DE2256317A1 - Verfahren zur erzeugung einer homogenen orientierung von fluessigkristallmolekuelen in einer fluessigkristallanordnung - Google Patents

Verfahren zur erzeugung einer homogenen orientierung von fluessigkristallmolekuelen in einer fluessigkristallanordnung

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Description

Verfahren zur Erzeugung einer homogenen Orientierung von Flüssigkristallinolekülen in einer Flüssigkristallanordnung
Die Erfindung "betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer homogenen Orientierung von Flüssigkristallmolelcülen in einer Flüssigkristallanordnung durch Ausbildung eines dichten parallelen Rillensystems auf den an eine dünne Flüssigkristallschicht anschließenden Oberflächen der Flüssigkri- ' stallvorrichtung, die im wesentlichen aus zwei parallel zueinander angeordneten Trägerplatten mit je einem Elektrodenmuster' auf deren einander zugewandten Flächen und der Flüssig kristallsehicht zwischen den Trägerplatten besteht.
Flüssigkristallvorrichtungen dienen zur Anzeige von ein- oder mehrfarbigen Bildern. Dabei wird z.B. der- dynamische Streueffekt von Flüssigkristallen ausgenützt. Wird in einem Anzeigeschirm eine nematische Flüssigkristallschicht an einzelnen Stellen durch Anlegen eines elektrischen Feldes in den Streuzustand versetzt, so wird hier durch den Änzeigeschirm hindurchlaufendes Licht stark gestreut, an benachbarten feldfreien Stellen durchlaufendes Licht jedoch wird umso weniger gestreut, je homogener die Parallelorientierurif der Flüsslirkristallüiol eMile ist. Ein hoher Grad en homogener Orientierung ergibt somit einen hohen Bildkontrast.
Bekanntlich kann die Parallelorientierung durch Ausbildung von parallelen Mikrorillen auf den an die Flüssigkristallschicht antretenden Oberflächen der Flüssigkristallvorrichtung verbessert werden. Die Mikrorillen selbst wurden bisher durch Reiben, z.B. mit Zellstoff, Ltnsenreiniirun^spapier
VPA 9/712/2146 WR/The.
409822/0495
-2-
BAD ORIGINAL
oder mit einem Poliertuch erzeugt, das mit einer Polierpaste versetzt ist. Einzelheiten dazu sind von Dwlght W. Berreman in dem Artikel "Solid Surface Shape and.the Alignment of an Adjacent Nematic Liquid Crystal" in Physical Review letters, Vol. 28, Nr. 26, 1972, S. 1683 bis 1686 beschrieben worden.
Ein derartiges Verfahren führt jedoch nur zu einer geringfügigen Verbesserung der homogenen Orientierung von Flüssigkristallmolekülen, wenn jede an die Flüssigkristallschicht angrenzende Oberfläche aus Materialien mit unterschiedlichen Härten besteht. Dies ist der Fall, wenn die Flüssigkristallschicht zwischen Trägerplatten, z.B. aus Glas eingebettet ist, auf welchen ein Elektrodenmuster z.B. aua Zinndioxid mit einer Dicke von 1 /um aufgedampft ist. Wegen der unterschiedlichen Härte von Glas und Zinndioxid entstehen auf diesen Oberflächen beim gleichmäßigen Reiben Rillen in einer unterschiedlichen Dichte. Da bekanntlich die Dichte der Rillen u.a. von der Härte des geriebenen Materials abhängt, weist ein so behandelter Flüssigkristallanzeigeschirm von vornherein einen über die Schirinfläche variierten Kontrast auf.
Außerdem wird beim Polieren einer mit einem feinstrukturierten Elektroriennuster versehenen Trägerplatte dieses beschädigt.
Aufgabe der "rfindusi" ist eir. Verfahren zur homogenen Orientierung von Flussi""^ristalΪ 1^o? eVül°T! ir einer Flüssi^rkri ^+a"! 1— anordnung durch Ausbildung von Rillen, bei dem eine einheitliche und hohe Rillendichte entsteht.
Diese Aufgabe wird erfindim^sgemäß dadurch gelöst, daß auf die mit den Slektrodenmustern bedeckten Oberflächen der Trägerplatten zunächst eine homogene weiche Isolationsschicht aufgebracht wird und auf dieser anschließend das ?.illensysten> hergestellt wird.
VPA 9/712/2U6 4 0 9 8 2 2/0495 -3-
BAD ORIGINAL
Diese zum Betrieb der Flüssigkristallanordnung prinzipiell nicht notwendige Isolationsschicht besitzt eine einheitliche Härte über die gesamte Anzeigefläche, so daß die Rillendichte auf dieser Fläche einheitlich ausgebildet wird. Da das Elektrodenmuster in der Regel aus einzelnen Elektroden besteht, welche getrennt ,angesteuert werden, muß eine dieses Elektrodenmuster deckende Schickt ans einem elektrisch isolierenden Material bestehen. Aus Punktionsgfühden einer Flüssigkristallanordnung muß die Schicht ,-jedoch .transparent sein.
Bei der Herstellung des Rillensystems wirkt die Isolationsschicht gleichzeitig als Schutzschicht bei feinstrukturierten Elektrodenmustern auf den Trägerplatten.
Vorteilhafterweise wählt man ein Isolationsschichtmaterial mit einer geringeren Härte als das der Trägerplatte und des Elektrodenmusters, z.B. Msgnesiumfluorid, wenn die Trägerplatten aus Glas und das Elektrodenmuster aus Zinndioxid beetehen. Nach dem Aufdampfen von Magnesiumfluorid wird dieses mit einem Material mit einer größeren Härte als das von Magnesiumfluorid z.B. mit Diamant geritzt.
Als alternatives Isolationsschichtmaterial kann vorteilhafterweise ein thermoplastisches oder ein Photolackmaterial aufgebracht werden. Tn diesem Fall kann nämlich auf eine mechanische Nachbehandlrmfr verzichtet v/erden und an ihre Stelle treten optische Verfahre·" rur Herstellung der ^illen. 7in dichtes Pillensystern wird insbesondere durch Belichtung mit dem streifenförmigen Interferenzmuster zweier kohärenter Lichtquellen erreicht.
Im Falle der Verwendung von Photolack wird dieser nach der Belichtung entwickelt.
VPA 9/712/2H6 -4-
409822/0A95
BAD ORIGINAL
Bei Anwendung eines thermoplastischen Materials wird dieses zunächst auf seinen gegenüberliegenden Oberflächen elektrisch aufgeladen und während oder nach der Belichtung erhitzt, wobei dann die gewünschte Verformung entsteht.
Eine weitere Alternative der Rillenerzeugung in der Isolationsschicht besteht darin, daß diese insbesondere durch schräg gerichteten Teilchenbeschuß erodiert wird. Als Teilchen werden dabei entweder Ionen verwendet, die im Vakuum in einem hohen elektrischen Feld auf die Schichtoberfläche auftreffen oder es werden Glaskügelchen als Teilchen verwendet, welche mit einem Gerät ähnlich einem Sandstrahlgebläse auf die Schichtoberfläche aufgesprüht werden.
Die Erfindung wird in einem Ausführungsbeispiel an Hand der Figurenbeschreibung näher erläutert.
Die Figur zeigt einen Ausschnitt eines Flüssigkristallanzeigeschirmes, der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden ist. Er besteht aus zwei transparenten Trägerplatten 1 und 2 aus Glas und einem feinstrukturierten auf den Oberflächen 3 und 4 aufgebrachten Elektrodenmuster 5 und 6 aus Zinndioxid. Jede einzelne Elektrode ist gesondert über eine Leitung 7 ansteuerbar. Vor dem Zusammenbau dieses Flüssigkristallanzeigeschirnies werden die beiden mit den Elektrodemrnster 5» 6 bedeckten Trägerplatten 1 und 2 mit einer Isolationsschicht 8 b?w. 9 aus Ma^nesiunfluorid rrit e IH cVe vov 0,1 /U "beda^Dft. T)?räch werden die beiden Isolationsschichten 8 und 9 in der eingezeichneten Pfeilrichtung maschinell mit einem Diamanten geritzt. Dadurch ergibt sich ein Rillensystem mit einer Rillenbreite von 1/um und einem Rillenabstand von weniger als 10/U17?. Nach dem Zusammenbau der beiden bedeckten Trä^erplattpn ρ υ d«^ An/eigeschirm mit der Flüssigkristallschicht 10 ist der ParallelansricbturifoS^rad der einzelnen Flüssiger! stall^oleViile 11 so hoch, ^aß d°T* Arzeigepehirm im feld frei en Zustand, d.h., wenn an die Elektroden 5 bzw. 6 keine Spannung ergele^t ist, nraktisch vollkoirTien transparent ist. 409822/0495 VP* 9/712/?146
1 Pifur
9 Patentansprüche -5-
BAD ORIGINAL

Claims (8)

Patentansprüche
1., Verfahren zur Erzeugung einer homogenen Orientierung von Flüssigkristallmolekülen in einer Flüssigkristall'anordnung durch Ausbildung eines dichten parallelen Rillensystems auf den an eine dünne Flüssigkristallschicht anschließenden Oberflächen der Flüssigkristallvorrichtung, die im wesentlichen aus zwei parallel zueinander angeordneten Trägerplatten mit je einem Elektrodenmuster auf deren einander zugewandten Flächen und der Flüssigkristallschicht zwischen den Trägerplatten besteht, dadurch gekennzeichnet , daß auf die mit. den Elektrodenmustern (5,6) bedeckten Oberflächen (3,4) der Trägerplatten (1,2) zunächst eine homogene weiche Isolationsschicht (8,9) aufgebracht wird und auf dieser das Rillensystem hergestellt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net , daß als Isolationsschichtmaterial Magnesiumfluorid aufgedampft wird und dieses mit einem Material mit einer größeren Härte als das von Magnesiumfluorid geritzt wird-.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net , daß als Isolationsschicht ein thermoplastisches Material aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net , daß e\s Isolationsschicht eine .Photoleckrchicht aufgebracht wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch g e k e η η zeichnet , daß die Isolationsschicht mit dem streifenförmigen Interferenzmuster zweier kohärenter lichtQuellen belichtet wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 3 bis 5» dadurch g e k e η η zeichnet , daß das belichtete thermoplastische Ma-
terial bzw. die belichtet·= Photolackschicht entwickelt wird.
9/712/2U6 ' -6- -
BAD ORIGINAL
7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolationsschicht durch schräg gerichteten Teilchenbeschuß erodiert- wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7> dadurch gekennzeich net , daß als Teilchen Ionen verwendet werden.
9· Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich net , daß als Teilchen Glasteilchen verwendet werden.
VPA 9/712/2U6
409822/0^95
DE19722256317 1972-11-16 1972-11-16 Verfahren zur erzeugung einer homogenen orientierung von fluessigkristallmolekuelen in einer fluessigkristallanordnung Withdrawn DE2256317B2 (de)

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