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Optisches Detektorelement vom Schottky-Typ
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Die Erfindung betrifft ein verbessertes optisches Detektorelement
vom Schottky-Typ.
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Ein bisheriges optisches Detektorelement vom Schottky-Typ umfaßt ein
p -Typ-Siliziumsubstrat, einen auf die eine der beiden gegenüberliegenden Hauptflächen
des Substrats im Vakuum aufgedampften Schottky-Überqang aus z.B. Platin (Pt) oder
Platinsilizid (Pt-Si), wobei der Schottky-Übergang an der Metallseite eine Elektrode
für das Element bildet, einen im Substrat angeordneten, mit der Randkante des Schottky-Übergangs
in Berührung stehenden n -Typ-Schutzring, eine elektrisch isolierende Trennzone
auf der Substrat-Hauptfläche) welche gegenüber letzterer erhaben ist und auch unter
Umschließung des Schottky-Übergangs in das Substrat hineinreicht, eine auf der Gesamtoberfläche
der Elektrode und dem angrenzenden Abschnitt der elektrisch isolierenden Trennzone
angeordnete, elektrisch leitende Schicht sowie eine auf letzterer und auf dem freiliegenden
(unbedeckten) Oberflächenteil der Trennzone angeordnete, elektrisch isolierende
Schicht für Passivierungszwecke.
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Dieses bisherige Detektorelement wird auf der Temperatur flüssigen
Stickstoffs bzw. bei 77 0K gehalten; dabei wird die andere Hauptfläche des Substrats
mit Infrarotstrahlung bestrahlt, wobei diese Strahlung den Schottky-Übergang erreicht
und in diesem Loch-Elektron-Paare bildet.
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Diese Löcher oder Mangelstellen passieren eine zugeordnete Schottky-Sperrschicht
und diffundieren in das Substrat ein, während sich auf der Elektrode Elektronen
sammeln, wodurch die Infrarotstrahlung durch die elektrisch leitende Schicht erfaßt
bzw. festgestellt wird.
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Dieses vorstehend beschriebene, bisherige optische Detektorelement
besitzt jedoch nachteiligerweise eine niedrige Meßempfindlichkeit. Beispielsweise
ist die spezifische Meßempfindlichkeit (detection sensitivity) um eine #oder zwei
Größenordnungen kleiner als beim Fremdatom-dotierten Siliziumelement oder beim Verbund-Halbleiterelement.
Außerdem werden von der anderen Substrat-Hauptfläche praktisch 30% der Intensität
der auftreffenden Infrarotstrahlung reflektiert.
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Zur weitgehenden Unterdrückung dieser Reflexion von Infrarotstrahlung
ist ein anderes, dem beschriebenen Detektorelement ähnliches optisches Detektorelement
vom Schottky-Typ entwickelt worden, bei dem die andere Substrat-Hauptfläche mit
einer eine Reflexion verhindernden Schicht versehen ist. Bei dickem Substrat wird
die einfallende Infrarotstrahlung durch das Silizium des Substrats absorbiert, wodurch
die Intensität der den Schottky-Ubergang erreichenden Infrarotstrahlung herabgesetzt
wird.
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Aufgabe der Erfindung ist damit insbesondere die Schaffung eines verbesserten
optischen Detektorelements vom Schottky-Typ, das eine große Meßempfindlichkeit besitzen
soll.
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Diese Aufgabe wird bei einem optischen Detektorelement vom Schottky-Typ
erfindungsgemäß gelöst durch ein Siliziumsubstrat mit einem niedrigen spezifischen
Widerstand und mit einer Hauptfläche, durch eine Elektrode, die auf einer Metallseite
(metal side) eines auf einem vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Siliziumsubstrats
vorgesehenen Schottky-Ubergangs geformt ist, welcher seinerseits durch einen Ubergang
zwischen einem ausgewählten Metall oder Metallsilizid und dem Silizium des Siliziumsubstrats
gebildet ist, durch eine auf dem Schottky-Ubergang angeordnete Trennzone zur Trennung
des Detektorelements von anderen, auf dem Substrat angeordneten Elementen und durch
eine
elektrisch leitende Ableitung, die am einen Ende mit einem
Teil der Elektrode lediglich neben deren Umfang(srand) verbunden ist und deren anderer
Endabschnitt auf dem angrenzenden Teil der Trennzone angeordnet ist.
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Vorzugsweise besteht der Schottky-Ubergang aus Platin (Pt), und die
Elektrode besitzt eine Dicke von nicht mehr als 300 In anderer Ausgestaltung betrifft
die Erfindung ein optisches Detektorelement vom Schottky-Typ, das gekennzeichnet
ist durch ein Siliziumsubstrat mit einem niedrigen spezifischen Widerstand und mit
einer Hauptfläche, durch eine Elektrode, die auf einer Metallseite (metal side)
eines auf einem vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Siliziumsubstrats vorgesehenen
Schottky-Übergangs geformt ist, welcher seinerseits durch einen Übergang zwischen
einem ausgewählten Metall oder'Metallsilizid und dem Silizium des Siliziumsubstrats
gebildet ist, durch eine auf der Hauptfläche.des Substrats um den Schottky-Ubergang
herum angeordnete Trennzone zur Trennung des Detektorelements von anderen, auf dem
Substrat angeordneten Elementen und durch eine am einen Ende mit dem gesamten Umfangs(rand)abschnitt
der Elektrode verbundene, elektrisch leitende Schicht, deren anderer Endabschnitt
auf dem angrenzenden Abschnitt der Trennzone angeordnet ist und die eine Öffnung
festlegt, über welche die Elektrode unmittelbar mit Infrarotstrahlung beaufschlagbar
ist.
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Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Vergleich
zum Stand der Technik anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Teillängsschnitt durch ein bisheriges optisches Detektorelement vom
Schottky-Typ,
Fig. 2 eine Fig. l.ähnelnde Darstellung eines anderen
bisherigen optischen Detektorelements vom Schottky-Typ, Fig. 3 einen Teillängsschnitt
durch ein optisches Detektorelement vom Schottky-Typ mit Merkmalen nach der Erfindung,
Fig. 4 eine Fig. 3 ähnelnde#Darstellung einer anderen Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 5 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen einem durch die Anordnungen
nach Fig. 1 und 3 fließenden Photostrom und der Dicke einer auf der Anordnung vorgesehenen
Platinsilizidschicht und Fig. 6 eine Fig. 5 ähnelnde Darstellung derselben Beziehung
für die Anordnungen nach Fig. 2 und 4.
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In den Fig. 1, 2, 3 und 5 sind einander gleiche oder entsprechende
Teile mit jeweils gleichen Bezugsziffern bezeichnet.
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Das in Fig. 1 dargestellte, bisherige optische Detektorelement vom
Schottky-Typ umfaßt ein p-Typ-Siliziumsubstrat 10, das einen niedrigen spezifischen
Widerstand von 10 -50 Ohmecm besitzt und zwei gegenüberliegende Hauptflächen aufweist,
und eine Elektrode 12, die durch eine Metallseite eines Schottky-Übergangs geformt
wird, der seinerseits auf einem vorbestimmten Abschnitt einer der beiden Hauptflächen,
im vorliegenden Fall auf der gemäß Fig. 1 oberen Hauptfläche, durch Vakuumaufdampfung
eines Metalls oder Metallsilizids auf diesen vorbestimmten Abschnitt ausgebildet
worden ist.
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Bevorzugte Beispiele für solche Metalle und Metallsilizide sind Gold
(Au), Platin (Pt) und Palladium (Pd) bzw. Goldsilizid (Au-Si), Platinsilizid (Pt-Si)
und Palladiumsilizid (Pd-Si). Der Schottky-Übergang wird somit durch einen
Übergang
(Sperrschicht) zwischen dem betreffenden Metall oder Metallsilizid und dem Silizium
des Substrats 10 gebildet.
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Zur Verhinderung der Entstehung einer Verarmungsschicht auf der oberen
Hauptfläche des Substrats 10 ist ein aus einer n -Typ-Siliziumzone geformter Schutzring
14 so auf dieser Hauptfläche angeordnet, daß er den Schottky-Übergang und damit
die Elektrode 12 umschließt und kontaktiert. Insbesondere steht der Schutzring 14
mit seinem Innenumfangsteil mit dem Umfangs- bzw. Randteil ~des Schottky-Übergangs
und damit der Elektrode 12 in Berührung, während sein restlicher Teil an der oberen
Hauptfläche des Substrats 10 teilweise freiliegt. Auf die obere Hauptfläche des
Substrats 10 ist um die Elektrode 12 herum eine ringförmige Siliziumdioxid-Trennzone
16 aufgetragen, die einen dünneren Innenumfangsteil, der auf der freiliegenden Fläche
des Schutzrings 14 angeordnet ist und an seiner Innenumfangskante mit dem (Außen-)Umfang
der Elektrode 12 in Berührung steht, sowie einen dickeren, in den dünnen Innenumfangsteil
übergehenden Abschnitt aufweist. Dieser dickere Abschnitt ragt einerseits von der
oberen Hauptfläche des Substrats 1O nach oben und erstreckt sich andererseits (an
der unteren Seite) unter Berührung mit dem Schutzring 14 in das Substrat 10 hinein.
Die Siliziumdioxid-Trennzone 16 dient zur Trennung des die Elektrode 12 einschließenden
Elements von anderen, ähnlichen oder unähnlichen Elementen auf dem Substrat 10.
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Die dargestellte Anordnung umfaßt weiterhin eine auf der Gcsaintoberfl#ichC
der Elektrode 12 angeordnete Aluminiumschicht 18, die auf der freiliegenden Fläche
des Schutzrings 14 angeordnet ist und gemäß Fig. 1 einen mit dem angrenzenden Teil
der Trennzone 16 unterlegten rechten Abschnitt sowie einen linken Abschnitt aufweist,-
der mit dem Übergangs teil der Trennzone vom dünnen auf den
dicken
Abschnitt unterlegt ist. Die Aluminiumschicht 18 dient als Ableitung von der Elektrode
12. Zu Passivierungszwecken ist weiterhin auf der Aluminiumschicht 18 und der freiliegenden
Oberfläche der Siliziumdioxid-Trennzone 18 eine Siliziumnitridschicht 20 angeordnet.
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Die Anordnung gemäß Fig. 1 arbeitet wie folgt: Zunächst wird die Anordnung
beispielsweise auf die Temperatur flüssigen Stickstoffs bzw. eine Absoluttemperatur
von 77 0K gebracht, wobei an den Schottky-Übergang eine Gegen- bzw. Sperrvorspannung
angelegt wird. Sodann wird die andere bzw. untere Seite des Substrats 10 mit Infrarotstrahlung
einer Wellenlänge von z.B. 4/um bestrahlt.
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Die Infrarotstrahlung tritt durch den unter dem Schottky-Übergang
bzw. der Elektrode 12 befindlichen Teil des Substrats 10 hindurch, bis sie diesen
Übergang bzw. die Elektrode 12 erreicht. Hierbei entstehen in der Elektrode 12 Elektronen-Loch-Paare.
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Bei dieser Anordnung wird die größte erfaßbare Wellenlänge durch die
Höhe einer zugeordneten Schottky-Sperrschicht bestimmt. Wenn die Elektrode 12 insbesondere
aus Platin-Silizid besteht, sind die die Schottky-Sperrschicht passierenden und
in das Substrat 10 diffundierten bzw.
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injizierten Mangelstellen diejenigen mit einer kinetischen Energie
von 0,275 eV aufgrund einer Wellenlänge i für eine bzw. mit einer Frequenz hv, welche
die Höhe der Schottky-Sperrschicht aus Platin-Silizid übersteigt, oder aufgrund
einer Wellenlänge# A von weniger als 4,47 ßm.
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Bei-Verwendung von Gold beträgt diese Wellenlänge 4,92 Am.
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Wenn die Löcher bzw. Mangelstellen in das Substrat 10 injiziert werden,
sammeln sich an der Elektrode 12 Elektronen an. Sodann wird eine von den angesammelten
Elektronen herrührende elektrische Ladung abgegriffen, um zur Aluminiumschicht 18
bzw. Ableitung ein Signal zu liefern, das ein Maß für die Intensität der auf das
Substrat
10 auftreffenden Infrarotstrahlung darstellt.
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Nachteilig an der Anordnung gemäß Fig. 1 ist jedoch, daß ihre Meßempfindlichkeit
gering ist. Beispielsweise liegt die spezifische Meßempfindlichkeit gewöhnlich bei
109cmHz1K2W#1, und diese Größe ist um 1 bis 2 Größenordnungen kleiner als bei einem
Detektorelement des mit einem Fremdatom'dotierten Silizium-Typs, des Verbund-Halbleitertyps
usw. Außerdem werden üblicherweise von der Unterseite des Substrats 10 etwa 30%
der einfallenden Infrarotstrahlung reflektiert.
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Fig. 2 veranschaulicht ein anderes bisheriges optis#ches Detektorelement
vom Schottky-Typ. Diese Anordnung-unterscheidet sich von derjenigen nach Fig. 1
hauptsächlich dadurch, daß das Substrat 10 der anderen bzw. unteren Hauptfläche
mit einer Reflexionsschutzschicht 22 versehen ist, die eine Reflexion der auf diese
untere Hauptfläche auftreffende~i Infrarotstrahlung verhindert Außerdem -ist die
Aluminiumschicht 18 hierbei auf der Gesamtfläche der Elektrode 12 sowie unter Zwischenfügung
einer isolierenden Siliziumdioxidschicht 24 auf dem Innenumfangsrandbereich der
Siliziumdioxid-Trennzone 16 angeordnet.
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Die Arbeitsweise der Anordnung nach Fig. 2 ist " wesentlichen dieselbe,
wie bei der Anordnung gemäß Fig. 1.
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Bei der Anordnung gemäß Fig. 2 ist die Schicht 18 übe#r der gesamten
Elektrode 12 auf der oberen Hauptfläche des Substrats 10 angeordnet,- so daß diese
obere Hauptfläche,-wie bei der Anordnung gemäß Fig. 1, nicht mit Infrarot-'-strahlung
bestrahlt werden kann. Hieraus ergibt-sich die Notwendigkeit, die Infrarotstrahlung
auf die-untere Hauptfläche des Substrats zu richten, und somit die Notwendigkeit
für die Anordnung der Reflexionsschutzschicht 22 auf der Unterseite des Substrats
10. Ohne diese- Schutzschicht würde nämlich die untere Hauptfläche des Substrats
wie
erwähnt, etwa 30% der auftreffenden Infrarotstrahlung reflektieren. Außerdem absorbiert
das Silizium des Substrats die durch dieses hindurchtretende Infrarotstrahlung.
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Wenn das Substrat 10 beispielsweise eine Dicke von 400 Cim besitzt,
beträgt die den Schottky-Übergang erreichende Infrarotstrahlungsmenge praktisch
nur die Hälfte der auf das Substrat auftreffenden -Strahlungsintensität.
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Mit der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform bezweckt die Erfindung
die Erhöhung oder Verbesserung der Meßempfindlichkeit eines optischen Schottky-Detektorelements
der in Fig. 1 allgemein veransc#haulichten Art.
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Die in Fig. 3 dargestellte Ausführungsform der Erfindung unterscheidet
sich von der Anordnung nach Fig. 1 lediglich dadurch, daß gemäß Fig. 3 die Aluminiumschicht
bzw.
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Ableitung 18 mit einem Abschnitt der Umfangs-Randkante der Elektrode
12 verbunden ist und anstelle der gemäß Fig. 1 für Passivierungszwecken vorgesehenen
Siliziumdioxidschicht 20 eine Siliziumnitridschicht 20' verwendet wird. Wie bei
der Anordnung nach Fig. 1 kann die Ableitung 18 gemäß Fig. 3 aus Aluminium bestehen.
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Die Arbeitsweise der Ausführungsform gemäß Fig. 3 ist praktisch dieselbe
wie bei der Anordnung nach Fig. 1, nur mit dem Unterschied, daß die in das Substrat
10 eindiffundierenden Löcher bzw. Mangelstellen eine Verkürzung der Diffusionslänge
erfahren, weil die Ableitung 18, wie erwähnt, nur mit einem Abschnitt der Umfangsrandkante
der Elektrode 12 verbunden ist. Diese Verkürzung der Diffusionslänge führt zu einer
Herabsetzung der Verlustleistung aufgrund der Rekombination von Mangelstellen und
Elektronen.
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Der resultierende Photostrom fließt daher wirksam bzw.
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effektiv über Elektrode 12 und Ableitung 18. Die Meßempfindlichkeit
wird demzufolge erhöht.
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Wenn die Elektrode 12 dick ist, tritt in ihr eine Rekombination auf.
Dies bedeutet, daß kein Unterschied zwischen dem mit der Ableitung 18 verbundenen
Teil der Elektrode 12 und dem nicht an die Ableitung 18 angeschlossenen Teil derselben
auftritt. Hierbei führt eine Verdünnung (to thinning) der Elektrode 12 zu einem
wirksamen Photostromfluß über diese. Die Meßempfindlichkeit kann hierdurch weiter
verbessert werden. Im Fall einer aus Platin bestehenden Elektrode 12 hat es sich
gezeigt, daß zufriedenstellende Ergebnisse mit einer Elektrodendicke von nicht mehr
als 300 i erzielt werden.
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Fig. 5 veranschaulicht in graphischer Darstellung die Beziehung zwischen
einem Photostrom und der Dicke einer Platinschicht, die zusammen mit dem angrenzenden
Teil des Substrats 10 einen Schottky-Übergang bildet, jeweils gemessen bei Wellenlängen
A von 2,2 , 3,4 und 4,6 ßmder einfallenden Infrarotstrahlung, zum Vergleich der
Ausführungsform nach Fig. 3 mit-der Anordnung gemäß Fig. 1..ion Fig. 5 sind auf
der Ordinate der Photostrom (in A) in logarithmischem Maßstab und auf der Abszisse
die Dicke der Platinschicht (in i) aufgetragen. In der graphischen Darstellung stehen
weiterhin die schwarzen Punkte für die mit dem bisherigen optischen .Schottky-Detektor-Element
gemäß Fig. 1 ermittelten Meßpunkte und die offenen bzw. weißen Punkte für die Meßpunkte,
die mit der Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 3 ermittelt wurden.
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Aus Fig. 5 geht hervor, daß der Photostrom mit einer Vergrößerung
d#r Wellenlänge der einfallenden Infrarotstrahlung zunimmt, und daß sich der Photostrom
des bisherigen Detektor-Elements bei einer Dicke der Platinschicht von 500 i oder
mehr dem Photostrom beim erfindungsgemäßen Detektorelement annähert. Bei einer Platinschichtdicke
von 50 2 ist andererseits bei der
Wellenlänge von 3,4 um der vom
erfindungsgemäßen Detektorelement gelieferte Photostrom etwa sechsmal so groß wie
der Photostrom beim bisherigen Detektorelement. Aus Fig. 5 geht auch hervor, daß
die Dicke der Platinschicht vorzugsweise 300 Å oder weniger betragen sollte. Weiterhin
ergaben die vorher neben Platin genannten Metalle und Metallsilizide ähnliche Ergebnisse
wie in Fig. 5.
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In weiterer Ausführungsform gemäß Fig. 4 bezweckt die Erfindung die
Verringerung des Verlusts der einfallenden Infrarotstrahlung zwecks Verbesserung
der Meßempfindlichkeit im Vergleich zum bisherigen optischen Schottky-Detektorelement
der in Fig. 2 dargestellten Art.
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Die in Fig. 4 dargestellte Ausführungsform der Erfindung unterscheidet
sich von der bisherigen Anordnung nach Fig. 2 nur dadurch, daß gemäß Fig. 4 die
Aluminiumschicht 18 an der gesamten Umfangsrandkante der Elektrode 12 endet und
damit die Öffnung 26 festlegt, in welcher der größte Teil der Oberfläche der Elektrode
12 nach außen hin freiliegt, während die Reflexionsschutzschicht weggelassen ist.
Aufgrund dieser Maßnahme kann die Infrarotstrahlung über die Öffnung 26 unmittelbar
auf die Elektrode 12 auf treffen.
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Mit dem Schottky-Übergang aus Platinsilizid und dem Silizium des Substrats
10 kann mit der Ausführungsform gemäß Fig. 4, auf ähnliche Weise wie in Verbindung
mit Fig. 1 erläutert, die Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von weniger als
etwa 4,8 ßm gemessen bzw. erfaßt werden.
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Fig. 6 ist eine Fig. 5 ähnelnde Darstellung zum Vergleichen der Ausführungsform
nach Fig. 4, die eine ebenfalls aus Platinsilizid bestehende Elektrode 12 aufweist,
mit der Anordnung gemäß Fig. 2. Ordinate und Abszisse von Fig. 6 besitzen dieselbe
Bedeutung wie in Fig. 5. Ebenso
gelten die Symbole "o" für bei
der Anordnung gemäß Fig. 4 mit auf der Elektrode 12 auftreffender Infrarotstrahlung
ermittelte Meßpunkte, das Symbol "@" für Meßpunkte, die mit der Anordnung gemäß
Fig. 4 mit Infrarotstrahlung ermittelt wurden, welche auf die von der Elektrode
12 abgewandte Seite bzw. die gemäß Fig. 4 untere Hauptfläche des Substrats 10 auftrifft,
und das Symbol "-" für Meßpunkte, die bei der Anordnung gemäß Fig. 1 bzw. Fig. 2
mit auf die in Verbindung mit Fig. 1 beschriebene Weise auftreffender Infrarotstrahlung
ermittelt wurden. Die den obigen Symbolen zugeordneten Kurven sind außerdem mit
(a), (b) bzw. (c) bezeichnet.
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Die Kurven (a), (b) und (c) gemäß Fig. 6 lassen erkennen, daß der
resultierende Photostrom, und damit die Meßempfindlichkeit, bei beiden Wellenlängen
von 2,2 und 4,6 ßm jeweils groß ist. Bei der Bestrahlung der unteren Hauptfläche
des Substrats mit der Infrarotstrahlung liefert außerdem ersichtlicherweise die
Ausführungsform gemäß Fig. 4 einen entsprechend größeren Photostrom und damit eine
höhere Meßempfindlichkeit als die Anordnung gemäß Fig. 1. Dies scheint dem Umstand
zuzuschreiben zu sein, daß bei der Anordnung gemäß Fig. 1 die Zahl der in die Aluminiumschicht
18 eindiffundierten Mangelstellen bzw Elektronenlöcher größer ist als bei der Ausführungsform
nach Fig. 4, so daß demzufolge die Zahl der durch die einfallende Infrarotstrahlung
hervorgerufenen Mangelstellen, die in das Substrat 10 eindringen, kleiner ist als
bei der Ausführungsform nach Fig. 4 Aus Fig. 6 geht weiterhin hervor, daß bei einer
im Bereic-h von 80 bis 750 A liegende Dicke der Platinsilizidschicht der Photostrom
und damit die Meßempfindlichkeit um so größer ist, je dünner die Platinsilizidschicht
ist.
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Hierdurch wird aufgezeigt, daß bei äußerst dünner Platinsilizidschicht
die einfallende Infrarotstrahlung Loch-
Elektronen-Paare in der
Platinsilizidschicht hervorruft, während sich bei einer dicken Platinsilizidschicht
die Elektronenlöcher bzw. Mangelstellen mit großer Wahrscheinlichkeit mit den Elektronen
rekombinieren, bevor sie das Substrat 10 erreichen.
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Vorteilhaft an der beschriebenen Ausführungsform gemäß Fig. 4 ist
somit, daß ihre Meßempfindlichkeit groß ist und daß auf die Verfahrensschritte zur
Herstellung und Bearbeitung der Reflexionsschutzschicht auf der vom Schottky-Übergang
abgewandten Substrat-Hauptfläche verzichtet werden kann.
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Beim optischen Schottky-Detektorelement gemäß Fig. 4 ist somit ersichtlicherweise
die eine Hauptfläche eines Siliziumsubstrats mit einem Schottky-Übergang versehen,
der unmittelbar mit der zu erfassenden Infraotstrahlung bestrahlt werden kann, so
daß die Meßempfindlichkeitsabweichungen zwischen den einzelnen hergestellten Detektorelementen
verringert werden können.
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Obgleich die Erfindung vorstehend nur in Verbindung mit einigen derzeit
bevorzugten Ausführungsformen dargestellt und beschrieben ist, ist sie selbstverständlich
verschiedenen Anderungen und Abwandlungen zugänglich, ohne daß vom Rahmen der Erfindung
abgewichen wird. Beispielsweise kann der Schutzring weggelassen werden. Weiterhin
kann die Trennzone aus einer p-Typ-Halbleiterzone anstelle des Siliziumoxids geformt
werden. In diesem Fall muß eine elektrisch isolierende Schicht zwischen der p-Typ-Trennzone
und der elektrisch leitenden Schicht bzw. Ableitung angeordnet werden.