DE2810280C2 - Oszillatorschaltung - Google Patents
OszillatorschaltungInfo
- Publication number
- DE2810280C2 DE2810280C2 DE2810280A DE2810280A DE2810280C2 DE 2810280 C2 DE2810280 C2 DE 2810280C2 DE 2810280 A DE2810280 A DE 2810280A DE 2810280 A DE2810280 A DE 2810280A DE 2810280 C2 DE2810280 C2 DE 2810280C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- transistors
- transistor
- collector
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/22—Homodyne or synchrodyne circuits
- H03D1/229—Homodyne or synchrodyne circuits using at least a two emittor-coupled differential pair of transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B27/00—Generation of oscillations providing a plurality of outputs of the same frequency but differing in phase, other than merely two anti-phase outputs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
- H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0034—Circuit elements of oscillators including a buffer amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0078—Functional aspects of oscillators generating or using signals in quadrature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0098—Functional aspects of oscillators having a balanced output signal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Oszillatorschaltung
mit zwei emitterseitig miteinander verbundenen Transistoren und mit eirzm Pa jllelschwingkreis, der
mit dsn beiden Transistorer verbunden ist und der über zumindest einen Ausgangsanschi ;3 ein erstes Ausgangssignal
abgibt.
Eine Oszillatorschaltung der vorstehend bezeichneten Art ist bereits bekannt (US-PS 39 63 996). Diese
bekannte Oszillatorschaltung weist insgesamt zwei Ausgangsanschlüsse
auf, von denen um 180° zueinander phasenverschobene Ausgangssignale abnehmbar sind.
Wie zwei zueinander um 90° phasenverschobene Ausgangssignale zu erhalten sind, ist in diesem Zusammenhang
jedoch nicht bekannt.
Es ist nun zwar auch schon eine Phasenschieberschaltung
bekannt (Zeitschrift »Proceedings of the JEEE«, Vol. 58, April 1970, Seiten 604,605), die zwei npn-Transistoren
umfaßt, von denen der eine Transistor emitterseitig über einen Kondensator mit einer Eingangsspannung
beaufschlagt wird und kollektorseitig eine Ausgangsspannung abzugeben vermag. Die Basis dieses
Transistors ist mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden, der in Kollektorgrundschaltung betrieben
ist Damit weist diese bekannte Phascnschieberschaltung
aber insgesamt einen relativ hohen schaltungstechnicchen Aufwand auf.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, mit relativ geringem schaltungstechnischen Aufwand von
einer Oszillatorschaltung zumindest zwei um 90" zueinander pnasenverschobene Ausgangsäignale abnehmen
zu können.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe bei
einer Oszillatorschaltung der eingangs genannten Art
erfindungsgemäß dadurch, daß mit den Anschlüssen des Parallelschwingkreises zwei gleiche Kondensatoren
verbunden sind, die außerdem über eine niederohmige Transistor-Basisschaltung oder direkt an Masse liegen,
wobei das zweite, gegenüber dem ersten um 90° phasenverschobene Ausgangssignal am Kollektor der
Transistor-Basisschaltung abgenommen werden kann.
Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, daß mit einem geringen schaltungstechnischen Aufwand zumindest
zwei um 90° zueinander phasenverschobene Oszillatorschaltungs-Ausgangssignale
bereitgestellt werden können.
Zweckmäßigerweise Hegt der Parallelschwingkreis
zwischen dem Kollektor und der Basis des einen der emitterseilig miteinander verbundenen Transistoren,
ίο Mit dem Kollektor des einen Transistors ist die Basis
des anderen Transistors verbunden. Hierdurch ergibt sich der Vorteil einer besonders einfach aufgebauten
Oszillatorschaltung.
Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend beispielsweise näher erläutert
F i g. 1 zeigt in einem Schaltplan ein Ausführungsbeispiel.
Fig.2 zeigt ein Ersatzschaltbild des Hauptt^iLs der
in Fi g. 1 dargestellten Oszillatorschaltung. F i g. 3 zeigt einen Schaltplan eines weiteren Ausführungsbeispiels.
In Fig. 1 ist in einem Schallplan ein Ausführungsbeispiel
aer Oszillatorschaltung gezeigt Mit Hilfe dieser
OszillatorschaUung können Schwingungs-Ausgangssignale
im Gegentaktbetrieb erzeugt werden, die in der Phasenlage um 90° gegeneinander verschoben sind. Bei
diesem Ausführungsoeispiel sind Transistoren 11 und 12
vorgesehen, deren Emitter gemeinsam unter Bildung eines Difierenzverstärkers über eine Konstantstromquelle
13 geerdet sind bzw. an Masse liegen. Die Kollektoren der Transistoren 11 und 12 sind über die Basis-Emitter-Slreckcn
von Transistoren 14 bzw. 15 mit der Basis des jeweils anderen Transistors 12 bzw. 11 verbunden.
Ein Parallel-Resonanzkreis 18, bestehend aus einer
Spule Lo und einem Kondensator Co, liegt zwischen den Kollektoren der Transistoren 11 und 12. Die Transistoren
14 und 15 sind jeweils >n Emitterfolgerschaltung betrieben. Die Ausgangsanschlüsse 17, 18 führen von
den Emittern der Transistoren 14 b^w. 15 weg. Die beiden
Enden des Parallel-Resonanzkreises 16 oder die Kollektoren der Transistoren 11 jnd 12 sind über Kondensatoren
19 bzw. 20 mit den Emittern der Transistoren 21 und 22 verbunden. Die Basen dieser Transistoren
21 und 22 werden mit einer Konstantspannung Eb gespeist.
Die Emitter dieser Transistoren sind über Konslanlstromqucllen 23 bzw. 24 geerdet bzw. liegen ober
diese Konstantstromquellen an Masse. Die Kollektoren der Transistoren 21, 22 führen zu den Ausgangsanschlüssen
25 bzw. 26 hin. Demgemäß dienen die Transistören 2i und 22 als in Basisgrundschaltung betriebene
Transistorverstärker. Bei diesem Ausführungsbeispiel
sind die Kollektoren der Transistoren 11,12,21 und 22
über Widerstände an einem Speisespannungsanschluß + Vt'c angeschlossen.
Da die einen Enden der Kondensatoren i5 und 20,
deren andere Enden mit den Kollektoren der Transistoren 11 bzw. 12 verbunden sind, mit den Emittern der
Transistoren 21 bzw. 22 verbunden sind, deren jeder in Basisgrundschaltung beirieben ist, sind bei diesem AusfUhrungsbcispicl
geijiäßjFjg. i,dje;cjrs^gejnannten Eng
den der Kondensatoren' 19:ünäi Mvöhtf Hochfrequenz!
Standpunkt aus betrachtet crsatzschahungsmäßig geerdet.
Demgemäß wird aus dem Resonanzkreis zwischen den Kollektoren der Transistoren 11 und 12 die in
Fig.2 dargestellte Schaltung, bei der Cvdie Kapazität
der Kondensatoren 19 und 20 und R den Gcsamtwidcrstund
der Kollcktorlast widerstände der Transistoren 11
bzw. 12 darstellen.
Demgemäß wird die Oszillalorschaltung gemäß F i g.
1 unter der durch die folgende Gleichung (1) ausgedrückten Schwingungsfrequenzbedingung schwingen,
weshalb an den Kollektoren der Transistoren 11 und 12,
d. h. an den Ausgangsanschlüssen 17 und 18, Schwingungssignalspannungen
vi bzw. Vi abnehmbar sind, die
mit entgegengesetzter Phasenlage zueinander auftreten, wie dies in F i g. 1 angedeutet -st
(D
In diesem Fall betragen die Ströme U u.«d /„ die durch
die Kondensatoren 19 bzw. 20 fließen, asu ~:-ückt
durch die Spannungen v\ bzw. vi, die an d~r<
Kt Z rktoren der Transistoren 11 bzw. 12 auftreten:
h — jioo Cs Vi (2)
(3)
Dies bedeutet, daß die Ströme, die in bezug auf die Schwingungssignalspannungen v\ bzw. V2 um 90° in der
Phase voreilen, durch die Kondensatoren 19 und 2P fließen. Infolgedessen sind an den Ausgangsanschlüssen 25
und 26 Schwingungssignalspannungen Vj bzw. V4 erhältlich,
die um 90° in der Phase in bezug auf die Schwingungssignalspannungen
vi bzw. K2 voreilen, welche an
den Ausgangsanschlüssen 17 bzw. 18 auftreten, wie dies in Fig. 1 angedeutet ist Mit anderen Worten ausgedrückt
heißt dies, daß die Transistoren 21 bzw. 22 in der Weise wirken, daß sie eine Strom-Spannungs-Umsetzung
vornehmen.
Wie oben beschrieben, können gemäß dam Ausführungsbeispiel
der Erfindung die Schwingungssignale, die in der Phase um 90° gegeneinander versetzt sind direkt
von der Schwingungsschaltung selbst erhalten werden, was bedeutet, daß ein 90°-Phasenschieber weggelassen
werden kann. 4«
Überdies ist bei obigem Ausführungsbeispiel der Erfindung
ein Resonanzkreis verwendet, so daß die Schwingung sogar bei hoher Frequenz stabil ist.
Da das in F i g. 1 dargestellte Ausführungsbeüpiel der
Erfindung eine Schaltungsanordnung vom Differenzschaltungstyp
im Schwingungsbetrieb zeigt, fließt im übrigen die Schwingungssignalkompnnentc lediglich
durch den Osziilatorschaltungskreis und nicht nach außen auf eine Speisespannungsleitung und die Massebzw.
Erdleitung. Deshalb treten sogar dann, wenn die in Fig. 1 dargestellte Oszilla'orschaltung gemäß der Erfindung
als integrierte Schaltung mit anderen hochverstärkenden Verstärkern usw. ausgebildet wird, keine
Probleme auf. Dies bedeutet, daß diese Ausführungsform in geeigneter Weise als integrierte Schaltung aus-
gebildet sein kann.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 1 ist der Kollektor des Transistors U mit der Basis des Transistors
11 über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 14 verbunden, während der Kollektor des Transistors 12
mil der Basis des Transistors! 1 ober die Basis-Eminer·
Strecke des gesonderten Transistors 15 verbunden' ist. Im übrigen sind diese beiden gesonderten Transistoren
14 und 15 in Emittergrundschaltung betrieben. Es ist
jedoch möglich, die Kollektoren der Transistoren 1! und 12 direkt mit din Basen des jeweils anderen Transistors
12 bzw. 11 zu verbinden.
In Fig.3 ist ein Schaltplan eines weiteren Ausführungsbeispiels
der Oszillatorschaltung gezeigt, die Schwingungsausgangssignale erzeugt weiche in der
Phase um 90° gegeneinander versetzt sind, wozu eine einfache Schaltungsart angewandt ist Gemäß dem Aus
führungsbeispiel nach Fig.3 sind Transistoren 31 und
32 vorgesehen, deren Emitter unter Bildung eines Differenzverstärkers miteinander verbunden über einen Widerstand
33 an Masse liegen. Ein ParaUel-Resonanzkreis 34, bestehend aus einer Spule und einer Kapazität, liegt
ίο zwischen dem Kollektor und der Baisis des Transistors
31. Das am Kollektor des Transistors 31 abnehmbare Schwingungssignal wird über einen Transistor 35, der
als Emitterfolger betrieben ist einem Ausgangsanschluß 36 zugeführt Der Kollektor des Transistors 31,
is d h. der eine Anschluß des Parallel-Resonanzkreises 34,
ist über einen Kondensator 37 am Emitter des Transistors 38 angeschlossen, dessen Basis eine Konstantspannung
Eb zugeführt wird und Sessen Basis über eine Konstantstromquelle
39 geerdet ist bzw. an Masse liegt. Ein weiterer Ausgangsanschluß 40 ist mit dem Kollektor
des Transistors 38 verbunden. Ein weiteres Schwingungssignal, dessen Phase um 90° gegenüber der Phase
des an dem erstgenannten AusgangsanseMuß 36 auftretenden
Schwingungssignals verschoben ist tritt an dem Äusgangsanschluß 40 auf. Demgemäß ist auch bei der in
Fig.3 dargestellten Ausführungsform der Erfindung kein 90°-Pbascnschieber erforderlich.
Durch die Erfindung ist also ein Oszillator geschaffen,
der ein erstes Bezugssignal und ein zweites Bezugssignal erzeugt, wobei die beiden Bezugssignale in der
Phase um 90" gegeneinander verschoben sind, ohne daß
dazu ein zusätzlicher Phasenschieber verwendet wird. In diesem Fall wird das erste Bezugssignal von dem
Oszillator direkt erhalten, während das zweite Bezugssignal von dem Oszillator über einen Kondensator und
einen Strom-Spannungs-Unisetzer erhalten wird
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Osziflatorschaltung mit zwei emiiterseitig miieinander
verbundenen Transistoren (11,12; 31, 32) und mit einem Parallelschwingkreis (i5:34). der mit
den beiden Transistoren (II, 12; 31,32) verbunden
ist und der über zumindest einen Ausgangsanschluß ein erstes Ausgangssigna! abgibt, dadurch gekennzeichnet,
daß mit den Anschlüssen des Parallelschwingkreises (16; 34) zwei gleiche Kondensatoren
(19, 20; 37, 41) verbunden sind, die außerdem
über eine niederohmige Transistor-Basisschaltung (21, 22; 38) oder direkt an Masse liegen,
wobei das zweite, gegenüber dem ersten um 90° phasenverschobene Ausgangssignal {v3; v4) am
Kollektor der Transistor-Basisschaltung (21, 22,38)
abgenommen werden kann.
2. Oszulatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Parallelschwingkrei;. "4)
zwischen dem Kollektor und der Basis des einen tier emitterseitig miteinander verbundenen Transistoren
(31, 32) liegt und daß mit dem Kollektor des einen Transistors (31) die Basis des anderen Transistors
(32) verbunden ist
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2634177A JPS53111264A (en) | 1977-03-10 | 1977-03-10 | Oscillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2810280A1 DE2810280A1 (de) | 1978-09-14 |
DE2810280C2 true DE2810280C2 (de) | 1984-10-11 |
Family
ID=12190728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2810280A Expired DE2810280C2 (de) | 1977-03-10 | 1978-03-09 | Oszillatorschaltung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4169248A (de) |
JP (1) | JPS53111264A (de) |
AU (1) | AU516828B2 (de) |
CA (1) | CA1089039A (de) |
DE (1) | DE2810280C2 (de) |
FR (1) | FR2383550A1 (de) |
GB (1) | GB1588674A (de) |
NL (1) | NL190257C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19655086B4 (de) * | 1995-07-21 | 2004-07-15 | Ricoh Co., Ltd. | Getaktete Datenverarbeitungseinrichtung, insbesondere mit Datenmodulations-Einrichtung zum Erzeugen eines Nachrichtenübermittlungssignals bzw. von Zeitsteuersignalen sowie eines kombinierten Zeitsteuer- und Nachrichtenübermittlungssignals, Verfahren zum Takten bzw. Takten und Nachrichtenübermitteln in einer Datenverarbeitungseinrichtung |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4283691A (en) * | 1979-05-29 | 1981-08-11 | Hewlett-Packard Company | Crystal oscillator having low noise signal extraction circuit |
JPS57133705A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Toshiba Corp | Variable frequency oscillating circuit |
DE3333402A1 (de) * | 1983-09-15 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierbare oszillatorschaltung |
US4847876A (en) * | 1986-12-31 | 1989-07-11 | Raytheon Company | Timing recovery scheme for burst communication systems |
US5561398A (en) * | 1995-05-16 | 1996-10-01 | National Semiconductor Corporation | LC-tuned voltage controlled ring oscillator |
KR0153379B1 (ko) * | 1995-09-26 | 1998-11-16 | 김광호 | 디지탈 무선통신시스템의 업/다운컨버터용 전압제어발진기 |
ATE403264T1 (de) * | 2001-06-26 | 2008-08-15 | Nxp Bv | Schaltung zur erzeugung einer negativen, relativ frequenzunabhängigen konduktanz- |
US7170701B2 (en) * | 2001-06-26 | 2007-01-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Amplifier with a strong output current |
JP3949562B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2007-07-25 | シャープ株式会社 | 半導体装置の検査方法および装置 |
KR100756331B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-09-07 | 한국전자통신연구원 | 저위상잡음 차동형 전류부궤환 lc 탱크 브시오 |
US20070182503A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-09 | Linear Technology Corporation | Oscillator having low phase noise |
US8830007B1 (en) | 2012-03-19 | 2014-09-09 | Scientific Components Corporation | Ultra-low noise VCO |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL111119C (de) * | 1956-10-02 | |||
JPS5132252B1 (de) * | 1970-05-21 | 1976-09-11 | ||
FR2135052B1 (de) * | 1971-05-04 | 1974-03-08 | Dba | |
US3963996A (en) * | 1974-09-05 | 1976-06-15 | Zenith Radio Corporation | Oscillation system for integrated circuit |
-
1977
- 1977-03-10 JP JP2634177A patent/JPS53111264A/ja active Granted
-
1978
- 1978-03-06 US US05/883,786 patent/US4169248A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-03-08 NL NLAANVRAGE7802533,A patent/NL190257C/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-03-08 CA CA298,539A patent/CA1089039A/en not_active Expired
- 1978-03-08 GB GB9196/78A patent/GB1588674A/en not_active Expired
- 1978-03-08 AU AU33972/78A patent/AU516828B2/en not_active Expired
- 1978-03-09 DE DE2810280A patent/DE2810280C2/de not_active Expired
- 1978-03-10 FR FR7807024A patent/FR2383550A1/fr active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19655086B4 (de) * | 1995-07-21 | 2004-07-15 | Ricoh Co., Ltd. | Getaktete Datenverarbeitungseinrichtung, insbesondere mit Datenmodulations-Einrichtung zum Erzeugen eines Nachrichtenübermittlungssignals bzw. von Zeitsteuersignalen sowie eines kombinierten Zeitsteuer- und Nachrichtenübermittlungssignals, Verfahren zum Takten bzw. Takten und Nachrichtenübermitteln in einer Datenverarbeitungseinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL190257B (nl) | 1993-07-16 |
CA1089039A (en) | 1980-11-04 |
NL190257C (nl) | 1993-12-16 |
AU3397278A (en) | 1979-09-13 |
US4169248A (en) | 1979-09-25 |
FR2383550B1 (de) | 1984-12-14 |
FR2383550A1 (fr) | 1978-10-06 |
JPS53111264A (en) | 1978-09-28 |
AU516828B2 (en) | 1981-06-25 |
DE2810280A1 (de) | 1978-09-14 |
NL7802533A (nl) | 1978-09-12 |
GB1588674A (en) | 1981-04-29 |
JPS6113644B2 (de) | 1986-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2846940C2 (de) | Verstärkerschaltungsanordnung | |
DE2810280C2 (de) | Oszillatorschaltung | |
DE2713953C3 (de) | Oberwellengenerator zur Erzeugung der dritten Harmonischen | |
DE2720525C3 (de) | Mischschaltung | |
DE3225405A1 (de) | Spannungs/strom-wandlerschaltung | |
EP0351639B1 (de) | Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker | |
DE1909721A1 (de) | Elektrische Schaltung zur Erzeugung von Vorspannungen | |
EP0133618B1 (de) | Monolithisch integrierte Transistor-Hochfreqzenz-Quarzoszillatorschaltung | |
DE2924171A1 (de) | Monolithisch integrierbarer transistorverstaerker | |
DE4321483C2 (de) | Leitungstreiberschaltstufe in Stromschaltertechnik | |
DE1271214C2 (de) | Frequenzmodulationsschaltung | |
DE2617488A1 (de) | Schaltungsanordnung zur temperaturkompensation bei einem quarzoszillator | |
DE3228785C2 (de) | ||
EP0610770B1 (de) | Multiplexeranordnung in Stromschaltertechnik | |
DE2136059B2 (de) | Dynamische temperaturunabhaengige spannungsteilerschaltung | |
EP1067473A1 (de) | Integrator | |
DE2148880C2 (de) | Stromquelle in integrierter Schaltungstechnik | |
DE1814887C3 (de) | Transistorverstärker | |
DE2805217C3 (de) | Monolithisch integrierte I2 L-Schaltung fur ein Zweiphasen-Schieberegister | |
DE3229437A1 (de) | Brueckenendstufe fuer einen tonfrequenz-empfangsverstaerker | |
DE4232378C2 (de) | Oszillatorschaltung | |
EP0588111B1 (de) | Speicherelement | |
DE3732906A1 (de) | Spannungsgesteuerter oszillator mit einem keramischen schwingquarz | |
DE1616411C3 (de) | Hinsichtlich der Resonanzfrequenz einstellbarer aktiver Vierpol | |
DE1537701C (de) | Schaltungsanordnung zur galvanischen Kopplung von Verstärkerstufen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |