DE2916130A1 - Halbleitersprechpfadschalter - Google Patents

Description

HITACHI, LTD., Tokyo, Japan

Halbleitersprechpfadschalter

Die Erfindung bezieht sich auf einen Sprechpfadschalter, der in einer Telefonvermittlung od. dgl. verwendet wird, und insbesondere auf einen in einer integrierten Halbleiterschaltung hergestellten Sprechpfadschalter.

Ein Sprechpfadschalter wird allgemein in einer Telefonvermittlung zum Verbinden eines Teilnehmers mit einem anderen Teilnehmer verwendet. Ein herkömmlicher Sprechpfadschalter verwendet einen mechanischen Kontakt für die Kreuzungspunkte. Dieser Kreuzungspunkt mechanischen Typs führt zu Problemen bei der Miniaturisierung der Abmessung der Vermittlung, der Verringerung des Gewichts und der Verbesserung der Verläßlichkeit der Vermittlung. Ein integrierter Halbleitersprechpfadschalter, der Halbleiterschal telemente für die Kreuzungspunkte verwendet, wurde unter dem Gesichtspunkt der Überwindung der vorstehend erwähnten Probleme entwickelt.

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Der Halbleitersprechpfadschalter für die Telefonvermittlung muß ermöglichen, daß Hochspannungs-Analogsignale, wie z. B. ein Klingelzeichen, und Zählimpulse durchgehen. Hierfür müssen die Elemente der integrierten Schaltung eine äußerst hohe Spannung und einen äußerst starken Strom aushalten, so daß große Oberflächenbemessungen der Elemente benötigt werden. Die Notwendigkeit der doppelseitig gerichteten Funktion führt zur Erhöhung der Zahl der verwendeten Elemente. Allgemein wird der Sprechpfad aus einem symmetrischen Zweidrahtpfad aufgebaut, so daß die Zahl der Anschlußklemmen erhöht ist.

Daher ist es sehr schwierig, einen symmetrischen Zweidraht-8 χ B-Matrix-Sprechpfadschalter, der üblicherweise als eine Minimalmatrix verwendet wird, durch die monolithische integrierte Schaltungstechnologie herzustellen, so daß eine Vielplättchenanordnung benötigt wird.

Jedoch ist es, wenn die Vielplättchenanordnung auf einem Verdrahtungssubstrat verwendet wird, schwierig, eine Matrix von 8 χ 8 in eine Baugruppe in Punkten der Zahl der Plättchen, der Zahl der Baugruppenanschlußklemmen, der Größe eines Substrats, der Art der Verdrahtung, Abdichtung u. dgl. herzustellen. Daher wurde in der Vergangenheit eine 4 χ 4-Matrix mit einer Baueinheit konstruiert, und eine 8 χ 8-Matrix muß auf einer großen gedruckten Schaltungsplatte ausgebildet werden, wie in der US-Patentanmeldung No. 184 081 vom 27. 9. 1971 offenbart ist.

Beim Aufbauen eines Gitters auf einem oberen Baueinheitsniveau im System durch Montieren einer Mehrzahl von

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Sprechpfadschaltern auf einer gedruckten Schaltungsplatte muß ein Hochspannungssignal von 100 V oder mehr mit niedrigem Verdrahtungswiderstand ausgehalten werden. Dies erfordert einen relativ größeren Platz der Sprechpfadverdrahtung auf der gedruckten Schaltungsplatte im Vergleich mit dem Signale logischen Niveaus verarbeitenden Schalter. Besonders ist es unmöglich, die Sprechpfadverdrahtung zwischen üblichen IC-Anschlußklemmen (mit Abständen von z. B. 2,54 mm) unterzubringen. Beispielsweise benötigt man im Fall eines Sprechpfadschalters von 200 V als auszuhaltender Spannung mindestens 2,9 mm für den Abstand zwischen den IC-Anschlußklemmen.

Demgemäß liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde,

einen Halbleitersprechpfadschalter mit einem m χ n-Matrix-

nur

aufbau zu entwickeln, der sich mit einer Baueinheit konstruieren läßt und einen sog. Gitteraufbau eines oberen Baueinheitsniveaus in einem System unter Berücksichtigung der Verdrahtung für eine hohe auszuhaltende Spannung erleichtert.

Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist ein Halbleitersprechpfadschalter mit einer Mehrzahl von Halbleiterplättchen, mit dem Kennzeichen, daß jedes Halbleiterplättchen ein auf einer Verdrahtungsplatte mittels ümwendeverbindung montiertes Kreuzungselement aufweist, eine Sprechpfadschalterreihe mit ersten Sprechpfadverdrahtungen und ersten Wählerpfadverdrahtungen und eine Sprechpfadschaltersäule mit zweiten Schaltpfadverdrahtungen und zweiten Sprechpfadverdrahtungen auf der Verdrahtungsplatte mit Zwischenfügung einer Isolierschicht zwecks Isolierkreuzensuntereinander in Mehrschichtung

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angeordnet sind, Sockel zur Plättchenverbindung direkt oder durch durchgehende Löcher auf jeder Verdrahtung vorgesehen sind, Sprechpfadreihen- und -säulenanschlußmittel und Wählerpfadreihen- sowie -säulenanschlußmittel nebeneinander auf den zugehörigen Seiten der Verdrahtungsplatte angeordnet sind, diese jeweiligen Anschlußmittel mit den Sprechpfadverdrahtungen und den Wählerpfadverdrahtungen auf der Verdrahtungsplatte verbunden sind, wenigstens das eine Kreuzungspunktelement zum Bilden einer Einheitsmatrix auf ~j.edem Halbleiterplättchen ausgebildet ist und durch Verbinden der einzelnen Halbleiterplättchen mit den Plättchenverbindungssockeln mittels Umwendeverbindung die Einheitsmatrix und gleichzeitig eine m χ n-Matrixanordnung gebildet sind.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den ünteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung gibt also eine Anordnung an, bei der in einem Halbleitersprechpfad nur ein Kreuzungspunktelement zur Bildung einer Einheitsmatrix auf einem Halbleiterplättchen gebildet wird. Die Verbindungen zwischen den Kreuzungspunktelementen und den JMatrixverdrahtungen werden auf einer keramischen Verdrahtungsplatte hergestellt. Durch Montieren einer »Mehrzahl von Halbleiterplättchen

ver auf der keramischen Verdrahtungsplatte durch Umwendeäbindung ("face-down bonding") werden Einheitsmatrixgruppen gebildet, und gleichzeitig wird die Gesamtheit einer Matrixanordnung gebildet.

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Eine Reihenverdrahtung mit ersten Sprechpfadverdrahtungen und ersten Wählerverdrahtungen und eine Säulenverdrahtung mit zweiten Sprechpfadverdrahtungen und zweiten Wählerpfadverdrahtungen werden doppelt auf der Halblexterverdrahtungsplatte geschichtet, wobei eine Isolierschicht dazwischen eingefügt wird. Die obere Schicht mit Ausnahme eines Sockels wird mit einer keramischen Isolierschicht abgedeckt. Anschlußklemmen für Reihen- und Säulenverdrahtungen werden in doppetfin-linien-weise (" dual-in-line fashion") angeordnet. Die Sprechpfadanschlüsse jederReihe und Säule sind symmetrisch und einander gegenüber angeordnet. Dies wird entsprechend auf die Wählerpfadanschlüsse angewandt. Bei einem solchen Aufbau ist die Notwendigkeit einer vielschichtigen Verdrahtung auf dem Halbleiterplättchen beseitigt, die Herstellung der Plättchen ist vereinfacht, ein Nebensprechen zwischen den Reihen- und Säulenverdrahtungspfaden auf der keramischen Verdrahtungsplatte ist verringert, und die Gitterverdrahtung ist erleichtert.

Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigen:

Fig. 1 ein schematisches Verdrahtungsdiagramm eines Sprechpfadschalters des 8 χ 8-Matrixaufbaus gemäß der Erfindungr

Fig. 2 eine Aufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Halbleitersprechpfadschalters gemäß der Erfindung;

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Pig. 3 einen Schnitt durch den Schalter nach der Linie IV-IV in Fig. 2;

Fig. 4 eine vergrößerte Darstellung des in Fig. 2 gezeigten Halbleiterplättchens 3;

Fig. 5 eine vergrößerte Teildarstellung einer in Fig. 2 gezeigten Verdrahtungsplatte 4;

Fig. 6 einen Schnitt nach der Linie VI-VI in Fig. 5?

Fig. 7 eine vergrößerte Darstellung eines Umfangsteils in Fig. 2; und

Fig. 8 ein Beispiel einer Druckverdrahtung eines Halbleitersprechpfadschalters des 8 χ 8-Matrixaufbaus gemäß der Erfindung.

Fig. 1 veranschaulicht ein schematisches Verdrahtungsdiagramm eines in einer 8 χ 8-Matrix angeordneten Halbleitersprechpfadschalters gemäß der Erfindung. Halbleiterschaltelemente werden für die Kreuzungspunktkontakte des Schalters verwendet.

Der Halbleitersprechpfadschalter ist eine 8 χ 8-Matrix mit Gruppen von zwei symmetrischen Drähten, die Sprechpfade als ihre. Säulen mit Anschlußklemmen VOA, VOB bis V7A, V7B, Sprechpfade als ihre Reihen mit ihren Anschlußklemmen HOA, HOB bis H7A, H7B, Halbleiterschaltelemente 1 als ihre Kreuzungspunktschaltkontakte, Kreuzungspunkt-Wählerbelegungselemente 2 (Halbleite schaltelernente 1 und Kreuzungspunktwählerbelegungsschaltelemente 2 sind hier als 4 bzw. O gezeigt) und Wählerpfade mit ihren

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Anschlußklemmen ho bis h7 und vo bis v7 aufweisen. Um die Kompliziertheit des Diagramms zu vermeiden, sind die Sprechpfade und die Wählerpfade nicht mit ihren Bezugszeichen versehen, obwohl ihre Anschlußklemmen mit Bezugszeichen markiert sind. Fig. 2 bis 7 zeigen ein Beispiel des Halbleitersprechpfadschalters gemäß der Erfindung. Die Bezugsziffer 3 bezeichnet ein HaIbleiterplättchen, in dem acht Schaltelemente und vier Kreuzungspunktwählerbelegungsschaltelemente 2 integriert sind, wie in dem besonderen Schaltungsdiagramm in Fig. 4 dargestellt ist, um die 2 χ 2-Matrix mit Gruppen von zwei symmetrischen Drähten zu bilden, die durch ein mit gestrichelten Linien gezeichnetes Quadrat in Fig. 1 umgeben sind. Jedes dieser Schaltelemente 1 ist ein doppelseitig gerichtetes Element als doppelseitig gerichteter Schalter, der zwei Thyristoren aufweist, die Halbleiter mit hoher dielektrischer Festigkeit sind, um den Durchgang hoher analoger Signale, wie z. B. ein Klingelzeichen, zu ermöglichen. Die Bezugsziffer 2 ist ein Kreuzungspunkt-Wählerbelegungsschaltelement, das ein Speicherelement M und einen konstantstrombetriebenen Kreis DR aufweist. Die Bezugsziffer ist eine keramische Verdrahtungsplatte zur Unterbringung von 16 Halbleiterplättchen 3, wie später noch beschrieben wird, um die 8 χ 8-Matrix zu bilden, die in Fig. 1 dargestellt ist. Die Bezugsziffer 5 ist eine keramische Platte zur hermetischen Abdichtung. Die Bezugsziffer ist eine metallisierte Schicht. Die Bezugsziffer 7 ist eine Abdeckung zur hermetischen Abdichtung, wovon in Fig. 2 nur ein Teil dargestellt ist.

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In diesen Figuren bezeichnen V, H und ν und h Sprechpfadanschlußklemmen bzw. Wählerpfadanschlußklemmen. O bis 7 und A und B bezeichnen ihre Anschlußnummern (wie VOA, VOB bis V7A, V7B, HOA, HOB bis H7A, H7B, vo bis v7, ho bis h7 in Fig.1). Weiter sind diese Anschlußklemmen in der Doppelt-in-linien-Weise auf jeder der zwei parallelen Seiten der keramischen Verdrahtungsplatte 4 angeordnet. All diese Sprechpfadanschlußkleinmen sind so angeordnet, daß sie symmetrisch bezüglich der Mittellinie der Keramikplatte 4 liegen. Ähnlich sind alle Wählerpfadanschlußklemmen symmetrisch bezüglich der Mittellinie der Keramikplatte angeordnet. Ha¹ ο, HbΌ, Ha¹I, HbM, VaΌ, Vb'o, Va'1, VbM, ha'o, h'a1, va'o und va*1 sind die Elektroden, die mit den Verbindungen mit den Sockeln auf der Verdrahtungsplatte, wie noch beschrieben wird, zu verlöten sind.

In Fig. 3 ist weiter ein IV-IV-Querschnitt der Fig. 2 dargestellt, um zu zeigen, daß die Halbleiterplättchen 3 umgewendet mit der keramischen Verdrahtungsplatte 4 verbunden sind. Eine Abdeckung 7 ist luftdicht mit einer metallisierten Schicht 6 unter Verwendung eines Niedrigschmelzpunkt -Bindemittel? verbunden. Fig. 5 zeigt eine vergrößerte Darstellung eines Teils von Fig. 2 zur Darstellung der Schaltung auf einem der Halbleiterplättchen 3 auf der Verdrahtungsplatte 4. FIg , 6 zeigt den VI-VI-Querschnitt nach Fig.5. In Fig. 6 sind mit Strichpunktlinien dargestellte Teile 9 Sockelleiter zur Verbindung des Plättchens 3, wovon die Einzelheiten unten noch angegeben werden.. Das in Fig.- 6 dargestellte Plättchen 3Γ weist

acht Schaltelemente und vier Punktwählerbelegungskreise zur Bildung der 2 χ 2-Matrix mit Gruppen von zwei symmetrischen Drähten auf, wie in Fig. 4 gezeigt ist. Zum leichten Verständnis verwendet Fig. 5 Strichpunktlinien zur Andeutung des Plättchens 3, läßt die Oberflächenisolierschicht auf der keramischen Verdrahtungsplatte aus und verwendet gestrichelte Linien zur Bezeichnung der Schaltung unter der Isolierschicht. Die Ziffer 10 bezeichnet ein durchgehendes Loch. Die Keramikplatte hat Paare von Sockeln Hao, Hbo, Hai , HbI, Vao, VbO/ Va1, Vb1, hao, hai, vao und va1. Jedes Paar, der Sockel ist mit Schaltungen HAo, HBo, HA1, ΗΒ1, VAo, VBo, VB1, ho, h1, vo und v1 auf der Keramikplatte verbunden, um eine 2 χ 2-Einheitsmatrix zu bilden.

Die Keramikplatte 4 wird hergestellt, indem man zunächst die Η-Leitungen (HAo, HBo, HA1 und HB1 in Fig. 5) der Sprechpfade und die h-Leitungen (ho und h1) der Wählerpfade als die erste Leiterschiehf bildet, zweitens die Isolierschicht 11 mit durchgehenden Löchern 10 herstellt und dann die V-Leitungen (VAo, VBo, VA1 und VB1) der Sprechpfade und die v-Leitungen (vo und v1) der Wählerpfade als die zweite Leiterschicht auf der Isolierschicht in solcher Weise bildet, daß sie senkrecht zu den H-Leitungen und den h-Leitungen sind, und weiter die Isolierschicht 12 ausbildet, wobei man lediglich die Sockelteile freiläßt. Die oben gegebene Verdrahtung stellt so 2 χ 2-Einheittematrizes mit Gruppen von zwei symmetrischen Drähten dar, die Kreuzungspunktschaltelemente 1 in den Plättchen 3 aufweisen, so daß die Verdrahtungsplatten als Ganzes eine 8 χ 8-Matrix darstellen.

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Dann wird die Verdrahtungsplatte 4 völlig in z. B. einen Lottopf getaucht. Durch das Tauchen wird die metallisierte Schicht 6 auf den Sockeln 9 gebildet, und die Abdichtkeramikplatte 5 wird mit Lot bedeckt. Das Plättchen 3 mit Lötelektroden wird auf den Sockel aufgelegt, und diese werden zusammen erhitzt, so daß das Plättchen 3 umgewendet oben mit der Verdrahtungsplatte verbunden sind.

Die Verbindung der Abdeckung 7 erfolgt gleichzeitig mit Lot oder nach der Verbindung des Plättchens.

Ein Grünplattenverfahren kann z. B. zur Herstellung der keramischen Verdrahtungsplatte 4 verwendet werden. Bei der Herstellung werden eine leitende Schicht aus Wolfram oder Molybdän und eine Isolierschicht aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) abwechselnd auf eine rohe KeramiK-platte (grüne Platte) siebgedruckt und dann dem Brennen unterworfen. Der Verdrahtungswiderstand des Leiters mit der freigelegten Oberfläche und der Widerstand des Innenschichtleiters, der mit Aluminiumoxid bedeckt ist, werden unterschiedlich infolge Oxy.dation des Leiters und Kompression des Aluminiumoxids mit großer Schwankung der Widerstände der Oberflächenleiter in den einzelnen Gruppen. Dies ist für den Sprechpfadschalter unerwünscht. Gleich diesem Beispiel stabilisiert das Abdecken der Gesamtoberfläche mit Ausnahme der Sockel mit der Aluminiumoxidisolierschicht die zweite leitende Schicht wie im Fall der ersten leitenden Schicht.

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In Fig. 7 sind die Verbindungen der H- und V-Leitungen und Reihen- und Säulenleitungen auf der keramischen Ver-"drahtungsplatte in Fig.2 veranschaulicht. Zur Vereinfachung sind die Verbindungen teilweise mit gestrichelten Linien, die die erste leitende Schicht andeuten, und ausgezogenen Linien dargestellt, die die zweite leitende Schicht andeuten. Die h- und v-Leitungen sind ausgelassen. Wie aus der Figur zu ersehen ist, sind die Leitungen A und B der Sprechpfadanschlußklemmen in der Reihenfolge A, B, A, B,... für die Leitung H und A, B, B, A, A, B ... für die Leitung V angeordnet. Eine solche Anordnung verringert das Nebensprechen zwischen dem ein Gitter auf der Verdrahtungsplatte bildenden Drähten. In der Figur bezeichnen die Ziffern 101 und 102 die Leitungen H bzw. V.

Ein Beispiel einer Verdrahtung auf einer gedruckten Schaltungsplatte, wenn die erfindungsgemäß konstruierten 8 χ 8-Sprechpfadschalter auf der gedruckten Schaltungsplatte montiert sind, ist in Fig. 8 gezeigt. Die 8 χ - 8-Sprechpfadschalter, wie sie in Fig. 2 gezeigt sind, sind an den durch Strichpunktlinien-Quadrate S1 bis S4 eingeschlossenen Stellen angeordnet. In diesem Beispiel sind die Leitungen H und V der Sprechpfadverdrahtung jedes Schalters einzeln herausgezogen, und die Leitungen h und ν der Wählerpfadverdrahtung sind gemeinsam herausgezogen. In Fig. 8 sind die einzelnen Leitungen ausgelassen. Die Verdrahtung ist auf beiden Oberflächen der gedruckten Schaltungsplatte vorgenommen, wobei die inversen Oberflächen mit ausgezogenen Linien gezeichnet sind, während die umgekehrten Oberflächen mit gestrichelten Linien dargestellt sind. Die Leitung V eines 8 χ 8-Sprechpfadschalters S1,

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die mit VS1 bezeichnet ist, und die mit HS1 bezeichnete Leitung H bestehen jeweils aus 16 Leitungen des Verdrahtungsmusters. Dies wird -entsprechend für die übrigen Sprechpfadschalter angewendet.

Bezüglich der Wählerpfadverdrahtung sind die Leitungen mit den gleichen Anschlußklemmennummern ν der Sprechpfadschalter S1 und S3 sowie der Sprechpfadschalter S2 und S4 gemeinsam angeschlossen. Die Leitungen h mit den gleichen Anschlußklemmennummern der Sprechpfadschalter S1 und S2 sowie S3 und S4 sind gemeinsam angeschlossen. Die Sprechpfadanschlußklemmen in Verbindung mit den Sprechpfadverdrahtungsleitungen H und V des 8 χ 8-Sprechpfadschalters sind nebeneinander und symmetrisch an den gegenüberliegenden Seiten der Keramikplatte angeordnet. Gleichartig sind auch die Wählerpfadverdrahtungsanechlußklemmen symmetrisch an den gegenüberliegenden Seiten der Keramikplatte angeordnet. Demgemäß kann die Anschlußklemme h des Sprechpfadschalters S1 zwischen den Anschlußklemmen ν verlaufen, um an die Anschlußklemme h der gleichen Zahl des Sprechpfadschalters S2 anzuschließen. Die Sprechpfadleitungen können als ein Verdrahtungsmuster parallel mit in Doppelt-in-tinien-Weise angeordneten Anschlußklemmen ohne Durchlauf zwischen den Sprechpfadanschlußklemmen verdrahtet sein. Wenn die Sprechpfadverdrahtung auf der gedruckten Schaltungsplatte 0,8 mm für die Musterbreite und 1mm für den Musterabstand ist, können 16 Sprechpfadleitungen jeweils mit etwa 30 mm verdrahtet werden. Wenn die gedruckte Schaltungsplatte,

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die eine Verdrahtung auf beiden Seiten zuläßt, verwendet wird, ist keine besondere Überlegung hinsichtlich des Raumes zwischen entgegengesetzten Anschlußklemmen des 8 χ 8-Sprechpfadschalters und des Raumes zwischen benachbarten Schaltern erforderlich, was sonst berücksichtigt werden müßte.

Wenn die Leitungen V (VS1, VS3) der Schalter S1 und S3 und die Leitungen V (VS2, VS4) der Sprechpfadschalter S2 und S4 durch die Durchgangsbohrungsverbindung auf der gedruckten Schaltungsplatte verbunden werden, werden die Leitungen V der zwei Schalter gemeinsam verbunden. Die so verbundenen Schalter können für die Konzentrationsstufe eines örtlichen Schalters mit 16 ankommenden Leitungen und acht abgehenden Leitungen verwendet werden.

Wie oben beschrieben, wird erfindungsgemäß die Verdrahtung der Einheitsmatrizes, die Segmente des 8 χ 8-Sprechpfadschalters sind, an der unteren Oberfläche des Keramikverdrahungsplattenplättchens und um das Plättchen herum vorgenommen. Die Reihen der Matrix bildenden Leitungen H und h (oder die Leitungen V und ν für die Säule) werden als eine erste leitende Schicht mit den Leitungen V und ν für Säulen (oder die Leitungen H und h) gebildet, die senkrecht zu den Leitungen H und h angeordnet sind. Daher besteht keine Notwendigkeit einer vielschichtigen Verdrahtung auf dem Halbleiterplättchen. Demgemäß ist ein solcher Aufbau bei der Plättchenherstellung wirtschaftlich, und das Nebensprechen zwischen den Leitungen H und V auf der keramischen Verdrahtungsplatte ist weitestgehend verringert. Weiter sind die Keramikplattenoberflächen mit

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Ausnahme der Sockel völlig mit der Aluminiumoxidisolierschicht bedeckt, und die zweite leitende Schicht ist mit der keramischen Isolierschicht wie die erste leitende Schicht bedeckt. Daher wird der Verdrahtungswiderstand der zweiten leitenden Schicht niedrig wie der der ersten leitenden Schicht gehalten und ist gegen die Umgebungsatmosphäre stabil.

Die einzelnen Anschlußklemmen der 8 χ 8-Matrix sind in der sog. doppelt-in-linie-weise ("dual-in-line fashion") angeordnet. Die Sprechpfadanschlußklemmen (Leitungen H und V) sind nebeneinander angeordnet . Die Wählerpfadanschlußklemmen (die Leitungen h und v) sind ebenfalls gleichartig angeordnet. Diese Anschlußklemmen sind entgegengesetzt an~den symmetrischen Stellen an den gegenüberliegenden Seiten der keramischen Verdrahtungsplatte angeordnet. Demgemäß ist es, wenn eine Gitterplatte mit einer Mehrzahl von 8 χ 8-Schaltern auf der gedruckten Schaltungsplatte aufgebaut wird, erforderlich, die Sprechpfadverdrahtung zwischen den Sprechpfadanschlußklemmen durchlaufen zu lassen, und die Wähleranschlußklemmen können zwischen den Wähleranschlußklenmen auf der gedruckten Schaltungsplatte verdrahtet werden. Dies erleichtert die Gitterplattenverdrahtung. Weiter sind die Leitungen A und B der Sprechpfadanschlußklemmen in der Reihenfolge A, B, A, B,... für die H-Leitungsanschlußklemmen (oder die V-Leitungsanschlußklemmen) und in der Reihenfolge A, B, B, A, A, B, B, A,... für die V-Leitungsanschlußklemmen (oder H-Leltungsanschlußklemmen) angeordnet. Diese Anordnung der Leitungen verringert weitgehend das Nebensprechen zwischen der Verdrahtung auf

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der das Gitter bildenden gedruckten Schaltungsplatte.

Die oben gezeigte Anschlußklemmananordnung iät nur ein Beispiel. Als Alternative werden die einzelnen Anschlußklemmen H, V, h, ν in zwei Gruppen unterteilt, und diese Gruppen werden an den gegenüberliegenden Seiten angeordnet. Außer keramischem Material kann das Material für die Verdrahtungsplatte auch Silizium, Polyimid u. dgl. sein.

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Claims (9)

1. Ansprüche

   [YjL Halbleitersprechpfadschalter mit einer Mehrzahl von Halbleiterplättchen, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Halbleiterplättchen ein auf einer Verdrahtungsplatte mittels Umwendeverbindung montiertes Kreuzungselement aufweist, eine Sprechpfadschalterreihe mit ersten Sprechpfadverdrahtungen und ersten Wählerpfadverdrahtungen und eine Sprechpfadschaltersäule mit zweiten Schaltpfadverdrahtungen und zweiten Sprechpfadverdrahtungen auf der Verdrahtüngsplatte mit Zwischenfügung einer Isolierschicht zwecks Isolierkreuzensuntereinander in Mehrschichtung angeordnet sind, Sockel zur Plättchenverbindung direkt oder durch durchgehende Löcher auf jeder Verdrahtung vorgesehen sind, Sprechpfadreihen- und -säulenanschlußmittel und Wählerpfadreihen- sowie -säulenanschlußmittel nebeneinander auf den zugehörigen Seiten der Verdrahtungsplatte angeordnet sind, diese jeweiligen Anschlußmittel mit den Sprechpfadverdrahtungen und den Wählerpfadverdrahtungen auf der Verdrahtungsplatte verbunden sind, wenigstens das eine Kreuzungspunktelement zum Bilden einer Einheitsmatrix auf jedem Halbleiterplättchen ausgebildet ist und durch Verbinden der einzelnen Halbleiterplättchen mit den Plättchenverbindungssockeln mittels Umwendeverbindung die Einheitsmatrix und gleichzeitig eine m χ n-Matrixanordnung gebildet sind.

   81-(A 3735-02)-TF

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2. 2. Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Verdrahtungen auf der Verdrahtungsplatte mit Ausnahme der Sockel mit einer Isolierschicht bedeckt sind.
3. 3. Schalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die auf den entgegengesetzten Seiten der Verdrahtungsplatte befindlichen Anschlußmittel so angeordnet sind, daß die Sprechpfadanschlußmittel zueinander symmetrisch und die Wählerpfadanschlußmittel gleichartig zueinander angeordnet sind.
4. 4. Schalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sprechpfadverdrahtungen und die Wählerpfadverdrahtungen auf den entgegengesetzten Oberflächen der auf der Verdrahtungsplatte montierten Plättchen und auf den Umfangsteilen angeordnet sind.
5. 5. Schalter nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Sprechpfadanschlußmittel für jede Reihe eine erste und eine zweite Anschlußklemme aufweisen, die jeweils neben denen für angrenzende Reihen angeordnet sind, und daß die Sprechpfadanschlußmittel für jede Säule eine dritte und eine vierte Anschlußklemme aufweisen, die abwechselnd angeordnet sind.
6. 6. Schalter nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Sprechpfadanschlußmittel für jede Säule eine erste und eine zweite Anschlußklemme aufweisen, die jeweils neben denen der angrenzenden Säulen angeordnet sind, und daß die Sprechpfadanschlußmittel für jede Reihe eine dritte und eine vierte Anschlußklemme aufweisen, die abwechselnd angeordnet sind.

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7. 7. Gruppe von Sprechpfadschaltern nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine gedruckte Schaltungsplatte, auf der die Schalter montiert sind, wobei die Sprechpfadanschlußklemmen mit Sprechpfadverdrahtungsleitern verbunden sind, die auf beiden Oberflächen der gedruckten Schaltungsplatte angeordnet sind und an deren einen. Seite enden, und wobei die Wählerpfadanschlußkleinmen der Schalter mit
8. Wählpfadverdrahtungsleitern verbunden sind, die auf beiden Oberflächen der gedruckten Schaltungsplatten angeordnet sind und an deren anderen Seite enden.
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