DE2834279C2 - Verfahren zum Ätzen von CrNi-Schichten - Google Patents
Verfahren zum Ätzen von CrNi-SchichtenInfo
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- DE2834279C2 DE2834279C2 DE19782834279 DE2834279A DE2834279C2 DE 2834279 C2 DE2834279 C2 DE 2834279C2 DE 19782834279 DE19782834279 DE 19782834279 DE 2834279 A DE2834279 A DE 2834279A DE 2834279 C2 DE2834279 C2 DE 2834279C2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von Chrom-Nickei-Schichten mit einer salzsauren
Lösung bei Anwesenheit von Kupfer.
Zum Ätzen von Metailen für gedruckte Schaltungen
werden im allgemeinen Ätzflüssigkeiten auf HCI-Basis verwendet Beispielsweise werden in der DE-OS
25 10 247 kupferbeschichtete Leiterplatten geätzt, indem sie mit einer Kupfer-(1I)-Chloridlösung in Berührung
gebracht werden. Dieser wird Salzsäure und Wasserstoflperoxyd zugesetzt. Diese Lösung eignet sich
jedoch nicht zum Ätzen von Chrom-Nickel-Schichten und schon gar nicht zum Ätzen solcher Schichten im
Beisein von Kupfer. Insbesondere metallisches Kupfer bewirkt nämlich in einer Ätzlösung für Chromnickel,
daß die Ätzung des Chromnickels sehr bald unterbrochen wird. Auf Kunststoffolien werden daher Chromnikkeischichten
im Beisein von Kupfer nicht vollständig weggeätzt, vielmehr bleiben Chromnickelreste an der
Folie haften. Diese Chromnickelreste bilden Kurzschlüsse oder Nebenschlüsse, die es unmöglich machen,
gegeneinander isolierte Leiterbahnen in geringem Abstand voneinander aus einer Chromnickelschicht
berauszuätzen.
_ Die US-PS 35 62 040 beschreibt ein Verfahren zur Ätzung von Chrom-Nickel-Schichten mit einer salzsauren
Lösung bei Anwesenheit von Kupfer. Das Kupfer ist dabei in einer Lösung von Kupfersulfat und Chlorwasserstoff
vorhanden.
ίο Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung
zugrundeliegt, besteht in einem Ätzverfahren, welches zum Ätzen von Chromnickelschichten geeignet ist und
auch im Beisein von Kupfer schmale Streifen aus Chromnickclschichten so sauber ausätzt, daß eine
ausreichende Isolation zwischen diesen Streifen erreicht wird.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art dadurch gelöst, daß -4ner
Ätzflüssigkeit auf HCI-Basis eine K2S,-Lösung zuge-
setzt wird und daß dann die Ätzung durchgeführt wird.
In einem derartigen Verfahren wird vorteilhaft einer HCi-Lösung eine K2S,-Lösung mit einem Anteil von 1 g
K2S,/Liter Flüssigkeit, insbesondere aqua dest, zugesetzt.
Dabei reicht es aus, wenn pro Liter Ätzflüssigkeit 6 ml bis 20 ml K2S,-Lösung zugesetzt werden.
Diese geringe Menge von K2S, in der Lösung
verhindert bereits die schädliche Einwirkung des
Kupfers auf den Ätzvorgang an der Chromnickelschicht Es ergeben sich auch bei sehr schmalen
JO wegzuätzenden Streifen einwandfreie Ätzkanten, die weggeätzten Streifen sind frei von anhaftenden
Metallresten. Mit einer derartigen Ätzflüssigkeit können also auf Folienschalturigen feinste Muster in
Chromnickelschichten erzeugt werden, wenn die Ants schlußbahnen aus Kupfer bereits aufgebracht sind. Dies
ist insbesondere bei der Herstellung von spiraligen Spulen und/oder maanderförmigen Widerständen vorteilhaft.
Bei den Spulen v/ird zwischen den Spulcnlagen aus Kupfer das dort nicht gewünschte CrNi weggeätzt.
Claims (3)
1. Verfahren zum Ätzen von CrNi-Schichten mit einer salzsauren Lösung bei Anwesenheit von
Kupfer, dadurch gekennzeichnet, daß einer Ätzflüssigkeit auf HCI-Basis eine K2S,-Lösung
zugesetzt wird und daß dann die Ätzung durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einer HCI-Lösung eine K2S,-Lösung
mit einem Anteil von 1 g K2S,/Liter Flüssigkeit zugesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß pro Liter Ätzflüssigkeit 6 ml bis 20 ml
K2S,-Lösung zugesetzt werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782834279 DE2834279C2 (de) | 1978-08-04 | 1978-08-04 | Verfahren zum Ätzen von CrNi-Schichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782834279 DE2834279C2 (de) | 1978-08-04 | 1978-08-04 | Verfahren zum Ätzen von CrNi-Schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2834279B1 DE2834279B1 (de) | 1980-02-14 |
DE2834279C2 true DE2834279C2 (de) | 1980-10-09 |
Family
ID=6046258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782834279 Expired DE2834279C2 (de) | 1978-08-04 | 1978-08-04 | Verfahren zum Ätzen von CrNi-Schichten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2834279C2 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6841084B2 (en) * | 2002-02-11 | 2005-01-11 | Nikko Materials Usa, Inc. | Etching solution for forming an embedded resistor |
-
1978
- 1978-08-04 DE DE19782834279 patent/DE2834279C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2834279B1 (de) | 1980-02-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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