DE2914579A1 - Verfahren zur analyse von integrierten schaltungen - Google Patents

Verfahren zur analyse von integrierten schaltungen

Info

Publication number
DE2914579A1
DE2914579A1 DE19792914579 DE2914579A DE2914579A1 DE 2914579 A1 DE2914579 A1 DE 2914579A1 DE 19792914579 DE19792914579 DE 19792914579 DE 2914579 A DE2914579 A DE 2914579A DE 2914579 A1 DE2914579 A1 DE 2914579A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chip
error
ionising radiation
test
circuits
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792914579
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2914579C2 (de
Inventor
Guenter Dipl Ing Schindlbeck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19792914579 priority Critical patent/DE2914579C2/de
Publication of DE2914579A1 publication Critical patent/DE2914579A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2914579C2 publication Critical patent/DE2914579C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
DE19792914579 1979-04-10 1979-04-10 Verfahren zur Analyse von integrierten Schaltungen Expired DE2914579C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792914579 DE2914579C2 (de) 1979-04-10 1979-04-10 Verfahren zur Analyse von integrierten Schaltungen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792914579 DE2914579C2 (de) 1979-04-10 1979-04-10 Verfahren zur Analyse von integrierten Schaltungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2914579A1 true DE2914579A1 (de) 1980-10-23
DE2914579C2 DE2914579C2 (de) 1987-04-16

Family

ID=6068010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792914579 Expired DE2914579C2 (de) 1979-04-10 1979-04-10 Verfahren zur Analyse von integrierten Schaltungen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2914579C2 (US06312121-20011106-C00033.png)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2979708A1 (fr) * 2011-09-06 2013-03-08 Eads Europ Aeronautic Defence Procede de caracterisation de la sensibilite d'un composant electronique soumis a des conditions d'irradiation

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2979708A1 (fr) * 2011-09-06 2013-03-08 Eads Europ Aeronautic Defence Procede de caracterisation de la sensibilite d'un composant electronique soumis a des conditions d'irradiation
WO2013034588A1 (fr) * 2011-09-06 2013-03-14 European Aeronautic Defence And Space Company Eads France Procédé de caractérisation de la sensibilité d'un composant électronique soumis à des conditions d'irradiation

Also Published As

Publication number Publication date
DE2914579C2 (de) 1987-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3688612T2 (de) System mit Elektronenstrahlprüfsonde zum Analysieren integrierter Schaltungen.
DE69514790T2 (de) Verfahren zur Einstellung der Schwellspannung einer Referenzspeicherzelle
DE69429397T2 (de) Prüfung eines statischen Direktzugriffspeichers
DE4027050C2 (US06312121-20011106-C00033.png)
DE3013523C2 (de) Prüfschaltungsanordnung für Speicher
DE3637682C2 (US06312121-20011106-C00033.png)
DE69229673T2 (de) Verfahren zur Bewertung des Gatteroxids nicht-flüchtiger EPROM, EEPROM und flash-EEPROM-Speicher
DE19801557B4 (de) Kontakt-Prüfschaltung in einer Halbleitereinrichtung
DE3906494C2 (US06312121-20011106-C00033.png)
DE3607015A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur funktionspruefung von direktzugriffsspeichern
DE69523009T2 (de) Schaltungsstruktur und Verfahren zur Belastungsprüfung von Bitleitungen
DE2527486B2 (de) Verfahren zur Prüfung bistabiler Speicherzellen
DE19525536A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Feststellung eines Fehlers in einem IC unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen
DE19540621A1 (de) Funktionsprüfgerät für integrierte Schaltungen
DE68910322T2 (de) Verfahren zur Inspektion von Durchkontakt-Stiften in integrierten Schaltungspackungen mittels Photoemission.
DE2349607C2 (de) Verfahren zur Prüfung der Schaltgeschwindigkeit von integrierten Schaltkreiselementen
DE4312238C2 (de) Verfahren zum Befreien einer Halbleiterspeichervorrichtung von einem Kurzschluß
DE69017303T2 (de) Testverfahren für eine integrierte Schaltung mit nichtflüchtiger Speicherzelle fähig zum zeitweiligen Halten von Information.
DE69128978T2 (de) Dynamische Speicheranordnung und ihre Prüfungsverfahren
EP0103654A1 (de) Elektrisch programmierbare Speichermatrix
DE3786768T2 (de) Halbleitergerät mit programmierbaren Nur-Lesespeicherzellen für spezifischen Modus.
DE2914579C2 (de) Verfahren zur Analyse von integrierten Schaltungen
Koga et al. SEE sensitivity determination of high-density DRAMs with limited-range heavy ions
DE69300165T2 (de) Verfahren zur Reparatur defekter Elemente in einem Redundanzspeicher.
DE69019879T2 (de) Halbleiterspeichergerät.

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition