DE3214481A1 - Laser des te-typs, insbesondere hochenergielaser - Google Patents

Laser des te-typs, insbesondere hochenergielaser

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DE3214481A1 DE19823214481 DE3214481A DE3214481A1 DE 3214481 A1 DE3214481 A1 DE 3214481A1 DE 19823214481 DE19823214481 DE 19823214481 DE 3214481 A DE3214481 A DE 3214481A DE 3214481 A1 DE3214481 A1 DE 3214481A1
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Description

  • Reinschrift der BeschreibUnt Xnd PUtehtanspruche
  • Laser des TE-Typs, insbesondere Hochenergielaser Die Erfindung bezieht sich auf einen Laser des TE-Typs, insbesondere einen Hochenergielaser, so wie im Oberbegriff des Anspruchs 1 definiert und in der älteren Anmeldung P 31 36 447.0 vom 14.09.1981 beschrieben, zu der sich die vorliegende Anmeldung in einem Zusatzverhältnis befindet.
  • Die vorliegende Erfindung geht von der Uberlegung aus, daß es bei den Doppel- oder Mehrfach-Elektrodenanordnugen des Lasers nach der Hauptanmeldung darauf ankommt, eine möglichst gleichmäßige Verteilung des die Laser-Entladung bewirkenden Entladungsstromes auf die einzelnen, parallel zueinander liegenden und von einander gegenüberliegenden Teilelektroden gebildeten Teilentladungsstrecken zu erreichen. Der Erfindung liegt mithin die Aufgabe zugrunde, den Laser nach der Hauptanmeldung so weiterzubilden und auszugestalten, daß dieses gesteckte Ziel erreicht wird.
  • Erfindungsgemäß wird die gestellte Aufgabe mit einem Laser gemäß Gattungsbegriff durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des Gegenstandes des Anspruchs 1 sind in den Unteransprüchen 2 bis 6 angegeben.
  • Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile sind vor allem darin zu sehen, daß durch die einfache Maßnahme einer Schlitzung bzw. Auftrennung der betreffenden Kondensatorbeläge eine induktive Entkopplung der parallelen Stromzweige, die über die betreffenden Teilelektroden- strecken führen, erreicht wird. Durch die Schlitzung bedingte Stromumwege führen zu einer erheblichen Erhöhung des induktiven Widerstandes für den in diesem Umweg liegenden Strompfad, so daß sich zwingend immer eine gleichmäßige Belastung der Teilelektrodenstrecken einstellt.
  • Im folgenden wird anhand der Zeichnung, in der mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt sind, diese noch näher erläutert. Darin zeigt, teilweise in schematischer, vereinfachter Darstellung: Fig. 1 die Fig. 1 der Hauptanmeldung, d.h. den Kopf eines TE-Hochenergielasers in einem Querschnitt, wobei zur Vereinfachung die Gehäusewandteile fortgelassen und in der linken Hälfte der Figur das pulsformende Netzwerk eines laserachsparallel gestapelten Bandleiterkondensators angedeutet ist; Fig. 2 perspektivisch im Ausschnitt den an das Teilelektrodenpaar E2 angeschlossenen, auf Erdpotential liegenden Kondensatorbelag c2, der mit einer Schlitzung versehen ist; Fig. 3 das Schaltbild eines zugehörigen pulsformenden Netzwerkes in Blümlein-Schaltung; Fig. 4 die zugehörige räumliche Anordnung in einem Längsschnitt; Fig. 5 das Schaltbild eines pulsformenden Netzwerkes in Charge-Transfer-Schaltung; Fig. 6 die zugehörige räumliche Anordnung des pulsformenden Netzwerkes in einem Längsschnitt und Fig. 7 den Gegenstand nach Fig. 2, um 1800 gedreht und etwas abgewandelt.
  • Der Hochenergielaser des TE-Typs nach Fig. 1 arbeitet nach dem Prinzip der Anregung durch möglichst homogene, lichtbogenfreie Kondensatorentladung im Gasraum G zwischen mindestens zwei parallel zu optischen Achse OA des Lasers innerhalb einer Laserkammer LK sich erstrekkenden und mit Abstand a1 einander gegenüberliegenden ersten und zweiten Elektroden EI und E2, die in Elekw trodenpaare EIl, E12 bzw. E21, E22 aufgeteilt sind.
  • Die Elektroden E7, E2 sind zusammen mit Vorionisierungseinrichtungen V1, V2 innerhalb eines gasdichten Gehäuses der Laserkammer LK angeordnet. Die Vorionisierungseinrichtungen V1, V2 sind im dargestellten Ausführungsbeispiel, siehe Fig. 1, 2, als stabförmige Hilfselektroden ausgeführt, bestehend aus einem Innenleiter 3 und einem diesen umhüllenden Dielektrikum 4 und sind laserachsparallel und mit Uberschlagabstand a2 zur jeweils zuge hörigen Teilelektrode EIl, E12 bzw. E21, E22 angeordnet0 Die Elektrode El, d.h. ihre beiden Teilelektroden E119 E12, die auf der dem pulsformenden Netzwerk PFN abgelegenen Seite angeordnet sind, sind über eine Elektrodenbrücke bl an einer Stromzuführung e1 angeschlossen, die Elektrode E2, d.h. ihre beiden Teilelektroden E21, E22, die dem pulsformenden Netzwerk PFN anliegen , sind an eine Stromrückführung e2 angeschlossen, die im vorliegen den Falle nicht als leitende Brücke zwischen den Teilelektroden E21, E22 ausgebildet ist, sondern aus über die Länge der Elektroden zweigeteilten Brückenhälften besteht, und die von großen Metallplatten, vorzugsweise auf Erdpotential, gebildet wird. Die elektrische Verbindung der Elektroden eines Hochenergielasers mit einem puls formenden Netzwerk wie auch die Schaltung dieses Netzwerkes selbst sind in der DE-OS 29 32 781 näher erläutert, so daß weiter unten lediglich summarisch darauf eingegangen zu werden braucht. Erwähnt sei hier, daß das pulsformende Netzwerk PFN, z.B. in Blümlein- oder in Charge-Transfer-Schaltung geschaltet sein kann und daß zu diesem Netzwerk auch eine schnelle Hochspannungsschalt- strecke gehört, die z.B. durch Thyratrons, durch eine Funkenstrecke oder einen Plasmaschalter verwirklicht sein kann.
  • Die Laserkammer LK ist ferner mit Mitteln zum Hindurchleiten des Lasergases transversal zur optischen Achse OA des Lasers versehen, was durch die Pfeile G7 angedeutet ist. Abr auch eine longitudinale Gasströmung walze in Richtung OA/grundsätzlich möglich.
  • Beim Hochenergielaser nach der Erfindung kann es sich z.B. um einen Excimer-Laser oder C02-Laser handeln; die Gaszusammensetzung und die Physik der Entladungsvorgänge des ersteren sind z.B. in der Zeitschrift 'wPhysics Today", Mai 1978, Seiten 32 bis 39, näher erläutert, weshalb hier von einer Erläuterung abgesehen werden kann.
  • Insbesondere Fig. 1 zeigt, daß die einander gegenüberliegenden Laserelektroden El, E2 aus je zwei Teilelektroden E11, E12 bzw. E21, E22 bestehen, wobei E 11 und E12 durch eine Elektrodenbrücke bl elektrisch und mechanisch miteinander verbunden sind. Die Elektrodenbrücke bl ist eine laserachsparallel langgestreckte Platte; die Teilelektroden sind in der gleichen Richtung sich erstreckende Metall-Leisten. Die Teilelektroden E21, E22 werden von Stromrückführungsplatten e2 getragen und elektrisch kontaktiert, welche, wie noch erläutert, zwischen den Teilelektroden E21, E22 mit elektrischen Durchführungen für die Stromzuführungen el versehen sind. el, e2 sind getrennte Plattenteile der als gut leitende Metallplatten ausgeführten Stromrückführungen.
  • Die paarweise einander gegenüberliegenden Teilelektroden E11, E21 bzw. E12, E22 spannen zwischen sich Gasentladungsräume 1 auf, die, da sie auf zwei Teilelektrodenpaare aufgeteilt sind, auch als Teilentladungsräume bezeichnet werden können. Im Zwischenraum m zwischen den Teilentladungsräumen 1,1 sind nun die als Ganzes mit el bezeichneten isolierstoffummantelten Stromzuführungen für die Elektrodenbrücke b7 der dem pulsformenden Nets werk PFN abgelegenen Teilelektroden Eil, E12 angeordnet.
  • Diese Stromzuführungen e1 sind durch den Teilelektroden-Zwischenraum zwischen EIl und E12 und durch den Zwischenraum m zwischen den beiden Teilentladungsräumen 1,1 sowie zwischen den gegenüberliegenden Teilelektroden E21 und E22 und die zugehörigen Stromrückführungen e2 der zweiten Elektrode E2 isolierend bis zur zugehörigen Bandleiterkondensator-Kontaktfläche, in diesem Falle der Anschlußfahne fl eines Kondensatorbelages des pulsformendem Netzwerkes PFN, hindurchgeführt und damit elektrisch verbunden. Dazu dient an der Stromzuführung el eine entsprechend abgeflachte Anschlußlasche eil. Der zur Anschlußfahne f1 gehörende Kondensatorbelag ist bei cl gestrichelt angedeutet. Die Kontaktierung zwischen Lasche eil und Fahne fI erfolgt bevorzugt durch Hartlöten oder Schweißen, jedoch sind auch Schraubverbindungen grundsätzlich möglich. Am anderen Ende der Stromzuführung el erfolgt entsprechend eine satte Kontaktierung zwischen Stromzuführung el und Elektrodenbrücke bl durch Einschrauben und/oder Hartlöten oder Schweißen. Die Stromrückführungen e2 sind jeweils mit nicht näher dargestellten Anschlußfahnen c21 des Kondensatorbelages c2 des pulsformenden Netzwerkes PFN kontaktiert, wobei der Belag c2 im Durchführungsbereich eine trapezförmige Aussparung c20 aufweist.
  • Von den übrigen in Fig. 1 dargestellten Teilen des Lasers nach der Hauptanmeldung sei - da zum Verstänanis der vorliegenden Erfindung nicht von Belang - lediglich erwähnt, daß 6 bolzenartige Leiterstäbe für die Stromzuführungen el sind, die auch als leitende Platten mit entsprechenden Durchbrechungen für die Gasströmung G1 versehen sein können; 7 ist ein Isolierstoffmantel für die Stromzuführungen ei mit einer verstärkten, zwischen den Stromrückführungen e2 eingelassenen Fußpartie 7a; E3 sind in entsprechende Kammern 7c der Fußpartie 7a eingefügte Schirmelektroden, welche über Verbindungsleiter e3 an das Massepotential der Stromrückführungen e2 angeschlossen sind.
  • Aus Figuren 3 und 4 bzw. 5 und 6 gehen bevorzugte Anordnungen des pulsformenden Netzwerkes PFN und seine Zuordnung zu der Laserkammer bzw. dem Laserkopf LK einerseits und dem schnellen Hochspannungsschalter FK andererseits hervor.
  • Fig. 3 zeigt die bekannte Blümlein-Schaltung mit den gleichen Bezugszeichen wie in der DE-OS 29 32 781 mit Ausnahme der Bezeichnung der Laser-Elektroden, welche entsprechend Fig. 1 mit Ei, E2 und im Falle der Teilelektroden mit E11, Ei2 und E21, E22 bezeichnet sind.
  • Dabei ist der Zweig für die zweiten Teilelektroden E12 - E22 gestrichelt angedeutet. Ferner sind darin bezeichnet: Mit CF der erste Bandleiterkondensator, mit CK der zweite Bandleiterkondensator, mit FK der schnelle Hochspannungsschalter, mit LK die Laserkammer, mit RK eine (hochohmige) Impedanz, mit HV die Hochspannung. 1 ist der erdpotential- bzw. masseseitige Belag des Bandleiterkondensators CF, 2 sein hochspannungsseitiger, 3 der hochspannseitige Belag des zweiten Bandleiterkondensators CK und 4 sein laserelektroden-seitiger.Die räumliche Anordnung nach Fig. 4 verdeutlicht die laserachsparallel gestapelten Beläge der ersten und zweiten Bandleiterkondensatoren CF und CK, welche jeweils eine Kapazitätseinheit CF,K bilden. Diese Kapazitätseinheiten wiederholen sich über die Stapellänge des Kondensatorpaketes mehrfach bzw. vielfach, abhängig von der geforderten Laser-Leistung und -Länge. Die Kapazitätseinheiten sind, vergleiche die Symmetrieebene SE, paarweise spiegelsymmetrisch angeordnet; dies muß aber nicht sein.
  • Während die Laserkammer LK an der rechten Außenseite des Kondensatorpaketes des pulsformenden Netzwerkes PFN angeordnet und mit seinen Elektroden angeschlossen ist, ist der schnelle Hochspannungsschalter FK, im Beispiel eine Funkenstrecke, an der linken Längsseite angeordnet und verschaltet. Seine Elektroden sind so wie in Fig. 3 mit EF1 und EF2 bezeichnet. In Fig. 4 ist außerdem der feste Isolierstoff d für das Dielektrikum schraffiert dargestellt; grundsätzlich kann es sich auch um ein flüssiges Dielektrikum, wie insbesondere chemisches reines Wasser, handeln; dann müßten die Kondensatorbeläge 1 - 4 als Platten ausgeführt sein.
  • Fig. 5 zeigt die bekannte Charge-Transfer-Schaltung fiÅr das pulsformende Netzwerk, bei der gleichartige Schaltelemente zu Fig. 3 mit den gleichen Buchstaben oder Ziffern, jedoch gestrichen, bezeichnet sind, bis auf die Elektroden EF1, EF2 des schnellen Hochspannungsschalters FK. Aufgrund dieser geänderten Schaltung für das pulsformende Netzwerk ergibt sich gemäß Fig. 6 auch eine andere räumliche Anordnung für das Kondensatorpaket und die daran angeschlossenen Entladungsstrecken der Laserkammer LK und des schnellen Hochspannungsschalters FK, welch letztere im Vergleich zu Fig. 4 seitenvertauscht angeordnet sind. RF entspricht RK in Fig. 3.
  • Gemäß Fig. 2 ist von den Kondensatorbelägen der jeweiligen Kapazitätseinheit CF K bzw. CFf,K des pulsformenden Netzwerkes PFN mindestens einer, c2, der den Entladungsstrom zu bzw. von den Teilelektroden-Gruppen E2 bzw. El der Laserkammer LK führt, entsprechend der-Anzahl der an ihn angeschlossenen Teilelektroden durch Spalte s in mindestens teilweise voneinander getrennte Teilbeläge B1, B2 aufgeteilt. Aufgeteilt ist der Kondensatorbelag c2, der an die beiden Teilelektroden E21, E22 der Teilelektroden-Gruppe E2 angeschlossen ist, und zwar wegen der beiden zueinander parallelliegenden Teilelektroden auch in zwei Teilbeläge Bi, B2. Dabei sind auch, wie bereits erwähnt, die an die beiden Teilbeläge B1, B2 angeschlossenen Teilelektroden E21, E22 über die Länge der Elektrode E2 zweigeteilt. Für die induktive Entkopplung der Entladungsstrecken E21 - E11 und E22 - E12 genügt es an sich, den Spalt s, so wie in Fig. 2 ausgezogen dargestellt, als Schlitz 51 auszuführen, der bevorzugt über die größte Länge in X-Richtung des Belages c2 sich erstreckt, wobei dann ein Verbindungssteg X1 zwischen den Teilbelägen B1, B2 im gestrichelten Bereich stehen bleibt. Dieser stehenbleibende Verbindungssteg Xl ist bevorzugt auf der den Teilelektroden abgewandten Seite des Belages c2 angeordnet, d.h. auf der Seite des Hochspannungsschalters FK und nicht auf der der Laserkammer LK. Wie durch die Strichelung angedeutet, kann man aber auch eine durchgehende Trennfuge s2 vorsehen.
  • Dann ist jeder der Teilbeläge B7, B2 separat an den entsprechenden Pol des Hochspannungsschalters FK angeschlossen. Bei Betrachtung der Figuren 3 und 4 wird deutlich, daß der Belag c2 dem Belag 1 der Blümlein-Schaltung entspricht. Er ist, wie es anhand von Fig. 1 auch bereits erläutert wurde, in diesem Falle eine Erdplatte, die mit ihren Teilbelägen an einem Ende an die auf Erdpotential liegenden Teilelektroden E21, E22 der Laserkammer LK angeschlossen und an ihrem anderen Ende mit dem auf Erdpotential liegenden Pol des schnellen Hochspannungsschalters FK verbunden ist.
  • Dies gilt grundsätzlich auch bei einem Charge-Transfer-Kreis nach Fig. 5 und 6, wo der aufzuteilende, auf Erdpotential liegende Kondensatorbelag mit 1' bezeichnet ist. Dieser Belag 1 gehört dann zum zweiten Bandleiter- kondensator CKJ. Im Falle einer solchen Schaltung und Anordnung würden die Elektroden E'1 aus Fig. 6 mit den Elektroden E2 aus Fig. 1 korrespondieren und die Elektrode E'2 aus Fig. 6 mit der Elektrode bzw. Teilelektroden-Gruppe El aus Fig. 1.
  • Entsprechend dem als Charge-Transfer-Schaltung ausgeführten pulsformendem Netzwerk PFN in Fig. 5, 6 ist der mit c12 bezeichnete Kondensatorbelag nach Fig. 7 im Vergleich zu Fig, 2 mit seinen Anschlüssen an die Laserkammer und an den Hochspannungsschalter seitenvertauscht, außerdem sind die Aussparungen an den beiden Enden des Belages c'2, die hier mit c'20 bezeichnet sind, nicht trapezförmig so wie in Fig. 2 sondern etwa sichelförmig. Diese Aussparungen dienen als Isolationsstrecken zu laseraxial benachbarten Elektroden und Belägen. Der Spalt in Fig. 7 ist als durchgehende Trennfuge s2 dargestellt und - gestrichelt - alternativ als Schlitz s1 mit Steg X1.
  • Die Weite des Spaltes s bzw. der Trennfuge s2 braucht nur in der Größenordnung von 1 mm bis zu wenigen Millimetern zu betragen; eine merkliche Kapazitätseinbuße braucht dadurch nicht in Kauf genommen zu werden. Montagetechnisch sind Ausführungen mit Steg X1 vorteilhafter als solche mit durchgehender Trennfuge. Durch die Bezugszeichen LK und FK ist in Fig. 2 und Fig. 7 angedeutet, daß es sich um Anschlußlaschen zur Laserkammer bzw. dem Hochspannungsschalter handelt. Die als bevorzugtes Ausführungsbeispiel dargestellte Aufteilung der Erdplatte in Teilbeläge ist wegen der eindeutigen Potentialverhältnisse die günstigste; grundsätzlich ist aber auch eine Aufteilung anderer stromführender Kondensatorbeläge des pulsformenden Netzwerkes PFN in entsprechende Teilbeläge möglich.
  • 6 Patentansprüche 7 Figuren Leerseite

Claims (6)

  1. Patentansprüche 1. Laser des TE-Typs, insbesondere Hochenergielaser, mit Anregung durch möglichst homogene, lichtbogenfreie Kondensatorentladung im Gasraum zwischen mindestens zwei parallel zur optischen Achse des Lasers innerhalb einer Laserkammer sich erstreckenden und mit Abstand einander gegenüberliegenden ersten und zweiten Elektroden, die zusammen mit einer Vorionisierungseinrichtung innerhalb eines gasdichten Gehäuses der Laserkammer angeordnet und an eine Stromzuführung bzw. an eine Stromrückführung angeschlossen sind, wobei die Laserkammer mit Mitteln zum Hindurchleiten des Lasergases versehen ist und wobei die Stromzu- und Stromrückführungen an ein z.B. in Blümlein-oder in Charge-Transfer-Schaltung geschaltetes pulsformendes Netzwerk anschließbar sind, mit den weiteren Merkmalen, daß a) die einander gegenüberliegenden Laserelektroden (E1, E2) aus mindestens je zwei Teilelektroden (E11, E12 bzw. E21, E22) bestehen und die dem pulsformenden Netzwerk (EFN) abgewandten ersten Teilelektroden (EI 1, E12) durch eine Elektrodenbrücke (bI) miteinander verbunden sind; daß b) die paarweise einander gegenüberliegenden Teilelektroden (zell - E21 bzw. E12 - E22) zwischen sich Teilentladungsräume (1) aufspannen und daß c) im Zwischenraum (m) zwischen den Teilentladungsräumen (1,1) isolierstoffummantelte Stromzuführungen (ei) für die Elektrodenbrücke (bl) der Teilelektroden (Ell, E12) angeordnet und durch den Teilelektroden-Zwischenraum (m) und die Stromrückführung (e2) der zweiten, dem pulsformenden Netzwerk (PFN) anliegenden zweiten Teilelektroden (E21, E22) isolierend bis zur zugehörigen Kondensator-Kontaktfläche (fi) des Netzwerkes (PFN) hindurchgeführt sind, nach Patent (Anmeldung P 31 36 447.0), d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß von den Kondensatorbelägen der jeweiligen Kapazitätseinheit (CF,K) des pulsformenden Netzwerkes (PFN) mindestens einer, der den Entladungsstrom zu bzw. von den Teilelektroden-Gruppen (E21, E22 bzw. Ell, E12) der Laserkammer (LK) führt, entsprechend der Anzahl der an ihn angeschlossenen Teilelektroden durch Spalte in mindestens teilweise voneinander getrennte Teilbeläge (B1, B2) aufgeteilt ist und daß die an die Teilbeläge angeschlossenen Teilelektroden (E21, E22) der betreffenden Teilelektroden-Gruppe (E2) über deren Länge zweigeteilt sind.
  2. 2. Laser nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Spalte durchgehende Trennfugen sind, so daß die Beläge in galvanisch voneinander getrennte Teilbeläge (B1, B2) unterteilt sind, die an einem Ende mittel- oder unmittelbar an die betreffenden Teilelektroden und an ihrem anderen Ende an einen Pol des Hochspannungsschalters (FK) angeschlossen sind.
  3. 3. Laser nach Anspruch 1, mit durch Schlitzung nur zum Teil aufgeteilten Belägen, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß der stehenbleibende Verbindungssteg (X1) auf der den Teilelektroden abgewandten Seite des jeweiligen Belages angeordnet ist.
  4. 4. Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der aufgeteilte Belag des Kondensators, insbesondere eines Bandleiterkondensators, eine Erdplatte ist, die mit ihren Teilbelägen an einem Ende an die auf Erdpotential liegenden Teilelektroden des Lasers angeschlossen und an ihrem anderen Ende mit dem auf Erdpotential liegenden Pol des schnellen Hochspannungsschalters (FK) verbunden ist.
  5. 5. Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei sein pulsformendes Netzwerk eine Mehrzahl von ersten und zweiten Bandleiterkondensatoren (CF, C; CF, CE) umfaßt, welche mit ihren Belägen und ihren dazwischenliegenden dielektrischen Schichten im wesentlichen normal zur optischen Achse des Lasers verlaufen und im wesentlichen parallel zur optischen Achse des Lasers zu einem Kondensatorpaket gestapelt sind und direkt oder mit seitlich herausgeführten Anschlußfahnen innerhalb des pulsformenden Netzwerkes angeschlossen sind, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß jeweils der auf Erdpotential liegende Belag (1 bzw. 1') des ersten Bandleiterkondensators (CF) bei Blümlein-Schaltung bzw. des zweiten Bandleiterkondensators (CK) bei Charge-Transfer-Schaltung des pulsformenden Netzwerkes (PFN), der zwischen einer Teilelektroden-Gruppe und einem Pol des Hochspannungsschalters (FK) verlegt ist, in Teilbeläge aufgeteilt ist.
  6. 6. Laser nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Teilelektroden-Gruppen jeweils aus zwei Teilelektroden bestehen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t daß dementsprechend der angeschlossene Kondensator-Belag in zwei Teilbeläge jeweils aufgeteilt ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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