DE2805673A1 - Verfahren und einrichtung zum untersuchen von elektronischen schaltungen - Google Patents
Verfahren und einrichtung zum untersuchen von elektronischen schaltungenInfo
- Publication number
- DE2805673A1 DE2805673A1 DE19782805673 DE2805673A DE2805673A1 DE 2805673 A1 DE2805673 A1 DE 2805673A1 DE 19782805673 DE19782805673 DE 19782805673 DE 2805673 A DE2805673 A DE 2805673A DE 2805673 A1 DE2805673 A1 DE 2805673A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- probe
- circuit
- grid
- secondary electrons
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/306—Contactless testing using electron beams of printed or hybrid circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
DR. BERG DIPL.-ING. STAPi7
DIPL.-ING. SCHWABE DR. DR. SANDMAIR 2 8 Q 5 6 7
PATENTANWÄLTE Postfach 860245 · 8000 München 86
Anwaltsakte: 28 848
THE SECRETARY OF STATE FOR INDUSTRY IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOVERNMENT
OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAIN AND NORTHERN IRELAND London, SW1, England
Verfahren und Einrichtung zum Untersuchen von elektronischen Schaltungen
809833/0968
»(089)988272 Telegramme: Bankkonten: Hypo-Bank München 4410122850
9g8273 BERGSTAPFPATENT München ' (BLZ 70020011) Swift Code: HYPO UE MM
988274 TELEX: Bayet Vereinsbank München 453100 (BLZ W)3)270)
983310 0524560BERGd Postscheck München 65343-808 (BLZ 70OIOU8U)
- ir -
Anwaltsakte: 28 848
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum
Untersuchen von elektronischen Schaltungen, d.hu zum Untersuchen, Analysieren oder Fehlerdiagnostizieren von elektronischen
Schaltungen und anderen Einrichtungen.
Mit der Erfindung ist ein Verfahren zum Untersuchen einer elektronischen
Schaltung, welche wie beim Betrieb während der Untersuchung angeschaltet wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Elektronensonde auf verschiedenen Stellen in der Schaltung in einer geordneten Reihenfolge gerichtet wirdf und ein*. Strom
von Sekundärelektronen t welche von der Auftreffstelle
abgegeben werden, entsprechend dem Auftreffen der Elektronensonde
in ein elektrisches Signal umgesetzt wird, das die tferte
eines elektrischen oder elektromagnetischen Parameters kennzeichnet, welcher durch die Schaltung an den verschiedenen
Stellen gezeigt wird. Das Verfahren ist insbesondere zum Untersuchen von komplizierten elektrischen Schaltungen, wie beispielsweise
gedruckten Schaltungen geeignet, nachdem sie zusammengebaut sind.
809833/0968
Die Erfindung betrifft ferner eine Abtasteinrichtung, welche die Durchführung des vorbeschriebenen Verfahrens erleichtert,
welche aber auch generell verwendet werden kann. Die Abtasteinrichtung weist vorzugsweise folgende Einrichtungen aufs
eine Elektronenkanone zur Erzeugung einer Elektronensondef
eine Abtaststeuerschaltung für die Sonde, eine Halteeinrichtung, um ein Muster zu tragen, so daß der Strahl im wesentlichen
senkrecht auf das Muster auftreffen kann, und einen elektronischen
Kollektor, welcher ein elektronisch durchlässiges Gitter aufweist, das in der Bahn der Elektronensonde angeordnet
ist, wobei das Gitter vorgesehen ist, um weg von dem Muster von diesem abgegebene Sekundärelektronen zu beschleunigen,
und eine Auffangeinrichtung, die seitlich von der Bahn des Strahls angeordnet ist, zum Auffangen und Sammeln der Sekundärelektronen,
welche durch das Gitter hindurchgehen ,> Vorzugsweise
ist aus Gründen t die nachstehend noch erläutert werden,
ein zusätzliches, elektronisch durchlässiges Gitter bei und parallel zu dem ersten Gitter angeordnet. Die Auffangeinrichtung
kann einen Szintillator aufweisen, welcher eine Aufnahmefläche hat, welche seitlich von der Bahn der Elektronensonde
angeordnet ist und ringförmig sein kann. Ein weiteres Gitter ,um die Sekundarleketronen zu dem Szintillator hin zu
ziehen, kann unmittelbar vor dem Szintillator angeordnet sein.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen
unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen
™ 6 —
809833/0988
28Q5673
im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Pig.1 eine schematische Darstellung einer Abtasteinrichtung;
und
Fig.2 eine schematische Darstellung der Äbtasteinrichtung
in Verbindung mit einem Steuersystem.
Es ist bereits üblich, elektronische Schaltungen, wie beispielsweise
gedruckte oder integrierte Schaltungen ,auf zwei Arten zu untersuchen oder zu prüfen« Bei der ersten Methode,
die üblicherweise als Funktionsprüfung bezeichnet wird, werden entsprechende Signale an Eingangsanschlüsse der Schaltung
angelegt und es werden Spannungen oder Ströme oder auch beide an Ausgangsanschlüssen geprüft« Die Eingangssignale können geändert
werdenr und die Ausgangssignale können bezüglich einer entsprechenden Änderung solange geprüft und untersucht werden,
bis die Arbeitsweise der Schaltung für den gesamten Bereich von EingangsSignalen, für welche sie ausgelegt worden
ist, für in Ordnung befunden wird. Hierbei kann angenommen werden, daß wenn die Schaltung einwandfrei auf alle verschiedenen
Eingangssignale anspricht, mit welchen sie geprüft wird, jeder Teil der Schaltung einwandfrei arbeitet; in der Praxis
ist es jedoch schwierig, komplizierte Schaltungen auf diese Weise ganz zu untersuchen.
809833/0968
Bekannt ist auch, eine Schaltung^welche für normalen Betrieb
angeschaltet ist, durch eine interne Untersuchung zu prüfen. Beispielsweise ist es bekannt, zum Untersuchen einer elektronischen
Schaltung ein Programm vorzubereiten, welches genau eine Folge von Untersuchungen festlegtr wie beispielsweise die
Bestimmung der Spannung (bezüglich irgendeines Wertes) an jeweils aufeinanderfolgenden Stellen in der Schaltung. Das Programm
kann dann mit Hilfe einer Datenverarbeitungseinrichtung durchgeführt werden, wobei die aufeinanderfolgenden Werte der
Spannung oder erforderlichenfalls andere elektrische Parameter dem Rechner zugeführt werden, wenn das Untersuchungsprogramm
weitergehtc Ein derartiges Programm kann einen Fehler anzeigen,
wenn beispielsweise eine bestimmte Spannung für die bestimmte Stelle, welche untersucht wird, außerhalb eines Toleranzbereichs
fällt. Das Vorhandensein eines Fehlers kann durch den Rechner herausgefunden werden, und das Programm kann ein
Unter- oder Maschinenprogramm zum Auffinden der Quelle des bestimmten
Fehlers oder es kann ein Verfahren zur Berichtigung des jeweiligen Fehlers vorschreiben. Ein Unter- oder Maschinenprogramm
kann eine Reihe von Befehlen aufweisen, um den Fühler an eine bestimmteGruppe von Stellen in der Schaltung anzulegen«
Auch ist es bekannt, anstelle eines in der Hand zu haltenden Fühlers einen mechanischen Fühler zu verwenden, welcher automatisch
gesteuert durch eine Untersuchungseinrichtung bewegt werden kann, um an verschiedenen Stellen in der Schaltung in
Anlage zu kommen, welche zu untersuchen sind, und um das Unter-
809833/0968
suchungsprogranaa zumindest teilweise automatisch unter Steuerung
eines Rechnerprogramms durchzuführen.
Weder die Formulierung oder Abfassung eines Untersuchungsprogramms
noch irgendein bestimmtes üntersuchungsprogramm sind
Teil der vorliegenden Erfindung, da vermutet wird, da die programmierte Untersuchung von elektronischen Schaltungen in der
beschriebenen Weise allgemein bekannt ist. Das Untersuchen von komplizierten gedruckten oder integrierten Schaltungen mittels
eines mechanischen Fühlers ist jedoch langsam und mühsam und gegenwärtig ist eine funktioneile Untersuchung im allgemeinen
das erste Mittel und eine Untersuchung mittels Fühler die letzte Maßnahme eines Prüfers.,
Bei der Erfindung wird eine Elektronensonde, nämlich ein
scharf eingestellter Elektronenstrahl verwendet, welcher abgelenkt werden kann, dessen Amplitude vorzugsweise moduliert
werden kann und welcher durch eine Person oder eine Einrichtung,, im allgemeinen durch einen Rechner,aber möglicherweise
auch durch eine menschliche Bedienungsperson.zu einer Folge
von Punkten auf der Oberfläche einer elektronischen Schaltung geführt wird- Die Wirkung der Elektronensonde beruht darauf,
daß von der elektronischen Schaltung ein Strom von Sekundärelektronen abgegeben wird. Dieser Strom kann dann einer unterschiedlichen
Behandlung unterzogen werden, wobei nur Elektronen durchgelassen werden können, deren kinetische Energie
809833/0968
oder deren Bewegungsrichtung in einen bestimmten Bereich ,welcher
der Auftreffstelle, zugeordnet ist gemäß einem bestimmten
Kriterium der unterschiedlichen Behandlung,fällt. Die Parameter
können das elektrische Oberflächenpotential sein, d.h. die Spannung (bezogen auf einen Datenwert) an der Auftreffstelle
der Elektronensonde, das elektrische Feld nahe bei der Auftreffstelle der Elektronensonde und nahe an der Oberfläche der zu
untersuchenden ,elektronischen Schaltung, oder das elektromagnetische
Feld nahe bei der Auftreffstelle der Elektronensonde
und nahe bei der Oberfläche der zu untersuchenden elektronischen Schaltung. In dem speziellen Beispiel, welches später
beschrieben wird, ist die elektronische Sammel- oder Äuffangelektrode
,nämlich die Kombination aus einem Filter für Sekundärelektronen, irgendwelchen Zwischen- oder Leitelektronen, den
Elektroden oder Oberflächen, welche die Sekundärelektronen aufnehmen, dienach der Filterung verbleiben, und den zugeordneten
Elementen, welche schließlich ein Signal erzeugen, das den vorerwähnten Parameter darstellt, so ausgelegt, um ein Signal zu
erzeugen, das das elektrische Oberflächenpotential an jeder untersuchten Stelle wiedergibt, und dies wird dann als spannungsempfindlicher
Kollektor oder spannungsempfindliche Auffangelektrode
bezeichnet; die Einrichtung gemäß der Erfindung kann jedoch auch ohne weiteres abgewandelt werden, um die anderen Parameter
zu fühlen, wenn deren Messung bevorzugt wird.
Wenn beispielsweise ein spannungsempfindlicher Kollektor ver-
- 10 -
809833/0968
2605673 - ίο -
wendet wird, kann die Elektronensonde gerichtet werden, um auf irgendeinen gegebenen Knoten- oder Verbindungspunkt der
zu untersuchenden elektronischen" Schaltung aufzutreffen, und
der spannungsempfindliche Kollektor kann ein Ausgangssignal
schaffen, das die Spannung an dem Verbindungspunkt anzeigt; vorausgesetzt, daß die Spannung nicht, unabhängig von der
elektronischen Schaltung,sich entsprechend ihrer jeweiligen Lage ändert. Für eine gegebene Verknüpfung von Spannungen
und Strömen ,die an die Eingangsanschlüsse der elektronischen, zu untersuchenden Schaltung angelegt werden, können
die Spannungen an vielen Verbindungs- und Knotenpunkten in einer vorbestimmten Folge innerhalb der elektronischen Schaltung
schnell bestimmt werden, und zwar aufgrund der Mühelosigkeit, mit welcher die Richtung der Elek.tronensonde geändert
werden kann. Andererseits ist- es möglich, die Elektronensonde genau auf einen bestimmten Schaltungspunkt zu richten und die
Eingänge der elektronischen Schaltung zu ändern, oder in einem
Testprogramm die überprüfung einer Vielzahl von Verbindungspunkten bei einer entsprechenden Änderung der Eingänge der
elektronischen Schaltung zu verknüpfen.
In Fig.1 sind das Vakuumgehäuse, die Anordnungen zum Erzeugen,
Scharfeinstellen und Ablenken des Elektronenstrahls, der hier als Elektronensonde bezeichnet ist, sowie die Lage und die
allgemeine Beschaffenheit eines spannungsempfindlichen Elektronenkollektors zum Untersuchen einer elektronsichen Schal-
809833/0968
tung dargestellt, welche in dem vorliegenden Beispiel eine
doppelseitig bedruckte Schaltungsplatte ist, auf welcher die elektronischen Bauelemente auf der Unterseite angebracht
sind. Die Elektronensonde trifft auf der Rückseite der gedruckten Schaltungsplatte auf, und jeder Prüf- oder Verbindungspunkt
, an welchem die Sonde zur Bestimmung der elektrischen Oberflächenpotentials verbleibt, ist entweder ein Löttropfen
am Ende einer Anschliißleitung des Bauelements oder ein in der Nähe liegender Teil einer leitenden Bahn. Eine
Elektronensonde 1 wird beispielsweise durch eine Elektronenkanone 2 geschaffen, welche sich von der üblichen Kanone, die
in Kathodenstrahlröhren verwendet ist, durch einige leichte Abänderungen unterscheidet, damit die Kathode in einem auswechselbaren
System betrieben werden kann. Der Glaskegel und der Schirm der Kathodenstrahlröhre sind weggelassen worden.
Die Elektronenkanone ist-, üblicherweise in einem Glashals 3 untergebracht,
wobei aber das Ende dieses Halses in dem schmalen Ende eines metallischen (Flußstahl) Kegels 4 auswechselbar abgedichtet
ist. Fokussierspulen 5 und Äblenkspulen 6 für die Elektronensonde sind für eine genaue Einstellung an einem Rahmen
7 kardanisch gehaltert, welcher von einem Flansch 8 getragen wird, welcher sich axial von dem schmaleren Ende des Kegels
4. aus erstreckt. Ein Rohr 9, welches von der Rückseite des Glashalses aus vorsteht und welches normalerweise zum Evakuieren
der Kathodenstrahlröhre verwendet wird und dann ständig abgeklemmt ist, ist offen gelassen und abnehmbar mit einer nicht
- 12 -
809833/0968
dargestellten Vakuumpumpe verbunden, welche ein hohes Vakuum im Bereich der Elektronenkanone aufrechterhält.
Das Glasrohr ist von einer Mu~Metallabschirmugn 12 umgeben,
welche mit einer Öffnung zum Unterbringen des Rohrs 9 und mit elektrischen Anschlüssen 11 für die Elektronenkanone versehen
ist. Am Fuß des Kegels ist eine Kammer ausgebildet, welche hauptsächlich durch einen zylindrischen Rahmen 12 festgelegt
ist, welcher einen inneren Endflansch, welcher an der Öffnung
des Kegels 1 abgedichtet ist, und an seiner Außenfläche 13 eine Öffnung aufweist, die mit einer anderen Vakuumpumpe
verbunden ist, welche ein hohes Vakuum im Bereich der zu untersuchenden, elektronischen Schaltung aufrechterhält.
Die elektronische Schaltung selbst ist senkrecht zu der nicht
abgelenkten Richtung der FJ ektronenprobe 1 mittels einer Halteeinrichtung gehaltert, die für eine Seite der gedruckten
Schaltungsplatte einen entsprechenden Träger 14 und für die andere Seite, welche die Anschlüsse der elektronischen Schaltung
trägt, ein Anschlußteil bzw. einen Stecker 15 aufweist, welcher an einer Platte 16 angebracht ist, welche auf ihrer
Innenseite eine O-Ringdichtung 17 trägt, welche an einer ebenen Außenfläche der Seitenwand 18 der Untersuchungskammer anliegt.
Folglich befinden sich alle Eingangs- und Ausgangsanschlüsse der gedruckten Schaltung außerhalb der Vakuumkammer,
und eine Verbindung mit ihnen kann in der normalen Umgebungs-
- 13 809833/0968
28Q5673
luft vorgenommen werden. Die Halterungsplatte 16 und die an
ihre angebrachte, zu untersuchende Schaltung können horizontal in die Untersuchungskammer eingebracht werden. Ein vorevakuierter
Einsatz, welche eine Anzahl zu untersuchender Schaltungen enthalten kann, könnte vorzugsweise ohne weiteres
verwendet werden. Eine neue zu untersuchende Schaltung kann dann schnell gegen eine ausgetauscht werden, bei welcher
die Untersuchungen abgeschlossen sind, und die Untersuchungskammer kann dann schnell wieder von Luft evakuiert werdenr
Mu-Metallabschirmungen 19 bis 21 umgeben den Kegel 1 und die
Untersuchungskammer«
Der spannungsempfindliche Elektronenkollektor weist in dieser
Ausführungsform eine Verbindung von Bauteilen auf, welche nunmehr beschrieben wird» Sehr nahe und parallel zu der Rückseite der gedruckten Schalungsplatte ist ein ebenes Gitter
vorgesehen, welches elektronisch durchlässig ist. Es liegt außerhalb des Brennpunktes für den Primärelektronenstrahl. ,der
durch die Sonde 1 gebildet, ist, und sein Rastermaß sowie seine Stabbreite sind entsprechend gewählt, um eine vernachlässigbare
Veränderung in dem Primärelektronenstrahl zu gewährleisten, wenn mit ihm die Rückseite 24 der gedruckten Schaltungsplatte
25 abgetastet wird. Das Gitter 23 wird beispielsweise auf positiven 500V gehalten, so daß alle Sekundärelektroden geringer
Energie, die von der Untersuchungsstelle emittiert worden sindf
zu dem ersten Gitter hin beschleunigt werden. Die Mehrzahl die-
- 14 809833/0968
ser Sekundärelektronen durchdringen dieses Gitter.
Parallel und an der Oberseite des ersten Gitters ist ein zweites in ähnlicher Weise elektronisch durchlässiges ebenes Gitter
26 vorgesehen» Dieses Gitter liegt .in ähnlicher Weise
außerhalb des Brennpunktes des Primärelektronenstrahls und sein Rastermaß sowie seine Gliedbreite sind ähnlich wie die
des ersten Gitters, so daß das zweite Güter deckungsgleich mit dem ersten Gitter angeordnet werden kann, um die maximale
Durchlässigkeit durch diese. Gitter sowohl für den Primärelektronenstrahl als auch für die Sekundärelektronen zu ermöglichen.
Diese Sekundärelektronen, welche durch das erste Gitter 23 hindurchgehen, durchlaufen ein Verzögerungsfeld zwischen
dem ersten Gitter 23 und dem zweiten Gitter 26,. Das zweite
Gitter wird im allgemeinen auf einftr Spannung (V„) gehalten,
welche zwischen OV und -5V bezüglich des Potentials der Untersuchungsstelle liegt. Dies kann auch ein Kontakt-Oberflachenpotentialunterschxed
zwischen der Untersuchungsstelle und dem zweiten Gitter sein .Dies kann durch ein entsprechendes Einstellen
der Spannung des zweiten Gitters ausgeglichen werden. Wenn die Untersuchungsstelle auf OV liegt e gehen diese Sekundärelektronen,
welche von der Untersuchungsstelle mit einer Geschwindigkeitskomponente abgegeben werden, die senkrecht
zu dem zweiten Gitter verläuft, und größer als J ~\v\ m/sek
ist, wobei E die elektronische Ladung und M die ELekfcronenmasse ist, durch das zweite Gitter hindurch. Die Sekundärelektronen,
- 15 -
809833/0968
die mit einer geringeren normalen Geschwindigkeitskomponente abgegeben worden sind, gehen nicht durch das zweite Gitter
hindurch. Wenn die Untersuchungssteile beispielsweise auf -2,5V liegt, gehen alle Sekundärelektronen, die von der Prüfungsstelle
mit einer senkrecht zu dem zweiten Gitter verkaufenden Geschwindigkeitskomponente
abgegeben werden, die größer als
in ^ iV2 1 ~ 2'5) πι/s ist:, durch das zweite Gitter hindurch.
Der Bruchteil an Sekundärelektronen, welche durch das zweite
Gitter durchgelassen werden,· wird größer, wenn die Untersuchungen
stelle bei -2,5V liegt, als dann ,wenn die Untersuchungsstelle
auf OV liegt. Infolgedessen .ist der Bruchteil der durch das
zweite Gitter durchgelassenen Sekundärelektronen eine Funktion
der Spannung der Untersuchungsstelle und kann dazu verwendet werden, um diese Spannung anzuzeigen oder zu messen. Die vorstehend
gegebene Erläuterung ward der Einfachheit halber bei Änderungen infolge des Materials des Musters oder infolge des mikroskopisch kleinen Einfallswinkels bei der Sekundäremission weggelassen.
Durch eine Normalisierung werden diese Veränderungen annuliert«
Die Sekundärelektronen (geringer Energie}, welche durch das
zweite Gitter hindurchgehen, werden zu einem dritten Gitter 27 hin angezogen, welches vorzugsweise durch ein ringförmiges
Maschengitter gebildet ist, das auf +500V oder mehr gehalten · ist. Das Maschengitter 27 sowie die ersten und zweiten Gitter
haben einen hohen Durchlässigkeitsfaktor.
- 16 -
809833/0968
Die Elektronen, welche durch das dritte Gitter 27 hindurchgehen, werden zu einem ringförmigen Kunstharz-Scintillator 28
beschleunigt, welcher auf seiner Innenfläche mit einem dünnen überzug 29 aus Aluminium beschichtet ist, welcher auf
1OkV gehalten ist. Die meisten der Elektronen durchdringen die dünne Äluminiumauflage, um dadurch Scintillationen hervorzurufen.
Ein Großteil des von den Scintillationen stammenden Lichts wird durch eine in der Nähe vorgesehene Anordnung von
optischen Fasern 30 aufgefangen und gesammelt, die an der äußeren vertikalen Fläche des ringförmigen Scintillators 28 angebracht
bzw. angeklebt sind. Die optischen Fasern sind in einem Bündel zusammengefaßt, welches das von den Fasern aufgenommene
Licht zu der Kathode eines in Fig.2 dargestellten Photoelektronenvervielfachers
31 leitet, dessen Ausgang durch einen Verstärker 32 verstärkt ist, der vorzugsweise einen Gegen-Wirkwiderstandsverstärker
aufweist, welcher eine Ausgangsspannung an
einem Ausgang mit niedriger Impedanz schafft» Der Spannungsaus- · gang ist ein Anzeigewert der Spannung an der Untersuchungsstelle
auf der gedruckten Schaltungsplatte«
Normalerweise würde die Elektronensonde an jeder der Stellen, die untersucht werden, angehalten, damit die Untersuchungsspannung
richtig festgestellt und Signalen zugeordnet werden kann, welche den speziellen Untersuchungspunkt kennzeichnen, aber so
ist es bei Verwendung der Einrichtung der Fig.1 sogar möglich, 1000 und mehr Üntersuchungsstellen in weniger als lOOmsek zu
- 17 -
809833/09S8
überprüfen.
In Fig.2 ist schematisch ein Steuersystem mit einem Kleinstrechner
dargestellt, welcher die Elektronensonde leitet. Die Beschreibung wird nur als Beispiel gegeben und Hinweise, welche
für den Fachmann nicht notwendig sind, sind weggelassen. Das Steuersystem weist im wesentlichen einen Kleinstrechner
auf, welcher ein Untersuchungsprogramm von einem Speicher 34 erhält, welcher eine sogenannte Floppydisc 35 aufnehmen kann,
auf welcher vorher ein Programm aufgezeichnet ist, das sich zum Untersuchen einer bestimmten Schaltung eignet. Das System
weist eine Kopplungseinrichtung 36 e welche Steuersignale für
logische Schaltungen 37 schafft, denen der Verstärker 32 zugeordnet ist, Digital-ümsetzer 38 , welche Ablenkverstärker
39 für die Elektronenkanone steuern, sowie Austastglieder und
Verstärker 40 auf, welche die Energieversorgung 41 für die verschiedenen Teile der Elektronenkanone steuern. Das Steuersystem
weist auch eine elektrische Versorgungseinrichtung 42 für die Fokussierspulen 5 und eine weitere elektrische Versorgungseinrichtung
43 für die verschiednene Gitter des Elektronenkollektors auf; die elektrischen Versorungseinrichtungen 43 werden
unter Zwischenschaltung der Kopplungseinrichtung 36 von dem Kleinstrechner 33 aus gesteuert. Das vorliegende System weist
auch eine funktionelle Prüfeinrichtung 44 auf,welche von dem Kleinstrechner 33 gesteuert wird.
809833/0988
- 18 -
Ein Untersuchungsverfahren beginnt damit, daß in die Untersuchungskammer
eine zu untersuchende Schaltung eingebracht wird und ein Testprogramm, das vorher auf einerFloppydisc aufgezeichnet
worden ist, in den Speicher 34 geladen wird. Das Testprogramm weist eine Folge von beabsichtigten logischen Untersuchungen
auf, um eine optimale Untersuchungsgeschwindigkeit zu schaffen, und erforderlichenfalls eine Fehlerdiagnose durchzuführen,
üblicherweise würde das Programm sowohl Funktionsprüfungen als auch Abtast- oder Sondieruntersuchungen aufweisen«
Wenn die Folge eine funktionelle Untersuchung genau festlegt, bei welcher ein Sondieren unnötig oder unangemessen ist, wird
die funktionelle Untersuchung mittels der FuriKtlonsuntersuchungseinrichtung
durchgeführt, welche ,gesteuert von dem Kleinstrechner 33 und in bekannter Weise ,entsprechende Eingangssignale
axi bestimmte Anschlüsse der untersuchten Schaltung anlegt und von der untersachten Schaltung erhaltene Ausgangssignale
dem Kleinstrechner zuführt. Während der mehr funktionellen Untersuchung bleibt die Elektronensonde ausgeschaltet
.
Die meisten Programme führen jedoch eine Kombination aus funktionellen
Untersuchungen und Abtast- oder Sondierungsprüfungen durch. Bevor eine derartige Untersuchungsfolge gestartet wird,
sollte gewährleistet sein, daß die Elektronensonde richtig bezüglich des Schaltungsmusters eingestellt ist und mit diesem
übereinstimmt. Für diesen Zweck können die üblichen Werkzeug-
- 19 -
809833/0988
und Bearbeitungsmarken an der gedruckten Schaltungsplatte verwendet
werden. Diese Marken können in einfacher Weise festge-;·/ legt werden, indem der Strahl über eine im Vergleich zu den Marken
große Fläche streicht und ein entsprechender übergang in dem Ausgangssignal des Verstärkers 32 beobachtet wird. Vorspannungen
für die X und Y-Ablenkspule können in entsprechender Weise
eingestellt werden. Die Übereinstimmung und Ausrichtung kann ohne weiteres automatisch mit Hilfe des Kleinstrechners durchgeführt werdenc
Wenn eine Untersuchung mit, der Sonde durchzuführen, erzeugt der
Kleinstrechner entsprechende Eingangssignale mit Hilfe der Funktionsprüfeinrichtung an der zn untersuchenden Schaltung und legt
an die Kopplungseinrichtung kodierte Signale an, welche genau die Koordinaten (im allgemeinen x~ und y-Koordinaten) jeder der
zu untersuchenden Stelle der Reihe nach festlegen. Die Kopplungseinrichtung führt gesonderte Binärziffern Digital-Analogwandlern
38 zu, um X und Y-Ablenksignale zu schaffen, welche den Ablenkspulen
6 über die Ablenkverstärker 39 zugeführt werden. Der Kleinstrechner kann dann das Austastglied und den Verstärker beaufschlagen,
welche nach einer angemessenen Zeit, um die Anlenkströme
zu stabilisieren, die Elektronensonde anschalten und sie dann austasten, bevor die Sonde zu der nächsten Untersuchungsstelle bewegt wird. Der Kleinstrechner kann dann auch die Versorgungsspannung an dem zweiten Gitter 26 auf eine Spannung von
beispielsweise +10V für den ersten Teil der Verweilzeit der
- 20 -
809833/0968
Elektronensonde einschalten. Bei dieser genau festgelegten Spannung
für das zweite Gitter ist die Ausgangsspannung V _ des
CXX
Verstärkers 32 charakteristisch für die gesamte oder sich normalisierende
Sekundäremission niedrigerEnergie. Die Spannung
an dem zweiten Gitter kann auf die Filterspannung (wie oben erwähnt zwischen 0 und 5V) für den letzten Teil der Verweilzeit
geschaltet werden? während dieses letzten Teils ist die Ausgangsspannung
V des Verstärkers 32 charakteristisch für die Spannung an der Untersuchungsstelle. Die Spannung an der Untersuchungsstelle
ist durch das Verhältnis V V/V gekennzeichnet
da der sich normalisierende Betrieb .änderungen von Stelle zu
Stelle in der Ausbeute und der Winkelverteilung der Sekundäremission ausgleicht;.
Schließlich weist die Kopplungseinrichtung ein Verknüpfungsglied in der logischen Schaltung des KopfVerstärkers auf, um
sie für genaue Perioden zu öffnen, damit die Werte V und V
aufgezeichnet werden können. Das Verhältnis dieser Werte kann herausgefunden und in der logischen Schaltung des KopfVerstärkers
mit einem "richtigen" Wert verglichen werden, der zu diesem Zweck von dem Kleinstrechner einem Vergleicher zugeführt
wird. Das Ergebnis dieses Vergleichs wird zu dem Kleinstrechner zurückgegeben, damit er entscheiden kann, zu der nächsten Prüfstelle
weiterzugehen.
Der Kleinstrechner bewegt die Elektronensonde über die Untersu-
- 21 -
809833/0968
chungsstelle, die durch die vorgegebene Verknüpfung von Eingangssignalen
genau festgelegt ist, welche Werte zum Vergleich der vollständigen Gruppe mit einer richtigen, vollständigen
Gruppe gespeichert werden können oder welche einzeln aufgenommen werden, um Fehler bestimmter Verknüpfungsglieder oder
in bestimmten üntersystemen der elektronischenSchaltung aufzuzeigen«.
Auch ist es ohne weiteres möglich, den Kleinstrechner entsprechend zu programmieren, daß er eine vollständige Fehlerdiagnose
schrittweise durchführt, und durch einen Ausgang an einer visuellen Anzeigeeinrichtung oder einem anderen peripheren
Gerät die Art und Lage irgendeines Fehlers anzeigt«.
Im allgemeinen ist es möglich, elektronische Ströme in Leitungen und Schaltungsbauteilen und nicht Spannungen an Verbindungspunkten
,mit Hilfe von Elektronenkollektoren zu untersuchen,
die auf elektromagnetische Felder empfindlich ansprechen«
Alle Formen von elektronischen Schaltungen ,nämlich Schaltungen mit einem hohen oder einem mittleren Integrationsgrad oder Einrichtungen
mit akustischen Oberflächenwellen, an welchen Metall-Leiter an einem piezoelektrischen Material angebracht
sind, können in ähnlicher Weise wie vorstehend beschrieben, untersucht
und geprüft werden.
809833/0968
Claims (5)
- Patentansprüche! Λ J Verfahren zum untersuchen einer elektronischen Schaltung, welche wie beim Betrieb während der Untersuchung angeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Elektronensonde auf verschiedene Stellen in der Schaltung in einer genau festgelegten Reihenfolge gerichtet wird, und daß ein Strom von Sekundärelektronen, welche von der Schaltung abgegeben werden, entsprechend dem Auftreffen der elektronischen Sonde in ein elektrisches Signal umgesetzt wird, welcher die Werte eines elektrischen Parameters wiedergibt, welcher durch die Schaltung an den verschiedenen Schaltungspunkten gebildet ist.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet ,daß verschiedene Schaltungspunkte in einer im wesentlichen gemeinsamen Ebene angeordnet sind, welche im wesentlichen senkrecht zu der Richtung der Elektronensonde verläuft, und daß die Umsetzung der Sekundärelektronen in das Signal mittels eines Kollektors oder einer Sammeleinrichtung, die ein elektronisch durchlässiges ,parallel zu der Ebene angeordnetes Gitter aufweist, und einer Auffangeinrichtung erfolgt T die seitlich von der Elektronensonde angeordnet ist und zu welcher die durch das Gitter beschleunigten Sekundärelektronen geleitet werden.8U9833/0968
»(089)988272 Telegramme: 988273 BERGSTAPFPATENT München 988274 TELEX: 983310 OS24560 BERG d Bankkonten: Hypo-Bank München 4410122850 (BLZ 70020011) Swift Code: HYPO DE MM Bayec Vereinsbank München 453100(BLZ φ)20270) Posischeck München 65343-808 (BLZ ?0Ül()i)8t))ORIGINAL INSPECTED28Q5873 - 3. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Elektronenkanone (2) zur Erzeugung einer Elektronensonde (1); durch eine Abtaststeuerung für die Sonde (1)? durch eine Halteeinrichtung (14), welche ein Muster trägt, so daß die Sonde (1) im wesentlichen senkrecht auf das Muster auftreffen kann; durch einen elektronischen Kollektor, welcher ein elektronisch durchlässiges Gitter (23) aufweist, das in der Bahn der Sonde (1) angeordnet ist und vorgesehen ist, um abgegebene Sekundärelektronen von dem Muster weg zu beschleunigen, und durch eine Auffangeinrichtung (28, 29), die seitlich der Bahn der Sonde (1) angeordnet ist, um die Sekundärelektronen aufzunehmen und sju sammeln r welche durch das Gitter (23) hindurchgekommen sind«,
- 4. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichne tf daß die Auffangeinrichtung einen Scintillator (28) auf" weist, welcher eine ringförmige Aufnahmeflache hat, welche den Bereich der Elektronensonde (1) umgibt*
- 5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, gekenn zeichnet durch ein zweites elektronisch durchlässiges Gitter (26) , das parallel zu und weiter weg von der Stelle der zu prüfenden Schaltung als das erste Gitter (23) angeordnet ist.- 4 809833/0968
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB5835/77A GB1594597A (en) | 1977-02-11 | 1977-02-11 | Electron probe testing analysis and fault diagnosis in electronic circuits |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2805673A1 true DE2805673A1 (de) | 1978-08-17 |
Family
ID=9803533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782805673 Withdrawn DE2805673A1 (de) | 1977-02-11 | 1978-02-10 | Verfahren und einrichtung zum untersuchen von elektronischen schaltungen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS53121476A (de) |
DE (1) | DE2805673A1 (de) |
FR (1) | FR2380556A1 (de) |
GB (1) | GB1594597A (de) |
NL (1) | NL7801558A (de) |
SE (1) | SE425869B (de) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2902495A1 (de) * | 1979-01-23 | 1980-07-31 | Siemens Ag | Einrichtung zur beruehrungslosen potentialmessung |
EP0048863A1 (de) * | 1980-09-29 | 1982-04-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Anordnung zur quantitativen Potentialmessung an Oberflächenwellenfiltern |
DE3110140A1 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung und verfahren fuer eine rasche interne logikpruefung an integrierten schaltungen |
EP0075716A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Verbessertes Gegenfeld-Spektrometer für die Elektronenstrahl-Messtechnik |
DE3138990A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Koaxiales gegenfeld-spektrometer hoher akzeptanz fuersekundaerelektronen und elektronenstrahl-messgeraet |
DE3138926A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektronenoptische anordnung fuer die hochaufloesende elektronenstrahl-messtechnik |
DE3206309A1 (de) * | 1982-02-22 | 1983-09-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sekundaerelektronen-spektrometer und verfahren zu seinem betrieb |
DE3232671A1 (de) * | 1982-09-02 | 1984-03-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung und verfahren zur spannungsmessung an einem vergrabenen messobjekt |
DE3235698A1 (de) * | 1982-09-27 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung und verfahren zur direkten messung von signalverlaeufen an mehreren messpunkten mit hoher zeitaufloesung |
EP0225969A1 (de) * | 1985-08-19 | 1987-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparat und Methode zur Regelung der Bestrahlung mittels Elektronenstrahles an bestimmten Positionen in einem Elektronenstrahltestsystem |
DE3719202A1 (de) * | 1987-06-09 | 1988-12-29 | Siemens Ag | Verfahren zur automatischen pruefung von elektrischen baugruppen |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0264481B1 (de) * | 1986-10-23 | 1992-05-13 | International Business Machines Corporation | Verfahren zur Prüfung von Platinen für integrierte Schaltungen mittels eines Lasers im Vakuum |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1946931A1 (de) * | 1969-09-17 | 1971-03-18 | Gen Electric | Verfahren zum Pruefen von Schaltungen und Vorrichtung zur Ausfuehrung des Verfahrens |
US3678384A (en) * | 1968-08-24 | 1972-07-18 | Charles W Oatley | Electron beam apparatus |
US3796947A (en) * | 1973-02-27 | 1974-03-12 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam testing of film integrated circuits |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3549999A (en) * | 1968-06-05 | 1970-12-22 | Gen Electric | Method and apparatus for testing circuits by measuring secondary emission electrons generated by electron beam bombardment of the pulsed circuit |
JPS5093078A (de) * | 1973-12-17 | 1975-07-24 | ||
JPS51108569A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Hitachi Ltd | Sosadenshikenbikyo mataha ruijisochi |
-
1977
- 1977-02-11 GB GB5835/77A patent/GB1594597A/en not_active Expired
-
1978
- 1978-02-09 SE SE7801530A patent/SE425869B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-02-10 DE DE19782805673 patent/DE2805673A1/de not_active Withdrawn
- 1978-02-10 NL NL7801558A patent/NL7801558A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-02-10 FR FR7803839A patent/FR2380556A1/fr active Granted
- 1978-02-13 JP JP1530678A patent/JPS53121476A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3678384A (en) * | 1968-08-24 | 1972-07-18 | Charles W Oatley | Electron beam apparatus |
DE1946931A1 (de) * | 1969-09-17 | 1971-03-18 | Gen Electric | Verfahren zum Pruefen von Schaltungen und Vorrichtung zur Ausfuehrung des Verfahrens |
US3796947A (en) * | 1973-02-27 | 1974-03-12 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam testing of film integrated circuits |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2902495A1 (de) * | 1979-01-23 | 1980-07-31 | Siemens Ag | Einrichtung zur beruehrungslosen potentialmessung |
EP0048863A1 (de) * | 1980-09-29 | 1982-04-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Anordnung zur quantitativen Potentialmessung an Oberflächenwellenfiltern |
DE3110140A1 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung und verfahren fuer eine rasche interne logikpruefung an integrierten schaltungen |
DE3138926A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektronenoptische anordnung fuer die hochaufloesende elektronenstrahl-messtechnik |
DE3138901A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verbessertes gegenfeld-spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik |
DE3138990A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Koaxiales gegenfeld-spektrometer hoher akzeptanz fuersekundaerelektronen und elektronenstrahl-messgeraet |
EP0075716A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Verbessertes Gegenfeld-Spektrometer für die Elektronenstrahl-Messtechnik |
DE3206309A1 (de) * | 1982-02-22 | 1983-09-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sekundaerelektronen-spektrometer und verfahren zu seinem betrieb |
DE3232671A1 (de) * | 1982-09-02 | 1984-03-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung und verfahren zur spannungsmessung an einem vergrabenen messobjekt |
DE3235698A1 (de) * | 1982-09-27 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung und verfahren zur direkten messung von signalverlaeufen an mehreren messpunkten mit hoher zeitaufloesung |
EP0225969A1 (de) * | 1985-08-19 | 1987-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparat und Methode zur Regelung der Bestrahlung mittels Elektronenstrahles an bestimmten Positionen in einem Elektronenstrahltestsystem |
US4807159A (en) * | 1985-08-19 | 1989-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for controlling irradiation of an electron beam at a fixed position in an electron beam tester system |
DE3719202A1 (de) * | 1987-06-09 | 1988-12-29 | Siemens Ag | Verfahren zur automatischen pruefung von elektrischen baugruppen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS53121476A (en) | 1978-10-23 |
JPH0330258B2 (de) | 1991-04-26 |
SE425869B (sv) | 1982-11-15 |
FR2380556B1 (de) | 1985-02-08 |
FR2380556A1 (fr) | 1978-09-08 |
NL7801558A (nl) | 1978-08-15 |
SE7801530L (sv) | 1978-08-12 |
GB1594597A (en) | 1981-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69223088T2 (de) | Apparat zur Musterüberprüfung und Elektronenstrahlgerät | |
EP0104577B1 (de) | Verfahren zur kontaktlosen Prüfung eines Objekts, insbesondere von Mikroverdrahtungen, mit einer Korpuskularstrahl-Sonde | |
DE102004058483B4 (de) | Vorrichtung zur Untersuchung von Produkten auf Fehler, Messfühler-Positionierverfahren und Messfühler-Bewegungsverfahren | |
DE102014226985B4 (de) | Verfahren zum Analysieren eines Objekts, Computerprogrammprodukt sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens | |
EP0013876B1 (de) | Einrichtung zur berührungslosen Potentialmessung | |
DE2805673A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum untersuchen von elektronischen schaltungen | |
DE19525081B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Testen der Funktion von Mikrostrukturelementen | |
DE1943140B2 (de) | Verfahren zum analysieren des oberflaechenpotentials eines prueflings | |
DE3532781A1 (de) | Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet | |
DE3412715C2 (de) | Feldemissions-Abtastelektronenmikroskop | |
DE112016001147T5 (de) | Ladungsträgerstrahlvorrichtung und Bilderzeugungsverfahren damit | |
DE102009001587A1 (de) | Verfahren zur Einstellung eines Betriebsparameters eines Teilchenstrahlgeräts sowie Probenhalter zur Durchführung des Verfahrens | |
DE19802848B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Testen eines Substrats | |
DE102005061687A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Abstandsmessung | |
DE3045013C2 (de) | ||
DE112018007534T5 (de) | Einrichtung für strahl geladener teilchen | |
DE102013102669A1 (de) | Proben-Überwachungsverfahren, Proben-Vorbereitungsverfahren und Ladungspartikelstrahl-Vorrichtung | |
DE69123166T2 (de) | Verfahren und Gerät zur Hintergrundkorrektur bei der Analyse einer Probenoberfläche | |
DE112005000420T5 (de) | Halbleiter-Prüfverfahren und System für dieses | |
EP0285896B1 (de) | Verfahren zum Testen von Leitungsnetzwerken | |
DE3783766T2 (de) | Atto-amperemessgeraet. | |
DE102006014288B4 (de) | Transmissionselektronenmikroskop | |
EP0472938B1 (de) | Anordnung zum Testen und Reparieren einer integrierten Schaltung | |
EP0108375B1 (de) | Verfahren zur Kontrolle von elektronenstrahlgravierten Druckformoberflächen | |
DE2440120A1 (de) | Vorrichtung zur wiedergabe der energieverteilung eines aus geladenen teilchen bestehenden strahles |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LINTECH INSTRUMENTS LTD., CAMBRIDGE, GB |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: SCHWABE, H., DIPL.-ING. SANDMAIR, K., DIPL.-CHEM. |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |