DE3207870A1 - Dotierungsfolie zur dotierung von halbleiterkoerpern und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Dotierungsfolie zur dotierung von halbleiterkoerpern und verfahren zu deren herstellung

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DE3207870A1
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doping
dopant
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DE19823207870
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English (en)
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Jutta Dipl.-Chem.-Ing.(FH) 7016 Gerlingen Belgardt
Klaus Dipl.-Ing. Dr. Heyke
Siegfried Dipl.-Ing. 7410 Reutlingen Schwenk
Lothar Dipl.-Chem. Dr. 7000 Stuttgart Weber
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Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/02Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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Description

  • Dotierungsfolie zur Dotierung von
  • Halbleiterkörpern und Verfahren zu deren Herstellung Stand der Technik Die Erfindung betrifft eine Dotierungsfolie nach der Gattung des Hauptanspruchs.
  • Aus der US-PS 3 971 870 ist bereits eine Dotierl1ngsfolie dieser Art bekannt, die aus einem einschichtigen flexiblen Substrat besteht, in das das Dotierungsmittel eingebettet ist. Bei dieser bekannfien Folie bereitet es aber Schwierigkeiten, die Folie so herzustellen, daß in ihr das Dotierungsmittel gleichmäßig verteilt wird. Eine ungleichmäßige Verteilung des Dotierungsmittel3 innerhalb der Folie hat aber andererseits den Nachteil, daß sie zu einer unerwünschten Ungleichmäßigkeit der Störstellenkonzentration in den im Halbleiterkörper zu bildenden Dctier7lngszonen führen kann.
  • Vorteile der Erfindung Die erfindungsgemäße Dotierungsfolie mit den kennzeichnennen Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß sich das Dotierungsmittel innerhalb der auf das Substrat aufgebrachten Oberflächenschicht sehr gleichmäßig verteilen läßt, was zu einer gleichmäßigeren Verteilung der Störstellenkonzentration im Halbleiterkörper nach der Dotierung führt. Vorteilhafte Weiterbildungen des Gegenstandes nach dem Anspruch 1 ergeben sich aus den Unteransprüchen 2 bis 10.
  • In dem Nebenanspruch zu1 und in den weiteren Unteransprüchen 32 bis 18 ist ein besonders vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung einer Dotierungsfolie gemäß der Erfindung beschrieben.
  • Zeichnung Zwei Ausführungsbeispiele -der erfindungsgemäßen Dotierungsfolie sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert, Es zeigen: Figur 1 einen Schnitt durch das erste Ausführungsbeispiel und Figur 2 einen Schnitt durch das zweite Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Dotierungsfolie.
  • Beschreibung der Erfindung In Figur j ist eine Dotierungsfolie dargestellt, die ein flexible Substrat 1 enthält, das aus einen vom Dotierungsmittel freien Trägermaterial besteht. Auf eine der beiden Hauptoberflächen des Substrats 1 ist eine Oberflächenschicht 2 aufgebracht, in die ein zur Dotierung von Halbleiterkörpern geeignetes Dotierungsmittel eingebettet ist.
  • Figur 2 zeigt eine Dotierungsfolie, bei der auf beide Hauptoberflächen des Substrats 1 je eine Oberflächenschicht 2 aufgebracht ist, wobei beide Oberflächenschichten 2 dasselbe Dotierungsmittel enthalten. Bei beiden Ausführungsbeispielen besteht das flexible Substrat 3 aus mindestens einer organischen polymeren Verbindung. Als Substratmaterial können dabei insbesondere folgende Materialien Verwendung finden: Polyester, Polycarbonate, Polyvinylalkohole, Celluloseabkömmlinge, Polyacetale. Das Substrat 1 kann dabei eine Dicke von 10 m bis 250/Um haben.
  • Gemäß der Erfindung ist weiterhin vorgesehen, daß das Dotierungsmittel in der Oberflächenschicht 2 in fein verteiltem Zustand in einem lackartigen Bindemittel enthalten ist. Hierbei ist es besonders zweckmäßig, wenn die Oberflächenschicht 2 außer dem Dotierungsmittel und dem Bindemittel ein Trennmittel enthält, das bei der bestimmungsgemäßen Anwendung der Dotierungsfolie ein Verkleben der Halbleiterkörper dann verhindert, wenn die Folie zur Dotierung zweier an je eine ihrer Hauptoberflächen angrenzender Halbleiterkörper verwendet wird.
  • Als Trennmittel hat sich dabei t #-Al2O3 als besonders geeignet erwiesen. Als Dotierungsmittel kann entweder Borsäure oder Ammoniumdihydrogenphosphat verwendet werden.
  • Die Oberflächenschicht 2 bzw. die Oberflächenschichten 2 können außerdem eine Gettersubstanz enthalten.
  • Die Herstellung der erfindungsgemäßen Dotlerungsfolien geschieht dadurch, daß auf mindestens eine der beiden Hauptoberflächen des von Dotierungsmittel freien flexiblen Substrats 3 eine das Dotierungsmittel in feinverteiltem Zustand enthaltende pastenartige Substanz aufgebracht wird und daß dann die pastenartige Substanz getrocknet wird, um auf dem Substrat 1 entweder einseitig oder doppelseitig eine Oberflächenschicht 2 zu bilden, die das Dotierungsmittel in gleichmäßiger Verteilung enthält. Hierzu ist es besonders zweckmäßig, wenn die pastenartige Substanz außer dem Dotierungsmittel mindestens einen Harzbildner und ein Lösungsmittel enthält. Ferner kann die pastenartige Substanz ein Trennmittel, beispielsweise t -Al203, enthalten, das den bereits weiter oben angegebenen Zweck erfüllt. Die pastenartige Substanz kann durch Siebdruck oder durch Offsetdruck oder durch AuSwalzen auf das flexible Substrat 1 aufgebracht werden. Als Harzbildner können folgende Materialien verwendet werden; Epoxydharze, Polyacetale, Cellulosederivate, KoLodiua, Kolyphonium. Als Lösungsmittel kann verwendet werden: Cyclohexanon, Benzylalkohol, d -Terpineol. Darüber hinaus kann die pastenartige Substanz eine Zettersubstanz enthalten.
  • Nach dem Trocknen bei Raumtemperatur ergeben die aufgedruckten Lacke festhaftende , nichtklebende Schichten 2 von glçichmä3iger Dicke auf den Substraten 1.
  • Die nach der Diffusion mit diesen Folien erzielten Ergebnisse zeichnen sich durch sehr gleichmäßige Quadratwiderstände und durch kurze Trennzeiten der aus dem Halbleitermaterial bestehenden Platten aus (ca. 3 Stunden), Der Trocknungsprozeß der auf die Substrate aufgebrachten pastenartigen Substanzen läßt sich durch Zumischen von Anhydriden verkürzen. Zyklische Anhydride ergeben dabei besonders brauchbare Ergebnisse.
  • Leerseite

Claims (19)

  1. Ansprüche Dotierungsfolie zur Dotierung von Halbleiterkörpern mit mindestens einem Dotierungsmittel, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie ein aus einem Trägermaterial bestehendes, vom Dotierungsmittel freies flexibles Substrat (1) enthält und daß auf mindestens eine der beiden Haupt oberflächen des Substrats (j) eine das Dotierungsmittel enthaltende Oberflächenschicht (2) aufgebracht ist.
  2. 2. Dotierungsfolie nach Anspruch ], dadurch gekennzeichnet, daß auf beide Hauptoberflächen des Substrats (1) je eine Oberflächenschicht (2) aufgebracht ist, wobei beide Oberflächenschichten (2) dasselbe Dotierungsmittel enthalten.
  3. 3. Dotierungsfolie nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das flexible Substrat (j) aus mindestens einer organischen polymeren Verbindung besteht.
  4. h. Dotierungsfolie nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von Polyestern, Polycarbonaten, Polyvinylalkoholen, Celluloseabkömmlingen und/oder Polyacetalen als Substratmaterial.
  5. 5. Dotierungsfolie nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) eine Dicke von 10 t m bis m hat
  6. 6. Dotierungsfolie nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß in der Oberfläch-enschicht (2) das Dotierungsmittel in fein verteiltem Zustand in einem lackartigen Bindemittel enthalten ist.
  7. 7. Dotierungsfolie nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (2) außer dem Dotierungsmittel und dem Bindemittel ein Trennmittel enthält, das bei der Dotierung ein Verkleben der Halbleiterkorper dann verhindert, wenn die Folie zur Dotierung zweier an je eine ihrer Oberflächenseiten angrenzender Halbleiterkö.rper verwendet wird.
  8. 8. Dotierungsfolie nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Trennmittel aus -A12Q3 besteht.
  9. 9. Dotierungsfolie nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierungsaittel Borsäure oder Ammoniumdihydrogenphosphat verwendet wira.
  10. 10. Dotierungsfolie nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (2) eine Gettersubstanz enthält.
  11. 11. Verfahren Zur Herstellung einer Dotierungsfolie, dadurch gekennzeichnet, daß ein von Dotierungsmittel freies, flexibles Substrat (1) als Trägermaterial verwendet wird und daß eine das Dotierungsmittel in feinverteiltem Zustand enthaltende pastenartige Substanz auf mindestens eine der beiden Hauptoberflächen des Substrats (i) aufgebracht wird und daß dann die pastenartige Substanz getrocknet wird, um auf dem Substrat (i) eine Oberflächenschicht (2) zu bilden, die das Dotierungsmittel in gleichmäßiger Verteilung enthält.
  12. 1-2. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die pastenartige Substanz außer dem Dotierungsmittel mindestens einen Harzbildner und ein Lösungsmittel enthält.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die pastenartige Substanz ein Trennmittel enthält, das bei der Verwendung der fertigen Dotierungsfolie zur Dotierung zweier an die Folie angrenzender Halbleiterkörper ein Verkleben der beiden an die Folie angrenzenden Halbleiterkörper während der Dotierung verhindert.
  14. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die pastenartige Substanz durch Siebdruck oder durch Offsetdruck oder durch Aufwalzen auf das flexible Substrat (i) aufgebracht wird.
  15. 15. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 74, dadurch gekennzeichnet, daß als Harzbildner mindestens ein Material verwendet wird, das aus der Gruppe der Epoxydharze, der Polyacetale, der Cellulosederivate, des Kollodiums und des Kol pphoniums ausgewählt ist.
  16. 16. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel mindestens ein Material verwendet wird, das aus der Gruppe des Cyclohexanons, des Benzylalkohols und des O4-Terpineols ausgewählt ist.
  17. 17. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß als Trennmittel t-A1203 verwendet wird.
  18. 18. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die pastenartige Substanz eine Gettersubstanz enthält.
  19. 19. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 11 bis 1#, dadurch gekennzeichnet, daß die pastenartige Substanz Anhvydride, vorzugsweise cyclische Anhydride enthält.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0350531A2 (de) * 1988-07-14 1990-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Dotierungsfolie und Methoden zur Diffusion von Verunreinigungen und Herstellung eines Halbleiterplättchens
DE19538612A1 (de) * 1995-10-17 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe
EP0957524A1 (de) * 1998-05-15 1999-11-17 Matrix Solar Technologies Inc. Phosphordotierung von Halbleiterteilchen
DE102008014824A1 (de) * 2008-03-18 2009-10-01 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Dotierverfahren, sowie Dotierfolie und deren Verwendung

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0350531A2 (de) * 1988-07-14 1990-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Dotierungsfolie und Methoden zur Diffusion von Verunreinigungen und Herstellung eines Halbleiterplättchens
EP0350531A3 (en) * 1988-07-14 1990-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Dopant film and methods of diffusing impurity into and manufacturing a semiconductor wafer
DE19538612A1 (de) * 1995-10-17 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe
EP0773310A1 (de) * 1995-10-17 1997-05-14 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe
US5759909A (en) * 1995-10-17 1998-06-02 Robert Bosch Gmbh Method for manufacturing a silicon wafer by using a dopant foil
EP0957524A1 (de) * 1998-05-15 1999-11-17 Matrix Solar Technologies Inc. Phosphordotierung von Halbleiterteilchen
DE102008014824A1 (de) * 2008-03-18 2009-10-01 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Dotierverfahren, sowie Dotierfolie und deren Verwendung
DE102008014824B4 (de) * 2008-03-18 2014-07-10 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Dotierfolien und deren Verwendung

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