DE2813588C2 - Verfahren zum Herstellen von Rohlingen für rotationssymmetrische Hohlkörper, insbesondere für Hohlladungs-Einlagen und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens - Google Patents

Description

a) einen hohlen Formfestkörper (5) von kreisförmigem Querschnitt, der durch eine Halterung (19, 52) gegenüber dem Ausgangswerkstoff axial und radial fixiert ist;

b) einen oberendigen kreiszylindrischen und einen unterendigen spitzkegeligen Teil des Formfestkörpers (5);

c) eine Wandung des Formfestkörpers (5), die in der Schmelze des Ausgangswerkstoffs unlöslich ist und einen höheren Schmelzpunkt als dieser besitzt;

d) eine Einrichtung (42) zur axialen Wärmeabführung in axialer Nachbarschaft zur Spitze des Formfestkörpers.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch einen Zentralkörper (45), der über einen Träger (65) (siehe F i g. 7) am Formfestkörper (5) fixierbar ist

7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Zentralkörper (45) in einer unterseitig geschlossenen Hohlnadel (85) (siehe F i g. 7) endigt.

Bezüglich Geometrie und Maßgenauigkeit von stachelbildenden Hohlladungs-Einlagen für panzerbrechende Projektile werden zum Vermeiden von deren nachteiligerweise nur ungenügend reproduzierbaren Wirkleistungen sehr strenge Toleranzanforderungen an die jeweilige Fertigung gestellt Dabei hat sich gezeigt, daß nachteilige Abweichungen bei guter geometrischer Übereinstimmung der Hohlladungs-Einlagen in spürbarem Umfang auch aus Erscheinungen im Mikrobereich resultieren können, wie sie bei polykristallin erstarrtem Werkstoff anzutreffen sind.

Auf diese Erkenntnis gründet sich die DE-PS 27 45 849 mit der technischen Lehre der Verwendung monokristallin erstarrten Werkstoffs für Hohlladungseinlagen, vorzugsweise in panzerbrechenden Projektilen, bei einer vorgebbaren Orientierung einer geometrischen Achse der Hohlladungseinlage zu einer vorgegebenen kristallographischen Richtung des monokristallin erstarrten Werkstoffs. Diese Lehre erfordert ein ihr angepaßtes Herstellungsverfahren und eine Vorrichtung zu dessen Ausführung.

Nach dem Stand der Technik ist es bekannt Rohlinge für Hohlladungseinlagen aus Kupfer in polykristalliner Form, das zu monokristallinem Erstarren gebracht wird, als Barren herzustellen. Dabei sind jedoch für die vorwiegend spitzkegeligen Hohlladungseinlagen aufwendige Fertigungsschritte zum formgebenden Werkstoffabtragen erforderlich.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art und eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens bereitzustellen, bei dem aufwendige Fertigungsschritte zur Nachbearbeitung vermieden werden.
Die zur Lösung der gestellten Aufgabe wesentlichen Merkmale der Erfindung sind im Patentanspruch 1 genannt Die Unteransprüche nennen Ausführungsarten der Erfindung.

Das Verfahren und die Vorrichtung nach der Erfindung lassen sich unterschiedlichen Forderungen anpassen. Repräsentiert der Werkstoff zum Herstellen des Rohlings ein unäres System, dann wird die angestrebte monokristalline Erstarrung hauptsächlich durch die Reinheit des Werkstoffs, die Temperaturführung, die axiale Wärmeabführung und die Bewegungsgeschwindigkeit der Phasengrenzfläche fest/flüssig bestimmt. Dabei werden durch die Werkstoffauswahl für den Formfestkörper und die Güte der mit der Schmelze aus dem Werkstoff für den Rohling im Kontakt stehenden Oberfläche des Formfestkörpers störende Fremdkeimbildungen vermieden. Handelt es sich jedoch bei dem zur Herstellung des Rohlings bestimmten Werkstoff um ein Mehrstoffsystem, lassen sich im Kristallwachstum mögliche Störungen durch Vermeiden der konstitutionellen Unterkühlung ausschließen. Nach dem neuen Verfahren lassen sich bei Verwendung eines vergleichsweise dickwandigen Rohlings Wachstumsstörungen leicht vermeiden.

Die Zeichnung zeigt Ausführungsformen der neuen Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens in

F i g. 1 bis 4 jeweils in schematischer Darstellung des Ablaufs des Verfahrens in vier unterschiedlichen Stadien einen seitlichen Aufriß nach einem Schnitt entlang einer Wachstumsachse, in

F i g. 5 eine erste Ausführungsform einer tiegelfreien Vorrichtung im seitlichen Aufriß nach einem Schnitt entlang der Wachstumsachse, in

Fig.6 eine zweite Ausführungsform mit einem Schmelzgefäß im seitlichen Aufriß und einem Schnitt entlang der Wachstumsachse und in

F i g. 7 eine Ausführungsform des Formfestkörpers in vergrößerter Darstellung gegenüber Fig. 1 bis 6 im seitlichen Aufriß in einem Schnitt entlang einer zentralen Längsachse.

In F i g. 1 weist ein Impf-Einkristall 1 aus Kupfer mit einem kreisförmigen Querschnitt eine Kontaktfläche 2 mit einem querschnittsgleichen Barren 3 aus polykristallinem Kupfer als Ausgangswerkstoff für einen Rohling auf. Der Barren 3 hat eine spitzkegelige Ausnehmung mit einer Kegelfläche 4. Sie dient der Aufnahme eines Formfestkörpers 5 mit einem unterenctigen spitzkegeligen Teil 6, an welches sich ein oberendiges, kreiszylindrisches Teil 7 anschließt Das Teil 7 dient zum Fixieren des Formkörpers 5. Der Formfestkörper 5 weist eine Wandung 8 auf, welche im Teil 6 mit einer Innenfläche 9 einen mit Kupferpulver 11 gefüllten Hohlraum 10 umschließt. Die Wandung 8 des Formfestkörpers 5 besteht aus einem metallischen .Werkstoff, welcher in flüssigem Kupfer unlöslich ist und dessen Schmelztemperatur mit ausreichendem Abstand oberhalb derjenigen des Kupfers liegt; es bietet sich Wolfram an. Die Innenfläche 9 und eine Außenfläche 12 (F i g. 7) sind von einer hohen Oberflächengüte. Der Anordnung ist eine Wachstumsachse G eigen. Sie schließt mit einer durch den Impf-Einkristall 1 vorgegebenen kristallographischen Achsenrichtung einen nicht dargestellten Winkel ein. F i g. 1 betrifft einen Zustand vor einem Aufschmelzvorgang unter Einsatz einer hier nicht dargestellten Wärmequelle.

F i g. 2 zeigt die Anordnung nach F i g. 1 nach dem Aufschmelzvorgang. Dabei bezeichnet eine strichpunktierte Gerade 2a die Lage der Kontaktfläche 2, während mit 3a eine Schmelze bezeichnet ist, welche sich von einer Phasengrenzfläche fest/flüssig 13 mit einer Anfangsordinate s auf der Wachstumsachse G entlang leizterer bis zu einem Schmelzenspiegel 14 mit der Endordinate e erstreckt. Eine, mit der Wachstumsachse G zusammenfallende und dem Formfestkörper 5 eigene, nicht näher bezeichnete Körperachse erstreckt sich von einem Anfang 15 bis zu einem Ende 16. Der Anfang 15 liegt zwischen den Ordinaten s und e. Wie an der Geraden 2a erkennbar, erstreckt sich die Schmelze 3a auch auf ein vorgebbares Volumen des Impf-Einkristalls 1. Durch eine Relativbewegung zwischen der bescnriebenen Anordnung und der nicht dargestellten Wärmequelle bewegt sich die Phasengrenzfläche fest/flüssig 13 als Erstarrungsfront entlang der Wachstumsachse G und erreicht auf ihrem Wege die aus F i g. 3 erkennbare Höhe. Sie liegt nun oberhalb des Anfangs 15 der Körperachse und es hat sich entlang der Außenfläche 12 eine spitzkegelige Phasengrenzfläche fest/fest 17 gebildet, welche mit der Erstarrungsfront 13 eine gemeinschaftliche Kante 18 aufweist.

Gemäß F i g. 4 hat im weiteren Verfahrensablauf die Erstarrungsfront 13 die Endordinate e erreicht und bildet nun eine Endfläche 13e des Rohlings, wobei das gesamte Volumen der Schmelze 3a (F i g. 2) monokristallin durcherstarrt ist und einen Einkristall 3e repräsentiert. Die Kante 18 liegt auf der Höhe der Endordinate e und begrenzt die vollständige Fläche 17, welche eine Innenfläche des Rohlings darstellt Der Einkristall 3e wird, beispielsweise entlang 2a, von dem Impf-Einkristall 1 getrennt, welcher erneut im vorbeschriebenen Sinne verwendbar ist.

Bei der Einkristallzüchtung soll ein Temperaturgradient quer zur Wachstumsachse vermieden werden. Um dieser Forderung weitestgehend gerecht zu werden, wird, bei geringer Stärke der Wandung 8, der Hohlraum 10 des Formfestkörpers 5 mit Kupferpulver 11 gefüllt und dieses einem dem vorbeschriebenen Aufschmelz- und Erstarrungsvorgang simultanen Analogvorgang unterzogen. Ein im Hohlraum 10 entstehender massiver Kupferkörper He (Fig.4) kann auf eine im weiteren Verlauf der Beschreibung noch zu erläuternde Weise entfernt werden.

F i g. 5 zeigt eine Vorrichtung zur tiegelfreien Verfahrensdurchführung. Wegen erkennbarer Übereinstimmungen mit den F i g. 1 bis 4 läßt sich die Erläuterung weitgehend auf die Vorrichtung beschränken. Letzere umschließt ein Gestell 19 mit einem horizontalen Auflager 20 und einer diesem zugeordneten, oberseitigen

ίο Standfläche 21 und Durchgriff 22 Mit vorgebbarem Horizontalabstand von dem Durchgriff 22 trägt das Auflager 20 eine senkrecht angeordnete Stativstange 23 zur höhenverstellbaren Befestigung einer Barrenhalterung 24 und einer über dieser angeordneten Halterung 29 für den Formfestkörper 5. Die Barrenhalterung 24 umschließt einen horizontalen Tragarm 25 mit einer Barrenklemme 26 zum Einklemmen eines oberen Endes 3' des Barrens 3. Mittels eines nur angedeuteten Verstellüberwurfs 27 und einer Feststellschraube 28 läßt sich die Barrenhalterung 24 an der Stativstange 23 in einer vorgegebenen Höhe lösbar fixieren. Die Halterung 29 für den Formfestkörper 5 umschließt einen horizontalen Tragarm 30 mit einer, ebenso wie die Barrenklemme 26, nur schematisch dargestellten Klemme 31 für den Formfestkörper 5. Auch die Halterung 29 läßt sich in Richtung eines Doppelpfeils 35 mittels eines Verstellüberwurfs 32 und einer Feststellschraube 33 an der Stativstange 23 lösbar fixieren. Eine Führungsnut 34 in der Stativstange 23 gewährleistet die Parallelführung der beiden Halterungen 24 und 29. Beide Tragarme 25 und 30 erlauben über jeweilige, nur andeutungsweise dargestellte Teleskopführungen 25' und 30' eine jeweilige Längenveränderung in Richtung des horizontalen Doppelpfeils 35'. Eine aus Kupferrohr gefertigte wasserkühlbare Hochfrequenzspule 36 eines nur andeutungsweise dargestellten Hochfrequenzgenerators 37 ist in Richtung der Wachstumsachse G verfahrbar angeordnet. Eine Kühleinrichtung 42 läßt sich auf eine nicht näher dargestellte Weise im Durchgriff 22 fixieren und wird im weiteren Verlauf der Beschreibung erläutert

Mit der Vorrichtung gemäß F i g. 5 wird folgendermaßen gearbeitet:

Nach Anordnen des Impf-Einkristalls 1 und des Barrens 3 in der Hochfrequenzspule 36 wird das obere Barrenende 3' mittels der Barrenklemme 26 nach Höhe und Seite fixiert. Hiernach wird der Formfestkörper 5 auf die dargestellte Weise der Kegelfläche 4 des Barrens 3 zugeordnet und ebenfalls nach Höhe und Seite fixiert. Ein im weiteren Verlauf zu beschreibender Zentralkörper 45 wird in den Hohlraum 10 eingesetzt, welcher anschließend mit Kupferpulver 11 gefüllt wird. Eine zentrale Längsachse Z des Zentralkörpers 45, die Körperachse des Formfestkörpers 5, die Wachstumsachse G fallen nunmehr ineinander und schließen mit der erwähnten kristallographischen Achsenrichtung des Impf-Einkristalls 1 einen vorgebbaren Winkel ein. Durch Inbetriebsetzen des Hochfrequenzgenerators 37 wird infolge Ankoppeins der Leistung über die Hochfrequenzspule 36 eine Schmelzzone 3a'erzeugt, weiche unterseitig von der Phasengrenzfläche fest/flüssig 13 und oberseitig von einer Phasengrenzfläche flüssig/fest 39 begrenzt wird. Die Schmelzzone 3a'wird in ihrer Ausdehnung in Richtung der Wachstumsachse G so ausgelegt, daß iiie durch die Oberflächenspannung der Schmelze zusammengehalten wird. Durch Bewegen der Hochfrequenzspule 36 in Richtung des Pfeils 40 durchwandert die Schmelzzone 3a'den Barren 3, bis die Ersfarrungsfront 13 die Endordinate e erreicht. Damit ist der eerich-

tete Erstarrungsvorgang abgeschlossen und der Hochfrequenzgenerator 37 wird außer Betrieb gesetzt. Zum Verhindern eines radialen Schmelzzonendurchbruchs verbleibt nicht nur das obere Ende 3' des Barrens 3 in seinem Ursprungszustand (es wird in Höhe der Endordinate e von dem erhaltenen Einkristall 3e getrennt), sondern das beschriebene Verfahren muß auch erschütterungsfrei durchgeführt werden. Letztere Forderung wird dadurch erfüllt, daß die durch die Hochfrequenzspule 36 repräsentierte Wärmequelle verschoben und die Impf-Einkristali/Barrenanordnung festgehalten wird. Wie in F i g. 5 dargestellt, weist der Impf-Einkristall 1 eine kegelige Ausnehmung 41 auf. Sie dient dem innigen Kontakt mit der Kühleinrichtung 42 mit einem zentralen Wasserzufluß 43 und einem diesen konzentrisch umfassenden Wasserabfluß 44. Eine (auf nicht näher beschriebene Weise regelbare) Wärmeabführung in Richtung der Wachstumsachse C begünstigt das störungsfreie, monokristalline Durcherstarren des vorgegebenen Kupfervolumens.

Der Barren 3 kann sowohl aus polykristallin, aus einer Schmelze erstarrtem Kupfer wie auch aus gesintertem Kupfer bestehen. Auf diese Weise kann die Kegelfläche 4 entweder durch spangebendes Bearbeiten oder, bei gesintertem Kupfer, bereits während eines dem Verdichten des Ausgangswerkstoffs dienenden Rüttelvorganges eingebracht werden. Sowohl bei Kupfer wie auch bei anderen Werkstoffen kann das Sintern im Vakuum oder in einer im wesentlichen sauerstofffreien Schutzgasatmosphäre erfolgen. Letzteres gilt auch für den Aufschmelz- und Erstarrungsvorgang zum Herstellen des monokristallinen Rohlings.

F i g. 6 zeigt eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens in einem Ofen unter Zuhilfenahme eines Schmelzgefäßes 46. Letzteres besteht vorzugsweise aus Quarz, welches eine ausreichende Beobachtungsmöglichkeit bietet Das Schmelzgefäß 46 umschließt einen oberen, kreiszylindrischen Teil 47, an welchen sich unterseitig ein sich nach unten verjüngender Kegelstumpfbereich 48 mit einem kreiszylindrischen Teil 49 vergleichsweise geringeren Durchmessers als Impf-Einkristaiiaufnahme anschließt. Das Schmelzgefäß 46 umgreift mit einer Wandung 50 einen Innenraum 51. Im oberen Teil 47 ist eine nur schematisch dargestellte und auf nicht beschriebene Weise justierbare Halterung 42 für den Formfestkörper 5 zu dessen radialem und axialen Fixieren innerhalb des Innenraums 51 angeordnet Mittels einer Aufhängung 53 läßt sich das Schmelzgefäß 46 in Richtung eines Doppelpfeils 54 mit vorgebbarer Geschwindigkeit bewegen.

Dem kreiszylindrischen Teil 49 ist ein Überwurf 55 befestigbar zugeordnet. Er weist ein Auflager 56 für den Impf-Einkristall 1 auf und kann mit einem andeutungsweise dargestellten Durchgriff für eine Kühleinrichtung 37 versehen seia wie sie im Zusammenhang mit der Vorrichtung nach F i g. 5 beschrieben wurde. Beim Durchführen des Verfahrens mit einem Schmelzgefäß empfiehlt sich die Verwendung eines Pulvers 57 aus Kupfer (oder entsprechendem anderen Werkstoff) verlangter Reinheit und mit einer vorgebbaren Teilchengrößenverteilung. Für eine allfällige Verdichtung des Pulvers 57 gelten die diesbezüglichen Ausführungen im Zusammenhang mit dem tiegelfreien Verfahren (F i g. 5). Zum Vorbereiten des Verfahrens wird folgendermaßen vorgegangen:

Der Impf-Einkristall 1 wird mittels des Überwurfs 55 auf eine nicht dargestellte Weise im kreiszylindrischen Teil 49 fixiert Vorteilhafterweise wird in einem oberen Bereich des Impf-Einkristalls eine Zentrierausnehmung 58 für den Formfestkörper 5 vorgesehen. Letzterer wird (entsprechend gefüllt und mit dem Zentralkörper 45 versehen) mittels der Halterung 52 axial und radial einjustiert und fixiert, so daß seine Körperachse mit der Wachstumsachse G zusammenfällt. Anschließend wird ein Innenraumbereich 50' mit Pulver 57 gefüllt. Das Verdichten kann mittels eines außenseitig an der Wandung 51 angekoppelten und nicht dargestellten Vibrators erfolgen. Das derart vorbereitete Schmelzgefäß wird über die Aufhängung 53 in einen angedeuteten Ofen 59 eingebracht. Dieser weist eine Heizwicklung 60 auf. Diese ist in einem oberen Bereich 63 zum Erzielen höherer Temperatur enger gewickelt als in einem unteren Bereich 64. Hierdurch wird ein vorgebbarer axialer Temperaturgradient erreicht. Zum Verschärfen des Temperaturgradienten werden die Bereiche 63 und 64 von einem horizontal angeordneten Baffle 62 voneinander getrennt.

Zum Aufschmelzen wird das auf vorbeschriebene Weise vorbereitete Schmelzgefäß 46 so im Innenraum 61 des Ofens eingerichtet, daß sich bei Leistungsabgabe über die Heizwicklung 60 im Impf-Einkristall 1 die Phasengrenzfläche 13 mit darüberstehender Schmelze 3a bildet Durch geregeltes Absenken des Schmelzgefäßes

46 im Ofen 59 wandert die Erstarrungsfront 13 auf die bereits hinlänglich beschriebene Weise entlang der Wachstumsachse G bis zur Endordinate e, womit das Verfahren beendet ist. Auch im unmittelbar vorbeschriebenen Fall kann sowohl mit einer Kühleinrichtung am unteren Ende des Impf-Einkristalls 1 wie auch im Vakuum oder einer Schutzgasatmosphäre gearbeitet werden.

Im Anschluß an den Erstarrungsvorgang läßt sich das Schmelzgefäß 46 auf einfache Weise entleeren: nach Entfernen des Überwurfs 55 kann durch Aufbringen eines geringen Drucks auf eine Unterfläche des Impf-Einkristalls 1 der Inhalt büer den kreiszylindrischen Teil

47 entnommen werden.

F i g. 7 zeigt den Formfestkörper 5 mit dem Zentralkörper 45, dessen zentrale Längsachse Z mit der nicht dargestellten Körperachse zusammenfällt. Es umschließt einen deckeiförmigen Träger 65 mit einem unterseitigen, in den Hohlraum 10 eingreifenden, an einer Innenfläche S' anliegenden Zentriervorsprung 66. Der Träger 65 weist ihn durchgreifende Füllöffnungen 67 (beispielsweise für Kupferpulver) und eine unterseitige Führungshülse 68 kreisringförmigen Querschnitts mit einer Wandung 69 auf, deren Außenfläche 70 den Außenflächen 9 und 9' zugewandt ist und deren Innenfläche 71 einen Innenraum 72 umschließt Die Innenfläche 71 mündet oberseitig in eine Zentrieraufnahme 73 und unterseitig in einen Kegelstumpfbereich 74 mit einem Zentrierdurchgriff 75 für einen Einsatz 76. Der Einsatz 76 umschließt einen der Zentrieraufnahme 73 angepaßten Flansch 77 mit einer Unterseite 78 zur Auflage auf dem Träger 65, dessen Außenfläche 79 mit der Außenfläche 12' fluchtet Mit einer Auflagerfläche 80 steht eine nicht näher bezeichnete Unterseite des Trägers 65 im Kontakt mit einer Stirnfläche 78 des Teils 7. Der Flansch 77 setzt sich über eine Gegenfläche 82 in einen der Fläche 71 anliegenden Zentrierkolben 81 fort, an welchen sich mit einem geringeren Außendurchmesser ein Rohr 83 anschließt Mit einem unteren Teil füllt das Rohr 83 den Zentrierdurchgriff 75 und endet nach einem Reduzierabsatz 84 in einer unterseitig geschlossenen Hohlnadel 85 kreisringförmigen Querschnitts. Ein von dem Rohr 83 umschlossener Innenraum 86 steht

über eine hohlkegelige Aufnahme 87 mit der Außenatmosphäre in Verbindung.

Wie bereits beschrieben, wird der Hohlraum 10 des Formfestkörpers 5 mit einem Pulver des Werkstoffs für den Rohling, beispielsweise Kupfer, gefüllt, welches während des Verfahrensablaufs aufschmilzt und zu einem massiven Körper erstarrt. Die Auswahl des Werkstoffs für die im Hohlraum 10 mit der jeweiligen Schmelze in Berührung stehenden Teile empfiehlt sich unter den Gesichtspunkten, welche im Zusammenhang to mit der Auswahl des Werkstoffs für den Formfestkörper 5 erörtert wurden. Zum Entfernen des letzteren aus dem Hohlraum 10 wie auch des Formfestkörpers 5 aus dem Rohling, er ist in F i g. 7 andeutungsweise dargestellt und mit R bezeichnet, wird der Innenraum 86, wie nicht näher beschrieben, evakuiert und mit einem Kühlmedium, beispielsweise flüssigem Stickstoff, gefüllt. Hierauf läßt sich der Einsatz 73 mühelos entfernen und hinterläßt im erstarrten Kupfer eine Kaverne. Diese wird nun ihrerseits evakuiert und mit Kühlmedium gefüllt, so daß sich infolge ausreichender Kontraktion sowohl der Formfestkörper 5 aus dem Rohling R wie auch der Kupferkörper aus dem Hohlraum 10 entfernen lassen. Infolge der während des Verfahrens beobachteten radialen Temperaturverteilung im Zusammenhang mit dem im Hohlraum ablaufenden Analogvorgang (Aufschmelzen und Erstarren) weist die Kegelfläche 4 im Rohling R bei entsprechender Oberflächengüte der Außenfläche 12 ebenfalls eine gute Beschaffenheit auf, so daß sich eine Nachbearbeitung erübrigen läßt. Eine sich der Herstellung des Rohlings R anschließende, beispielsweise spangebende, Bearbeitung zum Erzielen einer erforderlichen geringen Wandstärke des Endprodukts wird vorteilhafterweise durch die Ausgestaltung des Formfestkörpers 5 im Zusammenwirken mit dem Zentralkörper 45 erleichtert: der Formfestkörper 5 wird nämlich wieder in den von ihm erzeugten Hohlkegel mit der Fläche 4 eingesetzt, wobei die Zentrieraufnahme 73 dem Aufnehmen in einer spitzen Drehmaschine dient Der vorbeschriebene Vorgang läßt sich sowohl im Anschluß an das tiegelfreie Verfahren (siehe Beschreibung zu F i g. 5) wie auch an die Verfahrensweise mit einem Schmelzgefäß (siehe Beschreibung zu F i g. 6) durchführen.

Das Verfahren ist in seinen beiden beschriebenen Arten leicht durchführbar. Während das tiegelfreie Arbeiten jedoch infolge der höheren Leistungsdichte im Zusammenhang mit einer Hochfrequenzspule weniger Zeit beansprucht, bedarf ein im Schmelzgefäß hergestellter Rohling wegen der äußeren Formgebung im betreffenden Kegelstumpfbereich des Schmelzgefäßes einer geringeren, werkstoffabtragenden Nachbearbeitung.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

55

60

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Rohlingen für rotationssymmetrische Hohlkörper, insbesondere für Hohlladungs-Einlagen, dadurch gekennzeichnet, daß man in einen polykristallinen oder pulverförmigen Ausgangswerkstoff von kreisförmigem Querschnitt einen Formfestkörper (5), dessen Wandung einen höheren Schmelzpunkt besitzt als der Ausgangswerkstoff und in der Ausgangswerkstoff-Schmelze unlöslich ist, und der einen oberendigen kreiszylindrischen und einen unterendigen spitzkegeligen Teil (7, 6) aufweist, mit letzterem Teil (6) einbringt, axial und radial einjustiert und lösbar fixiert, den Werkstoff schmilzt und so gerichtet zum Einkristall erstarren läßt, daß sich die Erstarrungsfront von einer bei der Spitze (15) des Formfestkörpers gelegenen Anfangsordinate (s) auf der mit der Achse des Formfestkörpers zusammenfallenden Wachstumsachse (G) zu einer Endordinate (e) bewegt, und man nach Durcherstarren des Werkstoffs den Formfestkörper (5) vom Rohling entfernt

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man den Ausgangswerkstoff auf einen Impf-Einkristall aufbringt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man den Formfestkörper aushöhlt und in dem Hohlraum einen dem Ausgangswerkstoff entsprechenden Werkstoff bringt.

4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man zusätzlich axial Wärme abführt

5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 4, gekennzeichnet durch