DE2820331B2 - Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE2820331B2 DE2820331B2 DE19782820331 DE2820331A DE2820331B2 DE 2820331 B2 DE2820331 B2 DE 2820331B2 DE 19782820331 DE19782820331 DE 19782820331 DE 2820331 A DE2820331 A DE 2820331A DE 2820331 B2 DE2820331 B2 DE 2820331B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- field effect
- effect transistor
- film field
- semiconductor material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 27
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78642—Vertical transistors
Description
Die Erfindung betrifft einen Dünnschicht-Feldeffekttransistor mit einem Substrat, mit einer auf dem
Substrat angeordneten Gate-Elektrode aus einem Material, das Tantal enthält, mit einem auf der
Gateelektrode angeordneten Gateoxid, das durch anodische Oxidation von Gatematerial erzeugt ist, mit
einer auf der Oberfläche des Gateoxides angeordneten Schicht aus Halbleitermaterial und mit Source- und
Drain-Elektroden an der Schicht aus Halbleitermaterial. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur
Herstellung eines derartigen Dünnschicht-Feldeffekttransistors.
Ein derartiger Dünnschicht-Feldeffekttransistor sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung sind aus »IBM
Technical Disclosure Bulletin«, Vol. 7, Nr. 4, September 1964, S. 334, 335, bekannt. Bei diesem Dünnschicht-Feldeffekttransistor
besteht die Gate-Elektrode aus Tantal.
Die Verwendung von Tantal als Ausgangsmaterial für das durch anodische Oxidation hergestellte Gateoxid
führt zu einem Gate-Dielektrikum, welches hohen Tempenemperatüren nicht standhält Diese Temperaturen
sind aber für die Temperung des Bauelements zur Erzeugung der gewünschten Transistoreigenschaften
unerläßlich.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen Dünnschicht-Feldeffekttransistor zu schaffen,
dessen Gate-Oxid einer Temperatung bei hohen Temperaturen standhält Außerdem soll ein Herstellungsverfahren
für einen Dünnschicht-Feldeffekttransistör mit einem derartigen Gate-Oxid angegeben
werden.
Ausgehend von einem Dünnschicht-Feldeffekttransistor der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Gate-Material aus mit Stickstoff und Sauerstoff dotiertem Tantal
besteht
Dieses Gate-Material hat den Vorteil, daß das bei seiner anodischen Oxidation entstehende Gateoxi'd bis
zu Temperaturen von über 3000C bei Temperzeiten von
mehr als zwei Stunden stabil ist Mit Stickstoff und Sauerstoff dotieretes Tantal ist als solches bekannt und
wird bei H. Baeger »Herstellung von temperaturkompensierten Tantal-Dünnschicht-Widerständen und
-Kondensatoren aus einer einzigen Schicht mit definiertem Gaseinbau« Dissertation an der Universität
Stuttgart 1978, beschrieben.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des Dünnschicht-Feldeffekttransistors
nach der Erfindung sind die Source- und Drain-Elektroden auf dem Substrat
jo angeordnet und die Schicht aus Halbleitermaterial überdeckt diese Elektroden teilweise. Ein Dünnschicht-Feldeffekttransistor
mit einer entsprechenden Anordnung der Elektroden ist aus der US-PS 40 65 781 bekannt.
J5 Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung des Dünnschicht-Feldeffekttransistors
nach der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die Source- oder die Drain-Elektrode auf dem Substrat angeordnet ist, daß
darüber die Schicht aus Halbleitermaterial liegt, deren Dicke die Kanallänge festlegt, und daß auf der Schicht
aus Halbleitermaterial die Drain- oder Source-Elektrode angeordnet ist.
Aus de;· GB-PS 10 84 937 ist zwar bereits ein Feldeffekttransistor bekannt, bei dem die Kanallänge
durch die Dicke einer Halbleiterschicht festgelegt ist. Dort besteht diese Schicht jedoch aus einer epitaktischen
Halbleiterschicht, die auf einen einkristallinen Halbleiterkörper des entgegengesetzten Leitungstyps
aufgebracht und von einer weiteren epitaktischen Schicht des entgegengesetzten Leitungstyps überdeckt
ist. Aus der DE-AS 14 64 363 ist ein Dünnschicht-Feldeffekttransistor
bekannt, bei dem die Source-Elektrode auf dem Substrat angeordnet und von der Halbleiterschicht
überdeckt ist Bei diesem Dünnschicht-Feldeffekttransistor befinden sich die Gate-Elektroden in der
Halbleiterschicht und nicht auf dem Substrat wie bei dem Dünnschicht-Feldeffekttransistor nach der Erfindung.
Zur Herstellung von Dünnschicht-Feldeffekttransistören sind Verfahren bekannt, bei denen die Bauelemente durch Aufdampfen der verschiedenen Schichten durch Masken hindurch in einem Vakuumsschritt hergestellt werden, vergl. P. K. Weimer, The Insulated-Gate Thin-Film Transistor, Physics of Thin Films, Vol. 2,
Zur Herstellung von Dünnschicht-Feldeffekttransistören sind Verfahren bekannt, bei denen die Bauelemente durch Aufdampfen der verschiedenen Schichten durch Masken hindurch in einem Vakuumsschritt hergestellt werden, vergl. P. K. Weimer, The Insulated-Gate Thin-Film Transistor, Physics of Thin Films, Vol. 2,
ω 1964, S. 147-192. Als Halbleitermaterial wird iveist
CdSe, als Gateoxid meist AI2O3 oder Yttriumoxid Y^Oj
verwendet. Zur weiteren Erläuterung ist der Aufbau eines derartigen Transistors in Bild 1 der Zeichnungen
dargestellt. Die Bedampfung durch Masken in einem Vakuumschritt hat den Vorteil, daß Verunreinigungen
auf den Oberflächen weitgehend vermieden werden. Die Nachteile dieses Verfahrens sind:
■5
1. Präzise Justierung der verschiedenen Masken in der Vakuumkammer ist schwierig.
2. Wegen mangelnder Stabilität der Masken ist die Substratgröße begrenzt auf etwa 15 χ 15 cm.
3. Der Verkleinerung der Strukturen unter etwa 25 μίτι rad Grenzen gesetzt, weil die Maskenöffnungen
nicht beliebig verkleinert werden können, siehe auch 1 und 2.
4. Wegen Bedampfong der Masken selbst, was die Genauigkeit der Struktur zerstört ist häufige
Reinigung und Neujustage der Masken erforderlich.
Viele Nachteile dieser Verfahren werden bei dem aus »IBM Technical Disclosure Bulletin«, a.a.O.. bekannten
Verfahren vermieden, bei dem auf ein Substrat mittels Kathodenzerstäubung eine Schicht aus Tantal aufgebracht
wird, bei dem dann mittels einer Photolackmaske und Ätzen die Grundstruktur der Gate-Elektrode
erzeugt wird, bei dem anschließend durch anodische Oxidation von Gatematerial das Gateoxid hergestellt
wird und bei dem schließlich eine Schicht aus Halbleitermaterial sowie Source und Drain-Elektroden
erzeugt werden.
Das Verfahren zur Herstellung eines erfindungsge- jo
mäßen Dünnschicht-Feldeffekttransistors, das im Anspruch 4 näher gekennzeichnet ist, lehnt sich an das
eben beschriebene Verfahren an. Es unterscheidet sich von dem bekannten Verfahren vor allem dadurch, daß
eine mit Stickstoff und Sauerstoff dotierte Tantalschicht y,
mittels reaktiver Kathodenzerstäubung hergestellt wird und daß diese Schicht zur Herstellung der Grundstruktur
der Gate-Elektrode verwendet wird. Im weiteren
Fortgang des Verfahrens ist es zweckmäßig, wenn vor dem Aufbringen der Schicht aus Halbleitermaterial im
selben Vakuum-Schritt wenigstens die Oberfläche des Gateoxids mit Ionen oder ungeladenen Teilchen geätzt
wird.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die in den Bildern 2 und 3 der Zeichnungen
dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Dabei sind in Abschnitt I die Herstellung und die
Vorteile des erfindungsgemäßen Gateoxids beschrieben, im Abschnitt Il ist ein Beispiel eines vollständigen
Herstellungsverfahrens für einen Dünnschicht-Feldeffekttransistor nach der Erfindung erläutert, während
sich Abschnitt III auf die Darstellung einer besonders zweckmäßigen Bauform eines Dünnschicht-Feldeffekttransistors
nach der Erfindung bezieht.
I: Gate- und Gateoxid-Material
55
Als Ausgangsmaterial wird Tantal mit Stickstoff- und Sauerstoffdotierung verwendet, das durch reaktive
Kathodenzerstäubung mit einer Schichtdicke von 200 - 300 nm aufgebracht wird.
Das Material wird bei H. Baeger »Herstellung von temperaturkompensierten Tantal-Dünnschicht-Widerständen
und -Kondensatoren aus einer einzigen Schicht mit definiertem Gaseinbau« Dissertation an der
Universität Stuttgart 1978, beschrieben.
Nach naßchemischem Ätzen der Grundstruktur wird das Gateoxid durch anodische Oxidation des Ta-Gates
erzeugt. Die relative Dielektrizitätskonstante beträgt er = 20, was bei einer Anod:sierspannung von
LA, = 200 V zu Flächenkapazitäten um 300 pF/mmführt.
Bei LA, = 200 V werden Durchbruchspannungen von 100.. .150 V erreicht. Der vergleichbare Wert ist bei
AI1O3 bei <50 V. Die wesentlich höhere Dielektrizitätskonstante
des Ta gegenüber Al2O3 (er = 8) oder
Yttriumoxid Y2O3 führt zu höherer Ladungsträgerinduktion im Halbleiterkanal und damit zu einer höheren
Steilheit des Transistors.
Das Dielektrium ist bis zu Temperaturen von über 3000C bei Temperzeiten von mehr als 2 Stunden stabil,
was für die nachfolgenden Prozeßschritte entscheidend ist.
II: Herstellungsprozeß
Die Herstellungsschritte sind die folgenden:
Die Herstellungsschritte sind die folgenden:
1. Tantal mit Stickstoff- und Sauerstoffdotierung durch Kathodenzerstäubung aufbringen.
2. Ätzen des Tantals nach Aufbringen einer Photolackmaske.
3. Anodische Oxidation des Gates nach Aufbringen einer Photolackmaske.
4. Aufdampfen einer Haft- und Leitschicht, z. B. Cr(NiCr)-Au-In.
5. Ätzen der Drain- und Source-Kontakte nach Aufbringen einer Photolackmaske.
6. Aufdampfen des Halbleiters nach vorausgegangenem Reinigen der Oberflächen durch lonenätzen in
demselben Vakuum.
7. Ätzen des Halbleiters nach Aufbringen einer Photolackmaske.
8. Temperungz. B.300°C, '/2 h in NrAtmosphäre.
9. Aufbringen einer Schutzschicht, z. B. Si-Nitrid.
Zur weiteren Erläuterung ist ein nach diesem Verfahren hergestellter Transistor in Bild 2 der
Zeichnungen da:-gestellt. Bei dem angegebenen Herstellungsprozeß wird zur Erzeugung der Strukturen
ausschließlich die in der Halbleiterproduktion und in der Dünnschichttechnik bewährte Photolithographic und
Ätztechnik angewandt. Diese Methode erlaubt mit höchster Reproduzierbarkeit auf großen Substraten
kleine Strukturen abzubilden. Die dabei eventuell zurückbleibenden Verunreinigungen auf den Oberflächen,
z. B. im Bereich des Gateoxids, wo anschließend der Halbleiter aufgebracht werden muß, können vor
dem Aufbringen des Halbleiters im selben Vakuum durch Beschüß mit Teilchen, z. B. Ionen oder Neutralteilchen,
beseitigt werden (Pkt. II.6). Mit diesem Reinigungsverfahren bleiben die vorteilhaften Reinheitsbedingungen
der eingangs erwähnten Bedampfung durch Masken erhalten, und es werden gleichzeitig die
genannten Maskenprobleme ausgeräumt.
Ein weiterer Vorteil ist, daß die Prozeßschritte einzeln optimiert werden können, weil Zwischenprüfungen
möglich sind.
III: Neuartiger Aufbau des Transistors
Eine wesentliche Verkürzung der Kanallänge auf Werte kleiner als 5—10 μηι ist auch mit Photolithographie
bei großen Subsraten nicht zu erreichen. Es wird deshalb eine Transistorstruktur vorgeschlagen, bei der
die Kanallänge nicht durch eine photolithographische Maske, sondern durch die Dicke des Halbleiters und die
Neigung der Gateoxidkante festgelegt wird. Zur weiteren Erläuterung ist ein Ausführungsbeispiel eines
derartigen Transistors in Beild 3 der Zeichnungen dargestellt.
Claims (5)
1. Dünnschicht-Feldeffekttransistor mit einem Substrat, mit einer auf dem Substrat angeordnete
Gate-Elektrode aus einem Material, das Tantal enthält, mit einem auf der Gate-Elektrode angeordneten
Gateoxid, das durch anodische Oxidation von Gatematerial erzeugt ist, mit einer auf der
Oberfläche des Gateoxides angeordneten Schicht aus Halbleitermaterial und mit Source- und Drain-Elektroden
an der Schicht aus Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß das Gate-Material
aus mit Stickstoff und Sauerstoff dotiertem Tantal besteht.
2. Dünnschicht-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-
und Drain-Elektroden auf dem Substrat angeordnet sind und daß die Schicht aus Halbleitermaterial diese
Elektroden teilweise überdeckt.
3. Dünnschicht-Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-
oder Drain-Elektrode auf dem Substrat angeordnet ist, daß darüber die Schicht aus Halbleitermaterial
liegt, deren Dicke die Kanallänge festlegt, und daß auf der Schicht aus Halbleitermaterial die Drainoder
Source-Elektrode angeordnet ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Feldeffekttransistors
nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat durch reaktive Kathodenzerstäubung eine mit
Stickstoff und Sauerstoff dotierte Tantalschicht aufgebracht wird, daß mittels einer Photolackmaske
und Ätzen die Grundstruktur der Gate-Elektrode erzeugt wird, daß durch anodische Oxidation des
Gates das Gateoxid hergestellt wird und daß die Schicht aus Halbleitermaterial und die Source- und
Drain-Elektrode angebracht werden.
5. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Feldeffekttransistors
nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Schicht aus Halbleitermaterial im selben Vakuum-Schritt
wenigstens die Oberfläche des Gateoxides mit Ionen oder ungeladenen Teilchen geätzt wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782820331 DE2820331C3 (de) | 1978-05-10 | 1978-05-10 | Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782820331 DE2820331C3 (de) | 1978-05-10 | 1978-05-10 | Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2820331A1 DE2820331A1 (de) | 1979-11-15 |
| DE2820331B2 true DE2820331B2 (de) | 1981-07-02 |
| DE2820331C3 DE2820331C3 (de) | 1982-03-18 |
Family
ID=6038997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19782820331 Expired DE2820331C3 (de) | 1978-05-10 | 1978-05-10 | Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2820331C3 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3245313A1 (de) * | 1981-12-10 | 1983-06-23 | Japan Electronic Industry Development Association, Tokyo | Verfahren zur herstellung von duennfilm-transistoren |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2052853A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-28 | Ibm | Vertical fet on an insulating substrate |
| DE3051063C2 (de) * | 1979-12-13 | 1991-04-11 | Energy Conversion Devices, Inc., Troy, Mich., Us | |
| EP3864704A4 (de) * | 2018-10-09 | 2022-10-12 | Micron Technology, Inc. | Vorrichtungen und elektronische systeme mit vertikalen transistoren und zugehörige verfahren |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL282170A (de) * | 1961-08-17 | |||
| GB1084937A (en) * | 1965-03-31 | 1967-09-27 | Standard Telephones Cables Ltd | Transistors |
| US4065781A (en) * | 1974-06-21 | 1977-12-27 | Westinghouse Electric Corporation | Insulated-gate thin film transistor with low leakage current |
-
1978
- 1978-05-10 DE DE19782820331 patent/DE2820331C3/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3245313A1 (de) * | 1981-12-10 | 1983-06-23 | Japan Electronic Industry Development Association, Tokyo | Verfahren zur herstellung von duennfilm-transistoren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2820331A1 (de) | 1979-11-15 |
| DE2820331C3 (de) | 1982-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1764056C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| EP0010596B1 (de) | Verfahren zur Ausbildung von Maskenöffnungen bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
| DE2536363C3 (de) | Dünnschicht-Feldelektronenemissionsquelle and Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP0493676B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Spitze aus einem dotierten Halbleitermaterial | |
| DE1589810C3 (de) | Passiviertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2425382C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren | |
| DE2213037C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines MOS-Feldeffekttransistors mit einer polykristallinen Silizium-Gate-Elektrode | |
| DE1640307A1 (de) | Duennschichttechnik zur Herstellung integrierter Schaltungen | |
| DE102007023204A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung | |
| DE3043289C2 (de) | ||
| DE1956964A1 (de) | Halbleiter und deren Herstellungsmethode | |
| DE1640486C3 (de) | Verfahren zum reaktiven Zerstäuben von elementarem Silicium | |
| DE2550346A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektrisch isolierenden bereiches in dem halbleiterkoerper eines halbleiterbauelements | |
| DE1514359B1 (de) | Feldeffekt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2820331C3 (de) | Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE3226097C2 (de) | ||
| DE2450230A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffekttransistoren | |
| DE2020531C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Höchstfrequenz-Planartransistoren | |
| DE3146103C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer elektrochromen Anzeigevorrichtung | |
| DE2900747C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2902303A1 (de) | Duennfilmtransistor und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1901645A1 (de) | Halbleiterbauelement mit Aluminiumueberzuegen | |
| DE19723330B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren und Dünnschichttransistor | |
| DE3340777A1 (de) | Verfahren zur herstellung von duennfilm-feldeffekt-kathoden | |
| DE1764756A1 (de) | Duennschicht-Feldeffekt-Halbleiterbauelement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8330 | Complete disclaimer |