DE2931259A1 - Verfahren zur herstellung einer fluessigkristallanzeige - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer fluessigkristallanzeige

Info

Publication number
DE2931259A1
DE2931259A1 DE19792931259 DE2931259A DE2931259A1 DE 2931259 A1 DE2931259 A1 DE 2931259A1 DE 19792931259 DE19792931259 DE 19792931259 DE 2931259 A DE2931259 A DE 2931259A DE 2931259 A1 DE2931259 A1 DE 2931259A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
radiation
orientation
orientation layer
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792931259
Other languages
English (en)
Other versions
DE2931259C2 (de
Inventor
Hellmut Dipl Chem Dr Ahne
Hans Dipl Phys Krueger
Roland Dipl Chem Dr Rubner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19792931259 priority Critical patent/DE2931259C2/de
Publication of DE2931259A1 publication Critical patent/DE2931259A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2931259C2 publication Critical patent/DE2931259C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133784Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung einer FlüssiZkristallanzeige
  • Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine solche Fertigungstechnik wird in der DE-OS 22 56 317 beschrieben.
  • Die optischen Qualitäten eines Flüssigkristalldisplays hängen bekanntlich empfindlich davon ab, wie exakt und stabil die Flüssigkristallmoleküle in ihrem Ruhezustand ausgerichtet sind. Man hat daher seit jeher intensiv an der Entwicklung geeigneter Orientierungstechniken gearbeitet und mit der Zeit eine Fülle vonSLösungsvorschlägen gemacht (vergl. hierzu beispielsweise RCA-Rev. ?# (1974) 447). So wurde etwa in der zitierten Offenlegungsschrift ange#regt, die Elektrodenplatten der Anzeige mit Fotolack zu beschichten und in dem Lack durch ein streifenförmiges Interferenzmuster zweier kohärenter Lichtquellen eine Rillenstruktur zu erzeugen.
  • Diese Methode liefert eine wohldefinierte Orientierung, ist jedoch mit einem beträchlichen Aufwand belastet und wurde daher auch nicht weiter verfolgt. Man konzentrierte sich vielmehr auf die Ausarbeitung und Verfeinerung der sogenannten Schrägbedampfungstechnik (Appl.
  • Phys. Legt. 21 (1972) 173), die sich relativ bald nach ihrer Veröffentlichung gegen die bis dahin praktizierte Reibetechnik durchsetzte, Schrägbedampfte Schichten haben zweifellos ein gut reproduzierbares und auch langzeitstabiles Ausrichtvermögen, sie lassen sich aber noch immer nicht besonders einfach herstellen. Vor allem bereitet es Mühe, den Flüssigkristallmolekülen einen geringen Anstellwinkel zu geben (vergl. hierzu beispielsweise Appl. Phys. Lett. 29 (1976) 691).
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Alternative zur Schrägbedampfungsmethode anzugeben, die mindestens gleichwertige Resultate liefert, dabei aber einfacher in eine Serienfertigung eingegliedert werden kann und ohne besondere Zusatzvorkehrungen verkippt homöotrope Orientierungen ermöglicht. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 giöst.
  • Bei der vorgeschlagenen Technik wird das Bestrahlungsmuster nicht etwa lichtquellenseitig, sondern durch eine geeignete Maskierun#g der strahlungsempfindlichen Schicht erzeugt. Daß mit einer solchen Lithographie, die sich auf dem Gebiet der Mikroelektronik an sich schon seit langem bewährt hat, ohne weiteres auch brauchbare Orientierungsschichten hergestellt werden könne#n, ist# überraschend: Eine gewellte Oberfläche hat eine umso größere Orientierungskraft, je größer die Amplitude und vor allem je kleiner die Wellenlänge der periodischen Struktur ist (vergl. hierzu im einzelnen Nonemissive Elektrooptic Displays 1975, S. 121-143, insbesondere Abschnitt 5.1), und die Praxis hat gezeigt, daß die Rillen einer Orientierungsschicht nicht breiter als 1 /um sein sollten. Braucht das Display eine besondere steile Spannungs-Kontrast-Kennlinie und müssen daher die Flüssigkristallmoleküle in der Orientierungsschicht sehr fest verankert sein, dann sind sogar Rillenbreiten in der Größenordnung von 0,1 /um anzustreben.
  • Derart feine Strukturen wurden bisher auch schon auf lithografischem Wege erzeugt, allerdings nicht in der erprobten Fototechnik sondern - auf recht mühevolle Weise - mit Röntgen- und Elektronenstrahlen. Die Fotolithografie schied deshalb aus, weil die Resisttechnik stets nur zu solchen Zwecken eingesetzt wurde, bei denen die Strahlung den Gesetzen der geometrischen Optik folgen mußte.
  • Im vorliegenden Fall stört es dagegen nicht, wenn sich die Wellennatur der verwendeten Strahlen bemerkbar macht. Im Gegenteil: wirkt die Maske wie ein Beugungsgitter und werden die einzelnen Beugungsmaxima aufgelöst, so erhalten die belichteten Streifen jeweils mehrere Mikrorillen. Somit führt die Fototechnik auch und gerade in Kombination mit einer Maske, deren Spalte schmaler als gewohnt sind, zu hochwirksamen Orientierungsschichten. Hinzukommt, daß man die Schicht nicht durchzuentwickeln braucht und die einzelnen Schicht streifen auch nicht auf ganzer Länge durc#hgehend bestrahlen muß. Es genügt im Grunde, ein Mikroprofil aus langgetreckten, zueinander parallelen Vertiefungen herauszuarbeiten.
  • Solche Fertigungserleichterungen fallen vor allem bei der Röntgen- und Elektronenlithografie ins Gewicht und machen auch diese Varianten, die bisher als Orientierungstechniken nicht infrage kamen, durchaus attraktiv.
  • Eine nach dem vorgeschlagenen Verfahren hergestellte Orientierungsschicht texturiert benachbarte Flüssigkristallmoleküle zunächst schichtenparallel. Die Molekülachsen lassen sich in gewissen Grenzen um einen bestimmten Winkel gegen die Schichtebene neigen, wenn man die Rillen definiert unterbricht.
  • Dies kann bei Verwendung einer elektromagnetischen Strahlung durch eine entsprechende Maskierung und im Falle einer Elektronenstrahlung durch eine Modulation des Strahls geschehen.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erf-indung sind Gegenstand weiterer Ansprüche.
  • Die Erfindung soll nun anhand einer Flüssigkristallanzeige, deren Orientierungsschichten in der hier vorgeschlagenen Weise hergestellt worden sind, in Verbindung mit der beigefügten Figur näher erläutert werden.
  • Die Figur zeigt in einem etwas schematisierten Seitenschnitt eine 7-Segment-Flüssigkristallanzeige mit einem vorderen Linearpolarisator 1, einer vorderen Trägerplatte 2, einer hinteren Trägerplatte 3, einem hinteren, zum vorderen gekreuzten Linearpolarisator 4 und einem Reflektor 6. Die beiden Trägerplatten werden durch einen Rahmen 7 hermetisch dicht miteinander verbunden. Die vom Rahmen und den beiden Substraten begrenzte Kammer ist mit einer Flüssigkristallschicht 8 gefüllt. Die beiden Platten tragen auf ihren einander zugewandten Flächen elektrisch leitende Beläge (Vorderelektroden 9, Rückelektrode 11) sowie eine Orientierungsschicht 12,13. Das Display arbeitet nach dem Prinzip der sogenannten Drehzelle, die in der DE-AS 21 58 563 im einzelnen beschrieben wird.
  • Die Orientierungsschichten, im vorliegenden Beispiel aus fotovernetztem Polyamidocarbonsäure-äthylenglykol methacrylat-ester bzw. Pclyimi v bestehend, lassen sich folgendermaßen herstellen Zunächst beschichtet man die bereits mit ihren Elektroden versehenen TrEgerplatten in einem sogenannten "Roller Coating'l-Verfahren mit dem Polyamidocarbonester-Fotolack9. Die aufgetragene Schicht sollte so dünn sein, daß sie im fertigen Zustand nicht dicker als 0,2 /um bzw. 0,5 /um ist (der niedrigere Wert gilt bei einer Multiplexansteuerung). Anderenfalls würde an den Orientierungsschichten im Betrieb des Displays eine zu große Spannung abfallen.
  • Anschließend wird die Schicht mit einer Fotomaske in Form eines Gitters bedeckt; die Stäbe dieses Gitters haben eine Breite von 1 /um, benachbarte-Gitterstäbe liegen etwa 1 /um auseinander.
  • Dann setzt man die Schicht ca. 1-2 Minuten einem Licht mit Frequenzen zwischen 350-450 nm aus.
  • Der belichtete Kunststoff wird nach Abnahme der Maske in eine geeignete Entwicklerlösung getaucht oder einer Plasmabehandlung unterzogen. Es entsteht das gewünschte Rillenmuster.
  • Hiernach trocknet und härtet man die Schicht bei erhöhten Temperaturen.
  • Für die Orientierungsschichten können die verschiedensten strahlungsempfindlichen organischen Schichten verwendet werden. Einige der in Betracht kommenden Materialien sind im folgenden zusammengestellt. Am Schluß der Zusammenstellung werden weiterführende Literaturhinweise gegeben.
  • Negativ-Fotolacke Polyvinylcinnamate Polyvinylcinnamylidenester2 Allylesterprepolymere³ wie Diallylphthalatprepolymere4 Partiell cyclisierte Poly-1,4-Isopr'ene und Copolymere5 Ungestättigte Polyesterharze6 Ungesättigte Epoxyharze7 wärme- bis hochwärmebeständige vernetzbare Massen wie Substanzen auf Polytriallylcyanurat-Basis8 Strahlungsre aktive Vorstufen hochwärmebeständiger Polymerer9.
  • Positiv-Fotolacke Novolake wie m-Kresolformaldehydharze mit Diazochinonen als Sensibilisatoren10 Gemische aus einer Polyimidvorstufe und einem Orthochinondiazid11 lichtempfindliche Gemische mit o-Nitrobenzylgruppenhaltigen Sensibilatoren12.
  • Trockenresists Mischungen aus nicht photoreaktiven polymeren "Bindern" mit polyfunktionellen Vernetzern auf Acrylat- oder Methacr.ylatbasis und Sensibilisatoren13.
  • Deep- W -Positivresists 14 Polyolefinsulfone wie Polybuten-1-sulfon und cyclische Polyolefinsulfone14 Polybenzylmethacrylester Polymethylmethacrylate (PMMA) und Copolymere von Methylmethacrylat mit α-C1-,α-CN-Acrylaten 15a bzw. mit Methacrylnitril Polystyrol sulfone Polymethacrylat mit fluorierter Esterkomponente17 Polymethylisopropenylketon18 Polyoxymethylen mit eingebauten o-Nitrobenzylgruppen Polyisobutylen und Copolymere20 vorvernetzte P#NA-Typen, Methylmethacrylat-Copolymere mit Acrylamid-, Methacrylsäure-Partialstrukturen 21,22 Elektronen- und Röntgen-Positivresists Außer den unter "Deep-W-Positivresists" erwähnten Materialien: Gemische von Novolaken mit Orthonaphtochinonen18 Gemische von Novolaken mit #-Cyanoäthylacrylat- α -Amidoäthylacrylat-Copolymer­³.
  • Elektronen- und Röntgennegativresists Polyglyc idylmethacrylate24 Glycidylmethacrylat-Äthylacrylat-Copolymere25 Glycidylmethacrylat-Allylglycidyläther-Copolymere26 Glycidylmethacrylat-p-Cl-Styrol-Copolymere27 Epoxidierte Polybutadiene28 Polydiallylorthophthalate29 Polybutadiene29 Polyvinylferrocene30 Polyvinylsiloxane29 Literatur zu den genannten Resists 1W,S. De Forest "Photoresists", Mc. Craw Hill, New York, 1975, S. 24 2"Photoresist" S. 28 3"Photoresis" S. 29 5. 29 4"Photoresist" 5. 30 5"Photoresist" S. 31 6Kosar "Light-Sensitive Systems" John Wiley, New York, 1965, Abschnitt 4,3 7DE-AS 23 42 407 8DE-PS 24 57 882 9DE-PSen 21 30 904, 23 08 830, 24 37 348, 24 37 368, 24 37 369, 24 37 383, 24 37 397, 24 37 413, 24 37 422 1O"photoresist", S. 48-60 11DE-OS 26 31 535 12DE-OS 22 42 106 l3flPhotoresist!t, S. 163 bis 212, insb. S. 165 14J. of Appl. Polymer Science, 21 (1977) 677 15aCoatings and Plastics Preprints, 174th Meeting, Chicago, Vol 37 Number 2, Amer. Chem. Soc. 1977, S.31 Conference Conferenceon Electron and Ion Beams in Science andTechnology, Seattle Meeting der ACS, May 1978#L.E. Stillwagen et al 16Coatings and Plastics Preprints, 174th Meeting, Chicago, Vol 37 Number 2, Amer. Chem. Soc. 1977, S.38 17Jap. Journal of Appl. Physics, 17 (1978) 541 Solid State Technology, July 1974, S. 27 ff 19Int. Symposium on Advances in Photopolymer Systems, 18thFall Symposium 1978, Washington, S. 69 20J. Electrochem. Soc. 123/7 (1976) 1105 21J. of Appl. Polymer Science 22 (1978) 3397 22Philips Techn. Rundschau 35 (1975)72 23FMR-E101 Fuji Chemicals Industrial Co., Ltd. Tokyo Japan 24J. Electrochem. Soc.: Solid State Science and Technology 121 (1974) 1500 Pol. Eng. & Sci. 14 No. 7 (July 1974) 529 26PSE-2 American Can Comnany, Princeton, N.J, USA 27Eighth International Conference on Electron and Ion Beams in Science and Technology, Seattle Meeting der ACS, May 1978 28C.F.Thompson et al ACS Div. of Org. Coat. and Plast. Chem. Preprint (1973) 383; J. Electrochem.Soc. 118 (1971) 669 29Pol. Eng. & Sci.# 14 No. 7 (July 1974) 534 30J. Electrochem. Soc.: Solid State Science 116 (1969)94 Unter den erwähnten Substanzen sind vor allem die strahlungsreaktiven Vorstufen hochwärmebeständiger Polymere und die Gemische aus einer Polyimidvorstufe und Orthochinondiazid hervorzuheben, die Orientierungsschichten ergeben; welche auch Temperaturen über 4000C vertragen und daher eine Glaslotversiegelung des Displays zulassen.
  • Besondere Vorteile bieten Resiste, die bei einer Ionen- bzw. Plasmaätzung auf ihren bestrahlten und unbestrahlten Flächen mit deutlich verschiedenen Raten abgetragen werden. Unter dieser Voraussetzung kann man nämlich die Orientierungsschichten bequem entwickeln und sie dabei zugleich auch noch dünner machen. Geeignete Lacke sind insbesondere Negativ-Fotolacke sowie Elektronen- und Röntgenresists.
  • Unter Umständen kann es sich auch empfehlen, ein Schichtmaterial auszuwähen, das in seinen strukturierten Bereichen homogen oder homöotrop orientiert.
  • Solche Eigenschaften haben beispielsweise fotovernetzte Polyamidocarbonsäureathylenglykolmethacrylat-ester bzw. Polyimid (homogen), fluorhaltige Polymere bzw.
  • Polymere mit langen aliphatischen Seitengruppen (homöotrop).
  • Die Erfindung ist nicht auf das dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt. Abgesehen davon, daß man unter verschiedenen Lithographien und Resisttypen wählen kann, besteht auch bei der Gestaltung der Maske ein gewisser Spielraum. So braucht man etwa bei der Fototechnik keineswegs in jedem Fall mit Beugungseffekten zu arbeiten. Auch ist es nicht immer erforderlich, daß die Maske aus einem einzigen einheitlichen Gitter besteht; sie könnte etwa aus mehreren gegeneinander verdrehten Teilgittern zusammengesetzt sein.
  • 13 Patentansprüche 1 Figur

Claims (1)

  1. Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige mit zwei Trägerplatten, die eine Flüssigkristallschicht zwischen sich einschließen und auf ihren einander zugewandten Seiten jeweils einen elektrisch leitenden Belag sowie eine Orientierungsschicht tragen, wobei zumindest eine der beiden Orientierungsschichten folgendermaßen erzeugt wird a) zunächst wird die bereits mit ihren elektrisch leitenden Belägen versehene Trägerplatte mit einer strahlungsempfindlichen Schicht aber zogen; b) dann läßt man auf zueinander parallelen Streifen dieser Schicht eine nntsprechende Strahlung einwirken und c) anschließend entwickelt man aus der bestrahlten Schicht ein Muster aus zueinander parallelen Rillen; d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß d) das Streifenmuster durch eine Maske erzeugt wird, die sich zwischen der strahlungsempfindlichen Schicht und der Strahlungsquelle befindet, 2. Verfahren nach Anspruch 1, d ad u r c h g e k e n n z e i c h ne t , daß die Rillen höchstens 1 /um, insbesondere höchstens 0,4/um breit sind, 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß benachbarte Rillen höchstens 2 /um, insbesondere höchstens 1 /um voneinander distanziert sind.
    4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Orientierungsschicht höchstens 0,5 /um, insbesondere höchstens 0,2 /um,dick ist.
    5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Wellenlängen der Strahlung und die Abmessungen der Maske derart aufeinander abgestimmt sind, daß die Strahlung auf den bestrahlten Schichtstreifen jeweils eine durch aufgelöste Beugungsmaxima geprägte Intensitätsverteilung zeigt.
    6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Orientierungsschicht aus einem Fotoresist besteht.
    7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n ze i c h n e t , daß die Orientierungsschicht aus einem Uv-Resist besteht.
    8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k ee=n n z e i c h net , daß die Orientierungsschicht aus einem Röntgenresist besteht.
    9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Orientierungsschicht aus einem Elektronenresist besteht 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Orientierungsschicht aus einem Negativ-Resist, insb. einem Trockenresist besteht.
    11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die Orientierungsschicht aus einem Positiv-Resist besteht.
    12. Verfahren nach Anspruch 6 und 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Negativ-Fotoresist eine Vorstufe eines hochwärmebeständigen Polymers ist.
    13. Verfahren nach Anspruch 6 und 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h net , daß der Positiv-Fotoresist ein Gemisch aus einer Polyimidvorstufe und Orthochlnondiazid ist.
DE19792931259 1979-08-01 1979-08-01 Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige Expired DE2931259C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792931259 DE2931259C2 (de) 1979-08-01 1979-08-01 Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792931259 DE2931259C2 (de) 1979-08-01 1979-08-01 Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2931259A1 true DE2931259A1 (de) 1981-02-05
DE2931259C2 DE2931259C2 (de) 1982-05-06

Family

ID=6077388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792931259 Expired DE2931259C2 (de) 1979-08-01 1979-08-01 Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2931259C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4015869A1 (de) * 1990-05-17 1991-11-21 Nokia Unterhaltungselektronik Hochaufloesende passiv angesteuerte fluessigkristallanzeige
US5128788A (en) * 1989-09-29 1992-07-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid-crystal orientating film, method of manufacturing the film, and liquid-crystal element having the film

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2331437A1 (de) * 1972-06-23 1974-01-17 Western Electric Co Fluessigkristall-bauelemente

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2331437A1 (de) * 1972-06-23 1974-01-17 Western Electric Co Fluessigkristall-bauelemente

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128788A (en) * 1989-09-29 1992-07-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid-crystal orientating film, method of manufacturing the film, and liquid-crystal element having the film
DE4015869A1 (de) * 1990-05-17 1991-11-21 Nokia Unterhaltungselektronik Hochaufloesende passiv angesteuerte fluessigkristallanzeige
US5188870A (en) * 1990-05-17 1993-02-23 Nokia (Deutschland) Gmbh High-resolution, passively controlled liquid crystal display

Also Published As

Publication number Publication date
DE2931259C2 (de) 1982-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2302116C3 (de) Vorrichtung zur Herstellung einer maskierenden Schicht auf einem Träger mit Hilfe von weichen Röntgenstrahlen
EP0120834B1 (de) Optisch strukturiertes Filter und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69316792T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Polymerisation oder vernetzter Rate-distribuierte Produkte und Verfahren zur Herstellung einer Linse, Linsenanordnung oder Lichtwellenleiter durch dieses Verfahren
DE60123686T2 (de) Optische Mikrolinsenfolie und deren Verwendung mit ebener Lichtquelle und Bildanzeigegerät
DE2628099C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Maske
DE3787955T2 (de) Photomaske mit Transmissionsfaktor-Modulation, ihr Herstellungsverfahren und Herstellungsverfahren für ein Beugungsgitter.
DE69131612T2 (de) Optische Vorrichtung mit strukturierten Domänen
DE602006001008T2 (de) Herstellungsverfahren für einen optischen Wellenleiter
DE2948809A1 (en) The orientation of ordered liquids and their use in devices
DE1924695B2 (de) Verfahren zur herstellung eines hologramms
EP0542768A1 (de) Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen mit beispielsweise unterschiedlicher strukturhöhe.
DE19637924A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallzelle mit gekippt aufgereihten Flüssigkristallmolekülen unter Verwendung von Licht
DE2249518A1 (de) Verfahren zur herstellung optischer wellenleiterbauteile
DE112015006873B4 (de) Form, Verfahren zum Herstellen derselben und Verfahren zum Herstellen geformter Produkte
DE4335585C2 (de) Laser mit instabilem Resonator und Abschattungsvorrichtung
DE69032140T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters für optische Elemente
DE102007047663A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung periodischer Muster mittels Interferenz-Lithographie durch schrittweise vorgenommene Ausrichtung
DE3842354A1 (de) Verfahren zur lithographischen herstellung von galvanisch abformbaren mikrostrukturen mit dreieckigem oder trapezfoermigem querschnitt
DE2931259A1 (de) Verfahren zur herstellung einer fluessigkristallanzeige
DE2931293C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige
DE4200397C1 (de)
DE2643811A1 (de) Verfahren zur herstellung eines musters in einer photolackschicht und hierfuer geeignete maske
DE112019007446T5 (de) Verfahren zur herstellung eines kunststoffelements, das mit feineroberflächenrauigkeit bereitgestellt ist
DE102015225300A1 (de) Verfahren und Anordnungen zur Verringerung der Grenzflächenadhäsion bei der Photopolymerisation
DE2256317A1 (de) Verfahren zur erzeugung einer homogenen orientierung von fluessigkristallmolekuelen in einer fluessigkristallanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
8125 Change of the main classification

Ipc: G02F 1/133

8126 Change of the secondary classification

Ipc: G09F 9/35

D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee