DE2737437A1 - Hochfrequenzoszillator und -modulator - Google Patents
Hochfrequenzoszillator und -modulatorInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/08—Amplitude modulation by means of variable impedance element
- H03C1/14—Amplitude modulation by means of variable impedance element the element being a diode
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
Description
. FRIEDRICH B. FISCHER 5000 KÖLN 50
fATCNTANWAlT %
SAA.ST«ASS€ 71
^ z/37437
464 Ellis Street
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf elektrische Schaltungen und insbesondere auf elektrische Oszillatoren und Modulatoren für Hochfrequenzbetrieb (radio frequency - RF).
Hochfrequenzoszillatoren und -modulatoren, wie sie im häuslichen
und gewerblichen Betrieb verwendet werden, müssen im Regelfall hinsichtlich ihrer Leistung und ihres Frequenzausgangs bestimmte Anforderungen erfüllen. Beispielsweise müssen einige Geräte, z.B. Video-Spielgeräte, welche mit Fernsehempfängern üblicher Bauart zusammenarbeiten können, bestimmten behördlichen
Vorschriften und Auflagen (z.B. den"FCC-Regulations") hinsichtlich der Oberwellenunterdrückung und der maximalen Ausgangsspannung entsprechen, um die Ausbreitung unerwünschter Störsignale
möglichst gering zu halten.
Schaltungen üblicher Bauart erfordern vielfach geregelte Spannungsversorgungen und spezielle Parameter der Schaltung, damit
die behördlichen Vorschriften und Auflagen eingehalten werden können. Hierdurch werden die Herstellungskosten der Schaltungen
erheblich erhöht.
Die Erfingung bezweckt, eine Hochfrequenzoszillator- und modulator-Schaltung zu schaffen, mit welcher besondere Vorschriften
und Auflagen hinsichtlich des Ausgangs in vorteilhafter Weise,
insbesondere mit verminderten Herstellkosten, eingehalten werden könnern.
Ein Hochfrequenzoszillator gemäß der vorliegenden Erfindung enthält eine Vorspannungsquelle am Oszillatorausgang zur Erzeugung einer Vorspannung, welche an einen Oszillatortransistor
derart angelegt wird, daß die Ausgangsleistung für einen bestimmten Bereich von Speisepannungen geregelt ist. Die Vorspannungs-
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quelle enthält eine oder mehrere Dioden, deren Temperaturkoeffizient
so gewählt ist, -daß er dem des Oszillatortransistors
eng angepaßt ist, so daß die Transistorvorspannung über einen vorgegebenen Arbeitstemperaturbereich aufrechterhalten
ist.
Zwischen dem Oszillatorausgang und einer Modulationssignalquelle kann ein Diodenmodulator eingeschaltet sein, um ein moduliertes
Hochfrequenzsignal zu erzeugen. Vorzugsweise erzeugt die Vorspannungsdiode für den Oszillatortransistor auch eine
Hochfrequenzvorspannung für den Diodenmodulator.
Die Erfindung und vorteilhafte Ausführungsformen und Merkmale
werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher beschrieben.
Die Zeichnung zeigt ein elektrisches Schaltschema eines Hochfrequenzoszillators
und -modulators gemäß der Erfindung.
Der in der Zeichnung dargestellte Hochfrequenzoszillator gemäß der Erfindung ehält einen Transistor 10, welcher in der Colpitts-Schaltung
(kapazitive Dreipunktschaltung) mit geerdetem Kollektorgeschaltet ist. Eine Gleichspannungsquelle, deren Spannung
entsprechend der Erfindung zwischen 5 V und,, 15 V schwanken kann,
ist über einen Widerstand 14 mit dem Kollektor des Transistors 10 verbunden, und der Emitter des Transistors 10 ist- über einen
Widerstandsspannungsteiler mit Widerständen 16 und 18 mit der Erde der Schaltung verbunden. Die Basis des Transistors 10 steht
in Verbindung mit einer abgestimmten Schaltung bzw. Schwingkreis mit Kondensatoren 20, 22 und 24 sowie einer variablen Induktionsspule
26, und diese Teile stellen eine Brückenanordnung dar, wobei die gemeinsame Klemme des Kondensators 24 und der Induktivität
26 über Widerstand 28 mit Ausgangsklemme 30 des Oszillators verbunden ist. Die Gleichspannungsquelle ist über Widerstand
32 und Widerstand 34 mit Ausgangsklemme 30 verbunden, wobei Kondensator 36 einen Hochfrequenznebenschluß zur Erde darstellt.
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In vorteilhafter Weise ist Diode 40, welche die Vorspannung bereitstellt, zwischen den Oszillatorausgang 30 und die Schaltungserde
gelegt, und hierdurch entsteht eine Gleichvorspannung an Ausgangsklemme 30, welche durch den Schwingkreis zur Basis
des Transistors 10 weitergegeben wird. Der Spannungsabfall über der Diode 40 schwankt nicht bei einer Speisespannung, deren
Wert zwischen etwa 5 und 15 V liegt; die Vorspannung an Transistor 10 bleibt daher konstant«über diesen Bereich der Speisespannung,
und die Ausgangsleistung des Oszillators bleibt im wesentlichen konstant.
Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine geringe Länge einer Übertragungsleitung 42 zwischen Ausgangsklemme 30 und
der Schaltungserde mit Diode 40 in Reihe geschaltet, um die Hochfrequenzimpedanz am Oszillatorausgang zu erhöhen. Die Anode
einer Modulatordämpfungsdiode 50 ist mit der Ausgangsklemme 30 verbunden, und die Kathode der Modulatordiode 50 ist so geschaltet,
daß sie ein Modulationssignal an der Kathode aufnimmt. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Modulationssignal ein
Videofarbsignal, welches über Widerstand 52 und ein dreipoliges Tshebyscheff-Filter mit Induktionsspule 54 und Querkondensatoren
56 und 58 angelegt und dann weiter über Widerstand 60 zur Kathode der Modulatordiode geführt wird. Bei niedrigen
Strompegeln ändert sich der Widerstand der Diode 50 als Reziprokviert
des Strompegels, und man erhält eine Dämpfungsmodulation des Oszillatorausgangssignals.
Das an der Kathode der Diode 50 abgenommene modulierte Ausgangssignal
wird über ein Netzwerk an den Ausgang 76 der modulierten Hochfrequenz angelegt. Das Netzwerk enthält in Reihe Kondensator
64 und Widerstand 66 sowie im Nebenschluß Widerstand 68, und anschließend ein Tiefpaßfilter, welches in Serie geschaltet
Induktionsspule 70 und Kondensator 71 sowie Querkondensatoren und 74 enthält. Bei der Anwendung in Zusammenhang mit einem Videospiel
kann beispielsweise der Ausgang 76 unmittelbar mit der
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Antenne eines Fernsehempfängers üblicher Bauart verbunden sein, wenn ein Fernsehspiel durchgeführt werden soll. Übertragungsleitung
69 ist als gekürzte Stichleitung ausgebildet, um Videofrequenzen auszufiltern, während das modulierte Hochfrequenzsignal
durchgelassen wird.
Die Oszillatorvorspannung gemäß der Erfindung ermöglicht, daß
die Oszillatorausgangsleistung über einen verhältnismäßig weiten Spannungsbereich (z.B. 5 - 15 V) von der Speisespannung
unabhängig ist. Der harmonische Ausgang des abgestimmten Oszillators ist niedrig; eine Messung der zweiten harmonischen Frequenz
ergab bei einer Ausführungsform der Erfindung minus 55 DB am Oszillatorausgang. Auch ist wesentlich, daß die Ausgangsleistung
niedrig ist, und sie ist auch verhältnismäßig unabhängig von der Wahl des Oszillatortransistors. Es wurden mehrere
willkürlich gewählte Transistoren verschiedener Transistorfamilien in dem Oszillator verwendet, und es wurde festgestellt,
daß die Schwjnkung der Ausgangsleistung plus oder minus 1,5 DB betrug.
iGetnäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die
Vorspannungsdiode 40 eine lichtemittierende Diode, deren Temperaturkoeffizient
dem des Oszillatortransistors eng angepaßt ist. Eine lichtemittierende Diode (LED) hat im Regelfall eine
Bezug.sspannung von 1,65 V, und der Emittergleichstrom des Oszillatortransistors kann auf 1,0 mA gesteuert werden. Bei
Sinusspannungen beträgt die maximale Hochfrequenzspannung vom Emitter zu Erde bei dem Oszillatortransistor 2,0 V von Spitze
zu Spitze. Da die Emitterspannung begrenzt ist, sinkt die Spannung von Emitter zu Kollektor niemals unter 2,8 V während
des Hochfrequenzzyklus, und hierdurch wird eine Transistorsättigung und dementsprechend ein Abkappen der Hochfrequenz
und die Erzeugung harmonischer Schwingungen vermieden. Die Vorspannungsdiode kann auch zwei oder mehrere in Vorwärtsrichtung
vorgespannte, in Reihe geschaltete Dioden enthalten. Alternativ kann auch eine in Gegenrichtung vorgespannte Zenerdiode verwendet
werden, wenn der Oszillator eine höhere Speisepannung erhält.
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Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel hatten die Bauelemente
die folgenden Werte:
10 | MPS 3563 | 42 | 110 Ohm Übertragungsleitung |
12 | 0,001 uf | 50 | 1N4148 |
14 | 220- Ohm | 52 | 470 Ohm |
16 | 39 Ohm | 54 | 15 uH |
18 | 1 K Ohm | 56 | 220 Pf |
20 | - 100 Pf | 58 | «220 Pf |
22 | 18 Pf | 60 | 470 Ohm |
24 | 200 Pf | 64 | 220 Pf |
26 | 0,3 - 0,5 uH | 66 | 56 Ohm |
.-- 28 | 68 Ohm | 68 | 27 Ohm |
32 | 270 Ohm | 70 | 0,68 uH |
34 | 270 Ohm | 71 | 12 Pf |
36 | 0,1 JiF | 72 | 33 Pf |
40 | FLV 110 | 74 | 33 Pf |
Bei den beschriebenen speziellen Ausführungsbeispiel der Erfindung lieferte der Oszillator minus 14 DBm zur Modulatordiode. Die Modulatordiode ist ein Dämpfungsglied mit 75 Ohm,
dessen Dämpfung von 35 DB bis mehr als 50 DB variiert werden kann; die Dämpfung wird dabei durch Änderung des Stroms durch
die Modulatordiode geändert. Bei der Anwendung auf ein Videospiel beträgt der Diodenstrom in der Synchronisationsspitze
(Signal mit höchster Amplitude) etwa 1 mA, und dies ergibt einen Diodenwiderstand von 25 Ohm. Beim weißen Bezugspegel
beträgt der Diodenstrom 0,1 mA und der entsprechende Wert des Diodenwiderstandes ist 250 Ohm. Die Diodenimpedanz ist größer
als die Quellen- und Lastimpedanz, und die Amplitude der Hochfrequenzspannung nähert sich daher einer linearen Funktion
des Diodenstroms. Der Störausgang der zweiten Harmonischen für ein Modulationssignal von 3,58 Mhz beträgt minus 40 DB.
In Zusammenhang mit der Erfindung ist also zu beachten, daß ein
Hochfrequenzoszillator und -modulator ein stabiles moduliertes
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Hochfrequenzsignal bei im Wert schwankender Spannungsquelle
erzeugt, wobei in vorteilhafter Weise das Erfordernis einer
kritischen Auswahl des Geräts bzw. von Schaltungsteilen entfällt. Am Oszillatorausgang wird durch eine Diode oder ein ähnlich
wirkendes Schaltungsteil eine Vorspannung für den Oszillatortransistor bereitgestellt, wobei die Vorspannung zu dem Transistor
durch den Oszillatorschwingkreis weitergegeben wird. In vorteilhafter Weise liefert 4ie Diode eine Vorspannung für
einen Diodenmodulator, welcher mit dem Oszillatorausgang und einem Modulationssignal derart verbunden ist, daß der Diodenmodulator
linear arbeitet.
Es hat sich gezeigt, daß der beschriebene erfindungsgemäß ausgebildete
Oszillator und Modulator eine hohe Leistungsfähigkeit besitzt, wirtschaftlich ist und bei der Verwendung für Videospiele
die gesetzlich und behördlich vorgeschriebenen Erfordernisse erfüllt. Verbesserungen und weitere Ausbildungen sind
im Rahmen fachmännischen Handelns möglich.
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Claims (8)
1.) Hochfrequenzoszillator mit geregelter Ausgangsleistung
für einen vorgegebenen Speisepannungsbereich und mit niedrigem harmonischen Spannungsausgang, *
gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
a) einen Bipolartransistor mit Emitter-, Basis- und
Kollektoranschlüssen;
·** b) eine Spannungsquelle;
c) eine Verbindung zwischen dem Transistor und der
SpannungsquelIe;
d) eine Verbindung zwischen dem Transistor und der
Schaltungserde;
e) einei Schwingkreis, welcher derart mit dem Transistor
zusammenwirkt, daß eine Oszillationsfrequenz geliefert wird;
f) eine Verbindung zwischen dem Schwingkreis und einer
Oszillatorausgangsklemme und
g) einen Diodenvorspannungsgeber mit festem Gleichspannungsabfall, welcher derart zwischen der Ausgangsklemme und der Schaltungserde eingeschaltet ist, daß
·* die feste Gleichspannung zu dem Transistor durch den
Schwingkreis als Vorspannung weitergegeben wird.
2. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Diodenvorspannungsgeber eine lichtemittierende Diode enthält.
3. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Diodenvorspannungsgeber mehrere in Reihe geschaltete, an Vorwärtsvorspannung liegende Dioden aufweist.
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ORIGINAL INSPECTED
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4. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Diodenvorspannungsgeber eine in Gegenrichtung vorgespannte Zenerdiode enthält.
5. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindung zwischen dem Transistor und der Spannungsquelle eine Kapazität enthält, welche die Kollektorklemme
mit der Schaltungserde verbindet, und einen Widerstand, welcher die Kollektorklemme mit der Spannungsquelle verbindet,
wobei die Verbindung zwischen dem Transistor und der Schaltungserde einen Widerstandsspannungsteiler enthält und der Schwingkreis*
mit dem Basisanschluß und dem Widerstandsspannungsteiler verbunden ist.
6. Hochfrequenzoszillator nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch das zusätzliche Merkmal:
g) eine Modulationsschaltung, welche mit der Oszillatorausgang
sklemme derart verbunden ist, daß sie ein Modulationssignal aufnimmt und das Oszillatorsignal
moduliert.
7. Hochfrequenzoszillator mit einer Modulationsschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Modulationsschaltung eine Diode enthält, deren Anode mit der Oszillatorausgangsklemme
verbunden ist, und deren Kathode so geschaltet ist, daß sie das Modulationssignal aufnimmt und das Modulationssignal herstellt
8. Hochfrequenzoszillator mit einer Modulationsschaltung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch ein Filter, welches die
Kathode der Diode mit einer Ausgangsklemme für das modulierte Hochfrequenzsignal verbindet.
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Also Published As
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GB1550324A (en) | 1979-08-08 |
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OD | Request for examination | ||
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