DE29619828U1

DE29619828U1 - Kochplatte für einen Gasherd

Info

Publication number: DE29619828U1
Application number: DE29619828U
Authority: DE
Original assignee: SICERAM GmbH
Current assignee: SICERAM GmbH
Priority date: 1996-11-14
Filing date: 1996-11-14
Publication date: 1997-04-03
Anticipated expiration: 2006-11-15

Description

14. November 1996
96-3164 La-cs

SiCeram GmbH D-07751 Jena-Maua

Kochplatte für einen Gasherd

Die Erfindung betrifft eine Kochplatte für einen Gasherd.

Bei Gasherden wird üblicherweise mit offener Gasflamme gearbeitet. Dies hat insbesondere den Vorteil, daß sehr gute Reaktionszeiten erzielt werden. Das bedeutet, daß das zu erwärmende Gut, das beispielsweise in einem Topf oder in einer Pfanne bzw. einem Kessel erwärmt werden soll, vergleichsweise schnell auf die gewünschte Temperatur hochheizbar ist. Allerdings haben derartige Gasherde in sicherheitstechnischer Hinsicht Nachteile.

Um Gasherde mit erhöhter Sicherheit zur Verfügung stellen zu können, ist es bereits bekannt geworden, die von der Gasflamme ausgehende Strahlungswärme über eine das Kochfeld bzw. die Kochplatte bildende Ceranpiatte an das zu erwärmende Gut, d.h. den gefüllten Topf, die Pfanne oder den Kessel zu übertragen. Diese Konfiguration hat aber den Nachteil, daß die Reaktionszeit um den Faktor 5 gegenüber der Verwendung von offenen Flammen beim Gasherd verlängert wird.

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Aufgabe der Erfindung ist es, einen Gasherd an die Hand zu geben, der eine möglichst gute Reaktionszeit aufweist und andererseits eine offene Gasflamme vermeidet.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Kochplatte mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Der Lösungsgedanke besteht grundsätzlich darin, daß Keramikplatten zur Verfügung gestellt werden, die zum Kochtopf hin plan sind, jedoch zur Gasflammenseite hin eine profilierte Oberfläche aufweisen. Durch die Profilierung der zur Gasflamme hin ausgerichteten Oberfläche der Keramikplatte wird die Kontaktoberfläche zwischen der Gasflamme und der zu erhitzenden Kochplatte vergrößert. Zusätzlich werden durch die Profilierungen Turbulenzen erzeugt, die die sich an der Oberfläche der Kochplatte ausbildende Grenzschicht verringern und damit den Wärmeübergang verbessern. Schließlich wird durch die profilierte Oberfläche die Verweilzeit des erhitzten Gases verlängert. Diese Effekte führen zu einer Reaktionszeit, die in der Größenordnung eines Gasherdes mit offener Gasflamme liegt.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform besteht die Keramikplatte aus Siliciumkarbid (SiC). Dieses Material weist eine sehr gute mechanische, thermomechanische wie auch chemische Eigenschaft auf. Es weist eine hohe Wärmeschockresistenz, eine hohe Schlagfestigkeit und eine gute Heißwasserresistenz auf. Es geht kaum chemische Reaktionen ein und ist kratzfest. Schließlich ist es unter gesundheitlichen Gesichtspunkten unbedenklich.

Gemäß einer alternativen bevorzugten Ausführungsform besteht die Kochplatte aus Siliciumnitrid (S13N4). Dieses Material weist ähnlich gute Eigenschaften auf wie das Siliciumkarbid. Schließlich kann gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung Aluminiumnitrid (AIN) zur Herstellung der erfindungsgemäßen Keramikplatte herangezogen werden. Auch hier ergeben sich die anhand des Siliciumkarbid erörterten Vorteile.

Grundsätzlich können im Rahmen der Erfindung aber auch andere Ingenieurkeramiken herangezogen werden, die die vorgenannten Eigenschaften in sich vereinen.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die profilierte Oberfläche der Keramikplatte durch Erhebungen in Form konzentrischer Kreise gebildet ist. Hier wird neben der Vergrößerung der Kontaktoberfläche insbesondere auch die Verweilzeit des Gases verlängert. Anstelle von konzentrischen Kreisen können selbstverständlich auch labyrinthartige Kreise oder unterbrochene Kreissegmente als Erhebungen dienen, ohne den hier dargelegten Erfindungsgedanken zu verlassen.

Alternativ ist es auch möglich, die Oberfläche durch Erhebungen in Form von Noppen zu bilden. Diese Noppen können als Kugelkappen ausgebildet sein oder aber auch stiftförmig in Form von Zylindern oder Quadern bzw. Pyramiden oder Kombinationen dieser Formen gebildet sein.

Außer der bereits vorgenannten Beschleunigung der Reaktionszeit ergibt sich bei der Verwendung der hier vorgestellten Kochplatte eine erhebliche Verminderung des Energieverbrauchs gegenüber der eingangs geschilderten Technologie unter Verwendung der Ceranplatte in Kombination mit der Strahlungswärme einer Gasflamme. Zum anderen ist die Sicherheit gegenüber der offenen Gasflamme wesentlich erhöht.

Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1: eine schematische Ansicht einer Kochplatte gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung von unten und

Fig. 2: eine weitere Ausführungsform der Erfindung in gleicher Darstellung wie in Fig. 1.

Die hier in Fig. 1 schematisch dargestellte Kochplatte weist die Form einer kreisrunden Platte auf. Die Kochplatte 10, die in die Oberfläche des Gasherdes integriert wird, besteht im hier dargestellten Ausführungsbeispiel aus Siliciumkarbid (SiC). Typischerweise weist diese Platte eine Querschnittsfläche von 100-600 cm² auf. Die profilierte Oberfläche 12 ist hier durch Erhebungen 14, die in Form konzentrischer Kreise einstückig angeformt sind, gebildet.

Die Kochplatte in der Ausführungsform gemäß Fig. 2 weist im wesentlichen die gleichen Abmessungen wie die Kochplatte gemäß Fig. 1 auf und besteht aus dem gleichen Material. Hier sind die Erhebungen der profilierten Oberfläche durch kugelkappenförmige einstückig angeformte Noppen 16 gebildet.

Claims

14. November 1996 96-3164 La-cs SiCeram GmbH D-07751 Jena-Maua Kochplatte für einen Gasherd Ansprüche

1. Kochplatte für einen Gasherd,
dadurch gekennzeichnet,

daß sie aus einer Keramikplatte besteht, die zur Gasflammenseite hin eine profilierte Oberfläche aufweist.

2. Kochplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte aus Siliciumkarbid (SiC) besteht.

3. Kochplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte aus Siliciumnitrid (Si₃N₄) besteht.

4. Kochplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte aus Aluminiumnitrid (AIN) besteht.

5. Kochplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die profilierte Oberfläche der Keramikplatte durch Erhebungen in Form konzentrischer Kreise gebildet ist.

6. Kochplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche durch Erhebungen in Form von Noppen gebildet ist.