DE3138998A1 - Verfahren zur herstellung von duennen metalloxidschichten - Google Patents
Verfahren zur herstellung von duennen metalloxidschichtenInfo
- Publication number
- DE3138998A1 DE3138998A1 DE19813138998 DE3138998A DE3138998A1 DE 3138998 A1 DE3138998 A1 DE 3138998A1 DE 19813138998 DE19813138998 DE 19813138998 DE 3138998 A DE3138998 A DE 3138998A DE 3138998 A1 DE3138998 A1 DE 3138998A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal oxide
- alloys
- oxide layers
- tin
- metals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZJPGOXWRFNKIQL-JYJNAYRXSA-N Phe-Pro-Pro Chemical compound C([C@H](N)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(O)=O)C1=CC=CC=C1 ZJPGOXWRFNKIQL-JYJNAYRXSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
- C03C2217/231—In2O3/SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
- C03C2218/153—Deposition methods from the vapour phase by cvd by plasma-enhanced cvd
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Beschreibung
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von dünnen Metalloxidschichten, die optisch transparent und elektrisch leitend sind.
- Dünne, optisch transparente und elektrisch leitende Metalloxidschichten werden in elektronischen und optischen Geräten, z. B. als transparente Elektroden in Sichtanzeigegeräten (display devices), zur Vergütung von optischen Gläsern, als Uberzüge für Solarenergie-Hitzespiegel und als Fensterfilm in n-p-Heterosolarzellen verwendet. Damit sie sich für derartige Anwendungen gut eignen, sollen die Schichten eine sehr hohe optische Transparenz und gleichzeitig einen sehr geringen elektrischen Widerstand aufweisen.
- Zur Herstellung derartiger Schichten sind mehrere Verfahren bekannt, wie reaktive Kathodenzerstäubung (reactive sputterina) aus einer metallischen oder oxidischen Antikathode (metal or oxide target) oder reaktives Verdampfen im Vakuum, Sprühpyrolyse oder chemische Dampfabscheidung (vgl. S.
- Noguchi und H. Sakata, J. Phys. D: Appl. Phys. 13 (1980), 1129-33). Diese Verfahren sind in ihrer Durchführung zum Teil aber apparativ sehr aufwendig und zeitraubend, und erlauben insbesondere nicht eine einfache, gut reproduzierbare Herstellung von dotierten Metalloxidschichten mit einer Kombination mehrerer Beschichtungen in einem Arbeitsgang. Gerade aber durch die Dotierung mit Fremdmetalr len oder durch eine Kombination von Schichten lassen sich die gewünschten Eigenschaften günstig beeinflussen und dem Verwendungszweck entsprechend variieren und anpassen.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist deshalb die Bereit- stellung eines einfach durchzuführenden Verfahrens zur.
- Herstellung von dünnen, optisch transparenten und elektrisch leitenden Schichten aus Metalloxiden, die mindestens zwei verschiedene Metalle enthalten. Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren der vorliegenden Erfindung gelöst.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von dünnen, optisch transparenten und elektrisch leitenden Schichten aus Metalloxiden durch reaktives Verdampfen von Metallen im Vakuum in Gegenwart von Sauerstoff und Abscheiden auf einem Substrat, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man aus zwei oder mehreren Metallen bestehende Legierungen verdampft.
- Vorzugsweise werden als Legierungen solche eingesetzt, die zwei oder mehrere Metalle der 4. bis 8. Hauptgruppe und/oder der 1. bis 4. Nebengruppe, die gleichzeitig der 2. bis 4. Periode des Systems der Elemente angehören, eingesetzt; und insbesondere Legierungen aus Indium und Zinn, z. B. mit einem Gehalt von 40 bis 60, insbesondere So Gew.-% Zinn.
- Die Verdampfung erfolgt im Vakuum und in Gegenwart von Sauerstoff. Der Sauerstoffpartialdruck ist dabei vorzugsweise größer 10 3 Pa, und beträgt insbesondere 10 2 bis 10 1 Pa, wobei der Gesamtdruck vorzugsweise ca. 10 2 bis 1 Pa beträgt.
- Die Erhitzung der Legierungen erfolgt zweckmäßigerweise mittels Widerstandsheizung, z. B. in einem Wolfram-Schiffchen. Die Abscheidungstemperatur, d. h. die Temperatur des Substrats, beträgt im allgemeinen mindestens 2ovo0 C, und liegt zweckmäßigerweise zwischen 300 und 6000C, insbesondere zwischen 400 und 5ovo0 C. Die Art des verwendeten Substrats richtet sich nach dem beabsichtigten Verwendungs- zweck; im allgemeinen handelt es sich dabei um (optisches) Glasmaterial oder Quarz. Die Erhitzung erfolgt zweckmäßigerweise elektrisch.
- Die Abscheidungsgeschwindigkeit der Oxidschichten auf dem Substrat beträgt im allgemeinen o,o5 bis 0,5 nm/sec und insbesondere o,1 bis 0,3 nm/sec. Sie kann durch Variation der Verfahrensbedingungen gesteuert werden. Die Dicke der Oxidschichten liegt, abhängig vom Verwendungszweck, bei So bis 200 nm, und vorzugsweise bei 120 bis 170 nm.
- Es kann auch zweckmäßig sein, die reaktive Verdampfung zusätzlich zur Sauerstoffatmosphäre in Gegenwart eines Plasmas durchzuführen, das z. B. durch Glimmentladung im Reaktionsgefäß gebildet wird. Dadurch kann die Reaktion des Metalldampfes mit dem umgebenden Gas gesteigert werden.
- Bei sonst gleichen Verfahrensbedingungen werden dabei Filme mit im wesentlichen gleichen optischen und elektrischen Eigenschaften erhalten.
- Die Fig. 1 bis 3 zeigen den Einfluß der Verfahrensparameter (Sauerstoffpartialdruck, Abscheidungstemperatur und Legierungszusammensetzung) auf die Eigenschaften (Schichtwiderstand, spezifischer Widerstand, Lichtdurchlässigkeit) der Metalloxidschichten am Beispiel eines Indium-Zinn-Oxids (ITO).
- Die Fig. 4 zeigt die Durchlässigkeit von Indium-Zinn-Oxiden in Abhängigkeit von der Wellenlänge. Wenn nicht anders angegeben, beziehen sich die Figuren auf eine Indium-Zinn-Legierung mit einem Gehalt von So Gew.-% Zinn (in Fig. 2 mit 28 Gew.-% Zinn), eine Abscheidunqstemseratur T von 4200 C (Fig. 3: 44Q0), an Quarz, einen Sauerstoft ialdruck von 102 Mar eine Wellenlänge von 55w nm und eine Schichtdicke von 150 nm.
- Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich auf einfache und schnelle Weise Metalloxidschichten herstellen, die mindestens zwei verschiedene Metalle enthalten und die insbesondere sehr gute Eigenschaften hinsichtlich der Lichtdurchlässigkeit und der Leitfähigkeit zeigen. So besitzt z. B. eine erfindungsgemäß bei einem Sauerstoffpartialdruck von 10 2 Pa hergestellte Schicht aus einer Indium-Zinn-Legierung (mit 50 Gew.-% Zinn) einen Schichtwiderstand ROvon 23,1 (entsprechend einem spezifischen Widerstand p = o,34) und eine Transparenz (Lichtdurchlässigkeit) von 9o % (bei 550 nm). Aufgrund dieser Eigenschaften, die sich durch Veränderung der Verfahrensbedingungen und/oder der Mengenanteile der Legierungsbestandteile zum Teil noch verbessern lassen (siehe die Fig. 1 bis 3), sind die erfindungsgemäßen Metalloxidschichten z. B. sehr gut geeignet zur Vergütung von Brillengläsern und insbesondere zur Verwendung in Sichtanzeigegeräten (LCD).
- Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es auch möglich, eine Kombination zweier oder mehrerer gleicher und insbesondere verschiedener Schichten in einem Arbeitsgang, d. h. in der gleichen Aufdampfanlage bei nur einem Auspumpvorgang, herzustellen. Dazu befinden sich in der Aufdampf anlage mehrere Verdampferquellen, z. B. mehrere mittels Widerstandsheizung beheizbare Behälter zur Aufnahme der vorzugsweise verschiedenen Metallegierungen. Durch eine zeitlich hintereinander erfolgende Verdampfung und Abscheidung in der gewünschten Reihenfolge werden dann die einzelnen Schichten aufeinander abgeschieden, wobei sich durch entsprechende Wahl und Veränderung der Reaktionsparameter, wie z. B. der Verdampfungszeit, die Dicke der einzelnen Schichten variieren läßt, oder aber auch Kombinationen chemisch gleich zusammengesetzter Schichten mit verschiedenen physikalischen Eigenschaften, wie z. B.
- Widerstand und/oder Transparenz, erhalten werden können.
- Diese Verfahrensvariante ist insbesondere zur Kombination mit elektrochromen Beschichtungen von Bedeutung, wie z. B.
- zur Herstellung einer Kombination aus einer Indium-Zinn-Oxidschicht (ITO) mit einer elektrochromen Schicht, wie z. B. mit einer MoO3- oder W03-Schicht.
- Das nachfolgende Beispiel erläutert die Erfindung näher, ohne sie darauf zu beschränken.
- Beispiel Eine homogenisierte Indium-Zinn-Legierung wurde aus einem Wolfram-Schiffchen mittels Widerstandsheizung verdampft.
- Als Substrat diente elektrisch beheizter Quarz. Die Abscheidungsgeschwindigkeit der Oxidschicht betrug 0,2 nm/ sec, die Gesamtdicke 15o nm.
- Vor dem Beginn der Verdampfung wurde das Reaktionsgefäß auf einen Druck von lo -4 Pa evakuiert, und während der Verdampfung kontinuierlich Sauerstoff in das Reaktionsge--3 bis -1 fäß bis zu einem Gesamtdruck von 1o -3 bis1o -1 Paeingespeist. Für verschiedene Ablagerungen wurden die Bedingungen von Sauerstoffpartialdruck, Substrattemperatur und die Zusammensetzung der Indium-Zinn-Legierung verändert.
- Zur Förderung der Reaktion des Indium-Zinn-Dampfs mit dem umgebenden Gas wurde mittels einer Ringkathode, die 5 cm unterhalb der Probenhalterung angebracht war, eine Glimmentladung erzeugt. Zur Erzielung -eines kontinuierlich brennenden dichten Plasmas war bei einem Druck von 10-2 Pa eine Gleichstromspannung von 4 kV erforderlich. Die elektrischen Eigenschaften (Schichtwiderstand, spezifischer Widerstand) der Filme wurden mittels eines Gleichstrom-Vierpunkt-Meßgeräts (four ring unit, Veeco FPP 100) bestimmt; die optische Durchlässigkeit wurde als Funktion der Wellenlänge im Bereich von 200 bis looo nm gemessen.
Claims (11)
- Verfahren zur Herstellung von dünnen Metalloxidschichten P a t e n t a n s p r ü c h e Verfahren zur Herstellung von dünnen, optisch transparenten und elektrisch leitenden Schichten aus Metalloxiden durch reaktives Verdampfen von Metallen im Vakuum in Gegenwart von Sauerstoff und Abscheiden auf einem Substrat, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß man aus zwei oder mehreren Metallen bestehende Legierungen verdampft.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß man Legierungen aus zwei oder mehreren Metallen der 4. bis 8. Hauptgruppe und/oder 1. bis 4. Nebengruppe, die gleichzeitig der 2. bis 4.Periode des Systems der Elemente angehören, verdampft.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß man Legierungen aus Indium und Zinn verdampft.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Indium-Zinn-Legierungen 40 bis 60, insbesondere So Gew.-% Zinn enthalten.
- 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß man die Legierungen in Gegenwart von Sauerstoff und einem Plasma verdampft.
- 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß man als Substrat Gläser oder Quarz verwendet.
- 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß man mehrere gleiche und/oder verschiedene Metalloxidschichten durch hintereinanderfolgendes Verdampfen gleicher und/ oder verschiedener Legierungen in der gleichen Aufdampfanlage herstellt.
- 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß man bei einem Sauerstoff-Partialdruck von 1o 2 bis 10 1 Pa arbeitet.
- 9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß man bei einer Ablagerungstemperatur von 300 bis 600, insbesondere 400 bis 5ovo0 C arbeitet.
- 10. Das im Beispiel beschriebene Verfahren.
- 11. Dünne, optisch transparente und elektrisch leitende Metalloxid-Schichten, erhältlich nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis lo.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813138998 DE3138998A1 (de) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Verfahren zur herstellung von duennen metalloxidschichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813138998 DE3138998A1 (de) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Verfahren zur herstellung von duennen metalloxidschichten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3138998A1 true DE3138998A1 (de) | 1983-04-14 |
Family
ID=6143113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813138998 Withdrawn DE3138998A1 (de) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Verfahren zur herstellung von duennen metalloxidschichten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3138998A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0334991A1 (de) * | 1988-02-26 | 1989-10-04 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von Scheiben aus Mineralglas mit hohem Transmissionsverhalten im sichtbaren Spektralbereich und mit niedriger Sonnenenergietransmission sowie durch das Verfahren hergestellte Scheiben |
EP0343695A1 (de) * | 1984-10-29 | 1989-11-29 | Ppg Industries, Inc. | Zerstäubte Beschichtungen aus Metallegierungsoxiden |
-
1981
- 1981-09-30 DE DE19813138998 patent/DE3138998A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0343695A1 (de) * | 1984-10-29 | 1989-11-29 | Ppg Industries, Inc. | Zerstäubte Beschichtungen aus Metallegierungsoxiden |
EP0334991A1 (de) * | 1988-02-26 | 1989-10-04 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von Scheiben aus Mineralglas mit hohem Transmissionsverhalten im sichtbaren Spektralbereich und mit niedriger Sonnenenergietransmission sowie durch das Verfahren hergestellte Scheiben |
US5090984A (en) * | 1988-02-26 | 1992-02-25 | Leybold Aktiengesellschaft | Method for producing glass of high transmission in the visible spectral range and low solar energy transmission |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3203416C2 (de) | ||
DE69909987T2 (de) | Sputtertarget, transparenter leitender film und verfahren zu dessen herstellung | |
DE2125827C3 (de) | Verfahren zum Aufstäuben eines elektrisch leitenden Metalloxidüberzuges | |
DE2839057C2 (de) | ||
DE1909910A1 (de) | Verfahren zum UEberziehen von Substraten mit leitenden Metalloxidfilmen durch kathodische Zerstaeubung | |
DE3639508A1 (de) | Transparenter, elektrisch leitender film und verfahren zu seiner herstellung | |
DE69734023T2 (de) | Oxidfilm, Laminate und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2719988C2 (de) | Amorphe, Tantal enthaltende mindestens bis 300 Grad C temperaturstabile Metallschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2930373A1 (de) | Verfahren zum herstellen transparenter, elektrisch leitender indiumoxid (in tief 2 o tief 3 )-schichten | |
DE68903980T2 (de) | Elektroleitendes glas und verfahren zu seiner herstellung. | |
DE3303154C2 (de) | ||
WO2012013302A1 (de) | Beschichtete produkte und verfahren zur herstellung eines beschichteten produkts | |
EP2028695A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung einer transparenten leitfähigen Oxidbeschichtung | |
DE2063580C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer transparenten, elektrisch leitfähigen Indiumoxidschicht | |
Lloyd | Properties of cadmium stannate films prepared by rf sputtering from powder targets | |
DE3201783A1 (de) | Verfahren zum herstellen von in der draufsicht und durchsicht weitgehend farbneutralen, einen hohen infrarotanteil der strahlung reflektierenden scheiben durch katodenzerstaeubung von targets sowie durch das verfahren hergestellte glasscheiben | |
DE3138998A1 (de) | Verfahren zur herstellung von duennen metalloxidschichten | |
DE3205919C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytschichten fuer galvanische Zellen | |
DE2050556C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer hochbrechenden optisch homogenen und absorptionsfreien Oxidschicht | |
DE1909869A1 (de) | Verfahren zur Herstellung leitender Metalloxidueberzuege | |
DE4126811A1 (de) | Verfahren zur optischen verguetung transparenter, elektrisch leitfaehiger metalloxidschichten | |
DE10055636C2 (de) | Transparenter leitfähiger Film und Verfahren zur Herstellung des Films | |
DE3309955C2 (de) | ||
DE102011055618A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Cadmiumsulfidschicht | |
DE102008028140B3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer transparenten und leitfähigen Metalloxidschicht durch gepulstes, hochionisierendes Magnetronsputtern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |