DE3114679A1 - INTEGRATED CIRCUIT WITH MULTI-LAYER CONNECTIONS - Google Patents
INTEGRATED CIRCUIT WITH MULTI-LAYER CONNECTIONSInfo
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Description
BESCHREIBUNGDESCRIPTION
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Schaltung,welche Verbindungen von einer Anzahl von über Isolationsschichten übereinanderliegenden Schichten aufweist/ und richtet sich im besonderen auf eine integrierte Schaltung, die Logikschaltungen enhält.The invention relates to an integrated circuit which Has connections of a number of layers superimposed by insulating layers / and is particularly directed to an integrated circuit that includes logic circuits.
Bei einer solchen integrierten Schaltung weist jede Verbindungsschicht eine Anzahl von Verbindungen zur Verbindung der Schaltkreiselemente der integrierten Schaltung untereinander auf. Diese Verbindungen liegen nicht in willkürlichen Lagen innerhalb der entsprechenden Schicht, sondern werden in einer Anzahl von Lagen, die für die betreffende Schicht festgelegt sind, angeordnet. Die Anlage der integrierten Schaltung geschieht unter der Annahme, daß in den festgelegten Lagen virtuelle Pfade,"Verbindungskanäle" genannt, existieren, und unter der Bedingung, daß die Verbindungen nur in den Pfaden angeordnet werden können- Die Verbindungskanäle sind üblicherweise parallel zueinander und liegen regelmäßig, beispielsweise in gleichen Abständen. Beispielsweise sind die Verbindungen der ersten Schicht in einigen einer Anzahl von Verbindungskanälen angeordnet, die sich in seitlicher Richtung erstrecken und parallel zueinander sind. Andererseits sind die Verbindungen der zweiten Schicht in einer Anzahl von Verbindungskanälen angeordnet, die sich in vertikaler Richtung erstrecken und parallel zueinander sind. Beispielsweise wird vorab, wenn der Anschluß des ersten Logikschaltkreiselements und derjenige des zweiten Logikschaltkreiselements miteinander verbunden werden sollen, ersteres auf dem ersten Verbindungskanal der ersten Schicht und letzteres auf den zweiten Verbindungskanal der ersten Schicht angeordnet. Die erste Verbindung der ersten Schicht ist im ersten Kanal für eine Verbindung mit dem Anschluß des ersten Logikschaltkreiselements angeordnet. Ähnlich ist die zweite Verbindung der ersten Schicht im zweiten Kanal für eine Verbindung mitIn such an integrated circuit, each connection layer has a number of connections for connection of the circuit elements of the integrated circuit with one another. These connections are not in arbitrary locations within the appropriate layer, but are in a number of locations appropriate to that Layer are set, arranged. The creation of the integrated circuit is based on the assumption that that in the defined positions virtual paths, "connecting channels" called, exist, and on the condition that the connections can only be arranged in the paths- The Connecting channels are usually parallel to one another and are regularly, for example at equal intervals. For example, the first layer connections are in some of a number of connection channels arranged that extend in the lateral direction and are parallel to each other. On the other hand, the connections of the second layer are arranged in a number of connection channels which extend in the vertical direction and are parallel to each other. For example, if the connection of the first logic circuit element and that of the second logic circuit element are to be connected to one another, the former on the first connection channel of the first layer and the latter arranged on the second connecting channel of the first layer. The first The first layer connection is in the first channel for connection to the terminal of the first logic circuit element arranged. Similarly, the second connection of the first layer is in the second channel for connection to
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dem Anschluß des zweiten Logikschaltkreiselements angeordnet. the connection of the second logic circuit element arranged.
An den Überschneidungspunkten zwischen erstem und zweitem Verbindungskanal und einem Verbindungskanal der zweiten Schicht werden ein erstes und ein zweites Durchgangsloch in der Isolationsschicht, die unter dem Verbindungskanal der zweiten Schicht liegt, vorgesehen. Die Verbindung der zweiten Schicht ist in dem Verbindungskanal der zweiten Schicht angeordnet, so daß sie mit der ersten und der zweiten Verbindung über das erste bzw. das zweite Durchgangsloch verbunden werden kann.At the points of intersection between the first and second connection channel and a connection channel of the second layer will be a first and a second through hole in the insulation layer, which is under the connection channel the second layer is provided. The connection of the second layer is arranged in the connection channel of the second layer so that it is connected to the the first and the second connection can be connected via the first and the second through hole, respectively.
Durch ein solches Anordnen der Verbindungen in den geeigneten Verbindungskanälen der ersten und der zweiten Schicht können die Elemente der integrierten Schaltung miteinander verbunden werden.By so arranging the connections in the appropriate connection channels of the first and second Layer, the elements of the integrated circuit can be connected to one another.
In den letzten Jahren hat jedoch die Packungsdichte der:integrierten Schaltungen zugenommen und dementsprechend ist die Anzahl der in einer integrierten Schaltung aufzunehmenden Logikschaltkreiselemente gestiegen. Wenn die Verbindungen der beiden Schichten in herkömmlicher Weise verwendet werden, wird die Anzahl von Verbindungen jeder Schicht groß, so daß es unvermeidbar ist, daß die Abmessungen der integrierten Schaltung ebenfalls groß werden. Mit anderen Worten heißt dies, daß die Packungsdichte sinkt. Zur Beseitigung dieses Problems ist es wünschenswert, Verbindungen von drei oder mehr Schichten vorzusehen. In einem solchen Fall treten jedoch weiterhin folgende Probleme auf.In recent years, however, the packing density of integrated circuits has increased and accordingly the number of logic circuit elements to be included in an integrated circuit has increased. When the connections of the two layers are used in a conventional manner, the number of connections becomes each Layer large, so that it is inevitable that the size of the integrated circuit will also become large. In other words, this means that the packing density decreases. To eliminate this problem, it is desirable to To provide connections of three or more layers. In such a case, however, the following still occur Problems.
Bei der Herstellung einer integrierten Schaltung ist es für die Untersuchung des Produkts manchmal wünschenswert, den über der Verbindung liegenden Isolator abzuheben , damit eine Sonde mit der Verbindung in Berührung gebracht und die Änderung eines Signals auf der Verbindung beobachtet werden kann. Dabei ist aber; im Falle des Vorsehens von drei oder mehr Verbindungsschichten zu befürchten, daß es wegen der drittenWhen fabricating an integrated circuit, it is sometimes desirable to examine the product Lift off the insulator lying above the connection so that a probe is brought into contact with the connection and the change is made of a signal on the connection can be observed. But it is; in the case of providing three or more tie layers to fear that it is because of the third
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oder weiteren Verbindungsschicht unmöglich ist, die Verbindung der ersten oder zweiten Schicht mittels der Sonde zu berühren.or further connection layer is impossible to connect the first or second layer by means of the probe touch.
Bei der Inspektion ist es manchmal wünschenswert, unter dem Mikroskop zu untersuchen, ob die Verbindung in exakter Lage vorhanden bzw. ob sie gelöst bzw. gebrochen ist. Dabei ist aber im Falle des Vorsehens von drei oder mehr Verbindungsschichten zu befürchten, daß es wegen der dritten oder weiteren Verbindungsschicht unmöglich ist, die Verbindung der ersten oder zweiten Schicht zu beobachten.When inspecting it is sometimes desirable to examine under a microscope to see if the compound is in exact position or whether it is loosened or broken. However, this is in the case of providing three or more connecting layers to fear that it is impossible to break the connection because of the third or further connection layer Observe the first or second layer.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine integrierte Schaltung zu schaffen, die leicht zu inspizieren ist und hohe Packungsdichte aufweist.The object of the invention is therefore to create an integrated circuit that is easy to inspect and has high packing density.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß drei oder mehr Verbindungsschichten vorgesehen sind und daß die Mittellagen von in ein und derselben Richtung verlaufenden Verbindungen verschiedener Schichten so gelegt sind, daß sie nicht übereinander liegen.This object is achieved according to the invention in that three or more connecting layers are provided and that the middle layers of extending in one and the same direction Connections of different layers are placed so that they do not lie on top of each other.
Ausführungsformen der Erfindung werden im folgenden in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung beschrieben. Auf dieser zeigt bzw. zeigenEmbodiments of the invention are described below in conjunction with the accompanying drawings. on this shows or show
Figur 1 die Anordnung von vier Schichten von Verbindungskanälen gemäß der Erfindung, Figure 1 shows the arrangement of four layers of connecting channels according to the invention,
Figur 2 eine perspektivische Ansicht einer integrierten Schaltung,welche vier Schichten von VerbindungenFigure 2 is a perspective view of an integrated circuit showing four layers of interconnects
enthält, die entsprechend der Anordnung der Verbindungskanäle in Fig. 1 vorgesehen sind, Figur 3 eine Schnittansicht der integrierten Schaltung aus Fig. 2, genommen längs einer Ebene, die durch die Mitte einer Verbindung der zweiten Schicht geht, Figur 4 eine Schnittansicht der integrierten Schaltung aus Fig. 2,contains, which are provided according to the arrangement of the connecting channels in Fig. 1, Figure 3 is a sectional view of the integrated circuit of Figure 2 taken along a plane passing through the In the middle of a connection of the second layer, FIG. 4 shows a sectional view of the integrated circuit from FIG. 2,
genommen längs einer Ebene, die durch die Mitte einer Verbindung der vierten Schicht geht,taken along a plane passing through the center of a fourth layer junction,
Figur 5 eine weitere Anordnung von vier Schichten von Verbindungskanälen gemäß der Erfindung,FIG. 5 shows a further arrangement of four layers of connecting channels according to the invention,
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Figuren 6 (a) und 6 (b) Darstellungen, die zeigen, wie Durchgangslöcher für die Verbindung zwischen den Schichten in einer integrierten Schaltung gemäß der Erfindung vorzusehen sind, undFigures 6 (a) and 6 (b) are illustrations showing how through-holes are used for inter-layer connection are to be provided in an integrated circuit according to the invention, and
Figur 7 eine weitere Möglichkeit, Durchgangslöcher inFigure 7 shows another way of making through holes in
einer integrierten Schaltung gemäß der Erfindung vorzusehen.an integrated circuit according to the invention.
Figur 1 zeigt die Draufsichtlagen der Mitten von Verbindungskanälen entsprechender Schichten für den Fall der Ver-Wendung von vier Schichten von Verbindungen. Durchgehende Linien 101 geben die Verbindungskanäle für die erste Schicht von Verbindungen, strichpunktierte Linien die Verbindungskanäle der zweiten Schicht, gestrichelte Linien 103 die Verbindungskanäle der dritten Schicht und strichdoppelpunktierte Linien 104 die Verbindungskanäle der vierten Schicht an. Die Verbindungskanäle 101 und 103 bzw. 102 und 1Q4 verlaufen parallel zueinander, wobei die Verbindungskanäle 101 und senkrecht zu den Verbindungskanälen 102 und 104 liegen. Um zu verhindern, daß die parallelen Verbindungskanäle 101 und 103 bzw. 102 und 104 bei Blick gemäß Fig. 1 übereinander liegen, verläuft gemäß der Erfindung jeweils ein Verbindungskanal 103 der dritten Schicht zwischen einem Paar von benachbarten Verbindungskanälen 101 der ersten Schicht und ebenso ein Verbindungskanal 104 der vierten Schicht zwischen einem Paar benachbarter Verbindungskanäle 102 der zweiten Schicht.Figure 1 shows the plan view of the centers of connecting channels corresponding layers in the case of using four layers of compounds. Continuous Lines 101 indicate the connection channels for the first layer of connections, dash-dotted lines the connection channels of the second layer, and dashed lines 103 the connection channels of the third layer and double-dotted lines 104 mark the connecting channels of the fourth layer. the Connection channels 101 and 103 or 102 and 1Q4 run parallel to one another, the connecting channels 101 and are perpendicular to the connecting channels 102 and 104. To prevent the parallel connecting channels 101 and 103 or 102 and 104 lie one above the other when viewed in accordance with FIG. 1, according to the invention a connecting channel 103 of the third layer runs between a pair of adjacent ones Connection channels 101 of the first layer and also a connection channel 104 of the fourth layer between one Pair of adjacent connection channels 102 of the second layer.
Figur 2 ist eine perspektivische Ansicht einer integrierten Schaltung, bei welcher Verbindungen auf der Grundlage der Ausführungsform der Fig. 1 tatsächlich ausgeführt sind. 701 bis 704 bezeichnen Verbindungen, die in den Verbindungskanälen 101 bis 104 der ersten bis vierten Schicht ausgebildet sind. 710 bezeichnet ein Halbleitersubstrat. Die Mitten der Verbindungen 701 bis 704 fallen mit denjenigen der Verbindungskanäle 101 bis 104 in Fig. 1 zusammen. In Fig. 2 sind Isolatorschichten^ zur gegenseitigen Isolierung der Verbindungen 701 bis 704 aus Gründen der Kürze bzw. Über-Figure 2 is a perspective view of an integrated Circuit in which connections based on the embodiment of FIG. 1 are actually carried out are. 701 to 704 denote connections made in the connection channels 101 to 104 of the first to fourth layers are trained. 710 denotes a semiconductor substrate. The centers of links 701 through 704 coincide with those of the connecting channels 101 to 104 in FIG. 1 together. In Fig. 2 are insulator layers ^ for mutual isolation of connections 701 to 704 for reasons of brevity or
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sichtlichkeit nicht dargestellt. Fig. 3 ist eine Schnittansicht der Schaltung der Fig. 2 längs einer Ebene, die sich senkrecht zum Substrat 710 so erstreckt, daß sie die Mittellinie einerVerbindung 702 enthält, während Fig. 4 eine Schnittansicht der Schaltung der Fig. 2 längs einer Ebene ist, die sich senkrecht zum Substrat 710 so erstreckt, daß sie die Mittellinie einer Verbindung 704 enthält. In diesen Figuren bezeichnen 601 bis 603 Isolatorschichten, die dazu dienen, die Verbindungen 701 und 702, 702 und 703 sowie 703 und voneinander zu isolieren. Bei 604 ist eine Isolatorschicht gezeigt, die über Verbindung 704 liegt. 605 bezeichnet ein Durchgangsloch zur Verbindung der Verbindungen 701 und 702. Die Verbindungen 701 bis 704 sind beispielsweise aus einem Metall,Wie etwa Aluminium, einer Metallverbindung oder einem Halbleiter hoher Leitfähigkeit,wie etwa polykristallinem Silizium,gebildet. Die Isolatorschichten 601 bis 603 sind beispielsweise aus einem transparenten Isolator ,wie etwa durch Kathodenzerstäubung (Sputtern) aufgebrachtem Siliziumdioxid,Polyimidharz, Phosphosilikatglas oder einer Kombination aus solchen Isolatoren gebildet.visibility not shown. Fig. 3 is a sectional view of the circuit of Fig. 2 taken along a plane extending perpendicular to the substrate 710 to include the centerline of a joint 702, while Figure 4 is a sectional view of the circuit of FIG. 2 along a plane extending perpendicular to substrate 710 so as to be the Centerline of a connection 704 contains. In these figures, 601 to 603 designate insulating layers which serve to isolate connections 701 and 702, 702 and 703 and 703 and from each other. At 604 is an insulator layer which is over connection 704. 605 denotes a through hole for connecting the links 701 and 701 702. The connections 701 to 704 are made of, for example, a metal such as aluminum, a metal compound or a high conductivity semiconductor such as polycrystalline Silicon. The insulator layers 601 to 603 are made of a transparent insulator, for example such as by cathodic atomization (sputtering) Silicon dioxide, polyimide resin, phosphosilicate glass or a combination of such insulators.
Die Verbindungen, welche die beschriebenen Mehrschichten-Verbindungskanäle verwenden, werden folgendermaßen auf der Grundlage der bekannten Doppelschichtverbindungstechnik hergestellt. The connections that make up the multilayer connection channels described are made as follows based on the well-known double-layer interconnection technique.
Die Verbindungen 701 der ersten Schicht werden in den Lagen einiger Verbindungskanäle 101 der ersten Schicht angeordnet, wobei die Isolatorschicht 601 darübergeschichtet warden. Auf der Isolatorschicht 601 werden die Verbindungen 702 der zweiten Schicht in den Lagen einiger Verbindungskanäle 102 der zweiten Schicht angeordnet, wobei auf ihnen die Isolatorschioht 602 aufgeschichtet wird. Auf der Isolatorschicht 602 warden die Verbindungen 703 der dritten Schicht in den Lagen einiger Verbindungskanäle 103 der dritten Schicht angeordnet, wobei auf ihnen die Isolator schicht 603 aufgeschichtet -wird. Auf der Isolatorschicht 603 werdendie Verbindungen 704 der viertenThe connections 701 of the first layer are arranged in the layers of some connection channels 101 of the first layer, the insulator layer 601 being stacked thereover. On the insulator layer 601, the connections 702 of the second layer are in the layers of some connection channels 102 the second layer arranged, with the Isolatorschioht on them 602 is piled up. On the insulator layer 602, the connections 703 of the third layer will be in the layers of a few Connecting channels 103 of the third layer are arranged, the insulator layer 603 being stacked on them. on of the insulator layer 603 becomes the connections 704 of the fourth
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Schicht in den Lagen einiger Verbindungskanäle IO4 der vierten Schicht angeordnet, wobei über sie die Isolatorschicht 604 gelegt wird.Layer in the layers of some connection channels IO4 of the fourth layer, wherein the insulator layer 604 is placed over them.
In diesem Fall sind die Verbindungen der ersten Schicht mit Schaltkreiselementen direkt oder über Durchgangslöcher verbunden, und die wechselseitiger Verbindung von Verbindungon benacfibartor Schichten cjcKchinht über das; Durchyangi;loch, das in d«?r dazwischenliegenden Isolatorschicht vorgesehen ist.In this case the connections of the first layer to circuit elements are direct or via through holes connected, and the mutual connection of connectionon benacfibartor Layers of cjcKchinht over that; Durchyangi; hole, that in d «? R intermediate insulator layer is provided.
Wie aus den Figuren 2 bis 4 ersichtlich, liegen die Verbindungen 703 der dritten Schicht nicht über den Verbindungen 701 der ersten Schicht. Wenn die Isolatorschichten 601 bis 604 ,die über einer Verbindung 701 der ersten Schicht liegen, abgehoben werden, bildet daher eine Verbindung 703 der dritten Schicht kein Hindernis. Dementsprechend ist es möglich, eine Sonde mit einer Verbindung 701 der ersten Schicht in Berührung zu bringen und ein Signal auf dieser Verbindung zu überprüfen. Da die Isolatorschichten 601 bis 604 aus einer transparenten Sub- · stanz hergestellt sind, und die Verbindungen 703 der dritten Schicht nicht über den Verbindungen 701 liegen, lassen sich die Verbindungen 701 der ersten Schicht unter dem Mikroskop inspizieren.As can be seen from FIGS. 2 to 4, the connections 703 of the third layer do not overlie the connections 701 of the first layer. If the insulator layers 601 to 604, which are over a connection 701 of the first Layer lying, are lifted off, therefore a connection 703 of the third layer does not constitute an obstacle. Accordingly it is possible to bring a probe into contact with a connection 701 of the first layer and to check a signal on this connection. Since the insulating layers 601 to 604 consist of a transparent sub- are punched, and the connections 703 of the third layer are not over the connections 701, can inspect the connections 701 of the first layer under the microscope.
Neben den erwähnten einfach möglichen Untersuchungen hat die vorliegende Ausführungsform den folgenden Vorteil.In addition to the above-mentioned easily possible investigations, the present embodiment has the following advantage.
Eine Verbindung 701 der ersten Schicht und eine Verbindung 703 der dritten Schicht, die beide in der gleichen Richtung verlaufen, überlappen einander nicht, weshalb die Koppelkapazität zwischen den beiden Verbindungen sehr gering ist. Infolgedessen sind Störsignale, die auf einer Verbindung 701 der ersten Schicht und einer Verbindung 703 der dritten Schicht aufgrund der Koppelkapazität entstehen, gering.A connection 701 of the first layer and a connection 703 of the third layer, both in the same direction run, do not overlap, which is why the coupling capacitance between the two connections is very low is. As a result, spurious signals appearing on a connection 701 of the first layer and a connection 703 of the third layer due to the coupling capacitance, low.
Wie aus vorstehender Beschreibung verständlich, ist es in einem Fall, wo eine Verbindung 703 der dritten Schicht zwischen einem Paar von Verbindungen 701 der ersten SchichtAs can be understood from the above description, it is in a case where there is a connection 703 of the third layer between a pair of connections 701 of the first layer
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liegt, zur Optimalisierung der Wirkungen der Erfindung wünschenswert, daß die Summe der Breiten w1 und w2 der betreffenden Verbindungen der ersten Schicht und der dritten Schicht nicht größer als der Folgeabstand p1 der Verbindungen 701 der ersten Schicht ist. Die Wirkungen der Erfindung ergeben sich jedoch auch dann, wenn diese Bedingung nicht erfüllt ist.to optimize the effects of the invention desirable that the sum of the widths w1 and w2 of the relevant connections of the first layer and the third layer are not greater than the following distance p1 of connections 701 of the first layer. The effects of the invention also result, however, if this condition is not met.
Gleiches gilt auch für die Verbindungen 702 der zweiten Schicht und die Verbindungen 704 der vierten Schicht.The same also applies to the connections 702 of the second layer and the connections 704 of the fourth Layer.
Hinsichtlich der Verbindungen 704 der vierten Schicht läßt sich ferner folgendes ausführen. Wenn eine Verbindung 703 der dritten Schicht über einer Verbindung 701 der ersten Schicht liegt, dann befinden sich unter dem Teil einer Verbindung 704 der vierten Schicht, der die beiden Verbindungen 701 und 703 schneidet, fünf Schichten aus einer Verbindung 701 der ersten Schicht, der Isolatorschicht 601, der Isolatorschicht 602, einer Verbindung 703 der dritten Schicht und der IsolatorschichtThe following can also be implemented with regard to the connections 704 of the fourth layer. When a connection 703 of the third layer is above a connection 701 of the first layer, then there are under the part of a connection 704 of the fourth layer which intersects the two connections 701 and 703, five Layers of a compound 701 of the first layer, the insulator layer 601, the insulator layer 602, a Connection 703 of the third layer and the insulator layer
603. Demgegenüber sind in der Nachbarschaft dieses Teils nur drei Isolatorschichten 601 bis 603, ohne Verbindungen 701 und 703 der ersten bzw. dritten Schicht, unter einer Verbindung 704 der vierten Schicht aufgeschichtet. Infolgedessen entspricht der Höhenunterschied einer Verbindung 704 der vierten Schicht zwischen dem erwähnten Überschneidungsteil und seiner Nachbarschaft der Höhe der beiden Schichten. Eine solch große Höhendifferenz bringt den Nachteil mit sich,daß für eine Verbindung 704 der vierten Schicht die Gefahr einer Unterbrechung besteht. Das heißt, es wird bei üblichen MehrSchichtenverbindungen, wenn Verbindungen verschiedener Schichten, die sich in der gleichen Richtung erstrecken, von einer Verbindung einer weiteren Schicht, die sich senkrecht dazu erstreckt, überlagert sind, die Stufe bzw. der Höhenunterschied der letzten Schicht groß, so daß bei dieser Verbindung die Gefahr einer603. In contrast to this, there are only three layers of insulator in the vicinity of this part 601 to 603, without connections 701 and 703 of the first and third layers, respectively, under a connection 704 of the fourth layer is stacked. As a result, the height difference of a link 704 corresponds to the fourth Layer between the mentioned intersection part and its neighborhood of the height of the two layers. Such a large difference in height has the disadvantage that, for a connection 704 of the fourth layer, the There is a risk of interruption. That is, it will be with common multilayer connections if connections of different layers extending in the same direction from one connection to another Layer, which extends perpendicular to it, are superimposed, the step or the difference in height of the last Layer large, so that with this connection there is a risk of a
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Unterbrechung besteht. Im Gegensatz dazu ist gemäß der Erfindung eine Verbindung 703 der dritten Schicht unter dem Teil, in dem eine Verbindung 704 der vierten Schicht und 701 der ersten Schicht einander schneiden, nicht vorhanden. Wie aus Fig. 4 ersichtlich, entspricht demgemäß die Stufe einer Verbindung 704 der vierten Schicht nirgends mehr als einer Schicht. Das Vorsehen der Verbindungen der vier Schichten in der erfindungsgemäßen Weise bringt somit die Wirkung mit sich, daß Unterbrechungen der vierten Schicht kaum auftreten können.There is an interruption. In contrast, according to the invention a connection 703 of the third layer under the part in which a connection 704 of the fourth layer and 701 of the first layer intersect, nonexistent. As can be seen from FIG. 4, the stage corresponds accordingly a fourth layer connection 704 nowhere more than one layer. Providing the connections of the four Layers in the manner according to the invention thus brings the The result is that interruptions in the fourth layer can hardly occur.
Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung .Fig. 5 shows a further embodiment of the invention.
Infolge von Beschränkungen, die Halbleiterherstellungstechniken auferlegen, ist es manchmal der Fall, daß man nicht darum herumkommt, die Minimalbreite einer Verbindung in der oberen Schicht größer als in der unteren Schicht zu machen, mit dem Ergebnis, daß man nicht darum herumkommt, den Folgeabstand der Verbindungen in der oberen Schicht größer zu machen. Gemäß Fig. 5 ist daher ein einzelner Verbindungskanal 103 oder 104 einer oberen Schicht in Entsprechung zu zwei Verbindungskanälen 101 oder 102 einer unteren Schicht angeordnet. Indem man auf diese Weise den Folgeabstand der Verbindungskanäle der oberen Schicht größer als denjenigen der Verbindungskanäle der unteren Schicht macht, lassen sich die Einschränkungen durch die Halbleiterherstellungstechniken überwinden.Because of restrictions imposed by semiconductor manufacturing techniques, it is sometimes the case that one There is no getting around the minimum width of a connection being larger in the upper layer than in the lower layer make, with the result that there is no getting around it, the following spacing of the connections in the upper layer to make it bigger. According to FIG. 5, therefore, a single connection channel 103 or 104 is corresponding to an upper layer two connecting channels 101 or 102 arranged in a lower layer. By making the following distance of the Makes connecting channels of the upper layer larger than those of the connecting channels of the lower layer overcome the limitations of semiconductor manufacturing techniques.
Nun wird die Art und Weise der Schaffung von Durchgangslöchern für die Verbindung der Verbindungen verschiedener Schichten mit Bezug auf den Fall der Fig. 5 beschrieben. Es ist das einfachste, das Durchgangsloch am Uberschneidungspunkt zwischen den Verbindungskanälen, an dem jeweils zwei Verbindungen ausgebildet sind, vorzusehen.Now the ways of creating through holes for connecting the joints are becoming different Layers will be described with reference to the case of FIG. It is the easiest to use the through hole on Point of intersection between the connecting channels two connections are formed in each case.
In Fig. 6(a) sind in zwei benachbarten Verbindungskanälen 101 angeordnete Verbindungen 311A und 311B mit den beiden Teilen 312A bzw. 312B einer geteilten Verbindung,In FIG. 6 (a), connections 311A and 311B arranged in two adjacent connection channels 101 are connected to the both parts 312A or 312B of a split connection,
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die im Verbindungskanal 102 der zweiten Schicht angeordnet ist, mittels Durchgangslöchern301A und 301B verbunden, die an den Überschneidungspunkten zwischen diesen Verbindungskanälen angeordnet sind. Es ist angenommen, daß kein Durchgangsloch am Uberschneidungspunkt zwischem dem Verbindungskanal 103 und dem Verbindungskanal 102, der zwischen zwei Verbindungskanälen 101 liegt, vorgesehen werden muß. Es ist üblicherweise wünschenswert, daß der Folgeabstand der Verbindungskanäle 101 so klein wie möglich ist, damit eine möglichst große Anzahl von Verbindungen der ersten Schicht vorgesehen werden kann. Es ist dementsprechend wünschenswert, daß der Abstand zwischen den Verbindungen 311A und 311B so nahe wie möglich am kleinsten Must·irIntervall, das in Anbetracht der Verhinderung eines Kurzschlusses zwischen angrenzenden Verbindungen zulässig ist, liegt.which is arranged in the connection channel 102 of the second layer is connected by means of through holes 301A and 301B, the are arranged at the points of intersection between these connecting channels. It is assumed that there is no through hole at the point of intersection between the connecting channel 103 and the connection channel 102, which lies between two connection channels 101, must be provided. It is common It is desirable that the subsequent spacing of the connecting channels 101 is as small as possible, so that the number is as large as possible of connections of the first layer can be provided. It is accordingly desirable that the distance between as close as possible to connections 311A and 311B Must · irIntervall, which in view of the prevention of a Short circuit between adjacent connections is permitted.
Im Falle der Fig. 6(a) muß der Abstand 321 zwischen den Verbindungen 312A und 312B gleich oder größer als das zulässige Minimalmusterintervall gemacht werden. Wenn der Abstand 321 gleich dem zulässigen Minimalmusterintervall gemacht wird, kann der Abstand zwischen den Verbindungen 311A und 311B geringfügig größer als das zulässige Minimalmusterintervall gemacht werden, weshalb der Folgeabstand der Verbindungskanäle 101 nicht speziell groß gemacht werden muß. Wenn jedoch der Folgeabstand des Verbindungsmusters 101 in dieser Weise eingestellt ist, ist es, wie in Fig. 6(b) gezeigt,nicht wünschenswert, ein Durchgangsloch an einem Überschneidungspunkt zwischen einem Verbindungskanal 102 der zweiten Schicht und einem Verbindungskanal 101 der ersten Schicht vorzusehen, wenn ein Durchgangsloch am Uberschneidungspunkt zwischen dem Verbindungkanal 103 der dritten Schicht, der angrenzend an denselben Verbindungskanal 101 liegt, und demselbenVerbindungskanal 102 vorgesehen ist. in Fig. 6(b) ist die Verbindung 312A im Verbindungskanal 102 mit der Verbindung 311A in Verbindungskanal 101 über ein Durchgangsloch 301 verbunden, während die Verbindung 303 im Verbin-In the case of Fig. 6 (a), the distance 321 between the Connections 312A and 312B equal to or greater than what is allowed Minimum pattern interval can be made. When the distance 321 is made equal to the minimum allowable pattern interval becomes, the distance between the connections 311A and 311B slightly larger than the minimum allowable pattern interval can be made, so the successive spacing of the connecting channels 101 need not be made particularly large. However, when the following pitch of the connection pattern 101 is set in this way, it is as shown in Fig. 6 (b) shown, undesirable, a through hole at an intersection point between a connection channel 102 of the second layer and a connection channel 101 of the first Layer to be provided if a through hole at the intersection point between the connection channel 103 of the third layer, which is adjacent to the same connection channel 101, and the same connection duct 102 is provided. in Fig. 6 (b) is connection 312A in connection channel 102 to the connection 311A connected in connection channel 101 via a through hole 301, while connection 303 in connection
130062/0750130062/0750
rJf" 31U679 rJ f " 31U679
/3/ 3
dungskanal 103, der an diesen Verbindungskanal 101 angrenzt, mit der anderen Verbindung 312B im gleich Verbindungskanal 102 über das Durchgangsloch 302 verbunden ist. In diesem Fall ist der Abstand 322 zwischen den Verbindungen 312A und 312B erheblich geringer als der Folgeabstand der Verbindungskanäle 101, so daß er unvermeidlich kleiner als das zulässige Minimalmusterintervall wird. Daher müssen Zusammenschlüsse der Verbindungen, wie sie in Fig. 6(b) gezeigt sind, verhindert werden, venn der Folgeabstand der Verbindungskanäle 101 klein ist. Das heißt also, es wird hinsichtlich eines Vorsehens des Durchgangsloches 302 am Überschneidungspunkt zwischen der Verbindung 303 der dritten Schicht und der Verbindung 312B der zweiten Schicht geprüft, ob an dem diesem Überschneidungspunkt benachbarten Überschneidungspunkt zwischen dem Verbindungskanal 102 zu dem die Verbindung 312B gehört, und dem Verbindungskanal 101 der ersten Schicht ein Durchgangsloch vorsehen ist oder nicht. Wenn es der Fall ist, daß ein solches Durchgangsloch am benachbarten Überschneidungspunkt vorhanden ist, muß verhindert werden, daß das Durchgangsloch am erstgenannten Uberschneidungspunkt vorgesehen wird.connection channel 103, which adjoins this connection channel 101, with the other connection 312B in the same connection channel 102 is connected via the through hole 302. In this case, the distance 322 between the links is 312A and 312B considerably less than the subsequent spacing of the connecting channels 101 so that it inevitably becomes smaller than the minimum allowable pattern interval. Therefore must Merging of the connections as shown in Fig. 6 (b) can be prevented when the following spacing the connection channels 101 is small. That is, that is, it becomes in terms of providing the through hole 302 at the intersection between connection 303 of the third layer and connection 312B of the second Layer checked whether at the intersection point adjacent to this intersection point between the connection channel 102 to which the connection 312B belongs, and the connection channel 101 of the first layer is to provide a through hole or not. If it is that such a There is a through hole at the adjacent intersection point is, the through hole must be prevented from being provided at the first-mentioned intersection point.
Das heißt, das Vorsehen eines; Durchgangsloches zwichen den Verbindungen der oberen Schichten ist durch das Vorhandensein eines Durchgangsloches zwischen den Verbindungen der unteren Schichten beschränkt. Daher muß beim Vorsehen eines Durchgangsloches an einem Überschneidungspunkt zwischen Verbindungskanälen der oberen Schichten jedesmal geprüft werden, ob am benachbarten Überschneidungspunkt zwischen den Verbindungskanälen der unteren Schichten ein Durchgangsloch existiert oder nicht. Dies wirft das Problem auf, daß Computer-Verfahren zur Bestimmung der Lagen der Verbindungen kompliziert werden.That is, the provision of one; Through hole between the connections of the upper layers is through restricts the existence of a through hole between the connections of the lower layers. Therefore, the Providing a through hole at an intersection point between connecting channels of the upper layers each time be checked whether at the adjacent point of intersection between the connecting channels of the lower layers a through hole exists or not. This raises the problem that computer methods for determining the positions connections become complicated.
Fig. 7 zeigt eine Ausführungsform, die das Problem dadurch gelöst hat, daß die Lagen zur Ausbildung von Durchgangslöchern auf Überkreuzungspunkte zwischen den Verbindungska-Fig. 7 shows an embodiment which has solved the problem in that the layers to form through holes for crossover points between the connecting cables
13 0 0 62/075013 0 0 62/0750
nälen von zwei bestimmten benachbarten Schichten begrenzt werden. Hier sind solche Überkreuzungspunkte als diejenigen (Punkte 511) der Verbindungskanäle 101 und 102 der ersten und der zweiten Schicht dargestellt, in denen die Anzahlen von Verbindungskanälen in vertikaler bzw. seitlicher Richtung am größten gewählt werden können.nal be bounded by two specific adjacent layers. Here are such crossover points as those (points 511) of the connecting channels 101 and 102 of the first and the first second layer shown, in which the numbers of connecting channels in the vertical or lateral direction the largest can be chosen.
Eine Verbindung 510 in Verbindungskanal 101 der ersten Schicht kann mit einer Verbindung 520 in einem Verbindungskanal 102 der zweiten Schicht durch ein Durchgangsloch 501 verbunden werden, das am Überkreuzungspunkt zwischen diesen Verbindungskanälen vorgesehen ist. Wenn eine Verbindung 530 im Verbindungskanal 103 der dritten Verbindungsschicht, der dem mit der Verbindung 510 versehenen Verbindungskanal 101 benachbart ist, mit einer Verbindung 521 in dem gleichen Verbindungskanal 102, der auch mit der Verbindung 520 versehen ist, verbunden werden soll, wird ein Durchgangsloch an demjenigen der Überkreuzungspunkte 511 auf dem Verbindungskanal 102 vorgesehen, der dem mit der Verbindung 530 zu versehenen Verbindungskanal 103 am nächsten ist, und ein Biegungsabschnitt a, der zum Durchgangsloch 502 geführt wird und sich senkrecht zum Verbindungskanal 103 erstreckt, wird als Teil der Verbindung 530 vorgesehen. Infolgedessen wird der Abstand zwischen den in ein und demselben Verbindungskanal 102 liegenden Verbindungen 520 und 521 ungefähr gleich dem Abstand der Überschneidungspunkte 511 und kann größer als das minimal zulässige Intervall gemacht werden. Der Biegungsabschnitt a der Verbindung 530 wird aus den gleichen Material wie der übrige Teil derselben und gleichzeitig damit hergestellt.A connection 510 in connection channel 101 of the first layer can be connected to a connection 520 in a connection channel 102 of the second layer through a through hole 501 are connected, which is provided at the crossover point between these connecting channels. When a connection 530 in the connection channel 103 of the third connection layer, the connection channel provided with the connection 510 101 is adjacent, with a connection 521 in the same connection channel 102 that is also provided with the connection 520 is to be connected, a through hole becomes at that of the crossover points 511 on the connection channel 102 is provided which is closest to the connection channel 103 to be provided with the connection 530, and a bent portion a, which is led to the through hole 502 and perpendicular to the connection channel 103 is provided as part of connection 530. As a result, the distance between the in one and the same Connection channel 102 lying connections 520 and 521 approximately equal to the distance between the intersection points 511 and can be made larger than the minimum allowed interval will. The bent portion a of the joint 530 is made of the same material as the remainder of the same and manufactured at the same time.
Im Falle des Verbindens einer im Verbindungskanal 103 der dritten Schicht liegenden Verbindung 531 mit einer im Verbindungskanal 104 der vierten Schicht liegenden Verbindung 540 wird ein Durchgangsloch an dem einen Überkreuzungspunkt 511 vorgesehen, der der nächste zu den beiden Verbindungskanälen ist. Ein Beispiel für ein solches Durchgangsloch istIn the case of connecting a connection 531 located in the connection channel 103 of the third layer to an im Connection channel 104 of the connection 540 lying on the fourth layer becomes a through hole at the one crossover point 511 is provided, which is the closest to the two connecting channels is. An example of such a through hole is
130062/0750130062/0750
31H67931H679
das Durchgangsloch 503. Die Verbindung 540 ist mit einem Biegungsabschnitt b versehen, der sich senkrecht zum Verbindungskanal 104 erstreckt und zum Durchgangsloch 503 geführt ist. Andererseits wird auch die Verbindung 531 mit einem Biegungsabschnitt c versehen, der sich senkrocht zum Verbindungskanal 103 erstreckt und zur Durchgangsbohrung 503 geführt ist. Die Verbindungen 531 und 540 können also durch das Durchgangsloch 503,welches an dem einzelnen Überschneidungspunkt 511 vorgesehen ist, miteinander verbunden werden.the through hole 503. The connection 540 is provided with a bent portion b which is perpendicular to the connection channel 104 extends and is guided to the through hole 503. On the other hand, the connection 531 with a bent section c is provided, which extends vertically to the connecting channel 103 and is guided to the through-hole 503. Connections 531 and 540 can therefore through the through hole 503, which is on the individual Intersection point 511 is provided, are connected to one another.
Der Biegungsabschnitt b der Verbindung 540 ist aus dem gleichen Material wie der übrige Teil derselben und gleichzeitig damit hergestellt. Der Biegungsabschnitt c der Verbindung 531 ist aus dem gleichen Material wie der übrige Teil derselben und gleichzeitig damit hergestellt.The bend portion b of the connection 540 is made of the same material as the rest of the same and produced at the same time. The bent portion c of the joint 531 is made of the same material as that remaining part of the same and manufactured at the same time.
Wie oben beschrieben, sind die Durchgangslöcher an den Überkreuzungspunkten zwischen den Verbindungskanälen der zwei benachbarten Schichten vorgesehen. Auf diese Weise können die Durchgangslöcher für die Verbindungen der oberen Schichten ohne überprüfung des Vorhandseins oder Fehlens von Durchgangslöchern für die Verbindungen der unteren Schichten verwirklicht werden, und die Computer-Vorgänge zur Bestimmung der Verbindungslagen sind vereinfacht.As described above, the through holes at the crossover points between the connecting channels are the two adjacent layers provided. This allows the through holes for the connections of the upper Layers without checking the presence or absence through holes for the connections of the lower layers and the computer operations to determine the connection positions are simplified.
Bei der Ausführungsform der Fig. 7 wird, wenn eine (nicht gezeigte) Verbindung beispielsweise im Verbindungskanal 102 angeordnet ist, der durch den Überschneidungspunkt geht, an dem das Durchgangsloch 503 vorliegt, die Höhenänderung (die Stufe) der Verbindung am Biegungsabschnitt b groß. Da jedoch solche Fälle selten auftreten, ist die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Unterbrechungen insgesamt gering. In dem Fall, wo eine Verbindung in dem Verbindungskanal 101 angeordnet ist, ist die Kapazität zwischen dieser Verbindung und der Verbindung 540 gering, weil die Verbindungen nur im Biegungsabschnitt b übereinander liegen.In the embodiment of FIG. 7, when a connection (not shown) is arranged, for example, in connection channel 102, the passage through the intersection point where the through hole 503 exists, the change in height (the step) of the joint at the bend portion b big. However, since such cases rarely occur, the likelihood of interruptions occurring is total small amount. In the case where a connection is arranged in the connection channel 101, the capacitance is between This connection and the connection 540 are low because the connections are only superimposed in the bend section b.
Die visuelle Prüfung oder das Prüfen der im Verbindungs-The visual inspection or the inspection of the connection
1 30062/07501 30062/0750
/6/ 6
kanal 101 angeordneten Verbindung mit einer Sonde ist nur im Biegungsabschnitt unmöglich, im wesentlichen aber möglich.channel 101 arranged connection with a probe is only impossible in the bend section, but essentially possible.
Natürlich ist, wenn die Verbindungen der vierten Schicht nicht verwendet werden, die Stufe des gebogenen Abschnitts oder die Koppelkapazität ebenso gering wie in anderen Teilen.Of course, if the connections of the fourth layer are not used, the step is the bent Section or the coupling capacity as low as in other parts.
Wie oben ausgeführt, hat diese Erfindung die wichtigen Vorteile,(1) daß die Verbindungen aller Schichten visuell überprüft werden können und (2) daß durch Zerstören der Zwischenschicht-Isolationsschicht auf die Verbindung der unteren Schicht zum Prüfen derselben eine Sonde aufgebracht werden kann.As stated above, this invention has important advantages (1) that the connections of all layers are visual can be checked and (2) that by destroying the interlayer insulation layer on the connection of the lower layer for testing the same a probe can be applied.
Ki/schKi / sch
130062/0750130062/0750
Claims (8)
Verbindungen (704) der vierten Verbindungsschicht unter
den Verbindungsschichten sich in der zweiten Richtung erstrecken und daß ihre Mittellagen gegenüber den Mittel-4. Integrated circuit according to one of the preceding · claims, characterized in that the
Connections (704) under the fourth connection layer
the connecting layers extend in the second direction and that their middle layers opposite the middle
der Verbindungen (702) der zweiten Verbindungsschicht ist.5. Integrated circuit according to claim 4, characterized in that the distance between the connections (704) of the fourth connection layer is greater than that
of the connections (702) of the second connection layer.
Applications Claiming Priority (1)
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| Country | Link |
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| GB (1) | GB2073951B (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0103690A1 (en) * | 1982-07-29 | 1984-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of making an insulating layer between metallisation layers of integrated semiconductor circuits |
| DE3315615A1 (en) * | 1983-04-29 | 1984-10-31 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | METHOD FOR PRODUCING A MULTILAYER CIRCUIT |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213450A (en) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Toshiba Corp | Structure of multilayer wiring of semiconductor device |
| GB8410101D0 (en) * | 1984-04-18 | 1984-05-31 | Gen Electric Co Plc | Semiconductor devices |
| JPS6267851A (en) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
| JPH0763064B2 (en) * | 1986-03-31 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | Wiring connection method for IC element |
| US9269610B2 (en) * | 2014-04-15 | 2016-02-23 | Qualcomm Incorporated | Pattern between pattern for low profile substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1764534B2 (en) * | 1967-06-30 | 1977-07-07 | Texas Instruments Ine, Dallas, Tex. (V.St.A.) | CONNECTION SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENTS |
| DE2826722A1 (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-18 | Ibm | PROGRAMMABLE LOGICAL CIRCUIT (PLA) AND MANUFACTURING AND TESTING PROCEDURES |
-
1981
- 1981-04-10 GB GB8111352A patent/GB2073951B/en not_active Expired
- 1981-04-10 DE DE19813114679 patent/DE3114679A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1764534B2 (en) * | 1967-06-30 | 1977-07-07 | Texas Instruments Ine, Dallas, Tex. (V.St.A.) | CONNECTION SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENTS |
| DE2826722A1 (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-18 | Ibm | PROGRAMMABLE LOGICAL CIRCUIT (PLA) AND MANUFACTURING AND TESTING PROCEDURES |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0103690A1 (en) * | 1982-07-29 | 1984-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of making an insulating layer between metallisation layers of integrated semiconductor circuits |
| DE3315615A1 (en) * | 1983-04-29 | 1984-10-31 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | METHOD FOR PRODUCING A MULTILAYER CIRCUIT |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2073951B (en) | 1984-10-03 |
| GB2073951A (en) | 1981-10-21 |
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