DE3230910C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3230910C2 DE3230910C2 DE19823230910 DE3230910A DE3230910C2 DE 3230910 C2 DE3230910 C2 DE 3230910C2 DE 19823230910 DE19823230910 DE 19823230910 DE 3230910 A DE3230910 A DE 3230910A DE 3230910 C2 DE3230910 C2 DE 3230910C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- bridge branch
- auxiliary
- mosfet
- voltage
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08142—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Control Of Direct Current Motors (AREA)
- Keying Circuit Devices (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Schalter für eine
induktive Komponente aufweisende Last mit den Merkmalen:
- a) mindestens ein Brückenzweig mit mindestens zwei in Reihe geschalteten, invers betriebenen Leistungs-MOSFET;
- b) der Brückenzweig hat zwei äußere Klemmen und einen zwischen zweien der MOSFET liegenden inneren Abgriff;
- c) die Last liegt zwischen innerem Abgriff und wahlweise einer der äußeren Klemmen.
Ein solcher Schalter ist z. B. in der Zeitschrift "Elektronik"
1980, Heft 24, Seiten 91 bis 94 beschrieben worden.
Bei diesem Schalter werden die beiden Leistungs-MOSFET
des Brückenzweiges invers zueinander geschaltet,
d. h., wenn der eine MOSFET eingeschaltet wird, wird der
andere ausgeschaltet. Die Leistungs-MOSFET weisen eine in
Rückwärtsrichtung gepolte Diode auf, die im Fall einer
induktiven Last in denjenigen Betriebsphasen, in denen
der Versorgungsbatterie keine Leistung entnommen wird,
den Selbstinduktionsstrom (Freilaufstrom) führt. Die Kommutierung
stellt zunächst für den einzuschaltenden Leistungs-MOSFET
eine kritische Phase dar, da der Strom
schon ansteigt, während die am MOSFET liegende Spannung
zunächst nur unwesentlich absinkt. Dies führt zu hohen
Einschaltverlusten.
Beim Umkommutieren des Stroms vom einen Leistungs-MOSFET
auf den anderen Leistungs-MOSFET tritt nun beim zu sperrenden
MOSFET zusätzlich ein Problem auf, das durch die
rückwärts leitende Diode verursacht wird. Die rückwärts
leitende Diode (Inversdiode) wird durch die Basis-Kollektorstrecke
eines parasitären Bipolartransistors gebildet.
Beim Kommutieren des Stroms vom abzuschaltenden auf den
einzuschaltenden MOSFET kann ein Teil des Rückstroms
durch die Kollektor-Basisstrecke des Bipolartransistors
des abzuschaltenden MOSFET fließen. Damit kann der Bipolartransistor
eingeschaltet werden. Liegt dann gleichzeitig
Spannung am abzuschaltenden MOSFET, kann dieser zerstört
werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die beim Einschalten
und Umkommutieren auftretenden Belastungen an
den Leistungs-MOSFET einen Schalters der eingangs beschriebenen
Gattung so zu verringern, daß eine Zerstörung
der Leistungs-MOSFET vermieden wird.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale:
- d) dem Brückenzweig ist eine Entlastungsdrossel in Reihe geschaltet;
- e) dem Brückenzweig ist ein Hilfskreis parallelgeschaltet;
- f) der Hilfskreis besteht aus einer Hilfsspannungsquelle und einer Diode;
- g) die Diode ist so gepolt, daß der Hilfsstrom die MOSFET in Vorwärtsrichtung durchfließt;
- h) die Hilfsspannung (V H ) ist kleiner als die am Schalter liegende Spannung (V B ) und ist so bemessen, daß ist, wobei die Größe L H die parasitäre Induktivität des Hilfskreises ist.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird an Hand einiger Ausführungsbeispiele
in Verbindung mit den Fig. 1 bis 6 näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 ein prinzipielles Schaltbild zur Erläuterung der
der Erfindung zugrunde liegenden Probleme und der
Erfindung,
Fig. 2 den Spannungs- und Stromverlauf an den Leistungs-MOSFET
bei einem Schalter herkömmlicher Art,
Fig. 3 den Spannungs- und Stromverlauf an den Leistungs-MOSFET
eines Schalters gemäß der Erfindung und
Fig. 4 bis 6 drei verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung.
Die Anordnung nach Fig. 1 weist zwei Leistungs-MOSFET
Tr₁ und Tr₂ auf, im folgenden nur MOSFET genannt. Diese
MOSFET sind in Reihe geschaltet und bilden, eventuell unter
Berücksichtigung einer Leistungsinduktivität, einen
Brückenzweig eines Schalters. Dieser Brückenzweig hat
zwei äußere Klemmen A, B und einen inneren Abgriff M. An
die äußere Klemme A und an die innere Klemme M ist eine
Last geschaltet. Sie besteht aus einer induktiven Komponente
L L und einer ohmschen Komponente R L . In Reihe mit
dem Brückenzweig liegt eine Entlastungsdrossel L E , die
von der Reihenschaltung aus einer Diode und einer Zenerdiode
überbrückt ist.
Die Verwendung und Wirkung einer
solchen Entlastungsdrossel ist z. B. aus der Zeitschrift
"etz", Band 100 (1979), Heft 13, Seiten 664 bis 670 bekannt.
An die Klemmen A und B ist eine Hilfsschaltung angelegt,
die aus einer Spannungsquelle mit der Hilfsspannung
V H und einer Diode D₂ besteht. Die Hilfsschaltung
hat eine nicht zu vernachlässigende Leistungsinduktivität
L H , die gestrichelt dargestellt ist.
Zur Erläuterung der Erfindung sei angenommen, daß die
Last einen mittleren Freilaufstrom I führt, der durch die
Inversdiode von Tr₁ fließt. Diese Inversdiode ist durch
die Kollektor-Basisstrecke des parasitären Bipolartransistors
T gebildet und mit einer Kapazität C CB behaftet.
Wird nun der MOSFET Tr₁ abgeschaltet und der MOSFET Tr₂
eingeschaltet, so ändern sich die Ströme zunächst nicht,
da der Strom I durch die Inversdiode von Tr₁ weiterfließt
und der Strom i wegen der Entlastungsdrossel L E nicht
sprunghaft ansteigen kann. Die an den Inverter liegende
Spannung u fällt jedoch wegen des Einschaltens des MOSFET
Tr₂ abrupt ab und erreicht zur Zeit t₁ (Fig. 2) einen
Wert nahe Null. Der Strom I geht hierbei ausgehend von
negativen Werten gemäß di/dt = V B /L E gegen Null, kehrt
dann seine Richtung um und fließt dann in Vorwärtsrichtung
durch den MOSFET Tr₁. Er teilt sich dabei in den
Strom i₁ und i₂ auf, wobei i₂ · R BE eine Steuerspannung
U BE für den Bipolartransistor T darstellt. Wird U BE größer
als die Basis-Emitter-Schwellspannung, wird der Transistor
T leitend. Mit dem Abbau der in der Kollektor-Basiskapazität
C CB gespeicherten Ladungsträger steigt die
Spannung u an den MOSFET steil an (t₂ in Fig. 2). Diese
Spannung liegt auch am Bipolartransistor T an. Fließt nun
Kollektorstrom durch den Transistor T, kann die Verlustleistung
so hoch werden, daß der MOSFET Tr₁ zerstört werden
kann.
Gemäß der Erfindung wird nun der aus der Spannungsquelle
V H′ einer eventuellen Leitungsinduktivität L H und der
Diode D₂ bestehende Hilfskreis dem Brückenzweig parallelgeschaltet.
Damit kann die Spannung am Brückenzweig,
d. h. zwischen den Klemmen A und B, nicht in die Nähe von
Null fallen, sondern wird auf Höhe der Spannung V H festgehalten.
Dies ist in Fig. 4 veranschaulicht, in der oben
der Verlauf der Spannung u und unten der Verlauf des
Stroms i₂ aufgetragen ist. Es ist zu erkennen, daß die
Spannung u zum Zeitpunkt t₄ die Hilfsspannung V H erreicht
und dort zunächst festgehalten wird. Dabei fließt ein
Strom i H aus der Hilfsschaltung über die Diode D₂ zur
Klemme A. Der Strom i H bewirkt ab dem Zeitpunkt t₄ ein
starkes Ansteigen des Stroms i nach Null und zu positiven
Werten. Der Stromanstieg ist dabei durchV H /L H bestimmt.
Es ist ersichtlich, daß der das Ausräumen der Inversdiode
des MOSFET Tr₁ bewirkende Strom i₂ höher ist als ohne die
Hilfsschaltung, so daß die in der Inversdiode gespeicherten
Ladungsträger (Q CB ) beschleunigt ausgeräumt werden.
Zu einem Zeitpunkt t₆, in dem die Spannung an der Klemme
A noch die Größe V H hat, wird der Strom i₂ gleich Null,
d. h., daß die Ladungsträger ausgeräumt sind und der parasitäre
Bipolartransistor nun ausgeschaltet ist. Daran
schließt sich die Freiwerdezeit t q der Diode D₂ an . Während
der Dauer der Freiwerdezeit ist der Strom i₂ immer
noch Null, das Potential an der Klemme A wird jedoch auf
der Höhe V H festgehalten. Die Spannung am Brückenzweig
steigt erst am Ende der Freiwerdezeit zum Zeitpunkt t₇
wieder auf die Spannung u an. Das du/dt des Spannungsanstiegs
wird durch die Entlastungsdrossel L E bestimmt. Da
der MOSFET Tr₁ nun nicht mehr von Strom durchflossen ist,
kann der parasitäre Bipolartransistor nicht einschalten
und eine Zerstörung des MOSFET wird vermieden.
In Fig. 4 ist ein einfacher Inverter mit einem einzigen
Brückenzweig und den MOSFET Tr₁ und Tr₂ dargestellt, bei
dem die Last zwischen dem Mittelabgriff und einem künstlichen
Nullpunkt, gebildet aus zwei Kondensatoren, angeschaltet
ist. Die Hilfsschaltung wirkt für beide MOSFET,
da diese bezüglich der Hilfsschaltung in Reihe geschaltet
und vom gleichen Strom durchflossen sind.
In Fig. 5 ist ein Schalter mit zwei Brückenzweigen, eine
Vollwegbrücke, dargestellt. Die beiden Brückenzweige weisen
wiederum je zwei Leistungs-MOSFET auf, die stark vereinfacht
dargestellt sind. Die Last besteht z. B. aus einem
Gleichstrommotor L, der zwischen die Mittelabgriffe
der Brückenzweige geschaltet ist. Die Hilfsschaltung
wirkt hier analog der Anordnung nach Fig. 5 für alle vier
MOSFET.
Eine entsprechende Erweiterung auf einen Dreiphasen-Steller
ist in Fig. 6 dargestellt. Dieser besteht aus drei
Brückenzweigen, an deren Mittelabgriffen eine dreiphasige
Last L, z. B. ein Drehstrommotor, angeschlossen ist. Die
Entlastungsschaltung wirkt hier entsprechend auf sämtliche
sechs Leistungs-MOSFET.
Voraussetzung für die Wirksamkeit der Hilfsschaltung ist,
daß der durch die Hilfsschaltung verursachte Stromanstieg
di/dt größer ist als der durch die Entlastungsdrossel L E
alleine bewirkte Stromanstieg di/dt. Da der Stromanstieg
eines induktiven Kreises gleich dem Quotienten aus
der anliegenden Spannung und der Induktivität des Kreises
ist, muß die Bedingung
erfüllt sein. Daraus resultiert, daß die Hilfsspannung
sein muß. Sie kann z. B. 5 bis 10mal größer sein. Die
Hilfsspannung kann, wie dargestellt, von einer Batterie
geliefert werden. Es kann aber auch ein Kondensator zur
Verwendung kommen, der über einen Widerstand an einer
Spannungsquelle liegt.
Claims (7)
1. Schalter für eine induktive Komponente aufweisende
Last, mit den Merkmalen:
- a) mindestens ein Brückenzweig mit mindestens zwei in Reihe geschalteten, invers betriebenen Leistungs-MOSFET (Tr₁, Tr₂);
- b) der Brückenzweig hat zwei äußere Klemmen (A, B) und einen zwischen zweien der MOSFET liegenden inneren Abgriff (M);
- c) die Last (L L , R L ) liegt zwischen innerem Abgriff und wahlweise einer der äußeren Klemmen;
gekennzeichnet durch die Merkmale:
- d) dem Brückenzweig ist eine Entlastungsdrossel (L E ) in Reihe geschaltet;
- e) dem Brückenzweig ist ein Hilfskreis parallelgeschaltet;
- f) der Hilfskreis besteht aus einer Hilfsspannungsquelle (V H ) und einer Diode (D₂);
- g) die Diode ist so gepolt, daß der Hilfsstrom die MOSFET in Vorwärtsrichtung durchfließt;
- h) die Hilfsspannung (V H ) ist kleiner als die am Schalter liegende Spannung (V B ) und ist so bemessen, daß ist, wobei die Größe L H die parasitäre Induktivität des Hilfskreises ist.
2. Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Hilfsspannung (V H )
5 bis 10mal größer als die Größe
ist.
3. Schalter nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet
durch die Merkmale:
- a) es ist ein zweiter Brückenzweig mit in Reihe geschalteten, invers betriebenen Leistungs-MOSFET vorgesehen;
- b) der zweite Brückenzweig ist dem ersten parallelgeschaltet und hat einen inneren Abgriff;
- c) die Last liegt zwischen den inneren Abgriffen des ersten und des zweiten Brückenzweiges.
4. Schalter nach Anspruch 3, gekennzeichnet
durch die Merkmale:
- a) den beiden Brückenzweigen ist ein dritter Brückenzweig mit einem inneren Abgriff parallelgeschaltet;
- b) die Last ist eine dreiphasige Last und ist über ihre drei Klemmen mit jeweils einem der inneren Abgriffe der Brücken verbunden.
5. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die
Hilfsspannungsquelle eine Batterie ist.
6. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die
Hilfsspannungsquelle ein Kondensator ist, der über einen
Widerstand an einer Spannungsquelle liegt.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823230910 DE3230910A1 (de) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | Schalter mit leistungs-mosfet |
JP15011883A JPS5951417A (ja) | 1982-08-19 | 1983-08-17 | 誘導負荷用スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823230910 DE3230910A1 (de) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | Schalter mit leistungs-mosfet |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3230910A1 DE3230910A1 (de) | 1984-02-23 |
DE3230910C2 true DE3230910C2 (de) | 1987-09-24 |
Family
ID=6171250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823230910 Granted DE3230910A1 (de) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | Schalter mit leistungs-mosfet |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5951417A (de) |
DE (1) | DE3230910A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4007564A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Siemens Ag | Leistungsverstaerker zur speisung induktiver lasten mit mos-feldeffekttransistoren |
DE4430078A1 (de) * | 1994-08-25 | 1995-02-02 | Manfred Prof Dr Ing Gekeler | Schaltungsanordnung zur Vermeidung von Schaltverlusten eines Zweigpaares eines selbstgeführten Stromrichters mit eingeprägter Zwischenkreisgleichspannung |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4720638A (en) * | 1986-07-31 | 1988-01-19 | Briggs & Stratton Corporation | Electronically commutated coaxial starter motor/alternator for an internal combustion engine |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4016482A (en) * | 1975-10-31 | 1977-04-05 | International Business Machines Corporation | Pulse energy suppression network |
-
1982
- 1982-08-19 DE DE19823230910 patent/DE3230910A1/de active Granted
-
1983
- 1983-08-17 JP JP15011883A patent/JPS5951417A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4007564A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Siemens Ag | Leistungsverstaerker zur speisung induktiver lasten mit mos-feldeffekttransistoren |
DE4430078A1 (de) * | 1994-08-25 | 1995-02-02 | Manfred Prof Dr Ing Gekeler | Schaltungsanordnung zur Vermeidung von Schaltverlusten eines Zweigpaares eines selbstgeführten Stromrichters mit eingeprägter Zwischenkreisgleichspannung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3230910A1 (de) | 1984-02-23 |
JPS5951417A (ja) | 1984-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3743436C1 (de) | Schaltentlasteter,verlustarmer Dreipunktwechselrichter | |
EP0108283B1 (de) | Elektronischer Schalter | |
DE10014641C2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem bidirektionalen Leistungsschalter in Common Kollektor Mode und mit einer aktiven Überspannungsschutzvorrichtung | |
DE10005449A1 (de) | Überspannungsschutzvorrichtung für einen Matrixumrichter | |
EP3556000A1 (de) | Modul für modularen mehrpunktumrichter mit kurzschliesser und kondensatorstrombegrenzung | |
DE3244623A1 (de) | Beschaltung fuer elektronische zweigpaare in antiparallelschaltung | |
DE3230910C2 (de) | ||
DE3743437C1 (en) | Low-loss, three-point invertor which is relieved of switching loads | |
DE2716367C2 (de) | Schutzbeschaltung für im Wechselschaltbetrieb gegen induktive Last arbeitende Transistoren | |
DE2724741B2 (de) | Schutzbeschaltung für jeweils ein Stromrichterventil | |
DE3835869C2 (de) | ||
DE19726765C2 (de) | Gatespannungsbegrenzung für eine Schaltungsanordnung | |
DE19648948C1 (de) | Wechselrichter mit Bremssteller | |
DE2855425C2 (de) | ||
DE102020207668A1 (de) | Dämpfungsschaltung und stromrichter | |
DE10253980B4 (de) | Vorrichtung zur Begrenzung des Einschaltstromes | |
DE4042378C2 (de) | ||
DE3815471C2 (de) | Verlustarme Beschaltung an mindestens einem abschaltbaren Ventil | |
DE3513239A1 (de) | Beschaltungsnetzwerk zur rueckfuehrung der beschaltungsenergie fuer halbleiterschalter (z.b. gto-thyristoren, leistungsthyristoren) | |
DE3527675A1 (de) | Daempfungsschaltung fuer rberschwingungen (rbersnubber) | |
DE3524522A1 (de) | Rueckspeisende beschaltung fuer elektronische zweigpaare in antiparallelschaltung | |
DE3430308A1 (de) | Stromrichter | |
CH631843A5 (en) | DC chopper controller | |
DE4209214C2 (de) | Anordnung zur Begrenzung von Überspannungen | |
DE2759294C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |