DE2853415A1 - Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes - Google Patents
Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabesInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782853415 DE2853415A1 (de) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782853415 DE2853415A1 (de) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2853415A1 true DE2853415A1 (de) | 1980-06-19 |
| DE2853415C2 DE2853415C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1988-08-25 |
Family
ID=6056839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19782853415 Granted DE2853415A1 (de) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2853415A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3322629A1 (de) * | 1983-06-23 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
| EP0288639A1 (en) * | 1987-04-27 | 1988-11-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Supporting apparatus for semiconductor crystal rod |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2548050A1 (de) * | 1975-10-27 | 1977-04-28 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
-
1978
- 1978-12-11 DE DE19782853415 patent/DE2853415A1/de active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2548050A1 (de) * | 1975-10-27 | 1977-04-28 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3322629A1 (de) * | 1983-06-23 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen |
| EP0288639A1 (en) * | 1987-04-27 | 1988-11-02 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Supporting apparatus for semiconductor crystal rod |
| US4886647A (en) * | 1987-04-27 | 1989-12-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Supporting apparatus for semiconductor crystal rod |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2853415C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1988-08-25 |
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