DE3014955A1 - Temperaturstabilisierte heizkammer, insbesondere fuer einen kristalloszillator - Google Patents

Temperaturstabilisierte heizkammer, insbesondere fuer einen kristalloszillator

Info

Publication number
DE3014955A1
DE3014955A1 DE19803014955 DE3014955A DE3014955A1 DE 3014955 A1 DE3014955 A1 DE 3014955A1 DE 19803014955 DE19803014955 DE 19803014955 DE 3014955 A DE3014955 A DE 3014955A DE 3014955 A1 DE3014955 A1 DE 3014955A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heating
temperature
crystal
temperature sensor
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19803014955
Other languages
English (en)
Other versions
DE3014955C2 (de
Inventor
Robert Lowell Wilson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of DE3014955A1 publication Critical patent/DE3014955A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3014955C2 publication Critical patent/DE3014955C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/028Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1906Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • G05D23/24Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

Int. Az.: Case 1352 * *'. 7. März 1980
Hewlett-Packard Company
TEMPERATURSTABILISIERTE HEIZKAMMER, INSBESONDERE FOR EINEN KRISTALLOSZILLATOR
Temperaturstabilisierte Kristal!oszillatoren enthalten typischerweise einen Quarzkristall, der auf einer wärmeleitenden Unterlage befestigt ist, die von der äußeren Umgebung thermisch isoliert ist, siehe z.B. US-PS 3 040 158. Die Temperatur der wärmeleitenden Unterlage wird mittels eines Temperaturfühlers, zJB. eines Thermistors in der Nähe des Kristalls gemessen. Der Thermistor ist mit einer Heizungsregeleinrichtung verbunden, die die einem ebenfalls auf der Unterlage angebrachten Heizelement zugeführte Leistung steuert. Bei einer proportional geregelten Heizkammer ver-
•10 ändert die Regeleinrichtung den Heizstrom oder die relative Einschaltzeit der Heizspannung entsprechend der Differenz zwischen der IST- und der SOLL-Temperatur der Heizkammer. Bei einer solchen Anordnung ist die Temperatur des Kristalls relativ unempfindlich gegen Änderungen der Umgebungstemperatur.
Zur Beschreibung der Temperaturstabilisierung einer Heizkammer läßt sich mit Vorteil der Begriff "thermische Verstärkung" benutzen. "Thermische Verstärkung" ist hier definiert als das Verhältnis der Änderung der Außentemperatur zur Änderung einer Referenztemperatur, z.B. der des Quarzkristalls oder des Temperaturfühlers. Wie oben bereits angedeutet wurde, kann die thermische Verstärkung genau an der Position des Temperaturfühlers sehr hoch gemacht werden, indem die Verstärkung der negativen Rückkopplungsschleife der Temperaturregeleinrichtung sehr hoch gemacht wird. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß die thermische Verstärkung zwischen Kristall und äußere Umgebung kleiner ist als die zwischen Temperaturfühler und äußere Umgebung, auch wenn Kristall und Temperaturfühler sehr nahe beieinander montiert
030050/0644
Int. Az.: Case 1352 - 3 -
Hewlett-Packard Company
sind. Es hat sich außerdem herausgestellt, daß verschiedene Stellen auf der wärmeleitfähigen Unterlage signifikant unterschiedliche thermische Verstärkungen aufweisen. Um die gewünschte hohe thermische Verstärkung zwischen Kristall und äußerer Umgebung zu erhalten, hat sich als übliche Praxis herausgebildet, entweder den Kristall oder den Temperaturfühler oder das Heizelement so lange hin und her zu bewegen, bis eine hohe thermische Verstärkung erreicht ist.
Die thermischen Verstärkungen auf verschiedenen Plätzen auf der wärmeleitfähigen Unterlage variieren außerdem auch mit deren thermischer Geometrie. Das führt zu einer Änderung der thermischen Verstärkung an einem bestimmten Platz auf der wärmeleitfähigen Unterlage, wenn z.B. ein kleines Loch in diese hinein gebohrt wird, ein Teil der Unterlage abgefräst wird oder wenn ein neues Bauteil auf ihr befestigt wird. Eine Änderung der thermischen Geometrie der Heizkammer kann dazu führen, daß der Kristall oder ein Regelelement an einem anderen Platz befestigt werden muß.
Diese empirische Ortsbestimmung zur Erzielung einer hohen thermischen Verstärkung zwischen Kristall und äußere Umgebung wirft große Schwierigkeiten beim Entwurf einer Heizkammer auf, insbesondere da die empirische Ortsbestimmung jedesmal wiederholt werden muß, wenn die thermische Geometrie der wärmeleitfähigen Unterlage verändert wird.
Der Erfindung gemäß Anspruch 1 liegt die Aufgabe zugrunde, eine Heizkammer, insbesondere für ein Kristalloszillator zu schaffen, bei der mit einfachen Mitteln eine hohe thermische Verstärkung zwischen Kristall und äußere Umgebung erreicht werden kann.
Die Erfindung ermöglicht die Temperaturregelung einer Heizkammer, die ein temperaturempfindliches Element, z.B.einen Kristall ent-
030050/0644
30U955
Int. Az.: Case 1352
Hewlett-Packard Company - 4 -
hält, der auf einer wärmeleitfähigen Unterlage montiert ist. Die Temperatur der wärmeleitfähigen Unterlage wird an einer ersten Stelle gemessen. Eine Regeleinrichtung variiert die Leistungszufuhr zu einem ersten und einem zweiten Heizelement, die ebenfalls auf der wärmeleitfähigen Unterlage befestigt sind, und zwar entsprechend der gemessenen Temperatur. Die Regeleinrichtung ist dabei so eingerichtet, daß das Verhältnis zwischen den den beiden Heizelementen zugeführten Leistungen verstellbar ist. Durch Einstellung dieses Leistungsverhältnisses kann die thermische Verstärkung zwischen dem temperaturempfindlichen Element und der äußeren Umgebung vergrößert werden.
Vorteilhafte Ausführungsformen bzw. Weiterbildung der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigen
Figur 1 schematisch eine Heizkammer für einen Oszillatorkristall, die zwei Heizelemente aufweist;
Figur 2 schematisch ein elektrisches Modell einer Heizkammer mit einem einzigen Heizelement; und
Figur 3 ein detailliertes Schaltbild der Temperaturregeleinrichtung in Figur 1.
Figur 1 zeigt das allgemeine Schema einer Heizkammer für einen . Oszi11atorkristall, die zwei Heizelemente 60 und 70 aufweist. Ein temperaturempfindlicher Kristall 10 ist auf einer wärmeleitenden Unterlage 20 befestigt, die von einer äußeren Umgebung 30 mittels einer Schaumstoffisolation 40 thermisch isoliert ist. Eine Temperaturregeleinrichtung 45 weist einen Temperaturfühler 50 auf, der an einer ersten Stelle auf der Unterlage 20 befestigt ist. Die
030050/0644
Hewlett-Packard Company - 5 -
Heizelemente 60 und 70 sind an einer zweiten und einer dritten Stelle auf der Unterlage 20 befestigt. Der Temperaturfühler 50 und die beiden Heizelemente 60 und 70 sind mit einer Regelschaltung 80 verbunden, die entsprechend der mittels des Temperaturfühlers 50 gemessenen Temperatur als IST-Signal die den Heizelementen 60 und 70 zugeführte Leistung regelt. Die Regelschaltung 80 ändert die Heizströme entsprechend der Differenz zwischen der gemessenen IST- und der SOLL-Temperatur. Die SOLL-Temperatur beträgt vorzugsweise etwa 8O0C. Im vorliegenden Beispiel wurde empirisch eine Linie 90 ermittelt, die durch den Temperaturfühler 50 geht und auf der die thermische Verstärkung gleich und hoch ist. Es ist wünschenswert, daß der Quarzkristall 10 auf dieser Linie angeordnet ist.
Figur 2 ist ein elektrisches Modell einer Heizkammer mit einem einzelnen Heizelement. Die thermische Leitfähigkeit zwischen dem Kristall 10 und der äußeren Umgebung 30 ist als Widerstand R1 dargestellt, dessen Wert etwa 20°C/Watt beträgt. Der thermische Widerstand zwischen dem Temperaturfühler 50 und der äußeren Umgebung 30 ist durch einen Widerstand R2 dargestellt, der die gleiche Größenordnung wie der Widerstand R1 hat. Die thermischen Widerstände zwischen dem Temperaturfühler 50, dem Kristall 10 und dem Heizelement 60 sind wegen der gemeinsamen Befestigung auf der wärmeleitfähigen Unterlage 20 sehr klein. Sie sind durch die Widerstände R3, R4 und R5 dargestellt. T. ist die Umgebungstemperatur der äußeren Umgebung 30, Tc ist die Temperatur des Kristalls 10, Τς ist die Temperatur des Temperaturfühlers 50 und TH ist die Temperatur des Heizelementes 60. Mittels dieses einfachen Modells läßt sich vorhersagen, daß sich bei richtig angeordneten Komponenten eine Gleichgewichtsbedingung einstellen läßt, bei der die Temperatur Τς gleich der Temperatur Tc ist.
Wenn diese Bedingung erreicht ist, ist die thermische'Verstärkung für den Kristall 10 gleich der für den Temperaturfühler 50.
030050/06A4
: " 30U955
Int. Az.: Case 1352
Hewlett-Packard Company - 6 -
Außerdem läßt sich mittels dieses Modells vorhersagen, daß eine • Linie 90 gleicher und hoher thermischer Verstärkung existiert, die Punkte enthält, bei denen passende Werte von R4 und R5 die Brücke zum Abgleich bringen, d.h. daß zwischen dem Temperaturfühler 50 und dem Kristall 10 keine Wärme übertragen wird.
Erfindungsgemäß werden die Komponenten auf der Unterlage 20 nicht verschoben, sondern es werden zwei Heizelemente 60 und benutzt, wobei das Verhältnis der diesen zugeführten Leistungen einstellbar ist. Geht man vom Überlagerungsprinzip aus, läßt sich eine virtuelle Ersatzheizquelle vorstellen, die auf einer Linie zwischen den beiden Heizelementen 60 und 70 liegt. Die Lage der Ersatzheizquelle auf dieser Linie ist eine Funktion des Verhältnisses der beiden Heizleistungen. Unter Benutzung dieser Analogie läßt sich die Lage der Ersatzheizquelle durch entsprechende Einstellung des Verhältnisses der beiden Heizleistungen verschieben. Dadurch werden auch die relativen Werte der thermischen Widerstände R4 und R5 im oben beschriebenen Modell verändert.
Durch Variation des Verhältnisses zwischen den beiden Heizleistungen läßt sich mit der Ersatzheizquelle auch die Linie derart verschieben, daß sie durch den Kristall 10 geht. Die Temperaturen beim Temperaturfühler 50 und beim Kristall 10 können daher gleichgemacht werden, so daß für den Kristall eine maximale thermische Verstärkung erreicht wird. In der Praxis ist es allerdings schwierig, die Temperatur des Kristalls 10 selbst zu bestimmen. Eine Möglichkeit der Bestimmung des passenden Verhältnisses zwischen den Heizleistungen besteht darin, daß das temperaturempfindliche Signal vom Kristall überwacht wird und seine Änderung in Abhängigkeit von.der Änderung der Außentemperatur beobachtet wird. So könnte z.B. die Frequenz des Quarzkristalls 10 bei Änderung der Außentemperatur beobachtet werden. Durch Ausprobieren verschiedener Heizleistungs-
.0 30050/0644
30U955
Int. Az.: Case 1352
Hewlett-Packard Company - 7 -
Verhältnisse kann ein optimaler Wert ausgewählt werden.
Entsprechend dem elektrischen Modell sollte die Lage der Ersatzheizquelle ungefähr gleich weit vom Temperaturfühler 50 und vom Kristall 10 entfernt sein. Um eine wirksamere Einstellbarkeit der Position der Ersatzheizquelle zu gewährleisten, sollten die Heizelemente 60 und 70 auf einer Geraden angeordnet sein, die parallel zu der Geraden durch den Temperaturfühler 50 und den Kristall 10 ist.
Figur 3 zeigt ein detailliertes Schaltbild der Temperaturregel einrichtung 45 in Figur 1. Der Temperaturfühler 50 ist ein Thermistor, dessen Widerstand sich mit der Temperatur ändert. Ein Widerstand R10 ist gleich dem Widerstand des Thermistors 50 bei der SOLL-Temperatur, derart, daß die Spannung V.q bei der SOLL-Temperatur etwa 5 V beträgt. Widerstände R12 und R14 sind gleich groß, wodurch die Spannung V12 auf 5 V gesetzt wird. Ein Differenzverstärker 100 arbeitet daher im stabilen Betrieb in seinem linearen Bereich, wenn die Temperatur des Temperaturfühlers 50 nahe der SOLL-Temperatur ist. Die den Widerständen R10 und R12 zugeführte Spannung wird mittels einer Spannungsregel schaltung 105 genau auf 10 V Referenzspannung geregelt.
Die Ausgangsspannung des Differenzverstärkers 100 wird der Basis eines Heiztransistors 70 zugeführt. Im Betrieb führt ein Anstieg der äußeren Umgebung 30 zu einem Absinken des Widerstandes des Thermistors 50. Dadurch sinkt die Spannung V10, wodurch der Differenzverstärker 100 dem Heiztransistor 70 einen geringeren
B. sisstrom zuführt. Im Ergebnis wird dadurch die im Heiztransistor 7C umgesetzte Leistung reduziert. In ähnlicher Weise führt ein Sinken der Temperatur der äußeren Umgebung 30 zu einem Anstieg der im Heiztransistor 70 umgesetzten Leistung.
030050/06AA
Int. Az.: Case 1352
Hewlett-Packard Company - 8 -
Ein Widerstand R16 hat etwa 0,5 Ohm. Ein Strom i fließt von einer Spannungsquelle Vq« durch die Heiztransistoren 60 und 70 und den Widerstand R16. Die Spannung V14 ist daher eine Funktion des Stromes i. Da durch beide Transistoren 60 und 70 der gleiche Strom fließt, ist das Verhältnis der in ihnen umgesetzten Heizleistungen eine Funktion des Verhältnisses der Spannungsabfalle an ihnen. Im Heiztransistor 60 umgesetzte Leistung ist daher proportional zur Differenz zwischen den Spannungen Vqq und V,g. Die im Heiztransistor 70 umgesetzte Leistung ist proportional zur Differenz zwischen den Spannungen V^ und V^.
Ein Differenzverstärker 110 ist so geschaltet, daß er eine Spannung V«g gleich der Spannung V^ macht. Es läßt sich somit zeigen, daß das Verhältnis der Heizleistungen der Heiztransistoren 60 und 70 eine Funktion des Verhältnisses von Widerständen R18 und R20 ist. Durch Veränderung des Widerstandes von R18 oder R20 läßt sich das Heizleistungsverhältnis wie gewünscht einstellen.
Ein Differenzverstärker 120 begrenzt die in den Heiztransistoren 60 und 70 umsetzbaren Leistungen beim Einschalten. Insbesondere ist die Spannung V,^ proportional'zum Strom durch die Heiztransistoren. Der Differenzverstärker 120 ist so mit dem Widerstand R16 verbunden, daß er die Spannung V., erfaßt und Strom aus der Basis des Heiztransistors 70 ableitet, wenn die Spannung V.4 einen Wert überschreitet,· der durch eine Referenzspannung VR und einen Spannungsteiler aus Widerständen R22 und R24 festgelegt ist. Wenn der Strom durch den Widerstand R,ß auf einen Wert unterhalb eines vorgegebenen Grenzwertes abfällt, wird der Differenzverstärker 120 von der Basis des Heiztransistors 70 durch eine Diode T^0 abgekoppelt. Schließlich sind noch ein Kondensator Cjg und ein Widerstand R26 als Rückkopplungszweig zwischen den Heiztransistor 70 und den Differenzverstärker 100 geschaltet, damit eine Wechselstromstabilisierung erreicht wird.
0 300 5-0/0-6 4 4

Claims (3)

  1. Int. Az.: Case 1352
    Hewlett-Packard Company 7. März 1980
    PATENTANSPRÜCHE
    1J Temperaturstabilisierte Heizkammer, insbesondere für einen Kristalloszillator, mit einer wärmeleitenden Unterlage für ein auf konstanter Temperatur zu haltendes.Bauelement, einem mit der Unterlage verbundenen Temperaturfühler sowie einer mit der Unterlage verbundenen Heizeinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizein- . richtung aus mindestens zwei an verschiedenen Stellen der Grundplatte (20) befestigten Heizelementen (60, 70) besteht, wobei das Verhältnis der den Heizelementen zugeführten Heizleistungen einstellbar ist.
  2. 2. Heizkammer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Heizleistungen so eingestellt ist, daß die zu stabilisierende Temperatur des Bauelementes (10) und die Temperatur des Temperaturfühlers (50) im wesentlichen gleich sind.
  3. 3. Heizkammer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die wärmeleitende Unterlage (20) thermisch von der äußeren Umgebung der Heizkammer isoliert ist.
    030050/0644
DE19803014955 1979-05-29 1980-04-18 Temperaturstabilisierte heizkammer, insbesondere fuer einen kristalloszillator Granted DE3014955A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/043,293 US4317985A (en) 1979-05-29 1979-05-29 Dual heater stabilization apparatus and method for a crystal oven

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3014955A1 true DE3014955A1 (de) 1980-12-11
DE3014955C2 DE3014955C2 (de) 1989-03-09

Family

ID=21926431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803014955 Granted DE3014955A1 (de) 1979-05-29 1980-04-18 Temperaturstabilisierte heizkammer, insbesondere fuer einen kristalloszillator

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4317985A (de)
JP (1) JPS55162116A (de)
DE (1) DE3014955A1 (de)
GB (1) GB2050648B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3525115A1 (de) * 1984-08-25 1987-01-22 Hoelter Heinz Schadstoffsensor fuer kraftfahrzeuge, arbeitsschutzkabinen und andere belastete raeume mit analoger kompensation der einfluesse von temperatur und luftfeuchte an halbleiter-gas-sensoren

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4396892A (en) * 1981-01-21 1983-08-02 Rockwell International Corporation Accelerated warm-up crystal oven
US4467182A (en) * 1981-09-16 1984-08-21 Nordson Corporation Control circuit
US4497998A (en) * 1982-12-23 1985-02-05 Fairchild Camera And Instrument Corp. Temperature stabilized stop-restart oscillator
US4449032A (en) * 1983-02-09 1984-05-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Variable gain oven temperature control circuit
FR2587857B1 (fr) * 1985-09-24 1987-12-24 Centre Nat Rech Scient Oscillateur thermostate miniature
FR2593945B1 (fr) * 1986-02-04 1989-08-25 Cepe Perfectionnement au dispositif de regulation thermique d'une enceinte
FR2608289B2 (fr) * 1986-02-04 1989-10-13 Cepe Perfectionnement au dispositif de regulation thermique d'une enceinte
US5601364A (en) * 1994-06-14 1997-02-11 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for measuring thermal warpage
US5729181A (en) * 1996-08-23 1998-03-17 Hewlett-Packard Company High thermal gain oven with reduced probability of temperature gradient formation for the operation of a thermally stable oscillator
US6127661A (en) * 1999-04-07 2000-10-03 Cts Corporation Dynamic thermal control for ovenized oscillators
US6731180B1 (en) 2000-10-20 2004-05-04 Deleware Capital Formation Inc. Evacuated hybrid ovenized oscillator
US6713731B2 (en) * 2000-12-18 2004-03-30 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Fast response, multiple-loop temperature regulator
US6784756B2 (en) * 2001-12-21 2004-08-31 Corning Incorporated On-board processor compensated oven controlled crystal oscillator
WO2008024821A2 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Brilliant Telecommunications, Inc. Apparatus and method for thermal stabilization of pcb-mounted electronic components within an enclosed housing
US8859941B2 (en) * 2010-10-28 2014-10-14 General Electric Company Surface temperature cooking control

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1523412A1 (de) * 1964-03-18 1969-04-17 Tokyo Denpa Company Ltd Thermostat fuer den Mikrokristall einer Oszillatorschaltung
DE2036931A1 (de) * 1970-07-24 1972-02-03 Siemens Ag Thermostat
DE2528887A1 (de) * 1974-06-28 1976-05-20 Stein Atkinson Strody Ltd System fuer heiz- und steuervorrichtungen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2524886A (en) * 1945-11-21 1950-10-10 Collins Radio Co Temperature control of electrovibratory systems
US2731564A (en) * 1951-11-05 1956-01-17 Edelstein Harold Barium titanate temperature control
US2920175A (en) * 1954-12-20 1960-01-05 Lavoie Lab Inc Constant temperature chamber, in particular a crystal oven
US3028473A (en) * 1959-03-12 1962-04-03 North American Aviation Inc Temperature stabilized oven
US3040158A (en) * 1960-12-01 1962-06-19 Hewlett Packard Co Proportional temperature controller
US3155157A (en) * 1962-08-09 1964-11-03 Collins Radio Co Tempreature stabilized chamber utilizing thermoelectric cooling
US3413438A (en) * 1966-08-03 1968-11-26 Stromberg Carlson Corp Solid state temperature control circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1523412A1 (de) * 1964-03-18 1969-04-17 Tokyo Denpa Company Ltd Thermostat fuer den Mikrokristall einer Oszillatorschaltung
DE2036931A1 (de) * 1970-07-24 1972-02-03 Siemens Ag Thermostat
DE2528887A1 (de) * 1974-06-28 1976-05-20 Stein Atkinson Strody Ltd System fuer heiz- und steuervorrichtungen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3525115A1 (de) * 1984-08-25 1987-01-22 Hoelter Heinz Schadstoffsensor fuer kraftfahrzeuge, arbeitsschutzkabinen und andere belastete raeume mit analoger kompensation der einfluesse von temperatur und luftfeuchte an halbleiter-gas-sensoren

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55162116A (en) 1980-12-17
GB2050648B (en) 1983-02-23
GB2050648A (en) 1981-01-07
DE3014955C2 (de) 1989-03-09
JPS6316763B2 (de) 1988-04-11
US4317985A (en) 1982-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3014955A1 (de) Temperaturstabilisierte heizkammer, insbesondere fuer einen kristalloszillator
DE69009537T2 (de) Von einem Mikroprozessor gesteuerte Lötstation.
DE3008686A1 (de) Temperaturkompensationsschaltung fuer einen kristalloszillator
EP0348701A1 (de) Vorrichtung zur Abstandsmessung
DE4007480A1 (de) Temperaturkompensationsschaltkreis
DE3854178T2 (de) Temperaturkompensierter piezoelektrischer Oszillator.
DE2617737C2 (de) Schaltungsanordnung zur Temperatur-Kompensation eines Kristalloszillators
DE2749240A1 (de) Regelschaltung fuer das ventil einer kaelteanlage
DE3414947C2 (de)
DE1498819C3 (de) Vorrichtung zur Bestimmung einer charakteristischen Eigenschaft eines Materials
DE68908785T2 (de) Vakuummessgerät.
CH692762A5 (de) Verfahren zur Messung des Gasdrucks in einem Gefäss sowie Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens.
EP0745919A1 (de) Verfahren zur Temperaturregelung eines Heizelementes
DE2920009A1 (de) Vorrichtung zum steuern der heizleistung eines zahnaerztlichen spritzhandstueckes
DE1698249B2 (de) Schaltung zur kompensation der grundlinienneigung des thermogramms bei zwei gegenpolig in reihe geschalteten thermoelementen eines differential-thermoanalysators
DE2640082C2 (de) Schaltung zur Temperaturkompensation eines Hallgenerators
EP0142826B1 (de) Anordnung zur Stabilisierung der von einem Frequenzgenerator, insbesondere einem Quarzgenerator, abgegebenen Frequenz
DE2348770C3 (de) Schaltungsanordnung zur vollautomatischen Regelung der Temperaturverteilung in Temperaturgradientöfen
DE1516908B2 (de) HF-Generator für Hochfrequenzerhitzung
DE3023304A1 (de) Elektronischer temperaturregler fuer kuehl- oder gefriergeraete mit einem kompressor
DE3013285A1 (de) Spannungsregler
AT399405B (de) 2-punkt-raumtemperaturregler
DE2148463C2 (de) Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturgangs eines in einem Oszillator enthaltenen Quarzes
EP0411518B1 (de) Messeinrichtung zum Bestimmen des Luftmassenstroms
DE1939971C3 (de) Schaltungsanordnung zur Temperaturkompensation eines als Stellglied in einem Regel- oder Steuerkreis dienenden, indirekt geheizten Heissleiters

Legal Events

Date Code Title Description
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: SCHULTE, K., DIPL.-ING., PAT.-ASS., 7030 BOEBLINGE

8110 Request for examination paragraph 44
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: LIESEGANG, R., DIPL.-ING. DR.-ING., PAT.-ANW., 800

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee