DE3035125A1 - Integrierter schaltkreis - Google Patents

Integrierter schaltkreis

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Description

  • Integrierter Schaltkreis.
  • Die Erfindung betrifft einen integrierten Schaltkreis, der in einem Filmträger mit geätzten Leiterstrukturen montiert ist (Mikropack) und dessen Anschlüsse zum Schutz von statischen Aufladungen während des Transports und dergleichen an einen Kurzschlußpunkt, der mit einer Erdungsschiene verbunden ist, geführt sind.
  • Die Empfindlichkeit von integrierten Schaltkreisen in MOS-Technologie gegenüber elektrostatischen Ladungen, die durch den Umgang mit den Schaltkreisen bzw. mit Baugruppen, die mit solchen Schaltkreisen bestückt sind, aufgebracht werden und zur Zerstörung dieser Schaltkreise führen können, ist allgemein bekannt.
  • Aber auch bei allen anderen Schaltkreisen, die in einer anderen Technologie aufgebaut sind (z. B. bipolar), ist eine Gefährdung gegeben, die mit zunehmender Integrationsdichte dieser Schaltkreise an Bedeutung zunimmt.
  • So kann davon ausgegangen werden, daß in Zukunft ein genereller Schutz von integrierten Schaltkreisen gegen elektrostatische Entladungen erforderlich ist, der durch entsprechende Maßnahmen erreicht werden muß. Dies gilt auch in besonderem Maße für Schaltkreise, die in einem Filmträger mit geätzten Leiterstrukturen montiert (tape automated bonding) als Mikropacks gehandhabt und verarbeitet werden.
  • Die übliche Methode, Schaltkreise vor elektrostatischen Ladungen zu schützen, ist, diese zu erden. Bei filmmontierten Schaltkreisen (Mikropacks) ist bekannt, daß die Anschlüsse eines Schaltkreises außerhalb des äußeren Kontaktbereiches (oufflead) durch Verlängerung der Leiterstruktur zu einem oder mehreren Kurzschluß-Punkten zusammgenfaßt werden und an eine auf der gesamten Filmlänge durchlaufenden Erdungsschiene angeschlossen werden.
  • Zur dynamischen Prüfung müssen die Anschlüsse des MILropacks wieder vereinzelt und von der Erdungsschiene getrennt werden und nach der Prüfung für die weitere Handhabung wieder an diese angeschlossen werden. Das geschieht dadurch, daß diese Kurzschlußpunkte ausgeschnitten werden und nach dem Prüfen, z. B. mit einer Art Lotniet, wieder verschlossen werden.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen integrierten Schaltkreis zu schaffen, dessen Leitungen zum Schutz gegen statische Aufladungen nach dem Prüfen in einfacher Weise mit der Erdungsschiene verbindbar sind.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe wird gemäß der Erfindung der integrierte Schaltkreis derart ausgebildet, daß in der Ätzstruktur zwischen dem Kurz schlußpunkt und der Erdschiene eine beide miteinander verbindende Strukturfläche vorgesehen ist, die an zwei Seiten von dieser getrennt ist und über einen Ausschnitt im Film angeordnet und so dimensioniert ist, daß sie nach dem Aufschneiden der dritten Seite über die vierte Seite so umklappbar ist, daß sie alle zu dem Kurzschlußpunkt führenden Leiter überdeckt.
  • Weiterhin ist vorgesehen, daß die Ätzstruktur einschließlich der Strukturfläche verzinnt ist.
  • Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß die Ätzstruktur einschließlich der Strukturfläche vergoldet ist, und daß die Strukturffläche und die Leiterenden der Leiter mit einem Leitkleber beaufschlagt sind.
  • Durch diese Maßnahmen erhält man ein einfaches Mittel, um nach dem Prüfen der Funktionsfähigkeit des Mitropacks die einzelnen im Außenbereich liegenden Leiter wieder miteinander kurzzuschließen, wodurch die Gefahr der Zert störung vor statischer Aufladung während des Transports und der Verarbeitung verhindert wird.
  • Anhand der Ausführungsbeispiele nach den Figuren 1 bis 4 wird die Erfindung näher erläutert.
  • Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt aus einem Leiterbild eines Nikropack- Bausteins, der mit einem Kurzschlußrahmen zum Kurzschließen der einzelnen außerhalb des äußeren Kontaktierbereiches liegenden Anschlüsse versehen ist, Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt aus der Leiterkonfiguration bei noch nicht aufgeschnittener Strukturfläche, Fig. 3 zeigt den gleichen Ausschnitt bei aufgeschnittener und umgeklappter Strukturfläche, Fig. 4 zeigt einen Querschnitt nach Fig. 3.
  • In Fig. 1 wird eine Anordnung eines Kurzsöhlußrahmens (Kurzschlußpunkt und Erdungsschiene) gezeigt, bei dem das Teil, das zum Verschließen des geöffneten Kurzschlußpunktes nach dem Prüfen dient, in die geätzte Struktur mit einbezogen ist. Die geätzte Struktur ist in diesem Fall aus Cu, die mit einer Sn-Oberfläche versehen ist. Die Schaltungsanschlüsse (1) werden an Prüffiecken (2) herangeführt und zu einem Kurzschlußpunkt (3) zusammengeschlossen, der wiederum an die durchlauf ende Erdungsschiene (4) angeschlossen ist. In die Erdungsschiene eingelassen ist eine Strukturfläche (5), die an zwei Seiten von-dieser getrennt ist und über einem Ausschnitt im Film (6) angeordnet ist.
  • Zum Prüfen des Mikropacks wird der Kurz schlußpunkt bzw.
  • werden die Kurzs.#hlußpunkte (falls mehrere vorhanden) ausgeschnitten (7)(Fig. 2)und damit alle ScEattungsansc3hlüsse aufgetrennt. Nach dem Prüfen wird nun der Cu-Lappen (5) an der Kante (8) durchgeschnitten und um die Kante (9) so geklappt, daß er auf den offenen Anschlüssen aufliegt (Fig.
  • 3). Der Lappen muß in seiner Größe so ausgelegt sein, daß der alle Anschlußenden sicher überdeckt. Das Sn auf dem Verschlußlappen und auf den Leiterenden wird aufgeschmolzen (Reflow-Verfshren), so daß eine Lötverbindung zwischen den Strukturen entsteht und der Kurzschlußrahmen wieder geschlossenist.
  • Für den Fall, daß die Struktur eine andere Oberfläche als Sn hat (z. B. Au), ist vorstellbar, den Verschließlappen und die Leiterenden mit einem Leitkleber zu verbinden.
  • Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch'des Ausschnitt nach Fig. 3. Die strichlierte Linie stellt den Kupferlappen der Strukturfläche 5 vor und nach dem Aufkleben bzw. Auflöten auf die Leiterstruktur nach dem Prüfen dar. Es ist erkennbar, wie nach dem Umkalppen der Kupferlappen der Leitungsfläche 5 auf den verlängerten gedruckten Leiterbahnen, die zu den Chipanschlüssen führen, aufgelegt ist.
  • 4 Figuren 3 Patentansprüche.

Claims (3)

  1. Patentansprüche Integrierter Schaltkreis, der in einem Filmträger mit geätzten Leiterstrukturen montiert ist (Micropack) und dessen Anschlüsse zum Schutz von statischen Aufladungen während des Transports und dergl., an einen Kurzschlußpunkt, der mit einer Erdungsschiene verbunden ist, geführt sind, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß in der Erdstruktur zwischen dem Kurzschlußpunkt (3) und der Erdschiene (4) eine beide miteinander verbindende Strukturfläche (5) vorgesehen ist, die an zwei Seiten von dieser getrennt ist und über einen Ausschnitt (6) im Film angeordnet und so dimensioniert ist, daß sie nach dem Aufschnegen der dritten Seite über die vierte Seite so umklappbar ist, daß sie alle zu dem Kurzschlußpunkt (3) führenden Leiter (1, 2) überdeckt.
  2. 2. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Ätzstruktur einschließlich der Strukturfläche (5) verzinnt ist.
  3. 3. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Ätzstruktur einschließlich der Stukturfläche (5) vergoldet ist,und daß die Strukturfläche (5) und die Leiterenden der Leiter (2) mit einem Leitkleber beaufschlagt sind.
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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3234745A1 (de) * 1982-09-20 1984-03-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum schuetzen von filmmontierten integrierten schaltkreisen (mikropacks) vor zerstoerung durch elektrostatische aufladung

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