DE3039264C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Ladungsübertragung bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Ladungsübertragung bei einer Festkörper-BildabtastvorrichtungInfo
- Publication number
- DE3039264C2 DE3039264C2 DE3039264A DE3039264A DE3039264C2 DE 3039264 C2 DE3039264 C2 DE 3039264C2 DE 3039264 A DE3039264 A DE 3039264A DE 3039264 A DE3039264 A DE 3039264A DE 3039264 C2 DE3039264 C2 DE 3039264C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- charge
- transfer
- capacitive
- transmission
- shift register
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 58
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 45
- 230000005570 vertical transmission Effects 0.000 claims description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 244000278243 Limnocharis flava Species 0.000 description 1
- 235000003403 Limnocharis flava Nutrition 0.000 description 1
- 240000006240 Linum usitatissimum Species 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
- H04N3/1568—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for disturbance correction or prevention within the image-sensor, e.g. biasing, blooming, smearing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
Die Erfindung bcziehl sieh ;iuf ein Verfahren z.iii I..1-clungsühcrtragung
bei einer FestkörperbilclabtaMvorrichlung. bei dem eine optisch erzeugte Signalladiing
zunächst auf ein von einem Ausleseleiler gebildetes erstes
kapazitives Element und anschließend über ein drittes kapazitives Element, das eine kleinere Kapazität als
das erste kapazitive Element aufweist, auf ein von einem Ladungsvcrschiebungsrcgistcr gebildetes, ebenfalls eine
kleinere Kapazität als das erste kapazitive Klenieni
aufweisendes zweites kapazitives Element übertragen wird, und auf eine Vorrichtung zur Durchführung dieses
Verfahrens.
Festkörper-BiHabtastvorrichtungen werden allgemein
in auf MOS-Technik beruhende Festkörper-Bildabtastvorrichtungen und auf Ladungsverschiebeelement-Technik
beruhende Festkörper-Bildabtastvorrichtungen eingeteilt. Fig. 1 stellt eine schematische
Schaltungsanordnung einer <iuf MOS-Technik beruhenden
Festkörper-Bildabtastvorrichtung dar. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein auf MOS-Technik
beruhendes Schieberegister für eine Horizontalabtastung und das Bezugszeichen 2 ein auf MOS-Technik
beruhendes Schieberegister für eine Vertikalablastung. Diese Schieberegister 1 und 2 werden durch herkömmliche
zweipiiasige Taktimpu'sc betrieben. Diese Schieberegister
dienen der Verschiebung von Siartimpusen zu
festen Zeitgaben von Taktimpulsen, um Schicbeiropulsc
zu bilden. Diese Schiebeimpulse werden auf Ablastim-
puls-Eingangsleitungen 3-1.3-2 3-/7 bzw. 4-1,4-2
4-/7? ausgegeben. Durch ihr Ansprechen auf diese Impulszüge
werden die horizontalen MOS-Schalter 5 und die vertikalen MOS-Schalter 6 nacheinander durchgeschaltet,
so daß von die Diffusionsschichten der Quellenbereiche
der vertikalen MOS-Schalter 6 verwendenden Fotodioden 7 abgeleitete Signale über vertikale Übertragungsleitungen
8-1, 8-2, ... 8-n an eine Videoausgangsleitung 9 abgegeben werden. Das auf die Vidooausgangsleitung
9 ausgegebene Videosignal stellt den sich ergebenden Ladungsstrom dar, wenn die Diode, die
während eines Rasters durch das einfallende Licht entladen worden ist, durch eine Vidcostromquelle 11 geladen
und über einen Lastwiderstand 10 ausgelesen wird.
F i g. 2 zeigt einen Prinzipaufbau einer auf Rasterübertragung beruhenden Festkörper-Bildabtastvorrichlung,
welche ein Beispiel für eine auf Ladungsvcrschiebungselementtechnik
beruhende Festkörper -Bildabtastvorrichtung darstellt. Das Bezugszeichen 20 bezeichnet
einen optoelektronischen Konversionsbereich zur Speicherung einer optischen Signalladung und verwendet
normalerweise ein auf Oberflächenkanultcchnik beruhendes Ladungsverschiebeelemeni. Die durch den
optoclektrischen Konversionsbereich 20 umgewandelten optischen Signalladungen werden in einer schnellen
Rasterübertragung während einer vertikalen Rücklaufperiode in einen daran angrenzend angeordneten optischen
Signalladungsspeichcrbereich 21 übertragen. Der optische Signalladungsspeicherbereich 21 verwendet
ebenfalls gewöhnlich auf Oberflächenkanaltechnik beruhende Ladungsverschiebcelemente. Die in den optischen
Signalladungsspeicherbereich 21 übertragene Signalladung wird während der horizontalen Rücklaufperiode
in ein horizontales Schieberegister 22 übertragen, das normalerweise ein auf der Technik des versenkten
Kanals beruhendes Ladungsvcrschiebeciement benutzt
und wird weiter unter Verwendung eines geeigneten Übertragungstaktsignals in einen .Signalausgabebereich
23 übertragen und dann ausgelesen.
Bei der auf MOS-Technik beruhenden Feslkörpcr-Bildabtastvorrichtung
ist jedes Bildclemcnt einzeln durch einen pn-Übcrgang gebildet. Aus diesem Grund
ist die Signaltrennung zwischen den jeweiligen Bildclcmenten
außerordentlich gut. Der von dem auf MOS-Technik beruhenden horizontalen Schieberegister abgeleitete
Horizontalabiastimpuls durchläuft die Gatterkapazität
des horizontalen MOS-Transistors sowie eine r, zwischen dessen Gatter und Senke bestehende Streukapa/iiäl,
was sich in auf der Videoausgangsleitung erscheinenden Slörspilzeri äußert. Eine Änderung der
oben erwähnten Kapazität, welche den Hauptgrund für die Verursachung eines sogenannten Festmusterrauschens
darstellt, verringert das Rauschverhältnis des Videosignals erheblich. Hierin liegt die der auf MOS-Technik
beruhenden Festkörper-Bildabtastvorrichtung innewohnende ernsthafteste Schwierigkeit.
Im Falle der auf der Ladungsverschiebe-Rastübertragung
beruhenden Festkörper-Bildabtasivorrichtung, bei der die Bildeiemente in /77 Zeilen und η Spalten
angeordnet sind, wird das mit versenktem Kanal arbeitende Ladungsverschiebeelement als das Horizontaiabtast-Schieberegister
verwendet. Aus diesem Grund ist das FesimusteTauschen außerordentlich gering und das
Rauschverhältnis gut. Der prinzipielle '"«trieb der derartigen BHuabtastvorricntung besteht darin, daß die von
dem optoclektrischen Konversionsbereich abgeleitete Signalladung auf einmal in den optischen Signaliadungs-Speicherbereich
übertragen wird und dann in diesem Bereich gespeicherte Signalladung sequentiell auf das
horizontale Schieberegister übertragen wird. Dieser prinzipielle Betrieb ist mit unvermeidbaren Übertragungsverlusten
verbunden, die auftreten, wenn die Signalladung durch m oder mehr Stufen übertragen wird.
Der Grad der Verschlechterung des zu übertragenden Signals ändert sich in Abhängigkeit von dem Abstand
jedes Bildelements in bezug auf das Horizontalabtast-Schieberegister. Demzufolge ändert sieh der Grad der
J5 Verschlechterung der Bildqualität in Abhängigkeit von
der Lage auf dem Bildschirm. Wie oben beschrieben, wird weder durch die auf MOS-Technik beruhende
Festkörper-Bildabtastvorrichtung noch durch die auf Ladungsverschiebeelementtcchnik beruhende Festkörper-Bildabtastvorrichtung
erfolgreich eine hohe Auflösung und ein gutes Rauschverhältnis erzielt.
Bei einer nach einem Verfahren der eingangs genannten Art arbeitenden, als bekannt geltenden Festkörper-Bildabtastvorrichtung
(DE-OS 29 3b 704) wird die während einer bestimmten Integralionszeit in einer Fotodiode
erzeugte optische .Signalladung nach ihrer durch Offnen eines Schalttransistors hervorgerufenen Übertragung
auf einen das erste kapazitive Element bildenden Spaltenleiter mit Hilfe eines Transfergates zunächst
in eine Stelle eines das dritte kapazitive Element bildenden Schieberegisters übertragen. Von dort aus erfolgt
unter der Steuerung durch ein weiteres Transfergale eine Weiterleitung in ein aai zweite kapazitive Element
bildete Schieberegister. Dieser Auslesevorgang wird
sodann in einem weiteren Takt wiederholt, wobei jedoch durch eine sehr kurze Bemessung der i.itegrationszeit
der Fotodiode keine optischen Signalladungen, sondern lediglich durch Störeinflüsse hervorgerufene
Störladungen auf den Spaltenleiter und von dort unter
W) der Steuerung durch das betreffende Transfergate in
das Schieberegister übertragen werden. Am Ende der beiden Schieberegister ist eine einer Differenzbildung
dienende Einrichtung vorgesehen, durch welche die in die beiden Schieberegister übertragenen Ladungen
b5 voneinander abgezogei. werden, was bedeutet, daß die
zunächst mit den Störladungen behaftete optische Signalladung von der Störludung befreit wird.
Zwar ist bei der als bekannt gellenden Festkörner-
Bildabtastvorrichtung durch diese Maßnahme insoweit
eine Verminderung des Taktübersprechens erreicht. Dort wird dabei der weiteren Störursachc keine Rechnung
getragen, daß eine wirkungsvolle Übertragung der auf den eine verhältnismäßig große Kapazität aufweisenden
Spaltenleitcrn gespeicherten kleinen Signalladungen in das das zweite kapazitive Element bildende
horizontale Ladungsverschiebungsregister äußerst schwierig ist. Wegen des abnehmenden Wirkungsgrades
der Signalladungsübertragung ist dabei die vertikale Auflösung in Abhängigkeit von dem Abstand der Bildwandlerelemente
in bezug auf das horizontale Schieberegister veränderlich.
Dagegen ist bei einer bekannten Festkörper-Bildabtastvorrichtung anderer Gattung (»Elektroniker«
Nr. 3/1978, Seiten 7 bis 15) unmittelbar neben jeder der
Erzeugung der optischen Signalladung dienenden Wandlerelementspalte ein vertikales Schieberegister
vorgesehen, in das die erzeugten Signalladungcn unmittelbar
übernommen und von dort in ein horizontales Alisleseregister übertragen werden. Ähnlich ist bei einer
weiteren bekannten Festkörper-Bildabtastvorrichtung (DE-OS 29 02 532) auf beiden Seiten längs einer
Zeile von Wandlerelementen je ein Schieberegister angeordnet, wobei jeweils zwischen der Wandlerelemcntzeile
und dem Schieberegister eine Übertragungselektrode vorgesehen ist. Die in der Wandlerelcmentzeile
erzeugten Signalladungen werden unter der Steuerung durch die Übertragungselektrode in diese Schieberegister
übertragen und von deren Ende ausgelesen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Festkörper-Bildabtastvorrichtung
der eingangs genannten Art dahingehend auszubilden, daß die Geschwindigkeit und der Wirkungsgrad für die Übertragung der optischen
Signalladung auf das dem Auslesen dienende Ladungsverschiebungsregister
erhöht ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß von dem dritten kapazitiven Element vor der Übertragung
der Signalladung vom ersten auf das dritte kapazitive Element eine zusätzliche Ladung in das erste
kapazitive Element injiziert wird.
In der folgenden Beschreibung sind Ausführungsbeispiele der Erfindung und ihre Vorteile unter Bezugnahme
auf die Zeichnung näher erläutert. Hierin zeigt
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild einer herkömmlichen auf
MOS-Technik beruhenden zweidimcnsionalen Festkörper-Bildabtasivorrichtung,
Fig. 2 ein prinzipielles Blockdiagramm einer auf Ladungsverschiebungs-Rasterübertragung
beruhenden zweidimensional Festkörper-Bildabtastvorrichtung.
Fig. 3 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer zweidimensionalen Festkörper-Bildabtastvorrichtung.
F i g. 4a beim Betrieb der in F i g. 3 dargestellten Ausführungsform
auftretende Spannungsformen.
Fig.4b Potentialdiagramme von Betriebszuständen
bei dem in F i g. 4a dargestellten Zeitablauf.
Fig.5 Spannungsformen bei einer einer Verbesserung des Übertragungswirkungsgrades dienenden doppelten
Übertragung,
F i g. 6 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform mit Maßnahmen zur Löschung eines pseudooptischcn
Signals.
Fig. 7 Impuls-Zeitdiagramine für den Betrieb iler in
I: i g. 6 dargestellten zweidimcnsionalen Festkörper-Bildabtastvorrichtung,
und
rig. 8 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform,
bei der je ein horizontales Schieberegister entsprechend ungeraden und geraden Spalten von Auslcseleitcrn
im auf der Zeichnung oberen und unteren Bereich angeordnci sind.
Gemäß einer in F i g. 3 dargestellten Ausführungsform einer zweidimcnsionalen I'estkörper-Bildabtast-
vorrichtung, sind jeweils ein fotoelektrisches Wandlcrelcmcnt in Form einer Fotodiode 31 und einen vertikalen
MOS-Schalter 32 aufweisende Bildelemente in Matrixweise angeordnet. In Fig. 3 ist der Einfachheit halber
eine Matrix mit vier Spalten und vier Zeilen dargc-
K) stellt, [line Anzahl der vertikalen MOS-Schalter 32 sind
mit ihren Gattern gemeinsam verbunden, um eine Vertikalabtasiimpuls-Eingangsleiturig
33 zu bilden, die an ein auf MOS-Technik beruhendes vertikales Schieberegister
34 angeschlossen ist. Die Senken der vertikalen
r> MOS-Schalter 32 jeder Zeile sind zur Bildung einer vertikalen
Übertragungsleitung 35 untereinander verbunden. Die vertikalen Übcrtragungsleitungcn 35 sind jeweils
an einem Ende über deren Quellcnbereiche mit (
erste Übcriragungsgatier aufweisenden Übertragungs-MOS-1
ransistoren 36 verbunden. Die Gatter der MOS-Transistoren 36 sind untereinander verbunden, um hierdurch
eine erste Gattereingangslciuing 37 zu bilden. Der Senkcnbercich jedes einzelnen der Übcrtragungs-MOS-Transistorcn
36 ist jeweils mit dem anderen Ende von Spcichcrkondcnsatorclemcnten 39 verbunden, die
aus an ihrem einen Ende zusammcngeschalteten MOS- > Kondensatoren bestehen und hierdurch eine Speicher-Gattereingangsleitung
38 bilden, so daß Speicherbereiche N gebildet sind. Die zweiten Übertragungsgatter
310 sind jeweils angrenzend an die Speicherkondcnsatoren 39 angeordnet. Diese Übertragungsgattcr sind untereinander
verbunden, um eine zweite Gattereingangsleitung 311 zu bilden. Ein auf Ladungsverschiebung mit
versenktem Kanal beruhendes horizontales Schicberc- ;
j5 gistcr 312 (als ein horizontales Register bezeichnet), das
< angrenzend an die Übertragungsgatter 310 angeordnet ist. ist an seinem einen Ende mit einem Signalausgabeberek'h
313 verbunden, in der folgenden Beschreibung ist angenommen, daß alle MOS-Schalter vom N-Kanalanrciehcriingstyp
sind: dasselbe Arbeitsprinzip ist jedoch entsprechend für andere Arten von MOS-Schalter
anwendbar. Auf der Grundlage der prinzipiellen Betriebsweise der unter Bezugnahme auf F i g. 1 und 2 angesprochenen
Hildabtastvorrichtung wird nun die Be-Schreibung
unter Hervorhebung der für die Ausführungsfornt von F i g. 3 wesentlichen Betriebsweise weitergeführt.
Zuerst wird ein vertikaler Abtastimpuls an den vertikalen MOS-Schalter 32 während einer einzelnen horizontalen
Rücklaufperiode zum Zwecke des Einschaltens dieses Schalters 32 angelegt, wodurch die in den Fotodioden
31 gespeicherte Signalladung auf die entsprechende Übertragungsleitung 35 übertragen wird. Indem
sodann an die Impulseingangsleitungen 37 und 38 geeignete Übertragungsimpulse angelegt werden, werden sodann
die Signalladungcn auf den Übertragungsleitungen 35 effektiv an die Senkenbereiche N (Speicherbereiche)
der MOS-Transistoren 36 übertragen und darin vorübergehend gespeichert. Indem in dem nächsten
bo Schritt ein Übertragungsimpuls an die Impulseingangsleitung
311 angelegt wird, wird die in dem Speicherbereich
N gespeicherte Signalladung an das horizontale Schieheregister 312 übertragen. Die SigiialUuluiij: wird
synchron zu geeignelcn Übcriraguiigsiaktimpulsen
hr> durch das horizontale Schieberegister 312 durchgeschoben
und mittels des Signalausgabebereichs313 ausgelesen.
In Fig.4a ist in beispielhafter Weise ein Satz von
/eiiablaufdiagrammcn für die Ausführung des oben erwähnten
Betriebs der Festkörper-Bildabtastvorrichtung dargestellt. In dieser Figur bezeichnet Vi,; die Wellenform
einer auf der Impulseingangsleitung 37 auftretenden Impulsspannung, Vn die Wellenform einer auf der
Impulseingangsleitung38 nuftretenden Inipulsspannung
und Vm die Wellenform einer auf der Impulseingangsleitung
311 auftretenden Impulsspannung. In Fig. 4b
sind die fVtriebszusländc durch die in den entsprechenden Bereichen zu den in Fig.4a dargestellten Zeiten
auftretenden Potentiale ausgedrückt dargestellt. In dieser Figur bezeichnet /. die Übertragungsleitung 35. N
die Speicherbereiche und BCCD das horizontale Schieberegister 312. Die in den entsprechenden Bereichen
auftretenden Potentiale sind durch K/, Kv. KV bzw. Vn
dargestellt. Die Elektroden der Eingangsleilungen sind durch Ta. T, bzw. 7» dargestellt. Die in den entsprechenden
Bereichen bei t — 0 im Dunkclzusiand auftretenden
Potentiale sind als V1, V.vbzw. K» bezeichnet.
Wenn tier Mi's dem vertikalen Schieberegister 34 /u
einer Zeit (0 < / </i) abgeleitete Ablastimpuls an den
vertikalen MOS-Schalter 32 angelegt wird, wird der größte Teil der in der Fotodiode 31 gespeicherten Signalladung
Cs auf die vertikale Übertragungsleitung 35 übertragen, da die Kapazität Ci. der Übertragungsleitung
35 im Vergleich zu der Kapazität der Fotodiode 31 hinreichend groß ist. Um die auf die vertikale Übertragungsleitung
35 übertragene .Signalladung Q\ in die Speicherbereiche N zu übertragen, werden die Impulse
Vn; und Vn an die F.lektrodcn Ta und T( angelegt. Die
Kapazität Cv des Speicherbereichs Λ/ist durch G, + C-,,,
ausdrücl.bar, wobei Gi die Kapazität des kapazitiven
Spcicherelements 39 und C1,,, eine Streukapazität am
Senkenbereich des MOS-Transistors 36 darstellt. Zuerst
wird durch den zur Zeit i\ an das Gatter T1. angelegten
Impuls Kk; eine Schwellcniadung Qh(<xVi — K\) effektiv
aus dem das Potential Kv aufweisenden .Speicherbereich
Λ/ in die vertikale Leitung 35 injiziert. Zur Zeit h
wird der Impuls K/ran die Elektrode T( angelegt, um in
ausreichender Weise das in dem Speicherbereich N auftretende Potential auf K/v' zu erhöhen. Zu dieser Zeit
wird die auf der Übertragungsleitung 35 zusammengesetzte Ladung (Qs + Qb) in den Speicherbereich N in
einem BBD- oder Kettenzustand übertragen. Dabei gilt
Kn1 = Vn + CJ(C1 + Cn,) ■ Vn.
Um die zusammengesetzte Ladung von der Übertragungsleitung L in den Speicherbereich Λ/zu übertragen,
muß während der in den Speicherbereich /Verfolgenden
Übertragung der zusammengesetzten Ladung (Qs + Qb) das in dem Bereich N herrschende Potential
über dem Wert von K/, gehalten werden. Gleichzeitig wird das auf der vertikalen Übertragungsleitung 35
herrschende Potential wieder auf den Wert K/. gesetzt. Die eingestellte Spannung V1 drückt sich aus durch
Vi = Vtg — Vi°, wobei K/; die Schwellenspannung
des Gatters Tc darstellt. Sodann wird zur Zeit /i der
Wert von Vtc Null.
Nachdem die Übertragungsleitung 35 von dem Speicherbereich N elektrisch getrennt wird, wenn der Impuls
Knzu der Zeit U in einen Nullzustand zurückkehrt,
wird das in dem Speicherbereich N herrschende Potentiah'klein.
Wenn zur Zeit /5 der Übertragungsimpuls Vn
an das Gatter Tn angelegt wird, wird aliein die Signalladung
Qs des Speicherbereichs N an das horizontale
Schieberegister312 übertragen. Gleichzeitig wird das in dem Speicherbereich N herrschende Potential wieder
auf Kv gcsei/i. so daß die Bildabtastvorrichtung für den
nächsten Überinigungs/yklus (u bis th) bereit ist. Dabei
besteht der Zusammenhang Kv = Vm — Vr", wobei
K(Z? die Schwellspannung des Gatters Tu darstellt. LIm
r> die Ladung aus dem Speicherbereich Λ/an das horizontale
Schieberegister 312 zu übertragen, muß das Kanalpotential des horizontalen Schieberegisters 312 auf einem
höheren Wen als K,v gehalten werden. In der Tat
gilt Vi" = ViB. Während der Dauer einer horizontalen
Abiastpciiode wird die in das horizontale Schieberegister
312 übertragene Signalladung Qs in den Signalausgabebereich
313 übertragen, wo sie ausgelesen wird. Damit zur Zeit ti die Schwellenladung Qh in den L-Bereich
injiziert wird, muß die Beziehung Kj. > Kv erfüllt
r> sein. Der effektive Wirkungsgrad für die Übertragung der Signalladung Qs aus dein /.-Bereich in den /V-Bereich
ist dadurch außerordentlich erhöht, daß die Schwellenladung Qh automatisch injiziert wird, wenn
der Impuls K/<; früher als der Impuls Vk; angelegt wird.
i\) uin dcraniges Übertragungsverfahren wird ais eine automatisch
vorgespannte Ladungsübertragung bezeichnet.
Wenn die Phasen der Impulseingangsspannung Vtg und Vn gleichphasig sind, wird keine Schwellenladung
injiziert und der Wirkungsgrad für die Ladungsübertragung vom /.-Bereich zum /V-Bereich ist dürftig. Infolgedessen
wird kein gutes Bild erhalten. Wie aus den in F i g. 4b dargestellten Potentialdiagrammen hervorgeht,
wird die injizierte Ladung nicht an das horizontale to Schieberegister übertragen. Es ist wohlbekannt, daß bei
der herkömmlichen Rasterübertragung in einem Ladungsverschiebeelement
die Schwellenladung extern injiziert wird, um den Übertragungswirkungsgrad zu verbessern.
Bei diesem Verfahren wird jedoch das Festmu-J5 slerrauschen durch eine Veränderung der Schwellenladting
verursacht. Andererseits entsteht ein derartiges Festmuster überhaupt nicht, wenn das automatisch vorgespannte
Lisdungsüberiragungsvcrfahrcn verwendet
wird.
Durch die Verwendung der oben beschriebenen Steuerimpulse kann die von der vertikalen Übertragungsleitung
35. deren Kapazität C/ groß ist, beispielsweise einige zehn pF, abgeleitete Signalladung mit hohem Wirkungsgrad
in den eine hinreichend kleine Kapazität Cv aufweisenden Speicherbereich Nübertragen werden.
Wenn das Verfahren der automatisch vorgespannten Ladungsübertragung verwendet wird, wird das Bild
nicht gestört, da selbst bei einem geringen Lichtwert der Übertragungswirkungsgrad nicht verschlechtert wird,
so daß ein ziemlich scharfes Bild gebildet werden kann. Ein im Rahmen der Erfindung durchgeführtes Experiment,
bei dem die Kapazität des Speicherbereiches N ein Mehrfaches der Kapazität der Fotodiode betrug und
die Beziehung C0 = Cp„ erfüllt war, hat einen Wirkungsgrad
für die Ladungsübertragung von bis zu 70% und mehr ergeben. Ein befriedigender Wert für |ii — /2I lag
dabei im Bereich von einigen zehn ns und die einzelnen Impulsbreiten betrugen ungefähr I μ5.
Bei der vorstehend erwähnten Betriebsweise wird albo
lein die lediglich in der ersten Spalte auf die vertikale Übertragungsleitung 35 übertragene Ladung in das horizontale
Schieberegister 312 übertragen. Tatsächlich wird dieser Betriebsvorgang gleichzeitig bei allen Fotodioden
31 derselben Zeile bewirkt. Ferner sind in jeder b5 Spalte die betreffenden Fotodioden 31 durch Senken
der vertikalen MOS-Schalter 32 über die Übertragungsieitungen
35 miteinander verbunden. Durch diese Verbindung ist rangmäßig der Abstand der von in anderen
Zeilen angeordneten Fotodioden herrührenden Signalladung
bezüglich des horizontalen Schieberegisters 312 unabhängig von dem relativen Abstand zu dem horizontalen
Schieberegister 312. Weiterhin wird, nachdem die von der die große Kapazität aufweisenden Übertragungsleitung
35 abgeleitete Signalladung mit hohem Wirkungsgrad an das die kleine Kapazität aufweisende
Speicherelement 39 übertrugen worden ist, diese an das horizontale Schieberegister 312 übertragen. Auf diese
Weise ist der Wirkungsgrad der Übertragung außerordentlich verbessert, wodurch eine gute vertikale Auflösung
erreicht wird, wenngleich das Bild kaum geformt wird, wenn es unmittelbar von der vertikalen Übertragungsleitung
35 an das horizontale Schieberegister übertragen wird.
Ferner verwendet die Festkörper-Bildabtastvorrichtung
ein Ladungsversehiebeelcment für das horizontale Schieberegister und drei getrennte Impulseingangsleitungen.
Hierdurch kann der Wirkungsgrad für die Übertragung der Ladung von der vertikalen Übertragungsleitung
in das horizontale Schieberegister weiter verbessert werden. F i g. 5 zeigt für die Erläuterung der in
einem solchen Fall vorliegenden Betriebsweise nützliche Zeitablaufdiagramme. Die Impulse η bis rb für die
automatisch vorgespannte Ladungsübertragung gleichen denen in F i g. 4a dargestellten. Um eine zweimalige
Wiederholung dieser Impulse zu erhalten, werden während einer Zeitdauer von iV bis n/ dieselben Impulse
verwendet, wie während η bis n,. Das durch diese
Steuerimpulse bewirkte Ladungsübertragungsverfahren wird doppelte Übertragung genannt. Bei dem doppelten
Übertragungsverfahren ist der Wirkungsgrad für die Übertragung der Ladung von der vertikalen Übertragungsleitung
35 in den Speicherbereich N durch Φ = V + C — 1I)V ausdrückbar, wobei // den Wirkungsgrad
für die Übertragung von der vertikalen Übertragungsleitung 35 in den Speicherbereich N unter
Verwendung der in Fig.4a dargestellten impulssteuerung
bedeutet. Da die Kapazität des Speicherkondensators Nsehr klein ist, kann angenommen werden, daß der
Wirkungsgrad für die Übertragung vom Speicherbereich N zum horizontalen Register 312 beinahe 100%
beträgt. Folglich kann angenommen werden, daß der Wirkungsgrad für die Übertragung von der vertikalen
Übertragungsleitung 35 zum Speicherbereich N durch denjenigen für die Übertragung von der vertikalen
Übertragungsleitung 35 zum horizontalen Register 312 gegebenist.
Wenn das doppelte Übertragungsverfahren ausgehend von // = 70% angewendet wird, ergibt sich
tfi = 91%. Wenn es bei // = 90% angewendet wird,
folgt ifi = 99%. Durch die Verwendung der doppelten
Übertragung wird die vertikale Auflösung weiter verbessert. Innerhalb der effektiven horizontalen Rücklaufperiode
ist die Anwendung einer beliebigen Anzahl von Impulsen für eine automatisch vorgespannte Ladungsübertragung
zulässig. Die Impulssteuerung gemäß V;« kann von τ% bis r* statt in der pulsierenden Weise
gleichstromartig vorgenommen werden, wie aus deren Betriebsprinzip ersichtlich ist. Darüber hinaus kann sie
während der gesamten Zeitspanne als eine Gleichspannungs-Vorspannung betrieben werden. In diesem Fail
muß V,\ kleiner als das kleinste Kanalpoteniial des horizontalen
Registers sein.
Die bisherige Beschreibung bezieht sich auf d:e Art
und Weise, wie die auf der übertragungsleitung 35 auftretende Signalladung mit hohem Wirkungsgrad an das
horizontale Schieberegister 312 übertragen wird. Da jedoch jede der Übertragungsleitungen 35 eine Anzahl
von Senken der vertikalen MOS-Schalter 32 umfaßt,
wird der während der Dauer einer horizontalen Abtastperiode erzeugte Dunkelstrom und das bei den Senken
gesammelte optische Signal gespeichert, und diese pseudooptischen Signale werden der wahren optischen
Signalladung beigemischt. Demzufolge wird das Rausch Verhältnis verschlechten.
Die vorerwähnte Schwierigkeit ist jedoch gemäß der ι» folgenden Beschreibung lösbar, die sich auf eine Festkörper-Hildabtastvorrichtung
bezieht, bei der lediglich wahre .Signalladungen mit einem hohen Übertragungswirkungsgrad auf das horizontale Schieberegister 312
übertragen werden, indem das pseudooptische Signal Γι auf der Übertragungsleitung 35 während einer Impulszeilgabe
im Betrieb der Bildabiastvorrichtung gelöscht wird, bevor die wahre Signalladung in den Speicherbereich
N übertragen wird. In F i g. fa ist ein Schaltbild
einer Festkörpcr-Bildabtastvorrichtung dargestellt, dcrcn
Aufbau die Löschung des pseudooptischcn Signals
ermöglicht. Bei der in Fig.6 dargestellten Schaltungsanordnung
ist die Anzahl von Biteinheiten des horizontalen Schieberegisters pro vertikaler Übertragungsleitung
gemäß einem Bitciuhcitcnaufbau u\. a,'. «i:, ai',...
verdoppelt. Die übrigen Teile des Schaltungsaufbaus stimmen mit denen des in Fig. 3 dargestellten iiberein.
Die übrigen Teile sind daher mit den gleichen Symbolen wie in F i g. 3 bezeichne!.
In F i g. 7 sind Impulszeitablaufdiagramme für die
jo Steuerung der in Diskussion stehenden Festkörper-Bildabtasivorrichtung
dargestellt. Hierin bedeutet V(. einen Ablastimpuls, der von dem vertikalen MOS-Schicbercgister
34 an den vertikalen MOS-Schalter 32 angelegt wird. Unter der Steuerung durch einen zwijri
sehen einem Zeilpunkt P\ und einem Zeitpunkt Λ, wiederkehrend
auftretenden Zug von Impulsen wird das auf der vertikalen Übertragungsleitung auftretende
pseiidoopiische Signal unier der autüniaiisch vorgespannten
Überiragungsweisc in die Biteinheit 3\ des ho-4Ii
rizonialen Schieberegisters übertragen. Sodann wird das in der Einheit .ii gespeicherte pseudooptische Signal
an die benachbarte Biteinheit .V des SchicOeregisters
übertragen, indem für das horizontale Schieberegister ein geeigneter Überlragungstaki während einer Zcitdauer
von /'„ bis r„ verwendet wird, wodurch die Biteinheit
.»ι entleert wird. Danach wird nur die wahre Signalladung,
die durch Verwendung des zum Zeitpunkt P% angelegten Impulses Vr, von der Fotodiode auf die
Übertragungsleitung übertragen wird, mit einem hohen Wirkungsgrad während der Zeildauer von η bis rö' im
doppelten Übertragungsbereich in die Biteinheit a\ des
horizontalen Schieberegisters übertragen. Danach werden während einer horizontalen Abtastperiode die
pseudooptische und die wahre Signaliadung unter Verwendung des geeigneten Übertragungstaktes durch das
horizontale Schieberegister 312 hindurch an den Ausgabebereich 313 übertragen, wo sie ausgelesen werden.
Durch eine Entfernung der pscudooptischen Signalladung durch ein geeignetes Verfahren und ein auswi
schlicßlichcs Lesen der wahren Signalladung wird ein einen außerordentlichen hohen Wirkungsgrad aufweisendes
Videosignal erhalten. Bei einem der Verfahren zur Entfernung des pseudooptischen Signals ist ein aus
einem Abtastübertragungsgatter und einer Senke bc- - stehendes Papar angrenzend an eines oder mehrere eigentliche
Bits des horizontalen Schieberegisters bei dem Ausgabebereich 313 angeordnet, um die pseudooptische
Signalladung abzuzweigen und zu beseitigen. Bei
liner deranigen Anordnung wird das pscudoopiische
Signal beseitigt, indem das psetidooptisehc Signal derart in die Senke eingetastet wird, daß bei der (iberiragung
Je<i pseudooptkehen Signals auf die Biteinheit ein Im-
\A-„i an das Abtastüberlragiingsgalter angelegt wird. r,
In einem weiteren Verfahren zur Entfernung «lies
pseudooplischcn Signals sind die Übertragungsgatter angrenzend an eine geeignete Anzahl der effektiven
Bi'einheiten des horizontalen Schieberegisters vorgesehen, so daß die auf das horizontale Schieberegister
übertragene pseudooplische Signalladung aus dem horizontalen Schieberegister durch die Übcrtrngungsgailer
während der horizontalen Rücklaufpcriodc ausgegeben wird. Bei Verwendung dieses Verfahrens ist das in
dem Videosignal enthaltene Rauschen vermindert und i->
das Signal ist in einfacher Weise verarbeitet. Wie oben beschrieben wurde, ist hierdurch die durch eine Änderung
des Dunkelslroms verursachte, in einer Gruppe von Senken auf der vertikalen Übertragungsleitung gespeicherie
Fc-s;mus;e-r-l\nuschkorüpwnonic erheblich 2»
herabgesetzt und es wird ein Videosignal mit einem außerordentlich .vohen Rauschveihälinis erhalten. Die
überschüssige Sättigungsladung, die hervorgerufen wird, wenn die Bildabtastvorrichtung eine über das Sättigungslicht
hinausgehende Lichtmenge empfängt, kann y,
durch die Verwendung des Verfahrens zum Löschen des pseudooptischen Signals gelöscht werden, wodurch die
Überstrahlungswiderstandskennlinie außerordentlich verbessert wird.
Für den Fall, daß eine große AnzaM von horizontalen
Bilddementen verwendet wird, kann d>e Schaltung der
Festkörperbildabtastvorrichtung derart angeordnet werden, daß die horizontalen Schieberegister an der
oberen und unteren Seite in bezug auf die ungeraden und geraden Spalten der vertikalen Übertragungslci- r>
tungen angeordnet werden, wodurch der bei einer hohen Arbeitsgeschwindigkeit des horizontalen Schieberegisters
hervorgerufene Übertragungsverlust vermindert
und die Integrationsdichte verbessert ist. Ein Beispiel für eine derartige Gestaltung ist in F i g. 8 dargestellt.
Zur Bezeichnung der mit der F i g. b gleichen Teile sind die gleichen Bezugszeichen verwendet. Die in
F i g. 7 dargestellten Stciierimpulszeitabläufe können in
diesem Beispiel verwendet werden. Während die vorerwähnten Ausführungsformen auf Oberflächenkanälen
beruhende Übertraglingsgatter TG und TR verwenden, können diese Gatter auch vom Typ versenkter Kanäle
ausgebildet sein. In diesem Fall ist der Wirkungsgrad für die Übertragung weiter verbessert.
Wie vorstehend beschrieben, ermöglicht die Erfindung die vollständige Ausschaltung des durch den horizontalen
Abtastimpuls hervorgerufenen Fcstmustcrrauschens, was bei der herkömmlichen auf MOS-Technik
beruhenden Festkörper-Bildabtastvorrichtung kaum möglich ist Außerdem sind das Rauschverhältnis und ^
die Überstrahlungswiderstandskennlinie erheblich verbessert, indem das pseudooptische Signal und die Überstrahlungsladung
gelöscht werden. Bei der auf Ladungsverschiebeelementen beruhenden Festkörper-Bildablastvorrichtung
ist der Grad der durch die Vielstufen- ω Übertragung der Signalladung hervorgerufenen Verschlechterung
der vertikalen Auflösung in Abhängigkeit von dem Abstand der Bildelemente in bezug auf das
horizontale Schieberegister veränderlich. Dieser Mangel tritt bei der Erfindung nicht auf. Außerdem besteht t>5
bei der Erfindung keine Notwendigkeit für eine externe
Injektion der Schwellenladung. Deshalb ist die erfindungsgemäße Festkörper-Bildabtastvorrichtung nicht
mit dem durch die Veränderung der extern injizierten Ladungen verursachten f-'estmusierrausehen behaftet.
Folglich ist die erfindungsgemäße Festkörpcr-Bildab· tastvorrichtung gegenüber der herkömmlichen im Auflösungsvermögen,
dem Rauschverhältnis, dem Übcrstrahlungswiderstand und dergleichen erheblich verbessert.
In dieser Hinsicht ist die erfindungsgemäße zweidimensionale
Festkörper-Bildabtast vorrichtung äußerst nützlich, wenn sie als eine Festkörper-Bildabtastvorrichtung
für eine Einfach- oder Single-Chip-Farbkamera verwendet wird.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zur Ladungsübertragung bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung, bei dem eine optisch
erzeugte Signalladung zunächst auf ein von einem Ausleseleiter gebildetes erstes kapazitives Element
(35) und anschließend über ein drittes kapazitives Element (39), das eine kleinere Kapazität als das
erste kapazitive Element (35) aufweist, auf ein von einem Ladungsverschiebungsregister gebildetes,
ebenfalls eine kleinere Kapazität als das erste kapazitive Element (35) aufweisendes zweites kapazitives
Element (312) übertragen wird, dadurch gekennzeichnet,
daß von dem dritten kapa/.iti- is ven Element (39) vor der Übertragung der Signalladung
(Q,) vom ersten (35) auf das dritte (39) kapazitive Element eine zusätzliche Ladung (Qn) in das erste
kapazitive Element (35) injiziert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, aa3 in einem ersten Schritt von dem dritten
kapazitiven Eiemeni (3S) als die iiusütz'iiche Ladung
eine festgelegte Vorspannungs-Ladungsmenge in das erste kapazitive Element (35) injiziert wird, in
einem zweiten Schritt die Ladung vom ersten kapa- 2·;
zitiven Element (35) zum dritten kapazitiven Element (39) übertragen wird, und in einem dritten
Schritt eine der Signalladung entsprechende Ladungsmenge unter Zurücklassung einer der Vorspannungs-Ladungsmenge
entsprechenden La- in dungsmenge vom dritten kapazitiven Element (39)
zum zweite1.: kapazitiven Element (312) übertragen
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß während jeifer l'bertragungspcriode v>
die Folge der drei Schritte wenigstens einmal wiederholt wird.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit in m Zeilen
und η Spalten angeordneten fotoelcktrischen Wandlerelementen (31) und mit einer Signalladungsübcrtragungsvorrichtung,
die ein in MOS-Technik aufgebautes vertikales Schieberegister (34) und Schaltet ·
elemente (32) zur gleichzeitigen zeilenweiscn Übertragung der in den fotoclektrischen Wandlerelcmen- v,
ten (31) gespeicherten optischen Signalludungen auf vertikale Übertragungsleitungen (35) aufweist sowie
ein horizontales Schieberegister^^), das als ein auf
die zweiten kapazitiven Elemente darstellenden Ladungsverschiebeelcmenten
beruhendes Schieberc- v\ gister ausgebildet ist, einer der Übenragung der auf
die die ersten kapazitiven Elemente darstellenden Übertragungsleitungen (35) übertragenen optischen
Signalladung in das horizontale Schieberegister (312) dienenden, zwei Übertragungsgatter (36, 310) v>
und die dritten kapazitiven Elemente (39) aufweisenden Übertragungsvorrichtung und einem Signalausgabebercich
(313), durch den die durch das horizontale Schieberegister (312) hindurch übertragene
optische Signalladiing ausgebbar ist, dadurch gc- w>
kennzeichnet, daß jedes der eine kleinere Kapa/iüit
als die vertikalen Übertnigungslciiungen (35) aufweisenden,
als kapazitive Speicherelemente ausgebildeten drillen kapazitiven Elemente (39). deren eine
Elektrode als Speicherbereich (N)d\enl. an seiner μ
anderen Elektrode von einer ersten Impulsspanniing
(Vk) beaufschlagt ist. und daß durch ein erstes der beiden Übcrtnigungsgaücr (3b) der Übertragungsvorrichtung
in Abhängigkeit von einer zweiten Impulsspannung (Vn;) Ladung zwischen dem Speicherbereich
(N) und der vertikalen Übertragungsleitung (35) übertragbar ist sowie durch das zweite der beiden
Übertragungsgatter (310) Ladung vom Speicherbereich (N) zu dem horizontalen Schieberegister(312)
übertragbar ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet,
daß in dem horizontalen Schieberegister (312) die je einer Biteinheit entsprechenden Ladungsverschicbcelemente
(au a\, a>
a>'...) in doppelter Anzahl der vertikalen Übertragungsleitungen
(35) vorgesehen sind, wobei die optische Signalladung und jede von der optischen Signalladung verschiedene
Ladung in jeweils benachbarten Ladungsverschicbeelementen speicherbar sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das horizontale Schieberegister (312) ein Übertragungsgatter aufweist, durch das die Ladung
mindestens einer der cndseitigen Biteinheit vorangehenden effektiven Biteinheit sowohl abzweigbar
ais auch übertragbar ist, und daß jede von der optischen Signalladung verschiedene Ladung
durch das Übertragungsgüte in einen von dem Signallausgabebereich
(313) verschiedenen Bereich ausgebbar ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6.
dadurch gekennzeichnet daß die die Übertragungsgatlcr
(36, 310) und das kapazitive Speicherelement (39) aufweisende Übertragungsvorrichtung und das
horizontale Schieberegister (312) entsprechend ungeraden und geraden Spalten der vertikalen Übertnigungsleitungcn
(35) getrennt vorgesehen sind (F ig. 8).
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 oder 7. dadurch gekennzeichnet, daß die zum Abzweigen
und Übertragen von Ladung dienenden Übertragungsgatier
jeweils entsprechend ungeraden und geraden Spalten der vertikaien Übertragungsleilungen
(35) vorgesehen sind.
9. Vorrichtung nach einein der Ansprüche 4 bis 8. dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Phasensetzung,
bei der die Phase der an das erste Übertragungsgatter
(36) angelegten zweiten Impulsspannung (Via) zeitlich früher als die der an die andere
Elektrode des kapazitiven Speicherelemcntes (39) angelegten ersten Impulsspannung (V,,) auftritt, die
das Übertiugungsgatlcr und das kapazitive Speicherelement
(39) aufweisende Übertragungseinrichtung während einer gegebenen Übertragungsperiode
wenigstens einmal die F-olge von Operationen
ausführt, in der die erste Operation in der Injektion der Vorspannungs-Ladung aus dem kapazitiven
Speicherelement (39) in die vertikalen Übcriragungslcitungen (35) besteht sowie die zweite Operation
in der Übertragung der Signalladungsmenge auf der vertikalen Übertragungsleitung (35) zu dem kapazitiven
Speicherelement (39) und die dritte Operation in der ausschließlichen übertragung der Signalkidungsmcngc
auf dns horizontale Schieberegister (312).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54135590A JPS6030151B2 (ja) | 1979-10-19 | 1979-10-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3039264A1 DE3039264A1 (de) | 1981-04-30 |
DE3039264C2 true DE3039264C2 (de) | 1984-07-19 |
Family
ID=15155373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3039264A Expired DE3039264C2 (de) | 1979-10-19 | 1980-10-17 | Verfahren und Vorrichtung zur Ladungsübertragung bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4366503A (de) |
JP (1) | JPS6030151B2 (de) |
DE (1) | DE3039264C2 (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56164681A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Matsushita Electronics Corp | Solidstate image pick-up device |
NL8004328A (nl) * | 1980-07-29 | 1982-03-01 | Philips Nv | Schakelinrichting voor het ontladen van een capaciteit. |
JPS57100361U (de) * | 1980-12-12 | 1982-06-21 | ||
JPS5847378A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Canon Inc | 撮像素子 |
DE3138294A1 (de) * | 1981-09-25 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit steuerung oder regelung der integrationszeit |
JPS5870687A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子の駆動方法 |
JPS58157262A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-19 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPS58169965A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPS5921059A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-02 | Hitachi Ltd | 電荷転送回路 |
JPS5928772A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-15 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
US4514821A (en) * | 1982-09-27 | 1985-04-30 | Rca Corporation | Electro-optical CCD transversal filter with analog reference weights |
JPS59108463A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS617766A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Kyocera Corp | 読み取り装置 |
JPS6194290A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
USRE34309E (en) * | 1984-12-26 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor device having plural photoelectric converting elements |
EP0187047B1 (de) * | 1984-12-26 | 1992-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildsensoranordnung |
EP0214050B1 (de) * | 1985-08-30 | 1991-08-14 | STMicroelectronics, Inc. | Parallele Zeile pro Zeile Datenübertragung in RAM-Speichern |
US4661854A (en) * | 1985-12-26 | 1987-04-28 | Rca Corporation | Transfer smear reduction for charge sweep device imagers |
JPH0740711B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1995-05-01 | キヤノン株式会社 | 光センサの駆動方法及び画像入力装置 |
EP0563846A1 (de) * | 1992-03-30 | 1993-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Öffnungskorrektur mit dynamischer Verzerrung zur Benutzung mit einer CCD-Kamera |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5112724A (de) * | 1974-07-23 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | |
JPS5389617A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-07 | Hitachi Ltd | Driving method of solid image pickup element |
JPS5846068B2 (ja) * | 1978-02-06 | 1983-10-14 | フエアチヤイルド・カメラ・エンド・インスツルメント・コ−ポレ−シヨン | 電荷結合型装置 |
DE2936704A1 (de) * | 1979-09-11 | 1981-03-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierte schaltung mit einem zweidimensionalen bildsensor |
-
1979
- 1979-10-19 JP JP54135590A patent/JPS6030151B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-10-15 US US06/197,026 patent/US4366503A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-10-17 DE DE3039264A patent/DE3039264C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3039264A1 (de) | 1981-04-30 |
US4366503A (en) | 1982-12-28 |
JPS5658379A (en) | 1981-05-21 |
JPS6030151B2 (ja) | 1985-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3039264C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Ladungsübertragung bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung | |
DE2936703C2 (de) | ||
DE69920687T2 (de) | Bildsensor mit erweitertem dynamikbereich | |
AT505513B1 (de) | Bildsensor, verfahren zum betreiben eines bildsensors und computerprogramm | |
EP0517303B1 (de) | Anordnung mit einer Sensormatrix und einer Rücksetzanordnung | |
DE3120458C2 (de) | Festkörper-Bildwandler | |
DE2857564C2 (de) | Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung | |
DE102011120099B4 (de) | Bildsensor und Verfahren zum Auslesen eines Bildsensors | |
DE3220958A1 (de) | Fluessigkeitskristall-matrixanzeigeanordnung | |
DE3345215C2 (de) | Festkörper-Bildaufnahmewandler | |
DE2833218C2 (de) | Festkörper-Abbildungsvorrichtung | |
DE202014011038U1 (de) | Halbleiterbildgebungsvorrichtung und elektronische Vorrichtung | |
DE3223809C2 (de) | Bildsensor | |
DE10231083A1 (de) | Verfahren und Vorrichtungen zum Auslesen eines Bildsensors mit reduzierter Verzögerungszeit zwischen Zeilen | |
DE2834761C2 (de) | Steuerschaltung für eine Bildaufnahmeeinrichtung | |
DE3047216A1 (de) | "integrierter ccd-bildabtaster mit ladungsuebertragung im zwischenzeilenintervall" | |
DE3234573C2 (de) | Bildsignalausleseverfahren für einen Festkörper-Bildabtaster | |
DE3883577T2 (de) | Bildaufnahmegerät. | |
DE68907486T2 (de) | Photoempfindliche Matrix mit drei Dioden pro Punkt ohne Rückstellung. | |
DE3138294A1 (de) | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit steuerung oder regelung der integrationszeit | |
DE3345238C2 (de) | Festkörper-Bildaufnahmewandler | |
DE3320706C2 (de) | ||
DE3319726A1 (de) | Festkoerper-bildaufnahme-einrichtung | |
DE2248423B2 (de) | Ladungsübertragungssy stern | |
DE3119032A1 (de) | Festkoerper-bildabtastvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8115 | Request for examination void | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |