines dünnen Drahtes 15 verwebt, wobei der Draht 15 im vorliegenden Ausführungsbeispiel den Schuß im Gewebe bildet.
Es ist darauf hinzuweisen, daß Kette und Schuß im Gewebe auch vertauscht werden können, d. h., die Streifen 14 können den Schuß und der Draht 15 die Kette bilden.
Durch die Verwebung verläuft das Material A für die Thermoelemente in Form des Drahtes 15 abwechselnd an einer Vorderseite 5 und an einer Rückseite der Trägerschicht bzw. Hilfswand 6.
Der Draht 15 kann dabei sowohl als Flachdraht in Form eines Bandleiters als auch als Runddraht in Form eines zylindrischen Leiters ausgebildet sein. Als Material für diesen Draht kann Constantan (CUNi) oder NiCR Verwendung finden.
Um Thermoelemente zu erhalten, wird das vorstehend erläuterte Gewebe aus Streifen 14 der Trägerschicht bzw. Hilfswand und des die Materialkomponente A der Thermoelemente bildenden Drahtes 15 in vorgegebenen Bereichen, vorzugsweise beidseitig kongruent und abschnittsweise, durch eine Abdeckung 16, etwa in Form von Klebestreifen oder Photolack, abgedeckt. Anschließend wird Thermomaterial B, vorzugsweise durch galvanische Abscheidung, aufgebracht, wodurch in den nicht von den Abdeckungen 16 bedeckten, freigebliebenen Bereichen Thermomaterial BA entsteht.
Dadurch, daß der Leiter 15 aus Thermomaterial A beim Webvorgang nach jedem Schuß abwechselnd nach links und nach rechts führt, entstehen wie beabsichtigt Differentialthermoelemente, die elektrisch in Serie geschaltet sind. Es wird dabei eine hohe Thermoelementdichte von z. B. 1000 Differenzialthermoelementen pro 150 cm² Sensorfläche erreicht.
Beim Galvanisieren der in Webtechnik hergestellten Wärmestromsensoren kann die Stromzuführung vorteilhaft mit einer einzigen am Rand des Sensors angebrachten Stromklemme 17 erfolgen.
Kernstück eines Wärmestromsensors ist also ein aus vorzugsweise beidseitig angeätzten PTFE- Streifen 14 (Kette) und Flach- oder Runddraht 15 (Con­ stantan oder NiCr) gebildetes Gewebe bzw. eine gewebte Folie, die beispielsweise eine Fläche von 100 · 150 mm² besitzt. Die Streifen 14 haben vorzugsweise eine Dicke von 0,2 mm und eine Breite von 5 mm, während der Draht 15 bei Ausbildung als Flachdraht eine Dicke von 0,07 mm und eine Breite von 1 mm besitzt. Diese gewebte Folie wird mit den Abdeckungen 16 gemäß dem in Fig. 4 dargestellten Muster in einer Folge Klebstreifen-Lücke-Klebstreifen- usw. beidseitig kongruent gegen unerwünschte galvanische Abscheidung geschützt und mit der Stromklemme 17 kontaktiert. Sodann erfolgt bei Verwendung von Kupfer als Thermomaterial B eine galvanische Abscheidung für ca. 10 min, wobei auf den nicht mit den Abdeckungen 16 versehenen freigebliebenen Bereichen des Gewebes 14, 15 eine Kupferschicht von etwa 10 bis 50 µm entsteht. Diese Kupferschichten sind aus Übersichtlichkeitsgründen in Fig. 4 nicht dargestellt.
Nach Entfernung der Abdeckungen 16 wird das Gewebe bzw. die Folie beidseitig mit einer ebenfalls nicht dargestellten, 5 mm überlappenden Außenhaut aus PTFE-Folie von 0,1 mm Dicke versehen. Dies erfolgt beispielsweise durch Verkleben mit Zwei-Komponenten-Epoxidharz in einer beheizten Preßform.

Claims (18)

1. Thermoelektrischer Wärmestromsensor mit einer wärmeleitenden Trägerschicht und mit beidseitig auf der Trägerschicht aufgebrachten Thermoelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschicht durch eine Vielzahl von Streifen (14) eines wärmeleitenden, elektrisch isolierenden Stoffes gebildet ist, daß als eine erste Materialkomponente der Thermoelemente ein Draht (15) dient, der mit den die Trägerschicht bildenden Streifen (14) verwoben ist, daß eine zweite Materialkomponente der Thermoelemente, die niederohmiger als die erste Materialkomponente ist, den die erste Materialkomponente bildenden Draht (15) abschnittsweise überdeckt, wobei die Grenzen der Abschnitte so festgelegt sind, daß abwechselnd überdeckte und nicht überdeckte Drahtabschnitte im Drahtverlauf entstehen, die sich stets von der Vorderseite (5) zur Rückseite (6) der Streifen (14) und umgekehrt erstrecken, derart daß Übergänge zwischen den überdeckten und den nicht überdeckten Drahtabschnitten jeweils eindeutig auf der Vorderseite (5) oder der Rückseite (6) der Streifen (14) liegen.
2. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen (14) aus beidseitig angeätztem PTFE bestehen.
3. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen (14) eine Dicke von 0,2 mm und eine Breite von 5 mm besitzen.
4. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht (15) als Flachdraht ausgebildet ist.
5. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Flachdraht (15) eine Dicke von 0,07 mm und eine Breite von 1 mm besitzt.
6. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht (15) als Runddraht ausgebildet ist.
7. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht (15) aus Constantan (CuNi) oder aus Nickelchrom (NiCr) besteht.
8. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen (14) die Ketten und der Draht (15) den Schuß eines Gewebes bilden.
9. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen (14) den Schuß und der Draht (15) die Ketten eines Gewebes bilden.
10. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Materialkomponente Kupfer ist.
11. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die überdeckten Drahtabschnitte eine Schichtdicke von etwa 10 bis 50 µm der zweiten Materialkomponente tragen.
12. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewebe eine Abmessung von 100 · 150 mm² besitzt.
13. Thermoelektrischer Wärmestromsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Thermoelemente thermisch parallel und elektrisch in Serie geschaltet sind.
14. Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Wärmestromsensors nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst Streifen (14) der Trägerschicht und der Draht (15) der ersten Materialkomponente miteinander verwoben werden, daß anschließend Bereiche auf beiden Seiten des entstandenen Gewebes zur Herstellung von nicht mit einer zweiten Materialkomponente überdeckten Drahtabschnitten mit jeweils einer Abdeckung (16) versehen werden und daß anschließend die zweite Materialkomponente auf die verbleibenden Drahtabschnitte aufgebracht wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewebe in den vorgegebenden Bereichen beidseitig kongruent mit Klebestreifen (16) oder Fotolack abgedeckt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Materialkomponente galvanisch abgeschieden wird.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Kupfer als zweiter Materialkomponente eine galvanische Abscheidung für etwa 10 Minuten erfolgt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebestreifen (16) nach dem Aufbringen der Materialkomponente entfernt und sodann beidseitig eine etwa 5 mm überlappende Außenhaut aus PTFE-Folie von 0,1 mm Dicke, vorzugsweise durch Verkleben mit einem 2-Komponenten-Epoxidharz in einer beheizten Preßform versehen wird.
DE19823237912 1982-10-13 1982-10-13 Thermoelektrischer waermestomsensor sowie verfahren zu seiner herstellung Granted DE3237912A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823237912 DE3237912A1 (de) 1982-10-13 1982-10-13 Thermoelektrischer waermestomsensor sowie verfahren zu seiner herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823237912 DE3237912A1 (de) 1982-10-13 1982-10-13 Thermoelektrischer waermestomsensor sowie verfahren zu seiner herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3237912A1 DE3237912A1 (de) 1984-04-19
DE3237912C2 true DE3237912C2 (de) 1992-11-26

Family

ID=6175596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823237912 Granted DE3237912A1 (de) 1982-10-13 1982-10-13 Thermoelektrischer waermestomsensor sowie verfahren zu seiner herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3237912A1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2598803B1 (fr) * 1986-05-16 1988-09-02 Anvar Dispositif pour mesurer l'intensite d'un flux radiatif
DE19516480C1 (de) * 1995-05-05 1996-09-05 Inst Physikalische Hochtech Ev Mikrosensor zur Bestimmung von Wärmestromdichten und Wärmedurchgangszahlen
DE20005266U1 (de) * 2000-03-22 2001-05-10 Bruch & Cie S A R Presspolster sowie Heizplattenpresse mit solchen Presspolstern
FR2817617A1 (fr) * 2000-12-01 2002-06-07 Edouard Serras Procede de fabrication de convertisseurs thermo-electriques
EP1717566A1 (de) * 2005-04-25 2006-11-02 Mettler-Toledo AG Thermoanalytischer Sensor
CN102719867A (zh) * 2012-06-28 2012-10-10 华南理工大学 一种在工件表面加工测温热电偶的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1773155A1 (de) * 1968-04-08 1971-11-18 Pauschmann Holm Dipl Chem Dr Serienschaltung von Mikro-Thermo-Elementen
US4779994A (en) * 1987-10-15 1988-10-25 Virginia Polytechnic Institute And State University Heat flux gage

Also Published As

Publication number Publication date
DE3237912A1 (de) 1984-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60029264T2 (de) Verfahren zur Herstellung von mehreren oberflächenmontierten Widerständen und oberflächenmontierter Widerstand
DE2450594C2 (de) Thermodruckkopf
DE19953162B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Thermistor-Chips
DE3916311A1 (de) Mehrfach-thermoelementfuehler
DE3505296A1 (de) Elektrische heizvorrichtung
CH413018A (de) Thermoelektrischer Generator
DE4310288A1 (de) Metall-Widerstand
DE1589480B2 (de) Leiterplatte für Halbleiteranordnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0046975A2 (de) Elektrisches Netzwerk und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3237912C2 (de)
DE4030401C2 (de)
DE4036109A1 (de) Widerstandstemperaturfuehler
EP0017982B1 (de) Dehnungsmessstreifen und Herstellungsverfahren
DE2438984C3 (de) Kontaktvorrichtung an einer Folie eines Flächenheizleiters
DE2247279A1 (de) Verfahren zur kontaktierung und/oder verdrahtung von elektrischen bauelementen
DE19953161A1 (de) NTC-Thermistoren und NTC-Thermistorchips
DE3142949C2 (de)
DE102006043092A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
WO1992013352A1 (de) Chipwiderstand und chip-leiterbahnbrücke
DE3020466A1 (de) Sammelschiene mit mindestens einem paar langgestreckter, zueinander parallel gefuehrter leiter und verfahren zur herstellung einer solchen sammelschiene
DE3106850C2 (de) Kondensatordurchführung
DE1573374C3 (de) Folienwärmestrommesser für die Messung von Lokalwerten der Wärmeübergangszahlen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1490975B2 (de) Widerstandsheizelement
DE3421963C2 (de)
DE2349434C3 (de) Anordnung zum Detektieren elektromagnetischer Strahlung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: VEREINIGUNG ZUR FOERDERUNG DES INSTITUTS FUER ELEK

8339 Ceased/non-payment of the annual fee