DE3136835C2

DE3136835C2 - Endstufe eines Leistungsverstärkers

Info

Publication number: DE3136835C2
Application number: DE3136835A
Authority: DE
Inventors: Hiroyasu Yokohama Yamaguchi
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1980-09-16
Filing date: 1981-09-16
Publication date: 1983-07-21
Also published as: GB2084420A; DE3136835A1; GB2084420B; JPS648923B2; JPS5753112A; US4404528A

Abstract

Der erfindungsgemäße Ausgangsverstärker umfaßt einen Ausgangstransistor (Q18, Q19) und einen Vorspannungstransistor (Q20, Q21), dessen Emitter mit dem Emitter des Ausgangstransistors (Q18, Q19) verbunden ist. Die Polarität des Vorspannungstransistors (Q20, Q21) stimmt mit der Polarität des Ausgangstransistors (Q18, Q19) überein. Mit dem Kollektor und der Basis des Vorspannungstransistors (Q20, Q21) sind Widerstände (R13, R14, R15, R16) mit kleinem Widerstandswert verbunden. Die anderen Enden dieser Widerstände (R13 bis R16) sind an die Basis des Ausgangstransistors (Q18, Q19) angeschlossen. Bei Anlegen eines Eingangssignals während der positiven Signalperiode an die Basis des Ausgangstransistors (Q18, Q19) arbeitet eine aus dem Vorspannungstransistor (Q20, Q21) und den Widerständen (R13 bis R16) bestehende Schaltung als Widerstandsschaltung. Wenn andererseits an die Basis des Ausgangstransistors (Q18, Q19) kein Signal angelegt wird oder wenn an die Basis des Ausgangstransistors (Q18, Q19) während der negativen Signalperiode ein Signal angelegt wird, arbeitet die genannte Schaltung als Stromspiegelungsschaltung. Wenn daher der Ausgangstransistor (Q18, Q19) sperrt, sperrt gleichzeitig auch der Vorspannungstransistor (Q20, Q21).

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Endstufe eines Leistungsverstärkers der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art, insbesondere auf einen Seriengegentakt-Leistungsverstärker.

Bei Verwendung einer herkömmlichen Endstufe in einem Seriengegentakt-Leistungsverstärker für den B- oder AB-Betrieb werden die Vorstufenschaltungen der Ausgangstransistoren der Endstufe nicht gleichzeitig mit der Sperrung der Ausgangstransistoren gesperrt. Die dadurch hervorgerufene Betriebsverzögerung zwischen dem Betriebszustand der Ausgangstransistoren und dem Betriebszustand der Vorstufenschaltung führt zu Verzerrungen des Ausgangssignals.

Bei beliebigen Ausbildungen herkömmlicher Seriengegentakt-Leistungsverstärker für den A-, B- oder AB-Betrieb ändert sich dann, wenn keine Signale erzeugt werden, das heißt im Leerlauf, der Leerlaufstrom des Ausgangstransistors in starkem Maße, sobald sich der Verzögerungsstrom für die Ausgangstransistoren ändert. Damit erweisen sich die Festlegung und die Steuerung des Leerlaufstroms als ziemlich schwierig.

Die vorstehend erwähnten Ausgangssignalverzerrungen können bei semi-komplementären Seriengegentakt-Leistungsverstärkern zu einem Großteil vermieden werden, wenn die Schaltungen in Form integrierter Schaltkreise ausgebildet werden.

Die Aufgabe der Erfindung besteht demgegenüber darin, eine Endstufe für eiren Leistungsverstärker zu schaffen, bei der Ausgangssignalverzerrungen und Änderungen des Leerlaufstroms aufgrund von Änderungen des Versorgjngsstromes verringert werden.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen bzw. Anwendungen der Endstufe ergeben sich aus den Untcransprüchen. Speziell bezieht sich Anspruch 2 auf die Verwendung in einem Seriengegentakt-Leistungsverstärker.

Bei der erfindungsgemäßen Endstufe arbeitet also die aus einem Transistor und zwei Widerständen bestehende Schaltung bei Anlegen eines kleinen Signalstroms als Stromspiegel für den Ausgangstransistor, und bei Anlegen eines große.ι Signalstroms als Widerstandsschallung für den Ausgan^stransistor. Sobald daher die Ausgangstransistoren gesperrt werden, werden gleichzeitig die Vorstufentransistoren gesperrt Auf diese Weise wird eine Betriebsverzögerung zwischen den Betriebszubtänden der Ausgangstransistoren und den Betriebszuständen der Vorstufentransistoren vermieden, was zu einer Verringerung der Ausgangssignalverzerrungen führt.

Bei der erfindungsgemäßen Endstufe wird ferner der Leerlaufstrom des Ausgangstransistors eindeutig in

ίο Form einer linearen Funktion durch einen Stromfluß durch die Vorstufentransistoren bestimmt. Auf diese Weise werden die vorstehend erwähnten Änderungen des Leerlaufstroms verringert.

Da ferner der Vorspannungstransistor bei Anlegen eines großen Signalstroms statt als stromspiegelnde Diode als Widerstand arbeitet, läßt sich die erfindungsgemäße Endstufe leicht bei Treiberschaltungen großer Leistung verwenden.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein elektrisches Schaltbild einer ersten Ausführungsform einer Endstufe in emem Seriengegentakt-Leistungsverstärker;
F i g. 2 ein Ersatzschaltbild einer bei der Ausführungsform nach F i g. 1 vorgesehenen Schaltung A oder 3 bei Anlegen eines kleinen Signalstroms;

Fig. j ein Ersatzschaltbild der bei der Ausführungsform nach F i g. 1 vorgesehenen Schaltung A oder B bei Anlegen eines großen Signalstroms, und

w Fig.4 ein elektrisches Schaltbild einer zweiten Ausführungsform einer Endstufe in einem Seriengegentakt-Leistungsverstärker.

Die in F i g. 1 dargestellte erste Ausführungsform einer Endstufe wird in einem Seriengegentakt-Leistungsverstärker verwendet.

In Fig. 1 umfaßt ein Differenzverstärker 10 zwei, ein Differenzpaar bildende npn-Transistoren Q11 und Q\2, ferner zwei eine Stromspiegelungsschaltung bildende pnp-Transistoren Q13 und Q14 sowie einen

■«ο npn-Transistor Q15, welcher mit dem Differenzpaar verbunden ist und als Konstantstromquelle verwendet wird Die Stromspiegelungsschaltung ist mit den Kollektoren der Transistoren ζ> 11 und Q12 verbunden und arbeitet als Kollektorlast.

■»"> Die Basen der Transistoren Qii und Q 15 sind mit einer Basisvorspannungsschaltung 12 verbunden. Die Elasisvorspannungsschaltung 12 umfaßt eine Serienschaltung aus einem Widerstand R 11 und Dioden D 11, D12, wobei an einen Verbindungspunkt zwischen dem

>» Widerstand RW und der Diode DW ein Widerstand R 12 angeschlossen ist.

Die Basis des Transistors Q11 ist über einen Kondensator CIl mit einer Signalquelie 5/verbunden. Das von dem Differenzverstärker 10 verstärkte Signal

">"' wi:d /om Kollektor des Transistors QW einer Treiberschaltung 14 zugeführt.

Die Treiberschaltung 14 besieht aus der Darlingtonschaltung zweier npn-Transistoren Q 16 und Q 17 sowie einem Kondensator C12, der zwischen Kollektor und Basis des Transistor Q 16 geschaltet ist. Die Treiberschaltung 14 treibt eine semi-komplementäre Seriengegentakt-Ausgangsstüfe 16.

Die semi-komplementäre Seriengeßeraakt-Ausgangsstufe 16 besitzt als Ausgangstransistoren npn-

t" Transistoren Q 18 und Q 19. Der Emitter des Ausgangstransistors Q 18 ist rr^:t dem Emitter eines npn-Transistors ζ) 20 verbunden. Der Kollektor und die Basis des Transistors Q2Q sind mit einem Widerstand R 13 bzw.

R 14 verbunden, tun Vcrbinclimgspunkt zwischen diesen beiden Widerstanden R 13 und R 14 führt zur Basis des Ausgangstransistors ζ) 18. Die Transistoren ζ) 18 und ζ) 20 sowie die Widerstände R 13 und R 14 bilden eine Schaltung A.

Der Emitter des Ausgangstransistors Q 19 ist mil dein Emitter eines npn-Transistors Q2\ verbunden. Der Kollektor und die Basis des Transistors Q 21 sind an Widerstände R15 bzw. R16 angeschlossen. Ein Verbindungspunkt zwischen diesen beiden Widerständen R 15 und R 16 führt zur Basis des Ausgangstransistors ζ) 19. Die Transistoren ζ) 19 und Q2i sowie die Widerstände R 15 und R 16 bilden eine Schaltung B. Die Schaltungen A und ßstellen je eine Endstufe dar.

Der Ausgangstransistor Q18 bildet mit einem npn-Transistor Q 22 eine Darlingtonschaltung. Die Basis des Transitors ζ) 22 ist über Dioden D 13 und D 14 mit der Treiberschaltung 14 verbunden. Über die Dioden D 13 und D 14 wird das Signal eingespeist. Mit der Basis ties TiaiiMMOi'S C/11 ist eine Könsianisirornquelle /11 verbunden.

Mit der Basis des Ausgangstransistors Q 19 ist der Kollektor eines komplementären pnp-Transistors ζ) 23 verbunden. Die Basis des Transistors Q 23 ist mit der Treiberschaltung 14 verbunden, von welcher das Signal zugeführt wird. Der Emitter des Transistors ζ) 23 ist über einen npn-Transistor Q 24 und der Serienschaltung zweier Dioden D 15 und D 16 mit dem Kollektor des Ausgangstransistors Q 19 verbunden. Die Transistoren ζ) 19, Q 23 und ζ) 24 bilden einen zusammengesetzten pnp-Transistor. Die Betriebsspannung an einer Ausgangsklemme wird von einem mit der Ausgangsklemme 20 über einen Widerstand R 19 verbundenen Ausgangsspannungsschieber 18 auf den halben Wert der Quellenspannung Vcc zweier Spannungsquellen £11 und £ 12 festgelegt. Der Ausgangsspannungsschieber 18 umfaßt folgende Bauteile: zwei npn-Transistoren ζ) 25 und ζ) 26. welche eine .Strnmsniegelungsschaltung bilden: eine aus einer Diode D 17, einem Widerstand R 17 und einer Diode D 18 bestehende .Serienschaltung, welche mit dem Kollektor des Transistors ζ) 26 verbunden ist; und einen Widerstand R 18 sowie einen Kondensator C13, die mit dem Kollektor des Transistors Q 25 verbunden sind.

Zwischen der Ausgangsklemme 20 und dem negativen Pol der Spannungsquelle Eil ist eine Serienschaltung aus einem Kondensator C14 und einem Lautsprecher Sfangeordnet. Wenn für den Gegentaktverstärker ein OCL-Typ gewählt wird, bei dem eine positive und eine negative Spannungsquelle verwendet wird, ist der Kondensator C14 unnötig, während der Lautsprecher SP zwischen fc^r Ausgangsklemme 20 und dem Verbindungspunkt zwischen den Spannungsquellen FIl und £12 angeschlossen ist. In Fig. 1 bilden ein npn-Transistor (527, ein Widerstand 20 und ein Kondensator C15 ein Oberwellenfilter für die Leistungsquelie.

Nachstehend soll die Funktionsweise der in F i g. 1 dargestellten Ausführungsform erläutert werden.

Sobald von der Signalquelle Si über den Kondensator CIl der Basis des Transistors QiI ein Eingangssignal zugeführt wird, wird dieses Eingangssignal durch den Differenzverstärker 10 verstärkt und als verstärktes Signal über den Transistor QlI der Treiberschaltung 14 zugeführt Die Treiberschaltung 14 leitet das verstärkte Eingangssignal über die Dioden D13 und D14 an die Basis des Transistors Q22 sowie unmittelbar an die Basis des Transistors Q 23. Damit arbeiten die Ausgangsiransistoren Q 18 und Q 19 im Gegentaktbetrieb. Infolge dieses Betriebes erhält man einen Treiberstrom. welcher den Lautsprecher SPtreibt.
Die Funktionsweise der Schaltung A und B soll

ι nunmehr erläutert werden. Wenn die Basis (Verbindungspunkt /f^des Ausgangsiransistors QiS auf einem Potential liegt, bei dem kein Signal oder nur ein geringes, mit keinem Signal gleichzusetzendes Signal der Basis zugeführt wird, oder auf einem Potential liegt,

ι das niedriger als die Spannung während der negativen Signalperiode ist. so ist der Strom am Verbindungspunkt a sehr klein, mit der Folge, daß die Spannungsabfälle an den Widerstanden R 13 und R 14 vernachlässigbar sind. Die Schaltung A ist damit gleichzusetzen einer Schaltung, welche die Widerstände R 13 und R 14 nicht aufweist, so daß sie als Stromspiegelschaltung arbeitet. F i g. 2 zeigt ein Ersatzschaltbild der Schaltung A in dem betrachteten Betriebszustand. Dabei wird der Basis-Emitterübertragung des Transistors ζ) 20 durch eine Diudv: Dit uürgcSiCm.

Die Schaltung B arbeitet in gleicher Weise wie die Schaltung A. Wenn die Basis (Verbindungspunkt b) des Ausgangstransistors Q 19 auf einem Potential liegt, bei dem kein Signal oder nur ein geringes, mit keinem Signal gleichzusetzendes Signal der Basis zugeführt wird, oder auf einem Potential liegt, das niedriger als die Spannung während der negativen Signalperiode ist, so arbeitet die Schaltung B als Stromspiegelschaltung. Das zugehö.ige Ersatzschaltbild der Schaltung B ist in F i g. 2 veranschaulicht.

Die Gleichspannung V an dem Verbindungspunkt a und dem Emitter des Transistors Q 20 oder an dem Verbindungspunkt b und dem Emitter des Transistors Q 21 ist durch die folgende Gleichung gegeben:

K= YBE +

Rg- 1 hFE

wobei VBE die Vorspannung in Durchlaßrichtung zwischen Emitter und Basis des Transistors Q 20 oder zwischen Emitter und Basis des Transistors (321 ist. während Ra der Widerstandswert der Widerstände R 14 oder R 16, / der Kollektorstrom des Transistors (?20 oder Q 21 und hFE der Stromverstärkungsfaktor des Transistors (? 20 oder Q 21 ist.

Für kleines Ra und sehr großen Stromverstärkungsfaktor hFE wird die Gleichspannung V gemäß Gleichung (1) näherungsweise gleich der Vorspannung VSE Die Schaltungen A und B arbeiten dann als Stromspiegelschaltungen. In diesem Fall werden das Verhältnis zwischen dem Emitterstrom des Transistors ζ) 18 und dem Emitterstrom des Transistors Q.'O und das Verhältnis zwischen dem Emitterstrom des Transistors Q19 und dem Emitterstrom des Transistors ζ) 21 durch die betreffenden Emitterflächenverhältnisse bestimmt, falls diese Transistoren im wesentlichen die gleichen Eigenschaften besitzen.

Wenn die Schaltung A als Stromspiegelschaltung arbeitet, ändert sich der Emitterstrom des Transistors

μ Q 22 proportional mit dem Emitterstrom des Ausgangstransistors QiS. Wenn der Ausgangstransistor Q18 sperrt, wird gleichzeitig auch der Transistor Q22 gesperrt

Die Schaltung B arbeitet in gleicher Weise wie die

ei Schaltung A. Die Emitterströme der Transistoren Q 23 und Q 24 ändern sich proportional mit dem Emitterstrom des Ausgangstransistors Q19. Sobald der Ausgangstransistor Q19 gesperrt ist, sind gleichzeitig

die Transitoren Q 23 und Q 24 gesperrt.

Wie vorstehend erläutert ist, werden bei der Ausführungsform nach F i g. I die folgenden Wirkungen erzielt:

(1) Wenn die Basiselektroden der Ausgangstransistoren Q 18 und Q 19 auf einem Potential liegen, bei dem kein Signal oder nur ein geringes, mit keinem T-ignal gleichzusetzendes Signal der jeweiligen Basiselektrode zugeführt wird, oder auf einem geringeren Potential liegen, arbeiten die Schaltungen A und B als Stromspiegelschaltungen. Wenn daher die Ausgangstransistoren Q18 oder C? 19 gesperrt werden, werden gleichzeitig der Transistor Q 22 bzw. die Transistoren Q 23 und ζ) 24 gesperrt. Wenn daher der Seriengegentakt-Leistungsverstärker im B- oder AB-Betrieb arbeitet, tritt keine Betriebsverzögerung zwischen dem Ausgangstransistor Q 18 und den Vorstufenschaltungpn oHpr 7wi^rhnn dem Atisganestransistor Q 19 und den Vorstufenschaltungen auf, wodurch die Ausgangssignalverzerrungen beseitigt sind.

Bei herkömmlichen Schaltungen sind jedoch die Widerstände und die Konstantstromquellen einfach zwischen Basis und Emitter des Ausgangstransistors Q V8 oder Q 19 angeschlossen. Wenn daher der Ausgangstransistor ζ) 18 oder Q 19 gesperrt wird, sperren die Vorstufentransistoren nicht gleichzeitig. Dadurch werden die Ausgangssignale verzerrt.

Wenn insbesondere der Seriengegentakt-Leitungsverstärker als monolithischer integrierter Schaltkreis ausgebildet und ein lateraler pnp-Transistor mit geringer Signallaufzeit als Transistor ζ) 23 verwendet wird, führt eine derartige Konstruktion zu erhöhten Ausgangssignalverzerrungen. Demgegenüber werden die Ausgangssignalverzerrungen bei der betrachteten Ausführungsform nach F i g. 1 in hohem Maße verringert.

(2) Wenn kein Signal zugeführt wird, ist der Emitterstrom des Transistors Q 22 oder der Transistoren ζ) 23 und ζ) 24 proportional dem Emitterstrom des zugehörigen Ausgangstransistors (?18 oder ζ) 19. Damit ändert sich der Leerlaufstrom der Ausgangstransistoren Q18 und Q19 im Verhältnis 1 :1 bezüglich der Änderungen der Ströme /01 und /02, welche durch die Vorspanndioden D 13 und D 14 bzw. die Vorspanndioden D15 und D16 fließen. Der Seriengegentakt-Leistungsverstärker ist damit gleichförmig und stabil, wobei der Herstellungsvorgang außerordentlich einfach ist.

Wenn andererseits die Widerstände und Konstantspannungsquellen einfach zwischen Basis und Emitter der Ausgangstransistoren Q18 und Q19 angeschlossen sind, werden die Ströme /01 und /02 mehrfach verstärkt, was die Leerlaufströme dahingehend beeinflußt, da3 sich die Leerlaufströme der Ausgangstransistoren Q18 und ζ> 19 in großem Maße ändern.

Das Verhältnis zwischen den Leerlaufströmen (Icieer)der Ausgangstransistoren Q18 und Q19 und den Strömen /01 und /02 genügt folgenden Gleichungen (2) und (3) für das betrachtete Ausführungsbeispiel bzw. eine Endstufe nach dem Stand der Technik.

Für das betrachtete Ausführungsbeispiel gilt folgende Gleichung:

lc,„ = A/TOI · /02

(2)

Für eine Endstufe nach dem Stand der Technik gilt folgende Gleichung:

k,„ = K' ■ /Öl-¹ ■ /02- ,

(3)

wobei K und K' Konstanten sind. Gemäß Gleichung (3) werden Änderungen der Ströme /01 und /02 quadriert, ίο was den Leerlaufstroni bei Ausgangsverstärkern nach dem Stand der Technik in hohem Maße beeinflußt.

Diese zweite Wirkung tritt auf, wenn der Seriengegentakt-Leistungsverstärkcr im B- oder AB-Betrieb arbeitet.

(3) Wenn sich das dem Verbindungspunkt a oder b zugeführte Signal in der positiven Signalperiode ändert, das heißt, wenn der Emitterstrom des Transistors ζ)20 oder Q2\ zum Steigen tendiert, ?n neigt die Kollektor-Emitterspannung des Transistors Q 20 oder ζ) 21 wegen des Vorliegens des Kollektorwiderstandes R 13 oder R 15 zur Sättigung.

Das Ersatzschaltbild der Schaltung A oder B ist für diesen Fall in F i g. 3 veranschaulicht. Der Basis-Emitter-Übergang des Transistors Q20 oder ζ)21 ist durch eine Diode Da veranschaulicht. Wenn daher dem Verbindungspunkt a oder b während der positiven Signalperi-

H) ode ein Signal zugeführt wird, arbeitet die Schaltung A oder B in der gleichen Weise wie herkömmliche Seriengegentakt-Leistungsverstärker. Für die Widerstände R 13 und R 15 werden Widerstände von etwa 10 Ohm bis einige kOhm verwendet, so daß die

r> Basistreiberspannung der Ausgangstransistoren Q18 und Q19 ausreichend ist. Die Widerstandswerte der Widerstände R 13 und R 15 werden vorzugsweise so gewählt, daß die Spannung an den Kollektor- und Emitterelektroden der Transistoren ζ/20 und ζ>2ί nic'ni im Sättigungsbereich liegt.

Bei der Ausführungsform nach F i g. 1 ist der Ausgangstransistor Q 18 oder Q 19 so geschaltet, daß e, sperrt, wenn dem Verbindungspunkt a oder b während der negativen Halbwelle ein Signal zugeführt wird.

j-, Alternativ hierzu kann ein Seriengegentakt-Leistungsverstärker im B-Betrieb so ausgebildet werden, daß bei Verbindung der Verbindungspunkte a und b mit einer einen kleinen Strom abgebenden Stromquelle der Ausgangstransistor Q 18 oder Q19 nicht gesperrt wird.

-)<> Desweiteren kann anstelle einer Verwendung der Endstufe bei einem semi-komplementären Seriengegentakt-Leistungsverstärker auch eine Verwendung bei einem in Fig.4 dargestellten Seriengegentakt-Leistungsverstärker zum Beispiel vorgesehen werden.

Dabei wird der Ausgangsverstärker für die Schaltungen A, B, C und D des Leistungsverstärkers gemäß F i g. 4 verwendet Ferner kommt auch eine Ausführung in Betracht, bei welcher nur eine der Schaltungen Cund D verwendet wird. Für diese Ausbildung sind natürlich bestimmte Abänderungen erforderlich. Der als Anwendungsform der Endstufe vorgesehene Seriengegentakt-Leistungsverstärker kann auch noch für andere Applikationsformen als für Tonsignale verwendet werden. Desweiteren kann die Stromverstärkung des als Stromspiegelschaltung arbeitenden Transistors Q 20 oder Q 21 größer als dessen Emitterverhältnis gewählt werden, indem an den Emitter ein Widerstand angeschlossen wird.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Endstufe eines Leistungsverstärkers mit je einem Ausgangstransistor und je einer Vorspannungs-Transistorschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungs-Transistorschaltung folgende Merkmale aufweist:

— einen Vorspannungstransistor (Q 20; C? 21), ίο dessen Emitter mit dem Emitter des Ausgangstransistors (QlS; <?19) verbunden ist und dessen Leitungstyp mit dem Leitungstyp des Ausgangstransistors (Q 18; Q19) übereinstimmt;

— einen ersten mit dem Kollektor des Vorspannungstransistors (C? 20; Q2i) verbundenen Widerstand (R 13; R 15), und

— einen zweiten, mit der Basis des Vorspannungstransistors ((? 20; Q 21) verbundenen Widerstand (R 14; R 18), dessen anderer Anschluß mit dem anderen Anschluß des ersten Widerstands (R 13, R15) verbunden ist, während ein als Eingang für ein Signal dienender Verbindungspunkt (a; b) zwischen dem ersten und dem r> zweiten Widerstand (R 13; Λ15 bzw. Ri4; R 16) mit der Basis des Ausgangstransistors (Q 18, Q19) verbunden ist, wobei der Vorspannungstransistor (Q20; Q2i) und die Widerstände der Vorspannungsschaltung (R 13; R 14 bzw. R15; R16) derart gewählt sind, daß beim Zuführen eines kleinen Signalstroms der Vorspannungstransistor mit dem Ausgangstransistor einen Stroinspiegt, bildet, und daß beim Zuführen eines gioBen Signalstroms der Vor-Spannungstransistor mit ό η Widerständen der Vorspannungsschaltung als Widerstandsschaltung arbeitet

2. Seriengegentakt-Leistungsverstärker, dadurch "o gekennzeichnet, daß eine Endstufe nach Anspruch I verwendet wird und der Verstärker folgende Merkmale aufweist:

— einen ersten Ausgangstransistor (Q 18; Q 30); -»5

— einen ersten Vorspannungstransistor (C? 20; C?32), dessen Emitter mit dem Emitter des ersten Ausgangstransistors (Q 18; C?30) verbunden ist und dessen Leitungstyp mit dem Leitungstyp des ersten Ausgangstransistors ^M übereinstimmt;

— einen ersten, mit dem Kollektor des ersten Vorspannungstransistors (C? 20; Q30) verbundenen Widerstand (R 13; R 21);

— einen zweiten, mit der Basis des ersten « Vorspannungstransistors (Q20; Q32) verbundenen Widerstand (R 14; R 22), dessen anderer Anschluß mit dem anderen Anschluß des ersten Widerstands (R 13) verbunden ist, während ein als Eingang für ein erstes Signal dienender ^b0 Verbindungspunkt (a) zwischen dem ersten und dem zweiten Widerstand (R 13; R 21 bzw. R 14; R 22) mit der Basis des ersten Ausgangstransistors (Q 18; (?30) verbunden ist;

— einen zweiten Ausgangstransistor (Q 19; C?31), &⁵ der zur Bildung einer Seriengegentakt-Endstufe mit dem ersten Ausgangstransistor (Q 18; <?30) verbunden ist, wobei ein Verbindungspunkt (20) zwischen dem ersten und dem zweiten Ausgangstransistor (Q 18; Q 30 bzw. Q 19; C?32) als Ausgang dient;

— einen zweiten Vorspannungstransistor (C? 21; C? 33), dessen Emitter mit dem Emitter des zweiten Ausgangstransistors (C? 19; C?31) verbunden ist und dessen Leitungstyp mit dem Leitungstyp des .!weiten Ausgangstransistors (ζ? 19) übereinstimmt;

— einen dritten, mit dem Kollektor de^ zweiten Vorspannungstransistors (C? 21; C? 33) verbundenen Widerstand (R 15; R 23), und

— einen vierten, mit der Basis des zweiten Vorspannungstransistors (C? 21; C? 33) verbundenen Widerstand (R 16; R 24), dessen anderer Anschluß mit dem anderen Anschluß des dritten Widerstands (R 15; R23) verbunden ist, während ein als Eingang für ein bezüglich des ersten Signals gegenphasiges Signal dienender Verbindungspunkt (b) zwischen dem dritten und dem vierten Widerstand (R 15; R 23 bzw. R 16; R 24) mit der Basis des zweiten Ausgan'gStransistors (Q 19; C?31) verbunden ist,

— wobei der erste Vorspannungstransistor (C? 20; C? 32) sowie der erste und zweite Widerstand (R 13; Ä21 bzw. R 14; R 24) einerseits und der zweite Vorspannungstransistor (C? 21; C? 31) sowie der dritte und der vierte Widerstand (R 15; R 23 bzw. R 16; R 24) andererseits derart gewählt sind, daß beim Zuführen eines kleinen Signalstroms die Vorspannungstransistoren für die zugehörigen Ausgangstransistoren jeweils einen ^tromspiegel bilden, und daß beim Zuführen eines großen Signalstroms die Vorspannungstransistoren mit den zugehörigen Widerständen der Vorspannungsschaltungen als Widerstandsschaltung arbeiten.

3. Seriengegentakt-Leistungsverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß

— die ersten und zweiten Ausgangsxransistoren (C?30, C?31) mit ihren Basen mit ersten und zweiten Verstärkerschaltungen (C, D) verbunden sind;

— die erste Verstärkerschaltung (D) einen dritten Ausgangstransistor (Q 35) aufweist, dessen Kollektor mit der Basis des ersten Ausgangstransistors (C?30) verbunden ist;

— ein drittel Vorspannungstransistor (Q 37) vorgesehen ist, dessen Emitter mit dem Emitter des dritten Ausgangstransistors (Q 35) verbunden ist und dessen Leitungstyp mit dem Leitungstyp des dritten Ausgangstransistors (Q 35) übereinstimmt;

— ein fünfter Widerstand (R 27) mit dem Kollektor des dritten Vorspannungstransistors (Q 37) verbunden ist;

— ein sechster Widerstand (R 28) mit der Basis des dritten Vorspannungstransistors (Q 37) verbunden ist und mit seinem anderen Anschluß mit dem anderen Anschluß des fünften Widerstands (R 27) verbunden ist, während ein Verbindungspunkt zwischen dem fünften und sechsten Widerstand (R27 bzw. R28) mit der Basis des dritten Ausgangstransistors (<?35) verbunden ist,

— die zweite Verstärkerschaltung (C) einen

vierten Ausgangstransistor (Q 34) aufweist, dessen Kollektor mit der Basis des zweiten Ausgangstransistors (<?31) verbunden ist;

— ein vierter Vorspannungstransistor (Q 36) vorgesehen ist, dessen Emitter mit dem Emitter des vierten Ausgangstransistors (Q 34) verbunden ist und dessen Leitungstyp mit dem Leitungstyp des vierten Ausgangstransistors (Q 34) übereinstimmt;

— ein siebter Widerstand (R 25) mit dem Kollektor des vierten Vorspannungstransistors (Q'36) verbunden ist;

— ein achter Widerstand (R 26) mit der Basis des vierten Vorspannungstransistors f<?36) verbunden ist und mit seinem anderen Anschluß mit dem anderen Anschluß des siebten Widerstands (R 25) verbunden ist, während ein Verbindungspunkt zwischen dem siebten und achten Widerstand (R 25 bzw. R 26) mit der Basis des vierten Ausgangstransistors (Q 34) verbunden ist.